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国際特許分類[H05K3/46]の内容

国際特許分類[H05K3/46]に分類される特許

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【課題】配線間の絶縁性に優れ信頼性の高い配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に形成された配線と、第1の絶縁膜上及び配線上に形成された第2の絶縁膜とを有し、第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との界面は、第1の絶縁膜と配線との界面よりも下に位置し、配線の下面の端部から離間している。 (もっと読む)


【課題】
折り曲げた構造を容易に製造できる配線基板、電子装置、及び配線基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
多層配線基板は、複数の絶縁体と、前記絶縁体と交互に積層される導電体と、を有する多層配線基板であって、前記多層配線基板の表面から前記多層配線基板の厚さ方向に形成される複数の穴であって、少なくとも前記絶縁体のうち一の絶縁体を残して形成される穴を含む。 (もっと読む)


【課題】 反りの発生を抑制しつつ、絶縁層と導体パターンとの密着性を充分に確保することを可能とするプリント配線板を提供する。
【解決手段】 補強材29を備えるコア基板30の両面に、補強材47に樹脂を含浸させてなる第1絶縁層40を設け、該第1絶縁層40でコア基板を補強してから、補強材を含有しない第2絶縁層50,60,70を積層する。第1絶縁層40上の第2導体パターン48の厚みは、第2絶縁層50(60,70)上の第3導体パターン58(68,78)の厚みよりも厚い。 (もっと読む)


【課題】基板上の樹脂絶縁層において、基板に到達するビアホールを紫外線レーザー照射によって形成する際、ビアホール周縁の表層部が変性することなく、かつ、微細で迅速なビアホール形成が可能な、プリント配線板用積層構造体およびそれを用いたプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板と、前記基板上に形成された第2の硬化塗膜の層と、前記第2の硬化塗膜の層と前記基板との間に形成された第1の硬化塗膜とを備え、前記第2の硬化塗膜が、(C)多分岐構造を有するポリイミド樹脂および(D)多官能脂環式エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物より形成され、前記第1の硬化塗膜が、紫外線吸収性を有する成分を少なくとも1種を含む熱硬化性樹脂組成物により形成されることを特徴とするプリント配線板用積層構造体である。 (もっと読む)


【課題】リフロー方式の半田付けに対応可能で且つ小型化された高周波モジュールを提供することを目的としている。
【解決手段】略正方形状の多層基板の表層に、RFICが実装されるRFIC領域と、入力インピーダンスの整合を行う入力整合回路が実装される入力整合回路領域と、水晶発振器を含む発振回路が実装される発振回路領域と、前記RFIC、前記入力整合回路、前記発振回路を含む回路の電源管理を行う電源回路領域と、を有し、前記RFIC領域は、前記表層の略中央に配置され、前記入力整合回路領域は、前記RFIC領域の2辺と、前記RFIC領域の2辺とそれぞれ対向する前記多層基板の2辺とに沿った略L字形状である。 (もっと読む)


【課題】一例として、より不都合の少ない基板を製造しやすい製造装置を得る。
【解決手段】実施形態にかかるフレキシブルプリント配線板の製造装置は、複数の装置を備える。第二導体層を設ける装置は、第一導体層の面に部分的に第二導体層を設ける。第一絶縁層を設ける装置は、第一導体層の面に部分的に第一絶縁層を設ける。第一導体層、第二導体層、第一絶縁層、および第三導体層を一体化する装置は、第一導体層の面に設けられた第二導体層および第一絶縁層が第一導体層とは反対側から第三導体層で覆われた状態で、一体化する。導体パターンを形成する装置は、第一導体層、第二導体層、第一絶縁層、および第三導体層が一体化された構造の第一導体層および第三導体層のうち少なくとも一方を部分的に除去して導体パターンを形成する。第二絶縁層で覆う装置は、導体パターンが形成された構造の両側を第二絶縁層で覆う。 (もっと読む)


【課題】無収縮焼成法を用いて、セラミック基板は、収縮されず、電極パターンは、水平方向に自由に収縮されて、微細な線幅及びパターン位置の精密度の両方を満足する多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】内部電極回路パターンの設けられたセラミック積層体を製造するステップと、前記セラミック積層体の外部に有機層を形成するステップと、前記有機層上に表面電極を形成するステップと、前記有機層及び前記表面電極の設けられたセラミック積層体を焼結するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】 レーザビアと回路パターンとの位置公差の小さいプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 レーザによりビア用開口51dと同時に形成した位置決め用開口51bの凹部60bhを基に、レジスト膜54を形成するため、該レジスト膜54によって形成した導体回路58と、ビア用開口51dに形成したフィルドビア60との位置精度が高く、ファインピッチな配線を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】集積回路素子を有するICパッケージに、集積回路素子に接続されていない補助配線を設けることで、高密度配線が可能な回路モジュールを提供する。
【解決手段】集積回路素子5を有するICパッケージ2と、ICパッケージ2が実装される配線基板3とを備え、集積回路素子5がICパッケージ2の表面に形成された複数のパッドのうちの一部を介して配線基板3の複数のランド電極に接続されている回路モジュールにおいて、複数のパッドのうち集積回路素子5に接続されていない少なくとも2つのパッドが、ICパッケージ2に設けられ、かつ、集積回路素子5に接続されていない補助配線8により接続されるとともに、配線基板3に設けられた複数の配線パターン10が、集積回路素子5に接続されていない少なくとも2つのパッドと補助配線8を介して接続される。 (もっと読む)


【課題】線路を伝播する不要な高周波信号を抑制するとともに、スルーホールから不要な高周波信号が輻射されるのを低減するように構成された高周波モジュールを提供する。
【解決手段】バイアス線路123、124のそれぞれから分岐部131、141で分岐させ合流部132、142で合流させた分岐線路130、140を設けている。分岐線路140の電気長L2と分岐部141から合流部142までのバイアス線路124の電気長L1との差(L2−L1)が、不要な高周波信号の実効的な波長λgの1/2またはその奇数倍に略等しくなるように電気長L1、L2を設定する。 (もっと読む)


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