光デバイスおよび光送信器
【課題】 大型化を抑制しかつ接続損失を抑制しつつ曲がり導波路と別の導波路とを交差させることができる光デバイスおよび光送信器を提供する。
【解決手段】 光デバイスは、基板（３０）と、基板に形成され曲がり部を有する第１光導波路（１０）と、第１光導波路の曲がり部と交差する第２光導波路（２０）と、を備え、基板において、第１光導波路の曲がり部の外側に溝（４０）が形成されている。光送信器は、光デバイスと、入力光を強度変調して変調された第１変調光および第２変調信号を第１光導波路および第２光導波路にそれぞれ入力する強度変調部（２１０）と、第１光導波路を経由した第１変調光を第１データ信号で変調する第１変調部（２２０）と、第２光導波路を経由した第２変調光を第２データ信号で変調する第２変調部（２３０）と、第１変調部および第２変調部で変調された各変調信号光を偏波多重する偏波多重部（２４０）と、を備える。
【解決手段】 光デバイスは、基板（３０）と、基板に形成され曲がり部を有する第１光導波路（１０）と、第１光導波路の曲がり部と交差する第２光導波路（２０）と、を備え、基板において、第１光導波路の曲がり部の外側に溝（４０）が形成されている。光送信器は、光デバイスと、入力光を強度変調して変調された第１変調光および第２変調信号を第１光導波路および第２光導波路にそれぞれ入力する強度変調部（２１０）と、第１光導波路を経由した第１変調光を第１データ信号で変調する第１変調部（２２０）と、第２光導波路を経由した第２変調光を第２データ信号で変調する第２変調部（２３０）と、第１変調部および第２変調部で変調された各変調信号光を偏波多重する偏波多重部（２４０）と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスおよび光送信器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信技術においては、高速化が進んでいる。現状システムでは、１０Ｇｂ／ｓから４０Ｇｂ／ｓへの移行が行われている。今後は、４０Ｇｂ／ｓまたはさらに高速の１００Ｇｂ／ｓの通信システムで用いられる光送信器および光受信器の開発が重要となってくる。
【０００３】
光導波路を用いた光デバイスは、小型で優れた特性を示すため、光変調器、光受信器、光スイッチ等の様々な機器で実用化されている。通信システムの進展に伴って光導波路に求められる性能も複雑化しており、従来とは異なる光導波路が求められる。
【０００４】
例えば、特許文献１および特許文献２には、交差光導波路が開示されている。また特許文献３には、折り返し光導波路を用いた光変調器の例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−６０９２９号公報
【特許文献２】国際公開第２００２／０２３２６４号
【特許文献３】特開２００７−９４４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
折り返し光導波路のような曲がり光導波路に別の光導波路を交差させることができれば、デバイスの設計自由度が高くなる。
【０００７】
図１は、代表的な曲がり光導波路１１０の構成例を説明するための図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線断面図である。図１および図２の光導波路１１０は、光変調器等に用いられるＬｉＮｂＯ３からなる基板１３０にＴｉ等を拡散させることによって設けた拡散光導波路である。基板１３０において、この光導波路１１０の曲がり部分の外側には溝１４０が形成されている。曲がり部分の光のモードフィールドは、図２で説明されるように曲がり部分の外側に偏ることが知られている。したがって、曲がり部分の外側に溝１４０(空気層、屈折率ｎ＝１)のように光導波路１１０(ＬｉＮｂＯ３拡散導波路、屈折率ｎ＝２．１５)と比べて屈折率差の大きな媒体を配置することによって、低損失な曲がり光導波路を実現することができる。
【０００８】
このような光導波路１１０の曲がり部分に別の光導波路を交差させようとした場合、一度直線導波路に戻して交差させれば、特許文献１，２に開示されるような方法で交差部を形成することが可能である。しかしながら、この場合、デバイスの長さが大きくなり、かつ光導波路１１０の曲がり部分と直線導波路との接続部での接続損失（〜１ｄＢ×２箇所）が発生してしまう。
【０００９】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、大型化を抑制しかつ接続損失を抑制しつつ曲がり導波路と別の導波路とを交差させることができる光デバイスおよび光送信器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、明細書開示の光デバイスは、基板と、基板に形成され曲がり部を有する第１光導波路と、第１光導波路の曲がり部と交差する第２光導波路と、を備え、基板において、第１光導波路の曲がり部の外側に溝が形成されているものである。
【００１１】
上記課題を解決するために、明細書開示の光送信器は、光デバイスを備え、基板は、電気光学効果を有し、入力光を強度変調して変調された第１変調光および第２変調信号を第１光導波路および第２光導波路にそれぞれ入力する強度変調部と、第１光導波路を経由した第１変調光を第１データ信号で変調する第１変調部と、第２光導波路を経由した第２変調光を第２データ信号で変調する第２変調部と、第１変調部および第２変調部で変調された各変調信号光を偏波多重する偏波多重部と、を備えるものである。
【発明の効果】
【００１２】
明細書開示の光デバイスおよび光送信器によれば、大型化を抑制しかつ接続損失を抑制しつつ曲がり導波路と別の導波路とを交差させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】代表的な曲がり光導波路の構成例を説明するための図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る光デバイスの上面図である。
【図４】（ａ）は図３のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｂ）は図３のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図５】第１の実施形態の変形例１に係る光デバイスの上面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】第１の実施形態の変形例２に係る光デバイスの上面図である。
【図８】第１の実施形態の変形例３に係る光デバイスの上面図である。
【図９】第１の実施形態の変形例４に係る光デバイスの上面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る光デバイスの上面図である。
【図１１】第２の実施形態の変形例１に係る光デバイスの上面図である。
【図１２】（ａ）は図１１のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｂ）は図１１のＢ−Ｂ’線断面図であり、（ｃ）は第２光導波路の光モードフィールドを説明するための図である。
【図１３】第２の実施形態の変形例２に係る光デバイスの上面図である。
【図１４】第２の実施形態の変形例３に係る光デバイスの上面図である。
【図１５】第３の実施形態に係る光送信器を説明するための図である。
【図１６】データ変調方式として強度変調方式を採用する場合の出力状態を説明するための図である。
【図１７】光伝搬損失の測定結果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図３は、第１の実施形態に係る光デバイス１００を模式的に表わした上面図である。図４（ａ）は、図３のＡ−Ａ’線断面図である。図４（ｂ）は、図３のＢ−Ｂ’線断面図である。以下、図３、図４（ａ）および図４（ｂ）を参照しつつ、光デバイス１００について説明する。
【００１６】
光デバイス１００は、第１光導波路１０および第２光導波路２０が基板３０に形成された構造を有する。基板３０は、ＬｉＮｂＯ３基板等である。第１光導波路１０および第２光導波路２０は、基板３０にＴｉ等を拡散させることによって形成された拡散光導波路である。
【００１７】
第１光導波路１０は、曲がり部を有する曲がり光導波路である。第１光導波路１０を伝搬する光は、曲がり部においては外側に偏って伝搬する。そこで、第１光導波路１０の光伝搬損失を低減するために、基板３０において、第１光導波路１０の曲がり部の外側に溝部４０が形成されている。すなわち、溝部４０は、第１光導波路１０の曲がり部に沿ってカーブする形状を有する。
【００１８】
第２光導波路２０は、溝部４０を通って、第１光導波路１０の曲がり部と交差するように形成された直線光導波路である。第２光導波路２０は、溝部４０において、両側面が除去されたリッジ構造を有するリッジ部２１を備える。リッジ部
２１のリッジ幅は、９μｍ以下であることが好ましい。
【００１９】
リッジ部２１は、マスクを用いたＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）技術によって形成することができる。上記のような狭いリッジ幅は、サブミクロンオーダーの解像度でマスクを製造可能な装置と、ＲＩＥ技術を用いて１０μｍ程度の深さのエッチングに耐える耐エッチング性を有するマスクと、によって実現される。従来は、上記のようなマスクを製造できなかったため、本実施形態に係る光デバイス１００を作製することは困難であった。
【００２０】
本実施形態によれば、第１光導波路１０と第２光導波路２０との交差部において第１光導波路１０を直線にする必要がない。それにより、光デバイスの大型化を抑制することができる。また、溝部４０において第２光導波路２０がリッジ構造を有することから、溝部４０の途切れ目の幅が小さくなる。それにより、第１光導波路１０の曲がり部における光伝搬損失を低く維持することができる。したがって、第１光導波路１０と第２光導波路２０との接続損失が低減される。
【００２１】
なお、本実施形態においては第１光導波路１０の曲がり部と溝部４０との間に隙間があるが、それに限られない。例えば、第１光導波路１０の曲がり部と溝部４０との間に隙間を設けなくてもよい。伝搬する光は、溝部側に偏ることによって、基板(屈折率＝２．１４)と光導波路(屈折率＝２．１６)との屈折率差ではなく、光導波路（屈折率＝２．１６）と溝部(屈折率＝１．０)との屈折率差によって閉じ込められるからである。したがって、第１光導波路１０と溝部４０との間に拡散導波路が部分的に残っていても残っていなくても、伝搬損失に大きな差は生じない。
【００２２】
（変形例１）
図５は、第１の実施形態の変形例１に係る光デバイス１００ａを模式的に表わした上面図である。図６は、図５のＡ−Ａ’線断面図である。光デバイス１００ａが図３の光デバイス１００と異なる点は、第２光導波路２０の代わりに第２光導波路２０ａを備える点である。第２光導波路２０ａは、溝部４０において、両側面が除去されたリッジ構造を有するリッジ部２１ａを備える。
【００２３】
リッジ部２１ａは、溝部４０以外の箇所における第２光導波路２０ａの幅よりも小さいリッジ幅を有する。この場合、溝部４０の途切れ目の幅をより小さくすることができる。それにより、第１光導波路１０の曲がり部における光伝搬損失をより低く維持することができる。
【００２４】
なお、リッジ幅が狭くなって光導波路の幅が狭くなると、光モードフィールドの一部が削減されることによって過剰損失が生じるおそれがある。これは、リッジ側壁部分の荒れによりリッジ部分を伝搬する光が散乱するためである。しかしながら、図６で説明されるように、光導波路の両側端では光強度が低いため、過剰損失を抑制することができる。光強度のピークを中心に第２光導波路２０ａの両側端を対称的に削ることによって、光モードフィールドの過剰損失をより抑制することができる。
【００２５】
（変形例２）
図７は、第１の実施形態の変形例２に係る光デバイス１００ｂを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｂが図３の光デバイス１００と異なる点は、第２光導波路２０の代わりに第２光導波路２０ｂを備える点である。第２光導波路２０ｂは、溝部４０において、両側面が除去されたリッジ構造を有するリッジ部２１ｂを備える。
【００２６】
リッジ部２１ｂのリッジ幅は、溝部４０の第１導波路１０と反対側から第１導波路１０にかけてテーパ状に徐々に狭くなっている。リッジ幅がより狭い場合には、リッジ部分の光モードフィールドとリッジでない部分の光モードフィールドの違い（ミスマッチ）により、過剰損失が発生する。この場合、テーパ状に徐々に光モードフィールドを変化させることで、過剰損失を抑えることができる。また、第１光導波路１０の曲がり部において溝部４０の途切れ目の幅を小さくすることができる。それにより、第１光導波路１０の曲がり部における光伝搬損失をより低く維持することができる。また、リッジ部２１ｂは、溝部４０の第１導波路１０と反対側においては広い幅を有することから、第２光導波路２０ｂにおける過剰損失を抑制することができる。
【００２７】
（変形例３）
図８は、第１の実施形態の変形例３に係る光デバイス１００ｃを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｃが図３の光デバイス１００と異なる点は、第２光導波路２０の代わりに第２光導波路２０ｃを備える点である。第２光導波路２０ｃは、溝部４０において、両側面が除去されたリッジ構造を有するリッジ部２１ｃを備える。
【００２８】
リッジ部２１ｃのリッジ幅は、溝部４０の第１導波路１０側において狭くなっている。この場合、第１光導波路１０の曲がり部において溝部４０の途切れ目の幅を小さくすることができる。それにより、第１光導波路１０の曲がり部における光伝搬損失をより低く維持することができる。また、リッジ部２１ｃは、溝部４０の第１導波路１０と反対側においては広い幅を有することから、第２光導波路２０ｃにおける過剰損失を抑制することができる。
【００２９】
（変形例４）
図９は、第１の実施形態の変形例４に係る光デバイス１００ｄを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｄが図３の光デバイス１００と異なる点は、第２光導波路２０の代わりに第２光導波路２０ｄを複数備える点である。なお、第２光導波路２０ｄは、上記の第２光導波路２０〜２０ｃのいずれであってもよい。各第２光導波路２０ｄは、第１光導波路１０の曲がり部の異なる箇所で第１光導波路１０と交差する。このように、第１光導波路１０の曲がり部と交差する光導波路の本数は制限されない。
【００３０】
（第２の実施形態）
図１０は、第２の実施形態に係る光デバイス１００ｅを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｅが図３の光デバイス１００と異なる点は、第１光導波路１０の代わりに第１光導波路１０ｅを備え、第２光導波路２０の代わりに第２光導波路２０ｅを備える点である。第１光導波路１０ｅおよび第２光導波路２０ｅは、曲がり部を有する曲がり光導波路である。本実施形態においては、第１光導波路１０ｅと第２光導波路２０ｅとは、それぞれの曲がり部において交差する。
【００３１】
溝部４０は、第１光導波路１０ｅの外側に沿って形成されている。また、第２光導波路２０ｅの外側に沿って、溝部４１が形成されている。したがって、基板３０において、第１光導波路１０ｅの内側かつ第２光導波路２０ｅの外側、および、第２光導波路２０ｅの内側かつ第１光導波路１０ｅの外側に、溝が設けられている。第１光導波路１０ｅは、溝部４１においてリッジ構造を持つリッジ部１１ｅを有する。第２光導波路２０ｅは、溝部４０においてリッジ構造を持つリッジ部２１ｅを有する。
【００３２】
本実施形態においては、第１光導波路１０ｅの外側に沿って形成された溝部の途切れ目の幅が小さくなるとともに、第２光導波路２０ｅの外側に沿って形成された溝部の途切れ目の幅が小さくなる。それにより、第１光導波路１０ｅおよび第２光導波路２０ｅの光伝搬損失を低減することができる。なお、本実施形態においては第１光導波路１０eの曲がり部と溝部４０、また第２光導波路２０eの曲がり部と溝部４０との間に隙間がないが、それに限らず。例えば、第１光導波路１０eの曲がり部と溝部４０、また第２光導波路２０eの曲がり部と溝部４０との間に隙間があってもよい。この理由は第１の実施形態の場合と同じである。
【００３３】
（変形例１）
図１１は、第２の実施形態の変形例１に係る光デバイス１００ｆを模式的に表わした上面図である。図１２（ａ）は、図１１のＡ−Ａ’線断面図である。図１２（ｂ）は、図１１のＢ−Ｂ’線断面図である。図１２（ｃ）は、後述する第２光導波路２０ｆの光モードフィールドを説明するための図である。
【００３４】
光デバイス１００ｆが図１０の光デバイス１００ｅと異なる点は、第１光導波路１０ｅの代わりに第１光導波路１０ｆを備え、第２光導波路２０ｅの代わりに第２光導波路２０ｆを備える点である。第１光導波路１０ｆは、リッジ部１１ｅの代わりにリッジ部１１ｆを有する。第２光導波路２０ｆは、リッジ部２１ｅの代わりにリッジ部２１ｆを有する。リッジ部１１ｆは、溝部４１以外の箇所における第１光導波路１０ｆの幅よりも小さいリッジ幅を有する。リッジ部２１ｆは、溝部４０以外の箇所における第２光導波路２０ｆの幅よりも小さいリッジ幅を有する。
【００３５】
本変形例においては、第１光導波路１０ｆの外側に沿って形成された溝部の途切れ目の幅がより小さくなるとともに、第２光導波路２０ｆの外側に沿って形成された溝部の途切れ目の幅がより小さくなる。それにより、第１光導波路１０ｆおよび第２光導波路２０ｆの光伝搬損失を低減することができる。
【００３６】
なお、リッジ部１１ｆは、第１光導波路１０ｆの内側の部分が除去された形状を有することが好ましい。また、リッジ部２１ｆは、第２光導波路２０ｆの内側の部分が除去された形状を有することが好ましい。図１２（ｃ）で説明されるように、外側に偏った光モードフィールドの過剰損失をより抑制することができるからである。
【００３７】
（変形例２）
図１３は、第２の実施形態の変形例２に係る光デバイス１００ｇを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｇが図１１の光デバイス１００ｆと異なる点は、第１光導波路１０ｅの代わりに第１光導波路１０ｇを備え、第２光導波路２０ｅの代わりに第２光導波路２０ｇを備える点である。第１光導波路１０ｇは、リッジ部１１ｅの代わりにリッジ部１１ｇを備える。第２光導波路２０ｇは、リッジ部２１ｅの代わりにリッジ部２１ｇを備える。
【００３８】
リッジ部１１ｇのリッジ幅は、第２光導波路２０ｇ側に向かって徐々に狭くなっている。また、リッジ部２１ｇのリッジ幅は、第１導波路１０ｇ側に向かって徐々に狭くなっている。この場合、第１光導波路１０ｇの曲がり部において溝部４０の途切れ目の幅を小さくすることができるとともに、第２光導波路２０ｇの曲がり部において溝部４１の途切れ目の幅を小さくすることができる。また、徐々にリッジ幅を狭くすることでリッジ部分とそれ以外の部分の光モードフィールドミスマッチの影響を低減できるため、リッジ部１１ｇが第１光導波路１０ｇに与える過剰損失を低減でき、かつリッジ部２１ｇが第２光導波路２０ｇに与える過剰損失を低減できる。それにより、第１光導波路１０ｇおよび第２光導波路２０ｇの曲がり部における光伝搬損失をより低く維持することができる。
【００３９】
また、リッジ部２１ｇは、溝部４０の第１導波路１０ｇと反対側においては広い幅を有するとともに、リッジ部２１ｇは、溝部４０の第１導波路１０ｇと反対側においては広い幅を有する。それにより、第１光導波路１０ｇおよび第２光導波路２０ｇにおける過剰損失を抑制することができる。
【００４０】
（変形例３）
図１４は、第２の実施形態の変形例３に係る光デバイス１００ｈを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｈが図１１の光デバイス１００ｆと異なる点は、第１光導波路１０ｅの代わりに第１光導波路１０ｈを備え、第２光導波路２０ｅの代わりに第２光導波路２０ｈを備える点である。第１光導波路１０ｈは、リッジ部１１ｅの代わりにリッジ部１１ｈを備える。第２光導波路２０ｈは、リッジ部２１ｅの代わりにリッジ部２１ｈを備える。
【００４１】
リッジ部１１ｈのリッジ幅は、第２光導波路２０ｈ側において狭くなっている。また、リッジ部２１ｈのリッジ幅は、第１導波路１０ｈ側において狭くなっている。この場合、第１光導波路１０ｈの曲がり部において溝部４０の途切れ目の幅を小さくすることができるとともに、第２光導波路２０ｈの曲がり部において溝部４１の途切れ目の幅を小さくすることができる。それにより、第１光導波路１０ｈおよび第２光導波路２０ｈの曲がり部における光伝搬損失をより低く維持することができる。
【００４２】
また、リッジ部２１ｈは、溝部４０の第１導波路１０ｈと反対側においては広い幅を有するとともに、リッジ部２１ｈは、溝部４０の第１導波路１０ｈと反対側においては広い幅を有する。それにより、第１光導波路１０ｈおよび第２光導波路２０ｈにおける過剰損失を抑制することができる。
【００４３】
（第３の実施形態）
図１５は、第３の実施形態に係る光送信器２００を説明するための図である。光送信器２００は、上記のいずれかの光デバイスを備える。本実施形態においては、基板３０は、電気光学効果を有する。また、光送信器２００は、強度変調部として機能するＲＺ変調部２１０、データ変調部２２０，２３０および偏波多重部２４０を備える。ＲＺ変調部２１０は、入力光を強度変調して変調された第１変調光および第２変調光をそれぞれ出力１および出力２として相補出力する。本実施形態においては、第１変調光が正相であり、第２変調光が逆相である。
【００４４】
第１変調光は、第１光導波路１０を経由してデータ変調部２２０に入力される。第２変調光は、第２光導波路２０を経由してデータ変調部２３０に入力される。データ変調部２２０は、第１変調光にデータを載せた信号を出力３として出力する。データ変調部２３０は、第２変調光にデータを載せた信号を出力４として出力する。偏波多重部２４０は、データ変調部２２０，２３０からの各信号を合波させて、Ｘ偏波とＹ偏波とが多重した偏波多重信号を生成し、出力５として出力する。
【００４５】
データ変調方式には、強度変調、位相変調等の様々な方式がある。図１６においては、一例として、強度変調方式の場合の出力状態が描かれている。ＲＺ変調部２１０から偏波多重部２４０までの２本の光路長は、互いに等しいことが好ましい。
【００４６】
本実施形態によれば、第１変調信号および第２変調信号を低損失で交差させることができる。また、第１光導波路１０と第２光導波路２０との交差部において第１光導波路１０および第２光導波路２０を直線にする必要がない。それにより、小型で低損失な光送信器を実現することができる。
【００４７】
なお、上記各実施形態においては拡散導波路の外側に溝を形成した曲がり導波路で例を挙げたが、それに限られない。例えば基板としてＬｉＮｂＯ３基板を用いた場合には、基板中のＬｉをＨ＋とイオン交換することで形成されるイオン交換導波路を拡散導波路の代わりに用いてもよい。
【００４８】
また、上記実施形態においては溝に空気が充填されているが、基板と溝部との間に大きな屈折率差を設けられればよい。したがって、例えばＳｉＯ２、ポリイミド等のような低屈折率充填剤を溝に埋め込んでもよい。また、曲がり光導波路の折り返し角度は、特に限定されるものではない。また、上記実施形態においては各曲がり光導波路の曲がり部において外側に溝部を設けたが、さらに内側に設けてもよい。
【実施例】
【００４９】
実施例においては、図１３の光デバイス１００ｇを作製して、損失を測定した。図１７を参照して、その測定結果を説明する。図１７において、横軸は光導波路幅と交差部におけるリッジ幅との差分ｄＲｗを示す。縦軸は、交差させたことに起因する過剰損失を示す。損失はそれぞれの光導波路について測定したが、差はなかった。ｄＲｗを２μｍ以上とすることで過剰損失を０ｄＢとできることが確認された。
【符号の説明】
【００５０】
１０ 第１光導波路
１１ リッジ部
２０ 第２光導波路
２１ リッジ部
３０ 基板
４０ 溝部
４１ 溝部
１００ 光デバイス
２００ 光送信器
２１０ ＲＺ変調部
２２０ データ変調部
２３０ データ変調部
２４０ 偏波多重部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスおよび光送信器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光通信技術においては、高速化が進んでいる。現状システムでは、１０Ｇｂ／ｓから４０Ｇｂ／ｓへの移行が行われている。今後は、４０Ｇｂ／ｓまたはさらに高速の１００Ｇｂ／ｓの通信システムで用いられる光送信器および光受信器の開発が重要となってくる。
【０００３】
光導波路を用いた光デバイスは、小型で優れた特性を示すため、光変調器、光受信器、光スイッチ等の様々な機器で実用化されている。通信システムの進展に伴って光導波路に求められる性能も複雑化しており、従来とは異なる光導波路が求められる。
【０００４】
例えば、特許文献１および特許文献２には、交差光導波路が開示されている。また特許文献３には、折り返し光導波路を用いた光変調器の例が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−６０９２９号公報
【特許文献２】国際公開第２００２／０２３２６４号
【特許文献３】特開２００７−９４４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
折り返し光導波路のような曲がり光導波路に別の光導波路を交差させることができれば、デバイスの設計自由度が高くなる。
【０００７】
図１は、代表的な曲がり光導波路１１０の構成例を説明するための図である。図２は、図１のＡ−Ａ’線断面図である。図１および図２の光導波路１１０は、光変調器等に用いられるＬｉＮｂＯ３からなる基板１３０にＴｉ等を拡散させることによって設けた拡散光導波路である。基板１３０において、この光導波路１１０の曲がり部分の外側には溝１４０が形成されている。曲がり部分の光のモードフィールドは、図２で説明されるように曲がり部分の外側に偏ることが知られている。したがって、曲がり部分の外側に溝１４０(空気層、屈折率ｎ＝１)のように光導波路１１０(ＬｉＮｂＯ３拡散導波路、屈折率ｎ＝２．１５)と比べて屈折率差の大きな媒体を配置することによって、低損失な曲がり光導波路を実現することができる。
【０００８】
このような光導波路１１０の曲がり部分に別の光導波路を交差させようとした場合、一度直線導波路に戻して交差させれば、特許文献１，２に開示されるような方法で交差部を形成することが可能である。しかしながら、この場合、デバイスの長さが大きくなり、かつ光導波路１１０の曲がり部分と直線導波路との接続部での接続損失（〜１ｄＢ×２箇所）が発生してしまう。
【０００９】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、大型化を抑制しかつ接続損失を抑制しつつ曲がり導波路と別の導波路とを交差させることができる光デバイスおよび光送信器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、明細書開示の光デバイスは、基板と、基板に形成され曲がり部を有する第１光導波路と、第１光導波路の曲がり部と交差する第２光導波路と、を備え、基板において、第１光導波路の曲がり部の外側に溝が形成されているものである。
【００１１】
上記課題を解決するために、明細書開示の光送信器は、光デバイスを備え、基板は、電気光学効果を有し、入力光を強度変調して変調された第１変調光および第２変調信号を第１光導波路および第２光導波路にそれぞれ入力する強度変調部と、第１光導波路を経由した第１変調光を第１データ信号で変調する第１変調部と、第２光導波路を経由した第２変調光を第２データ信号で変調する第２変調部と、第１変調部および第２変調部で変調された各変調信号光を偏波多重する偏波多重部と、を備えるものである。
【発明の効果】
【００１２】
明細書開示の光デバイスおよび光送信器によれば、大型化を抑制しかつ接続損失を抑制しつつ曲がり導波路と別の導波路とを交差させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】代表的な曲がり光導波路の構成例を説明するための図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る光デバイスの上面図である。
【図４】（ａ）は図３のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｂ）は図３のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図５】第１の実施形態の変形例１に係る光デバイスの上面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】第１の実施形態の変形例２に係る光デバイスの上面図である。
【図８】第１の実施形態の変形例３に係る光デバイスの上面図である。
【図９】第１の実施形態の変形例４に係る光デバイスの上面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る光デバイスの上面図である。
【図１１】第２の実施形態の変形例１に係る光デバイスの上面図である。
【図１２】（ａ）は図１１のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｂ）は図１１のＢ−Ｂ’線断面図であり、（ｃ）は第２光導波路の光モードフィールドを説明するための図である。
【図１３】第２の実施形態の変形例２に係る光デバイスの上面図である。
【図１４】第２の実施形態の変形例３に係る光デバイスの上面図である。
【図１５】第３の実施形態に係る光送信器を説明するための図である。
【図１６】データ変調方式として強度変調方式を採用する場合の出力状態を説明するための図である。
【図１７】光伝搬損失の測定結果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図３は、第１の実施形態に係る光デバイス１００を模式的に表わした上面図である。図４（ａ）は、図３のＡ−Ａ’線断面図である。図４（ｂ）は、図３のＢ−Ｂ’線断面図である。以下、図３、図４（ａ）および図４（ｂ）を参照しつつ、光デバイス１００について説明する。
【００１６】
光デバイス１００は、第１光導波路１０および第２光導波路２０が基板３０に形成された構造を有する。基板３０は、ＬｉＮｂＯ３基板等である。第１光導波路１０および第２光導波路２０は、基板３０にＴｉ等を拡散させることによって形成された拡散光導波路である。
【００１７】
第１光導波路１０は、曲がり部を有する曲がり光導波路である。第１光導波路１０を伝搬する光は、曲がり部においては外側に偏って伝搬する。そこで、第１光導波路１０の光伝搬損失を低減するために、基板３０において、第１光導波路１０の曲がり部の外側に溝部４０が形成されている。すなわち、溝部４０は、第１光導波路１０の曲がり部に沿ってカーブする形状を有する。
【００１８】
第２光導波路２０は、溝部４０を通って、第１光導波路１０の曲がり部と交差するように形成された直線光導波路である。第２光導波路２０は、溝部４０において、両側面が除去されたリッジ構造を有するリッジ部２１を備える。リッジ部
２１のリッジ幅は、９μｍ以下であることが好ましい。
【００１９】
リッジ部２１は、マスクを用いたＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）技術によって形成することができる。上記のような狭いリッジ幅は、サブミクロンオーダーの解像度でマスクを製造可能な装置と、ＲＩＥ技術を用いて１０μｍ程度の深さのエッチングに耐える耐エッチング性を有するマスクと、によって実現される。従来は、上記のようなマスクを製造できなかったため、本実施形態に係る光デバイス１００を作製することは困難であった。
【００２０】
本実施形態によれば、第１光導波路１０と第２光導波路２０との交差部において第１光導波路１０を直線にする必要がない。それにより、光デバイスの大型化を抑制することができる。また、溝部４０において第２光導波路２０がリッジ構造を有することから、溝部４０の途切れ目の幅が小さくなる。それにより、第１光導波路１０の曲がり部における光伝搬損失を低く維持することができる。したがって、第１光導波路１０と第２光導波路２０との接続損失が低減される。
【００２１】
なお、本実施形態においては第１光導波路１０の曲がり部と溝部４０との間に隙間があるが、それに限られない。例えば、第１光導波路１０の曲がり部と溝部４０との間に隙間を設けなくてもよい。伝搬する光は、溝部側に偏ることによって、基板(屈折率＝２．１４)と光導波路(屈折率＝２．１６)との屈折率差ではなく、光導波路（屈折率＝２．１６）と溝部(屈折率＝１．０)との屈折率差によって閉じ込められるからである。したがって、第１光導波路１０と溝部４０との間に拡散導波路が部分的に残っていても残っていなくても、伝搬損失に大きな差は生じない。
【００２２】
（変形例１）
図５は、第１の実施形態の変形例１に係る光デバイス１００ａを模式的に表わした上面図である。図６は、図５のＡ−Ａ’線断面図である。光デバイス１００ａが図３の光デバイス１００と異なる点は、第２光導波路２０の代わりに第２光導波路２０ａを備える点である。第２光導波路２０ａは、溝部４０において、両側面が除去されたリッジ構造を有するリッジ部２１ａを備える。
【００２３】
リッジ部２１ａは、溝部４０以外の箇所における第２光導波路２０ａの幅よりも小さいリッジ幅を有する。この場合、溝部４０の途切れ目の幅をより小さくすることができる。それにより、第１光導波路１０の曲がり部における光伝搬損失をより低く維持することができる。
【００２４】
なお、リッジ幅が狭くなって光導波路の幅が狭くなると、光モードフィールドの一部が削減されることによって過剰損失が生じるおそれがある。これは、リッジ側壁部分の荒れによりリッジ部分を伝搬する光が散乱するためである。しかしながら、図６で説明されるように、光導波路の両側端では光強度が低いため、過剰損失を抑制することができる。光強度のピークを中心に第２光導波路２０ａの両側端を対称的に削ることによって、光モードフィールドの過剰損失をより抑制することができる。
【００２５】
（変形例２）
図７は、第１の実施形態の変形例２に係る光デバイス１００ｂを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｂが図３の光デバイス１００と異なる点は、第２光導波路２０の代わりに第２光導波路２０ｂを備える点である。第２光導波路２０ｂは、溝部４０において、両側面が除去されたリッジ構造を有するリッジ部２１ｂを備える。
【００２６】
リッジ部２１ｂのリッジ幅は、溝部４０の第１導波路１０と反対側から第１導波路１０にかけてテーパ状に徐々に狭くなっている。リッジ幅がより狭い場合には、リッジ部分の光モードフィールドとリッジでない部分の光モードフィールドの違い（ミスマッチ）により、過剰損失が発生する。この場合、テーパ状に徐々に光モードフィールドを変化させることで、過剰損失を抑えることができる。また、第１光導波路１０の曲がり部において溝部４０の途切れ目の幅を小さくすることができる。それにより、第１光導波路１０の曲がり部における光伝搬損失をより低く維持することができる。また、リッジ部２１ｂは、溝部４０の第１導波路１０と反対側においては広い幅を有することから、第２光導波路２０ｂにおける過剰損失を抑制することができる。
【００２７】
（変形例３）
図８は、第１の実施形態の変形例３に係る光デバイス１００ｃを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｃが図３の光デバイス１００と異なる点は、第２光導波路２０の代わりに第２光導波路２０ｃを備える点である。第２光導波路２０ｃは、溝部４０において、両側面が除去されたリッジ構造を有するリッジ部２１ｃを備える。
【００２８】
リッジ部２１ｃのリッジ幅は、溝部４０の第１導波路１０側において狭くなっている。この場合、第１光導波路１０の曲がり部において溝部４０の途切れ目の幅を小さくすることができる。それにより、第１光導波路１０の曲がり部における光伝搬損失をより低く維持することができる。また、リッジ部２１ｃは、溝部４０の第１導波路１０と反対側においては広い幅を有することから、第２光導波路２０ｃにおける過剰損失を抑制することができる。
【００２９】
（変形例４）
図９は、第１の実施形態の変形例４に係る光デバイス１００ｄを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｄが図３の光デバイス１００と異なる点は、第２光導波路２０の代わりに第２光導波路２０ｄを複数備える点である。なお、第２光導波路２０ｄは、上記の第２光導波路２０〜２０ｃのいずれであってもよい。各第２光導波路２０ｄは、第１光導波路１０の曲がり部の異なる箇所で第１光導波路１０と交差する。このように、第１光導波路１０の曲がり部と交差する光導波路の本数は制限されない。
【００３０】
（第２の実施形態）
図１０は、第２の実施形態に係る光デバイス１００ｅを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｅが図３の光デバイス１００と異なる点は、第１光導波路１０の代わりに第１光導波路１０ｅを備え、第２光導波路２０の代わりに第２光導波路２０ｅを備える点である。第１光導波路１０ｅおよび第２光導波路２０ｅは、曲がり部を有する曲がり光導波路である。本実施形態においては、第１光導波路１０ｅと第２光導波路２０ｅとは、それぞれの曲がり部において交差する。
【００３１】
溝部４０は、第１光導波路１０ｅの外側に沿って形成されている。また、第２光導波路２０ｅの外側に沿って、溝部４１が形成されている。したがって、基板３０において、第１光導波路１０ｅの内側かつ第２光導波路２０ｅの外側、および、第２光導波路２０ｅの内側かつ第１光導波路１０ｅの外側に、溝が設けられている。第１光導波路１０ｅは、溝部４１においてリッジ構造を持つリッジ部１１ｅを有する。第２光導波路２０ｅは、溝部４０においてリッジ構造を持つリッジ部２１ｅを有する。
【００３２】
本実施形態においては、第１光導波路１０ｅの外側に沿って形成された溝部の途切れ目の幅が小さくなるとともに、第２光導波路２０ｅの外側に沿って形成された溝部の途切れ目の幅が小さくなる。それにより、第１光導波路１０ｅおよび第２光導波路２０ｅの光伝搬損失を低減することができる。なお、本実施形態においては第１光導波路１０eの曲がり部と溝部４０、また第２光導波路２０eの曲がり部と溝部４０との間に隙間がないが、それに限らず。例えば、第１光導波路１０eの曲がり部と溝部４０、また第２光導波路２０eの曲がり部と溝部４０との間に隙間があってもよい。この理由は第１の実施形態の場合と同じである。
【００３３】
（変形例１）
図１１は、第２の実施形態の変形例１に係る光デバイス１００ｆを模式的に表わした上面図である。図１２（ａ）は、図１１のＡ−Ａ’線断面図である。図１２（ｂ）は、図１１のＢ−Ｂ’線断面図である。図１２（ｃ）は、後述する第２光導波路２０ｆの光モードフィールドを説明するための図である。
【００３４】
光デバイス１００ｆが図１０の光デバイス１００ｅと異なる点は、第１光導波路１０ｅの代わりに第１光導波路１０ｆを備え、第２光導波路２０ｅの代わりに第２光導波路２０ｆを備える点である。第１光導波路１０ｆは、リッジ部１１ｅの代わりにリッジ部１１ｆを有する。第２光導波路２０ｆは、リッジ部２１ｅの代わりにリッジ部２１ｆを有する。リッジ部１１ｆは、溝部４１以外の箇所における第１光導波路１０ｆの幅よりも小さいリッジ幅を有する。リッジ部２１ｆは、溝部４０以外の箇所における第２光導波路２０ｆの幅よりも小さいリッジ幅を有する。
【００３５】
本変形例においては、第１光導波路１０ｆの外側に沿って形成された溝部の途切れ目の幅がより小さくなるとともに、第２光導波路２０ｆの外側に沿って形成された溝部の途切れ目の幅がより小さくなる。それにより、第１光導波路１０ｆおよび第２光導波路２０ｆの光伝搬損失を低減することができる。
【００３６】
なお、リッジ部１１ｆは、第１光導波路１０ｆの内側の部分が除去された形状を有することが好ましい。また、リッジ部２１ｆは、第２光導波路２０ｆの内側の部分が除去された形状を有することが好ましい。図１２（ｃ）で説明されるように、外側に偏った光モードフィールドの過剰損失をより抑制することができるからである。
【００３７】
（変形例２）
図１３は、第２の実施形態の変形例２に係る光デバイス１００ｇを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｇが図１１の光デバイス１００ｆと異なる点は、第１光導波路１０ｅの代わりに第１光導波路１０ｇを備え、第２光導波路２０ｅの代わりに第２光導波路２０ｇを備える点である。第１光導波路１０ｇは、リッジ部１１ｅの代わりにリッジ部１１ｇを備える。第２光導波路２０ｇは、リッジ部２１ｅの代わりにリッジ部２１ｇを備える。
【００３８】
リッジ部１１ｇのリッジ幅は、第２光導波路２０ｇ側に向かって徐々に狭くなっている。また、リッジ部２１ｇのリッジ幅は、第１導波路１０ｇ側に向かって徐々に狭くなっている。この場合、第１光導波路１０ｇの曲がり部において溝部４０の途切れ目の幅を小さくすることができるとともに、第２光導波路２０ｇの曲がり部において溝部４１の途切れ目の幅を小さくすることができる。また、徐々にリッジ幅を狭くすることでリッジ部分とそれ以外の部分の光モードフィールドミスマッチの影響を低減できるため、リッジ部１１ｇが第１光導波路１０ｇに与える過剰損失を低減でき、かつリッジ部２１ｇが第２光導波路２０ｇに与える過剰損失を低減できる。それにより、第１光導波路１０ｇおよび第２光導波路２０ｇの曲がり部における光伝搬損失をより低く維持することができる。
【００３９】
また、リッジ部２１ｇは、溝部４０の第１導波路１０ｇと反対側においては広い幅を有するとともに、リッジ部２１ｇは、溝部４０の第１導波路１０ｇと反対側においては広い幅を有する。それにより、第１光導波路１０ｇおよび第２光導波路２０ｇにおける過剰損失を抑制することができる。
【００４０】
（変形例３）
図１４は、第２の実施形態の変形例３に係る光デバイス１００ｈを模式的に表わした上面図である。光デバイス１００ｈが図１１の光デバイス１００ｆと異なる点は、第１光導波路１０ｅの代わりに第１光導波路１０ｈを備え、第２光導波路２０ｅの代わりに第２光導波路２０ｈを備える点である。第１光導波路１０ｈは、リッジ部１１ｅの代わりにリッジ部１１ｈを備える。第２光導波路２０ｈは、リッジ部２１ｅの代わりにリッジ部２１ｈを備える。
【００４１】
リッジ部１１ｈのリッジ幅は、第２光導波路２０ｈ側において狭くなっている。また、リッジ部２１ｈのリッジ幅は、第１導波路１０ｈ側において狭くなっている。この場合、第１光導波路１０ｈの曲がり部において溝部４０の途切れ目の幅を小さくすることができるとともに、第２光導波路２０ｈの曲がり部において溝部４１の途切れ目の幅を小さくすることができる。それにより、第１光導波路１０ｈおよび第２光導波路２０ｈの曲がり部における光伝搬損失をより低く維持することができる。
【００４２】
また、リッジ部２１ｈは、溝部４０の第１導波路１０ｈと反対側においては広い幅を有するとともに、リッジ部２１ｈは、溝部４０の第１導波路１０ｈと反対側においては広い幅を有する。それにより、第１光導波路１０ｈおよび第２光導波路２０ｈにおける過剰損失を抑制することができる。
【００４３】
（第３の実施形態）
図１５は、第３の実施形態に係る光送信器２００を説明するための図である。光送信器２００は、上記のいずれかの光デバイスを備える。本実施形態においては、基板３０は、電気光学効果を有する。また、光送信器２００は、強度変調部として機能するＲＺ変調部２１０、データ変調部２２０，２３０および偏波多重部２４０を備える。ＲＺ変調部２１０は、入力光を強度変調して変調された第１変調光および第２変調光をそれぞれ出力１および出力２として相補出力する。本実施形態においては、第１変調光が正相であり、第２変調光が逆相である。
【００４４】
第１変調光は、第１光導波路１０を経由してデータ変調部２２０に入力される。第２変調光は、第２光導波路２０を経由してデータ変調部２３０に入力される。データ変調部２２０は、第１変調光にデータを載せた信号を出力３として出力する。データ変調部２３０は、第２変調光にデータを載せた信号を出力４として出力する。偏波多重部２４０は、データ変調部２２０，２３０からの各信号を合波させて、Ｘ偏波とＹ偏波とが多重した偏波多重信号を生成し、出力５として出力する。
【００４５】
データ変調方式には、強度変調、位相変調等の様々な方式がある。図１６においては、一例として、強度変調方式の場合の出力状態が描かれている。ＲＺ変調部２１０から偏波多重部２４０までの２本の光路長は、互いに等しいことが好ましい。
【００４６】
本実施形態によれば、第１変調信号および第２変調信号を低損失で交差させることができる。また、第１光導波路１０と第２光導波路２０との交差部において第１光導波路１０および第２光導波路２０を直線にする必要がない。それにより、小型で低損失な光送信器を実現することができる。
【００４７】
なお、上記各実施形態においては拡散導波路の外側に溝を形成した曲がり導波路で例を挙げたが、それに限られない。例えば基板としてＬｉＮｂＯ３基板を用いた場合には、基板中のＬｉをＨ＋とイオン交換することで形成されるイオン交換導波路を拡散導波路の代わりに用いてもよい。
【００４８】
また、上記実施形態においては溝に空気が充填されているが、基板と溝部との間に大きな屈折率差を設けられればよい。したがって、例えばＳｉＯ２、ポリイミド等のような低屈折率充填剤を溝に埋め込んでもよい。また、曲がり光導波路の折り返し角度は、特に限定されるものではない。また、上記実施形態においては各曲がり光導波路の曲がり部において外側に溝部を設けたが、さらに内側に設けてもよい。
【実施例】
【００４９】
実施例においては、図１３の光デバイス１００ｇを作製して、損失を測定した。図１７を参照して、その測定結果を説明する。図１７において、横軸は光導波路幅と交差部におけるリッジ幅との差分ｄＲｗを示す。縦軸は、交差させたことに起因する過剰損失を示す。損失はそれぞれの光導波路について測定したが、差はなかった。ｄＲｗを２μｍ以上とすることで過剰損失を０ｄＢとできることが確認された。
【符号の説明】
【００５０】
１０ 第１光導波路
１１ リッジ部
２０ 第２光導波路
２１ リッジ部
３０ 基板
４０ 溝部
４１ 溝部
１００ 光デバイス
２００ 光送信器
２１０ ＲＺ変調部
２２０ データ変調部
２３０ データ変調部
２４０ 偏波多重部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成され、曲がり部を有する第１光導波路と、
前記第１光導波路の前記曲がり部と交差する第２光導波路と、を備え、
前記基板において、前記第１光導波路の曲がり部の外側に溝が形成されていることを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
前記第２光導波路は、前記溝においてリッジ構造を有することを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項３】
前記第２光導波路は、前記溝において、前記第２光導波路の前記溝以外の部位における幅よりも狭いリッジ幅を持つリッジ構造を有することを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項４】
前記第２光導波路は、複数設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項５】
前記第２光導波路の前記第１光導波路と交差する部位は、曲がり光導波路であることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項６】
前記第２光導波路の前記第１光導波路と交差する部位は、曲がり光導波路であり、
前記基板において、前記第１光導波路の内側かつ前記第２光導波路の外側に溝が形成されていることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項７】
前記第１光導波路は、前記第２光導波路の外側の溝において、前記第１光導波路の前記溝以外の部位における幅よりも狭いリッジ幅を持つリッジ構造を有し、
前記第２光導波路は、前記第１光導波路の外側の溝において、前記第２光導波路の前記溝以外の部位における幅よりも狭いリッジ幅を持つリッジ構造を有することを特徴とする請求項６記載の光デバイス。
【請求項８】
前記第１光導波路のリッジ構造は、前記第１光導波路の内側の部分が除去された形状を有し、
前記第２光導波路のリッジ構造は、前記第２光導波路の内側の部分が除去された形状を有することを特徴とする請求項７記載の光デバイス。
【請求項９】
前記第１光導波路のリッジ構造は、前記第２光導波路との交差部位に近づくにつれて徐々に幅が狭くなり、
前記第２光導波路のリッジ構造は、前記第１光導波路との交差部位に近づくにつれて徐々に幅が狭くなることを特徴とする請求項７記載の光デバイス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の光デバイスを備え、
前記基板は、電気光学効果を有し、
入力光を強度変調して変調された第１変調光および第２変調信号を前記第１光導波路および前記第２光導波路にそれぞれ入力する強度変調部と、
前記第１光導波路を経由した前記第１変調光を第１データ信号で変調する第１変調部と、
前記第２光導波路を経由した前記第２変調光を第２データ信号で変調する第２変調部と、
前記第１変調部および第２変調部で変調された各変調信号光を偏波多重する偏波多重部と、を備えることを特徴とする光送信器。
【請求項１】
基板と、
前記基板に形成され、曲がり部を有する第１光導波路と、
前記第１光導波路の前記曲がり部と交差する第２光導波路と、を備え、
前記基板において、前記第１光導波路の曲がり部の外側に溝が形成されていることを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
前記第２光導波路は、前記溝においてリッジ構造を有することを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項３】
前記第２光導波路は、前記溝において、前記第２光導波路の前記溝以外の部位における幅よりも狭いリッジ幅を持つリッジ構造を有することを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項４】
前記第２光導波路は、複数設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光デバイス。
【請求項５】
前記第２光導波路の前記第１光導波路と交差する部位は、曲がり光導波路であることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項６】
前記第２光導波路の前記第１光導波路と交差する部位は、曲がり光導波路であり、
前記基板において、前記第１光導波路の内側かつ前記第２光導波路の外側に溝が形成されていることを特徴とする請求項１記載の光デバイス。
【請求項７】
前記第１光導波路は、前記第２光導波路の外側の溝において、前記第１光導波路の前記溝以外の部位における幅よりも狭いリッジ幅を持つリッジ構造を有し、
前記第２光導波路は、前記第１光導波路の外側の溝において、前記第２光導波路の前記溝以外の部位における幅よりも狭いリッジ幅を持つリッジ構造を有することを特徴とする請求項６記載の光デバイス。
【請求項８】
前記第１光導波路のリッジ構造は、前記第１光導波路の内側の部分が除去された形状を有し、
前記第２光導波路のリッジ構造は、前記第２光導波路の内側の部分が除去された形状を有することを特徴とする請求項７記載の光デバイス。
【請求項９】
前記第１光導波路のリッジ構造は、前記第２光導波路との交差部位に近づくにつれて徐々に幅が狭くなり、
前記第２光導波路のリッジ構造は、前記第１光導波路との交差部位に近づくにつれて徐々に幅が狭くなることを特徴とする請求項７記載の光デバイス。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の光デバイスを備え、
前記基板は、電気光学効果を有し、
入力光を強度変調して変調された第１変調光および第２変調信号を前記第１光導波路および前記第２光導波路にそれぞれ入力する強度変調部と、
前記第１光導波路を経由した前記第１変調光を第１データ信号で変調する第１変調部と、
前記第２光導波路を経由した前記第２変調光を第２データ信号で変調する第２変調部と、
前記第１変調部および第２変調部で変調された各変調信号光を偏波多重する偏波多重部と、を備えることを特徴とする光送信器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１０−１６４６４２（Ｐ２０１０−１６４６４２Ａ）
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−４８０４（Ｐ２００９−４８０４）
【出願日】平成２１年１月１３日（２００９．１．１３）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２０年度、独立行政法人情報通信研究機構、「λユーティリティ技術の研究開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月１３日（２００９．１．１３）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２０年度、独立行政法人情報通信研究機構、「λユーティリティ技術の研究開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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