感光性樹脂組成物、ブラックマトリクスおよびその製造方法、トランジスタアレイ基板およびその製造方法、並びに、カラーフィルタ基板およびその製造方法
【課題】パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化させる。
【解決手段】ポジ型あるいはネガ型のフォトレジスト中にクロミズム特性を有する材料を含む感光性樹脂組成物を提供する。この感光性樹脂組成物は、加熱あるいは光照射等によってＯＤ値を変化できる。したがって、パターニング工程後に加熱あるいは光照射等を行って高ＯＤ化させることによって、パターニング精度を高く維持すると共に、高ＯＤ化させたブラックマトリクスを提供することができる。
【解決手段】ポジ型あるいはネガ型のフォトレジスト中にクロミズム特性を有する材料を含む感光性樹脂組成物を提供する。この感光性樹脂組成物は、加熱あるいは光照射等によってＯＤ値を変化できる。したがって、パターニング工程後に加熱あるいは光照射等を行って高ＯＤ化させることによって、パターニング精度を高く維持すると共に、高ＯＤ化させたブラックマトリクスを提供することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、遮光膜形成用の感光性樹脂組成物、この感光性樹脂組成物を用いたブラックマトリクスおよびその製造方法、このブラックマトリクスを用いたトランジスタアレイ基板およびその製造方法、並びに、上記ブラックマトリクスを用いたカラーフィルタ基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ(Thin Film Transistor)を用いたＴＦＴ型液晶表示装置は、薄膜トランジスタアレイ基板(以下、ＴＦＴアレイ基板と言う)と、ブラックマトリクス(以下、ＢＭと言う)およびカラーフィルタから構成されるカラーフィルタ基板と、の間に液晶が封入されて構成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板側の各画素領域の画素電極とカラーフィルタ基板側の共通電極との間に印加される電界強度を制御することによって、各画素領域における液晶の配向状態を変えて光の透過率を変化させることによって画像を表示するようになっている。
【０００３】
上記液晶表示装置においては、上記ＴＦＴ型液晶表示装置の全表示画面に対する表示領域の割合、すなわち開口率の向上が求められており、各種配線による遮光面積の低減や、上記ＴＦＴアレイ基板と上記カラーフィルタ基板との貼り合わせ精度向上によるマージン分の遮光面積の低減等、の検討がなされている。そのうち、近年になって、上記ＴＦＴアレイ基板と上記カラーフィルタ基板との貼り合わせ精度を向上させる方法として、例えば特開平４‐２５３０２８号公報(特許文献１)に開示されたアクテイブマトリクス型液晶表示装置のごとく、上記カラーフィルタ層や上記ＢＭ部を上記ＴＦＴアレイ基板に一体形成した構造(CF on Array構造)が提案されるようになってきている。
【０００４】
一方、こうした液晶表示装置が高コントラストの画像を維持するためには、カラーフィルタ材料の色純度を向上させると共に、混色を防止するため上記ＢＭの光学濃度(Optical Density：以下、ＯＤと言う)を高くする必要がある。上記ＢＭには、クロムに代表される金属薄膜ＢＭと樹脂ＢＭとがあるが、コストの面や環境安全性の面から、近年はカーボンブラック等の顔料を含む樹脂ＢＭにシフトしている。
【０００５】
上記樹脂ＢＭは、感光性樹脂組成物の溶液を塗布することによって薄膜(以下、レジスト膜と言う)を形成し、その後露光・現像工程によって所望の形状にすることによって形成される。ここで、上記レジスト膜は、その露光特性に従ってポジ型およびネガ型に分類される。例えば、ポジ型ブラックレジストとしては、例えば特開平７‐２６１０１５号公報(特許文献２)に開示されたレジスト組成物のようなものがある。
【０００６】
上記ポジ型のレジスト膜は、塗布後、樹脂の露光部分のみの分子が切断されることによってアルカリ溶液に可溶となり、剥離される。一方、ネガ型のレジスト膜は、光が当たった所で重合が開始されるために、光が当たってない部分が剥離される。何れの場合にも、パターニング精度を確保するためには、レジスト膜の下部(底部)まで光を到達させる必要がある。ところが、高ＯＤ値が求められる上記ＢＭの場合には、レジスト膜の下部まで光を到達させること自体が大きな課題になっている。
【０００７】
この課題に対し、従来は、上記樹脂ＢＭのうち、レジスト膜に対する表面への露光によって下部まで反応を進行させることが可能な上記ネガ型を中心に開発が行われている。高ＯＤ化対応の例としては、例えば、特許文献２に開示されている「ブラックマトリックス用色素を含むレジスト組成物」のように、上記カーボンブラックを樹脂コーティングさせることによって、分散性を向上させて上記樹脂ＢＭに含まれるカーボンブラックの含有量を増加させる方法が提案されている。
【０００８】
しかしながら、上記従来の特許文献２に開示された「ブラックマトリックス用色素を含むレジスト組成物」には、以下のような問題がある。すなわち、上記特許文献１に開示されたCF on Array構造のアクテイブマトリクス型液晶表示装置まで考慮した場合には、樹脂ＢＭ上部にも配線等の構造を形成させることが必要になる。したがって、ＢＭ特性としては、上述したＯＤ増加に加え、さらに上面のパターニング精度の向上や誘電率の低下が求められる。しかしながら、従来のネガ型の樹脂ＢＭにおいては、原理的に多階調のパターニングは不可能であり、上記CF on Array構造において要求される上記樹脂ＢＭ上部のパターニングには対応することができないという問題がある。
【０００９】
一方、上記ポジ型ＢＭの樹脂ＢＭの場合には、上述したとおり、高ＯＤ化する程、レジスト膜の下部まで露光することができないために、パターニング精度を著しく低下してしまうと言う問題がある。
【特許文献１】特開平４‐２５３０２８号公報
【特許文献２】特開平７‐２６１０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、この発明の課題は、パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化させることができる感光性樹脂組成物、この感光性樹脂組成物を用いたＢＭおよびその製造方法、このＢＭを用いたトランジスタアレイ基板およびその製造方法、並びに、上記ＢＭを用いたカラーフィルタ基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、この発明の遮光膜形成用の感光性樹脂組成物は、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド基含有化合物とを含むポジ型感光性樹脂組成物に、クロミズム特性を有する化合物を混合した
ことを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、露光特性を有するポジ型感光性樹脂組成物にクロミズム特性を有する化合物を混合したものを遮光膜形成用の感光性樹脂組成物として用いるので、上記感光性樹脂組成物を塗布して乾燥させてなるレジスト膜のパターニングを、上記クロミズム特性を有する化合物がクロミズム特性を発揮しない(つまりＯＤ値が低い)状態で行うことによって、パターニング精度を高めることができる。さらに、その後、上記クロミズム特性を有する化合物にクロミズム特性を発揮させることによって、上記レジスト膜の高ＯＤ値化を図ることができる。
【００１３】
したがって、この発明によれば、高パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を提供することができる。
【００１４】
また、この発明の遮光膜形成用の感光性樹脂組成物は、
高分子バインダー,光重合性モノマー,光重合開始剤および遮光性顔料を含有するネガ型感光性樹脂組成物に、クロミズム特性を有する化合物を混合した
ことを特徴としている。
【００１５】
上記構成によれば、露光特性を有するネガ型感光性樹脂組成物にクロミズム特性を有する化合物を混合したものを遮光膜形成用の感光性樹脂組成物として用いるので、上記感光性樹脂組成物を塗布して乾燥させてなるレジスト膜のパターニングを、上記クロミズム特性を有する化合物がクロミズム特性を発揮しない(つまりＯＤ値が低い)状態で行うことによって、パターニング精度を高めることができる。さらに、その後、上記クロミズム特性を有する化合物にクロミズム特性を発揮させることによって、上記レジスト膜の高ＯＤ値化を図ることができる。
【００１６】
したがって、この発明によれば、高パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を提供することができる。
【００１７】
また、１実施の形態の感光性樹脂組成物では、
上記クロミズム特性を有する化合物は、サーモクロミック材料である。
【００１８】
この実施の形態によれば、上記クロミズム特性を有する化合物のクロミズム特性を温度によって制御することができる。したがって、上記感光性樹脂組成物を塗布して乾燥させてなるレジスト膜のＯＤ値を、上記レジスト膜の加熱温度を制御することによって、簡単に制御することができる。
【００１９】
また、この発明のＢＭは、
上記遮光膜形成用の感光性樹脂組成物に対して、活性光線の照射および現像が行われてパターン化され、さらに物理的刺激が与えられて黒色化されて成る
ことを特徴としている。
【００２０】
上記構成によれば、本ＢＭは、高いパターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物に対して、活性光線の照射及び現像が行われてパターン化され、さらに物理的刺激が与えられて黒色化されて得られる。したがって、目的とする形状寸法を有すると共に、高いＯＤ値を有している。
【００２１】
また、この発明のＢＭの製造方法は、
上記遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を基板上に塗布した後乾燥し、
上記基板上に塗布された上記感光性樹脂組成物に活性光線を選択的に照射した後、アルカリ性水溶液で現像してパターンを形成し、
上記パターン化された上記感光性樹脂組成物に、物理的刺激を与えることによって黒色化する
ことを特徴としている。
【００２２】
上記構成によれば、高パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物に対して、活性光線の選択的照射および現像が行われてパターンが形成され、さらに物理的刺激が与えられて黒色化される。したがって、高いＯＤ値を呈するＢＭを、高いパターニング精度で形成することができる。
【００２３】
また、この発明のトランジスタアレイ基板は、
基板上に、マトリクス状に形成された複数の画素電極と、
上記各画素電極の間に一方向に延在して配列されたゲート線と、
上記各画素電極の間に他方向に延在して配列されたソース線と、
上記各ゲート線と上記各ソース線との交差位置に配置されると共に、上記ゲート線に接続されたゲート電極と上記ソース線に接続されたソース電極と上記画素電極に接続されたドレイン電極とを有する複数のトランジスタと
を備え、
上記各トランジスタの上部および少なくとも上記各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも上記各ゲート線および上記各ソース線を含む配線と上記各画素電極との間とに、上記ＢＭを配設した
ことを特徴としている。
【００２４】
上記構成によれば、各トランジスタの上部および少なくとも各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも各ゲート線および各ソース線を含む配線と各画素電極との間とに、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設している。したがって、上記各トランジスタの上部と、少なくとも上記各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも上記各ゲート線および上記各ソース線を含む配線と上記各画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるため、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができる。
【００２５】
また、この発明のカラーフィルタ基板は、
基板上に、マトリクス状に形成された複数のカラーフィルタと、
上記各カラーフィルタ上全面に形成された共通電極と
を備え、
上記各カラーフィルタの間に、上記ＢＭを配設した
ことを特徴としている。
【００２６】
上記構成によれば、各カラーフィルタの間に、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設している。したがって、上記各カラーフィルタ間を、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるため、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができる。
【００２７】
また、この発明のトランジスタアレイ基板の製造方法は、
基板上に、金属膜を成膜して、ゲート線およびソース線と、上記ゲート線に接続されたゲート電極,上記ソース線に接続されたソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタと、上記ドレイン電極に接続されたドレイン線と、のパターンを形成し、
上記ＢＭの製造方法によって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極形成領域との間と、上記ドレイン線と上記画素電極形成領域との間とに、配設されるようにパターン化されると共に、黒色化されたＢＭを形成し、
導電透明膜を成膜し、パターニングを行うことによって、上記画素電極形成領域に画素電極を形成する
ことを特徴としている。
【００２８】
上記構成によれば、トランジスタ,ゲート線およびドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とに、高パターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭが配設されている。したがって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と上記画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭで確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【００２９】
また、この発明のトランジスタアレイ基板の製造方法は、
基板上に、金属膜を成膜して、ゲート線と、このゲート線に接続されたゲート電極,ソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタと、上記ドレイン電極に接続されたドレイン線と、のパターンを形成し、
上記ＢＭの製造方法によって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極形成領域との間と、上記ドレイン線と上記画素電極形成領域との間とに、配設されるように、且つ、表面に上部ソース線形成用の溝とソース電極接続用の穴とが形成されるように、パターン化されると共に、黒色化されたＢＭを形成し、
上記ＢＭ表面の上記溝と上記穴とに金属を充填して、上記ソース電極に接続された上部ソース線を形成し、
導電透明膜を成膜し、パターニングを行うことによって、上記画素電極形成領域に画素電極を形成する
ことを特徴としている。
【００３０】
上記構成によれば、トランジスタ,ゲート線およびドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とに、高パターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭが配設されている。したがって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と上記画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、形成時に多段階調露光を行うことにより、上記ＢＭを、表面に上部ソース線形成用の溝とソース電極接続用の穴とが形成されるようにパターン化することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【００３１】
また、この発明のカラーフィルタ基板の製造方法は、
基板上に、上記ＢＭの製造方法によって、枠状にパターン化されると共に、黒色化されたＢＭを形成し、
上記ＢＭ内に顔料インクを塗布することによってカラーフィルタを形成し、
導電透明膜で成る対向電極を全面に形成する
ことを特徴としている。
【００３２】
上記構成によれば、カラーフィルタの周囲を、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭで、取り囲んでいる。したがって、上記カラーフィルタの周囲を、高いＯＤ値を有する上記ＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３３】
以上より明らかなように、この発明の遮光膜形成用の感光性樹脂組成物は、露光特性を有する感光性樹脂組成物にクロミズム特性を有する化合物を混合したものを用いるので、上記遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を塗布して乾燥させてなるレジスト膜のパターニングを、上記クロミズム特性を有する化合物がクロミズム特性を発揮しない(つまりＯＤ値が低い)状態で行うことによって、パターニング精度を高めることができる。さらに、その後、上記クロミズム特性を有する化合物にクロミズム特性を発揮させることによって、上記レジスト膜の高ＯＤ値化を図ることができる。
【００３４】
したがって、この発明によれば、パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を提供することができる。
【００３５】
また、この発明のＢＭおよびその製造方法は、パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物に対して、活性光線の照射および現像を行ってパターン化し、さらに物理的刺激を与えて黒色化してＢＭを得ている。したがって、当該ＢＭは、目的とする形状寸法を有すると共に、高いＯＤ値を有している。
【００３６】
また、この発明のトランジスタアレイ基板は、各トランジスタの上部および少なくとも各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも各ゲート線および各ソース線を含む配線と各画素電極との間とに、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設しているので、上記各トランジスタの上部と、少なくとも上記各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも上記各ゲート線および上記各ソース線を含む配線と上記各画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭにより確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるため、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができる。
【００３７】
また、この発明のカラーフィルタ基板は、各カラーフィルタの間に、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設しているので、上記各カラーフィルタの間を、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるため、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができる。
【００３８】
また、この発明のトランジスタアレイ基板の製造方法は、トランジスタ,ゲート線およびドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とに、高パターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設するので、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と上記画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【００３９】
また、この発明のトランジスタアレイ基板の製造方法は、トランジスタ,ゲート線およびドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とに、高パターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設するので、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と上記画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、形成時に多段階調露光を行うことにより、上記ＢＭを、表面に上部ソース線形成用の溝とソース電極接続用の穴とが形成されるようにパターン化することができる。また、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【００４０】
また、この発明のカラーフィルタ基板の製造方法は、カラーフィルタの周囲を、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭで、取り囲んでいる。したがって、上記カラーフィルタの周囲を、高いＯＤ値を有する上記ＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４２】
先ず、材料定義について説明する。この発明における「材料」は、露光特性を有する材料と加熱あるいは光照射等によるクロミズム特性を有する材料との２つの材料から構成されている。
【００４３】
ここで、上記「クロミズム特性」としては、光、熱、電界、溶媒、圧力、溶媒蒸気、イオン添加、溶液ｐＨ等、色変化を起こす要因毎に分類される。この中で、上記ＢＭの製造法を考慮すると、本実施の形態において特に有効である材料は、光,熱および電界によるクロミズム特性を示す材料である。
【００４４】
光によるクロミズム特性とは、光(主に紫外光)によって、シス‐トランス構造変化や結合変化が起こって色が変わる特性である。具体的な材料としては、スピロピラン化合物、インドリノスピロピラン化合物、フルギド化合物、ピラン化合物、スピロオキサジン化合物、スピロナフトオキサジン化合物、スピロフェナンスロオキサジン化合物、ジアリールエテン化合物、クロメン化合物、および、これらのチオ体、スチルベン誘導体、アゾ化合物等、の有機材料が挙げられる。
【００４５】
また、熱によるクロミズム特性とは、加熱することによって、分子配向が変化したり、加熱による液化によって反応が進んだりし、その結果色が変化する特性である。具体的には、金属酸化物材料、あるいは、ロイコ染料系、サリチリデンアニリン類、ポリチオフェン誘導体、テトラハロゲノ錯体、エチレンジアミン誘導体錯体、ジニトロジアンミン銅錯体、１,４‐ジアザシクロオクタン錯体、ヘキサメチレンテトラミン錯体、サルチルアルデヒド類錯体等、の有機材料が挙げられる。
【００４６】
また、電界によるクロミズム特性とは、材料に電界を印加することによって、酸化還元反応が起こってカチオン化またはアニオン化して色が変化する特性である。具体的には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェンおよびその誘導体等、の高分子材料が挙げられる。
【００４７】
次に、上記露光特性を有する材料としては、ポジ型およびネガ型の何れでもよいが、ＢＭ上面の加工性を向上させることを考慮すると、特にポジ型の露光特性を有する材料が含まれる組成物の方が、より大きな効果を発揮する。具体的に、ポジ型材料としては、ノボラック系樹脂とナフトキノンジアジド系化合物とから構成される一般的な材料を適用することができる。また、ネガ型材料であっても、高分子バインダー,光重合性モノマー,光重合開始剤および遮光性顔料から構成される一般的な材料を適用することができる。
【００４８】
次に、混合材料の定義について説明する。この発明における組成物は、上述した露光特性を有する材料とクロミズム特性を有する材料とを混合することによって形成される。ここで、クロミズム特性を有する材料の最適な混合比は、材料毎に異なるが、変化後の色をより鮮明にすることを考慮すると、熱あるいは光の照射後に現れる色が照射前の状態に影響を与えない範囲内で、より濃度が高い方が好ましい。具体的には、３０重量％までの範囲が特に好ましい。
【００４９】
次に、基板定義について説明する。基板も一般的なものが選択可能であり、ガラスやプラスチック基板等を選択することができる。また、上記基板上に絶縁膜あるいは金属膜を形成したものを選択してもよい。
【００５０】
次に、上記感光性樹脂組成物を用いたＢＭ製造方法について説明する。この発明におけるＢＭは、何れも(１)溶液塗布工程,(２)乾燥工程,(３)露光・現像工程および(４)熱処理工程を経て、形成される。
【００５１】
先ず、上記「溶液塗布工程」は、例えば、スピンコート法,バーコート法,ＬＢ法,ディップコート法およびインクジェット法等の一般的な手法によって、基板上に、上述した露光特性を有する材料とクロミズム特性を有する材料とを混合してなる樹脂組成物を塗布する工程である。ここで、塗布膜厚は、乾燥後で例えば０.５μm〜５μmになるように設定する。
【００５２】
また、上記「乾燥工程」は、室温で数時間から数日間放置するか、または、温風ヒーター,赤外線ヒーターおよびホットプレート等によって数分から数時間で加熱することによって、溶剤除去を行う工程である。ここで、加熱する温度については、クロミック材料の反応が進まない程度が好ましく、例えば室温〜１００℃の温度範囲である。
【００５３】
また、上記「露光・現像工程」は、上記塗布膜を、フォトマスク等を介して、紫外線やエキシマレーザー光等の活性性エネルギー線で、照射エネルギー線量１００mＪ/cm2〜２０００mＪ/cm2の範囲で露光する。その後、例えば１質量％〜１０質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(ＴＭＡＨ)水溶液のようなアルカリ溶液を用いて、所望のパターンに現像する工程である。その場合に使用される露光装置および現像液については、一般的なものを適用することができる。
【００５４】
また、上記「熱処理工程」は、上記パターンが形成された基板を、数分から数時間温風ヒーター,赤外線ヒーターおよびホットプレート等で加熱することによって、レジストパターンの耐久性を向上させ、クロミック材料の色変化を起こさせる工程である。ここで、加熱温度は、クロミック材料の色変化温度に合わせて選択することができ、例えば５０℃〜２００℃である。
【００５５】
より詳細には、上記ＢＭ製造方法は、組成物に含まれるクロミック材料の特性によって例えば以下のように、適宜選択して用いられる。
【００５６】
先ず、フォトクロミック材料を含む感光性樹脂組成物を用いたＢＭ製造方法としては、例えば、
・上記(３)の「露光・現像工程」において、パターニングに必要な波長の紫外光入射によって露光および現像を行った後、続いて、(４)の「熱処理工程」において、色変化に必要な波長の紫外光を入射する方法。
・上記(３)の「露光・現像工程」および(４)の「熱処理工程」において、加熱することによって色変化を抑制しながら紫外光を照射して露光および現像を行った後に、昇温することによって熱処理を行い、そのまま基板を室温等に戻しながらさらに紫外光を照射する方法。
を適用することができる。
【００５７】
前者の方法は、露光に必要な紫外光の波長が色変化に必要な波長よりも長波長側である場合に特に有用である。一方、後者の方法は、紫外光による色変化を熱によって戻すことができる材料(Ｔ‐type)に有用である。
【００５８】
また、サーモクロミック材料あるいはエレクトロクロミック材料を含む感光性樹脂組成物を用いたＢＭ製造方法としては、上記(４)の「熱処理工程」において加熱あるいは通電を行うことによって色変化させる方法を、適用することができる。
【００５９】
・第１実施の形態
図１は、本実施の形態の感光性樹脂組成物を用いたＢＭ製造方法における手順を示す基板の縦断面図である。尚、本実施の形態における上記感光性樹脂組成物は、ポジ型ブラックレジストにロイコ色素を混合したロイコ色素/ポジ型ブラックレジストである。
【００６０】
先ず、上記感光性樹脂組成物として、ノボラック系ポジ型ブラックレジスト(ＪＡＳ‐１００：ＪＳＲ株式会社製)中にカーボンブラックを１重量％混合したものに対して、ロイコ色素(山本化成製)を５重量％混合し、その後、顕色剤であるビスフェノールＡをビスフェノールおよびロイコ色素のモル比が１：２になるように混合したものを用いる。
【００６１】
続いて、以下の手順によって、ＢＭの製造を行う。先ず、図１(a)に示すように、ガラス基板１上に、スピンコート法によって上述した感光性樹脂組成物２を塗布した後、８０℃で５分間乾燥させることによって塗布膜を形成する。次に、図１(b)に示すように、感光性樹脂組成物２の上部(上方)に、中央部に半透明領域(透過率４０％)４が配置され、半透明領域４の両側に遮光領域５が配置され、遮光領域５の両側が全透過領域６である３階調フォトマスク３を配置し、通常のリソグラフィー技術によって白抜き矢印で示すように露光し、アルカリ性水溶液を用いて現像する。
【００６２】
こうすることによって、図１(c)に示すように、上記感光性樹脂組成物２が、３階調フォトマスク３の遮光領域５に対応する領域が略露光前の感光性樹脂組成物２の高さを保持し、３階調フォトマスク３の半透明領域４に対応する領域が透過率に応じた深さに窪んだ形状に成形される。その後、２００℃で１０分間熱処理を行うことによって、感光性樹脂組成物２における上記ロイコ色素と上記ビスフェノールＡとを反応させて黒色化させ、図１(d)に示すようなＢＭ７を形成する。
【００６３】
こうして得られたＢＭ７の遮光率を測定したところ、ＯＤ値で「２.５」であり、抵抗値は２.１×１０11Ω/□である。また、ガラス基板１上に形成されたＢＭ７は、ピンホールや色ムラ等のない優れたものであった。さらに、図１(d)において、３階調フォトマスク３の遮光領域５によって遮光された未露光部分８と、３階調フォトマスク３の半透明領域４を介して露光された半露光部分９と、の膜厚を測定した。その結果、夫々の膜厚は、１.１μmおよび０.６μmとであり、２階調の露光が達成されたことを確認した。
【００６４】
〔比較例１：ポジ型ブラックレジストを用いたＢＭ形成１〕
上記感光性樹脂組成物として、上記第１実施の形態の場合と同様に、ノボラック系ポジ型ブラックレジスト中にカーボンブラックを１重量％混合した材料を使用した。そして、上記第１実施の形態の場合と同様に、ガラス基板上に上記感光性樹脂組成物をスピンコート法によって塗布した後、８０℃で５分間乾燥する。そして、通常のリソグラフィー技術による露光、アルカリ溶液による現像、２００℃で１０分間の熱処理、を順次行うことによってＢＭを形成する。このようにして得られたＢＭの遮光率を測定したところ、ＯＤ値で「０.６」であり、十分な遮光率を得ることができなかった。
【００６５】
〔比較例２：ポジ型ブラックレジストを用いたＢＭ形成２〕
上記ノボラック系ポジ型ブラックレジストに対するカーボンブラックの混合量を１０重量％としたことを除き、上記比較例１と同様の方法でＢＭを形成した。こうして得られたＢＭの遮光率を測定したところ、ＯＤ値で「２.８」であり、十分な遮光率を得ることができた。しかしながら、半露光部分と未露光部分とのパターン(図１(d)参照)を形成することができなかった。
【００６６】
以上のように、本実施の形態においては、上記露光特性を有する材料としてノボラック系ポジ型ブラックレジスト中にカーボンブラックを１重量％混合したものを用い、上記サーモクロミック材料として５重量％のロイコ色素を用い、顕色剤としてビスフェノールＡを用い、上記カーボンブラックが混合されたノボラック系ポジ型ブラックレジストとロイコ色素とビスフェノールＡとを混合したものを感光性樹脂組成物２として用いる。
【００６７】
そして、上記ガラス基板１上に上記感光性樹脂組成物２を塗布した後、上記ロイコ色素の反応が進まない温度である８０℃で５分間乾燥させて塗布膜(レジスト膜)を形成している。したがって、形成されたレジスト膜は黒色化しておらず、次の３階調フォトマスク３を用いたリソグラフィー技術による露光の際に光が上記レジスト膜の下部まで十分に届くことができ、図１(c)に示すように、２階調の露光を達成することができるのである。
【００６８】
その後、上記２階調の露光および現像によって精度良くパターン化された感光性樹脂組成物２に対して、上記ロイコ色素の反応を十分に進ませることができる温度である２００℃で１０分間熱処理を行うことによって、上記ロイコ色素と上記ビスフェノールＡとを反応させて黒色化させるようにしている。したがって、得られたＢＭ７の遮光率はＯＤ値で「２.５」であり、十分な遮光率を得ることができる。
【００６９】
このように、上記露光特性を有する材料と上記サーモクロミック材料とを混合したものを感光性樹脂組成物２として用いることによって、レジスト膜のパターニングをＯＤ値が低い状態で行ってパターニング精度を高める一方、その後加熱によって高ＯＤ値化を図ることが可能になる。したがって、本実施の形態によれば、高パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ったＢＭ７を得ることができるのである。
【００７０】
また、上記露光特性を有する材料としてポジ型ブラックレジストを用いることによって多階調の露光を可能にすると共に、抵抗値は２.１×１０11Ω/□であり高い値を得ることができる。したがって、本実施の形態によれば、上記「CF on Array構造」のアクテイブマトリクス型液晶表示装置を実現すること可能になる。
【００７１】
・第２実施の形態
本実施の形態は、上記第１実施の形態におけるＢＭ製造方法を用いることによって、上記ロイコ色素/ポジ型ブラックレジストを用いたＴＦＴアレイ基板および液晶パネルを形成する方法に関する。
【００７２】
図２は、本実施の形態によって形成されたＴＦＴアレイ基板の平面図である。また、図３(a)は図２におけるＡ‐Ａ’矢視断面図であり、図３(b)は図２におけるＢ‐Ｂ’矢視断面図であり、図３(c)は図２におけるＣ‐Ｃ’矢視断面図である。以下、図２および図３に従って本実施の形態を説明する。尚、本実施の形態におけるＢＭ形成以外については、一例を示すものであって、本実施の形態に限定されるものではない。
【００７３】
(基板準備)
先ず、ガラス基板１１上に、スパッタ法によってアルミ等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によってゲート線１２および共通電極１３を形成する。次に、窒化シリコン等から成る下部絶縁膜１４を形成し、この下部絶縁膜１４上に半導体膜(ａ‐Ｓi,ｎ＋ａ‐Ｓi)をプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition：化学気相成長)法によって成膜した後、フォトリソグラフィ法によって半導体膜１５のパターンを形成する。その後、アルミ等の金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法によって、ソース電極１６およびドレイン電極１７と、ドレイン線１８と、のパターンを形成する。その後、窒化シリコンから成る保護膜１９のパターンを形成することによってＢＭ形成前の基板を形成する。
【００７４】
(ＢＭ形成)
図４は、本ＢＭ形成時におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。すなわち、図４(a)は、ＢＭ形成時における図３(a)に相当する図である。また、図４(b)は、ＢＭ形成時における図３(b)に相当する図である。また、図４(c)は、ＢＭ形成時における図３(c)に相当する図である。
【００７５】
先ず、上述した「基板準備」において形成された上記ＢＭ形成前の基板に上記第１実施の形態と同じ感光性樹脂組成物溶液をコーターを用いて塗布し、８０℃で５分間乾燥させることによって塗布膜２０’を形成する。続いて、図４に示すように、画素部および接続部に対応する領域２１aが全透過であり、上部ソース配線形成部に対応する領域２１bと領域２１cとが透過率６０％と透過率２０％との２段階の透過率であり、その他の部分に対応する領域２１dが遮光である４階調フォトマスク２１を用いて、４階調露光を行う。そうした後に、アルカリ溶液で現像を行う。
【００７６】
その結果、図５に示すようにパターニングされた上部絶縁膜２０が形成される。尚、図５(a)は、ＢＭ形成後における図３(a)に相当する図である。また、図５(b)は、ＢＭ形成後における図３(b)に相当する図である。また、図５(c)は、ＢＭ形成後における図３(c)に相当する図である。その後、２００℃で１０分間熱処理を行うことによって、上記第１実施の形態の場合と同様に、上部絶縁膜２０を黒色化させてＢＭを形成するのである。
【００７７】
(ＴＦＴアレイ基板および液晶パネル形成)
先ず、上記黒色化された上部絶縁膜２０のパターンをマスクとして、上記保護膜１９をドライエッチングした後、溝部(上記接続部)２２,２３にインクジェット法によってメタルインクを塗布することによって、上部ソース線２４を形成する。また、上記画素部にインクジェット法によって顔料インクを塗布することによって、カラーフィルタ(Ｒ)２５とカラーフィルタ(Ｇ)２６とカラーフィルタ(Ｂ)２７とを形成する。
【００７８】
その後、感光性樹脂からなるオーバーコート膜２８を塗布し、ドレイン線１８と画素電極２９との接続箇所３０を区画・形成するために、図３(b)に示すように、オーバーコート膜２８に対して露光およびドライエッチングを行う。そうした後、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ)等の導電透明膜を成膜し、この導電透明膜に対してフォトリソグラフィ法等によってパターニングを行うことによって、図３に示すように、画素電極２９を形成する。
【００７９】
以上の工程によって、上記ＴＦＴアレイ基板が形成される。
【００８０】
一方、別のガラス基板(図示せず)上にＩＴＯ等の導電透明膜で成る対向電極(図示せず)を全面に製膜した対向電極基板(図示せず)を形成する。そして、上記対向電極基板と上記ＴＦＴアレイ基板とを、上記対向電極と画素電極２９とが互いに対向するようにして貼り合わせる。その後、上記対向電極基板と上記ＴＦＴアレイ基板との間に液晶を注入することによって液晶パネルが形成される。
【００８１】
以上のようにして作成された液晶パネルは、電流のリークがなく、均一な表示画像を再現することができるのである。
【００８２】
上述したように、本実施の形態においては、上記ＴＦＴアレイ基板を構成する各ＴＦＴ,各ゲート線１２および各ドレイン線１８の上部を覆って遮光する絶縁膜、および、各ゲート線１２と各画素電極２９との間と、各上部ソース線２４と各画素電極２９との間と、各ドレイン線１８と各画素電極２９との間と、各上部ソース線２４と各ドレイン線１８との間に、配設されて遮光し、混色を防止する絶縁膜を、上記第１実施の形態におけるＢＭ製造方法によって形成された高パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ったＢＭよって構成している。したがって、各ＴＦＴ,各ゲート線１２および各ドレイン線１８の上部を確実に覆って遮光すると共に、各配線と各画素電極２９との間に配設されて確実に遮光することができる。
【００８３】
さらに、上記ＢＭをパターニングする際の４階調フォトマスク２４の位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができる。
【００８４】
尚、本実施の形態においては、上記露光特性を有する材料としてポジ型ブラックレジストを用いて多階調露光を行うことによって、上記「CF on Array構造」のＴＦＴアレイ基板を作成する場合について説明している。しかしながら、この発明はこれに限定されるものではなく、ソース線を基板上に形成する場合、画素電極をドレイン線を介さずにＴＦＴのドレイン電極に直接接続する場合、カラーフィルタがない場合等、種々のＴＦＴアレイ基板にも適用できることは言うまでもない。
【００８５】
・第３実施の形態
〔参考例〕
先ず、参考例について説明する。上記感光性樹脂組成物として「ＣＯＬＯＲ ＭＯＳＡＩＣ ＣＫ(富士フィルム製)」を用い、次に説明する本実施の形態の場合と同様の方法によってＢＭを形成した。この場合に、作成されたＢＭの遮光率はＯＤ値で「３.５」であり、抵抗値は２.８×１０12Ω/□であった。
【００８６】
次に、本実施の形態について説明する。本実施の形態は、上記第１実施の形態におけるＢＭ製造方法を用いることによって、上記ロイコ色素/ネガ型ブラックレジストを用いたＢＭ,カラーフィルタ基板および液晶パネルを形成する方法に関する。
【００８７】
上記感光性樹脂組成物として、「ＣＯＬＯＲ ＭＯＳＡＩＣ ＣＫ(富士フィルム製)」中に、ロイコ色素を１５重量％混合した後、顕色剤であるクエン酸を、クエン酸およびロイコ色素のモル比が１:３になるように混合したものを使用した。
【００８８】
先ず、コーターを用いて、ガラス基板上に、上記感光性樹脂組成物を塗布し、８０℃で５分間乾燥させる。乾燥膜厚は１.５μmである。その後、ネガマスクを用いた露光および現像を行った後、２００℃で１０分間熱処理することによって、枠状にパターン化されると共に、黒色化されたＢＭを形成する。
【００８９】
こうして得られたＢＭの遮光率を測定したところ、ＯＤ値で「４.５」であり、抵抗値は２.１×１０12Ω／□であった。上記〔参考例〕と比較すると、本実施の形態によるＢＭは、高抵抗を維持したまま、遮光率を向上できることを確認できた。また、基板上に形成されたＢＭは、ピンホールや色ムラ等の無い優れたものであった。さらに、上記ＢＭの枠内に顔料インクを塗布することによってカラーフィルタＲ,Ｇ,Ｂを形成した後、ＩＴＯ等の導電透明膜で成る対向電極を全面に形成して上記カラーフィルタ基板が形成される。
【００９０】
続いて、従来の形成方法に従って形成されたＴＦＴアレイ基板と、上記形成されたカラーフィルタ基板とを、上記ＴＦＴアレイ基板の画素電極と上記カラーフィルタ基板の上記対向電極とを互いに対向させて貼り合わせた後、液晶を注入することによって液晶パネルが形成される。
【００９１】
以上のようにして作成された液晶パネルは、電流のリークがなく、均一な表示画像を再現することができるのである。
【００９２】
以上のごとく、本実施の形態においては、上記カラーフィルタ基板を構成する各カラーフィルタＲ,Ｇ,Ｂの周囲を枠状に取り囲んで遮光し、混色を防止する絶縁膜を、以下のようにして形成している。
【００９３】
すなわち、上記露光特性を有する材料としてネガ型ブラックレジストを用い、上記サーモクロミック材料としてロイコ色素を用い、顕色剤としてクエン酸を用い、上記ネガ型ブラックレジストとロイコ色素とクエン酸とを混合したものを感光性樹脂組成物として用いる。そして、ガラス基板上に上記感光性樹脂組成物を塗布した後、上記ロイコ色素の反応が進まない温度である８０℃で５分間乾燥させて塗布膜(レジスト膜)を形成している。したがって、形成された塗布膜は黒色化しておらず、次のネガマスクを用いた露光の際に光が上記塗布膜の下部まで十分に届くことができ、高いパターニング精度得ることができるのである。
【００９４】
その後、上記精度良くパターン化された上記レジスト膜に対して、上記ロイコ色素の反応を十分に進ませることができる温度である２００℃で１０分間熱処理を行うことによって、上記ロイコ色素と上記クエン酸とを反応させて黒色化させるようにしている。したがって、得られたＢＭでなる上記遮光膜の遮光率はＯＤ値で「２.５」となり、十分な遮光率を得ることができる。
【００９５】
このように、パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることができるＢＭによって、各カラーフィルタＲ,Ｇ,Ｂの周囲を遮光する遮光膜を形成するので、各カラーフィルタＲ,Ｇ,Ｂの周囲を確実に遮光することができる。さらに、上記レジスト膜をパターニングする際の上記ネガマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】この発明の感光性樹脂組成物を用いたＢＭ製造方法における手順を示す縦断面図である。
【図２】図１に示すＢＭ製造方法を用いて形成されたＴＦＴアレイ基板の平面図である。
【図３】図２における断面図である。
【図４】ＢＭ形成時におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。
【図５】ＢＭ形成後におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１,１１…ガラス基板、
２…感光性樹脂組成物、
３…３階調フォトマスク、
４…半透明領域、
５,２１d…遮光領域、
６,２１a…全透過領域、
７…ＢＭ、
８…未露光部分、
９…半露光部分、
１２…ゲート線、
１３…共通電極、
１４…下部絶縁膜、
１５…半導体膜、
１６…ソース電極、
１７…ドレイン電極、
１８…ドレイン線、
１９…保護膜、
２０’…感光性樹脂組成物溶液の塗布膜、
２０…上部絶縁膜、
２１…４階調フォトマスク、
２１b…透過率６０％領域、
２１c…透過率２０％領域、
２２,２３…溝部(接続部)、
２４…上部ソース線、
２５…カラーフィルタ(Ｒ)、
２６…カラーフィルタ(Ｇ)、
２７…カラーフィルタ(Ｂ)、
２８…オーバーコート膜、
２９…画素電極、
３０…ドレイン線と画素電極との接続箇所。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、遮光膜形成用の感光性樹脂組成物、この感光性樹脂組成物を用いたブラックマトリクスおよびその製造方法、このブラックマトリクスを用いたトランジスタアレイ基板およびその製造方法、並びに、上記ブラックマトリクスを用いたカラーフィルタ基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ(Thin Film Transistor)を用いたＴＦＴ型液晶表示装置は、薄膜トランジスタアレイ基板(以下、ＴＦＴアレイ基板と言う)と、ブラックマトリクス(以下、ＢＭと言う)およびカラーフィルタから構成されるカラーフィルタ基板と、の間に液晶が封入されて構成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板側の各画素領域の画素電極とカラーフィルタ基板側の共通電極との間に印加される電界強度を制御することによって、各画素領域における液晶の配向状態を変えて光の透過率を変化させることによって画像を表示するようになっている。
【０００３】
上記液晶表示装置においては、上記ＴＦＴ型液晶表示装置の全表示画面に対する表示領域の割合、すなわち開口率の向上が求められており、各種配線による遮光面積の低減や、上記ＴＦＴアレイ基板と上記カラーフィルタ基板との貼り合わせ精度向上によるマージン分の遮光面積の低減等、の検討がなされている。そのうち、近年になって、上記ＴＦＴアレイ基板と上記カラーフィルタ基板との貼り合わせ精度を向上させる方法として、例えば特開平４‐２５３０２８号公報(特許文献１)に開示されたアクテイブマトリクス型液晶表示装置のごとく、上記カラーフィルタ層や上記ＢＭ部を上記ＴＦＴアレイ基板に一体形成した構造(CF on Array構造)が提案されるようになってきている。
【０００４】
一方、こうした液晶表示装置が高コントラストの画像を維持するためには、カラーフィルタ材料の色純度を向上させると共に、混色を防止するため上記ＢＭの光学濃度(Optical Density：以下、ＯＤと言う)を高くする必要がある。上記ＢＭには、クロムに代表される金属薄膜ＢＭと樹脂ＢＭとがあるが、コストの面や環境安全性の面から、近年はカーボンブラック等の顔料を含む樹脂ＢＭにシフトしている。
【０００５】
上記樹脂ＢＭは、感光性樹脂組成物の溶液を塗布することによって薄膜(以下、レジスト膜と言う)を形成し、その後露光・現像工程によって所望の形状にすることによって形成される。ここで、上記レジスト膜は、その露光特性に従ってポジ型およびネガ型に分類される。例えば、ポジ型ブラックレジストとしては、例えば特開平７‐２６１０１５号公報(特許文献２)に開示されたレジスト組成物のようなものがある。
【０００６】
上記ポジ型のレジスト膜は、塗布後、樹脂の露光部分のみの分子が切断されることによってアルカリ溶液に可溶となり、剥離される。一方、ネガ型のレジスト膜は、光が当たった所で重合が開始されるために、光が当たってない部分が剥離される。何れの場合にも、パターニング精度を確保するためには、レジスト膜の下部(底部)まで光を到達させる必要がある。ところが、高ＯＤ値が求められる上記ＢＭの場合には、レジスト膜の下部まで光を到達させること自体が大きな課題になっている。
【０００７】
この課題に対し、従来は、上記樹脂ＢＭのうち、レジスト膜に対する表面への露光によって下部まで反応を進行させることが可能な上記ネガ型を中心に開発が行われている。高ＯＤ化対応の例としては、例えば、特許文献２に開示されている「ブラックマトリックス用色素を含むレジスト組成物」のように、上記カーボンブラックを樹脂コーティングさせることによって、分散性を向上させて上記樹脂ＢＭに含まれるカーボンブラックの含有量を増加させる方法が提案されている。
【０００８】
しかしながら、上記従来の特許文献２に開示された「ブラックマトリックス用色素を含むレジスト組成物」には、以下のような問題がある。すなわち、上記特許文献１に開示されたCF on Array構造のアクテイブマトリクス型液晶表示装置まで考慮した場合には、樹脂ＢＭ上部にも配線等の構造を形成させることが必要になる。したがって、ＢＭ特性としては、上述したＯＤ増加に加え、さらに上面のパターニング精度の向上や誘電率の低下が求められる。しかしながら、従来のネガ型の樹脂ＢＭにおいては、原理的に多階調のパターニングは不可能であり、上記CF on Array構造において要求される上記樹脂ＢＭ上部のパターニングには対応することができないという問題がある。
【０００９】
一方、上記ポジ型ＢＭの樹脂ＢＭの場合には、上述したとおり、高ＯＤ化する程、レジスト膜の下部まで露光することができないために、パターニング精度を著しく低下してしまうと言う問題がある。
【特許文献１】特開平４‐２５３０２８号公報
【特許文献２】特開平７‐２６１０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、この発明の課題は、パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化させることができる感光性樹脂組成物、この感光性樹脂組成物を用いたＢＭおよびその製造方法、このＢＭを用いたトランジスタアレイ基板およびその製造方法、並びに、上記ＢＭを用いたカラーフィルタ基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、この発明の遮光膜形成用の感光性樹脂組成物は、
アルカリ可溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド基含有化合物とを含むポジ型感光性樹脂組成物に、クロミズム特性を有する化合物を混合した
ことを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、露光特性を有するポジ型感光性樹脂組成物にクロミズム特性を有する化合物を混合したものを遮光膜形成用の感光性樹脂組成物として用いるので、上記感光性樹脂組成物を塗布して乾燥させてなるレジスト膜のパターニングを、上記クロミズム特性を有する化合物がクロミズム特性を発揮しない(つまりＯＤ値が低い)状態で行うことによって、パターニング精度を高めることができる。さらに、その後、上記クロミズム特性を有する化合物にクロミズム特性を発揮させることによって、上記レジスト膜の高ＯＤ値化を図ることができる。
【００１３】
したがって、この発明によれば、高パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を提供することができる。
【００１４】
また、この発明の遮光膜形成用の感光性樹脂組成物は、
高分子バインダー,光重合性モノマー,光重合開始剤および遮光性顔料を含有するネガ型感光性樹脂組成物に、クロミズム特性を有する化合物を混合した
ことを特徴としている。
【００１５】
上記構成によれば、露光特性を有するネガ型感光性樹脂組成物にクロミズム特性を有する化合物を混合したものを遮光膜形成用の感光性樹脂組成物として用いるので、上記感光性樹脂組成物を塗布して乾燥させてなるレジスト膜のパターニングを、上記クロミズム特性を有する化合物がクロミズム特性を発揮しない(つまりＯＤ値が低い)状態で行うことによって、パターニング精度を高めることができる。さらに、その後、上記クロミズム特性を有する化合物にクロミズム特性を発揮させることによって、上記レジスト膜の高ＯＤ値化を図ることができる。
【００１６】
したがって、この発明によれば、高パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を提供することができる。
【００１７】
また、１実施の形態の感光性樹脂組成物では、
上記クロミズム特性を有する化合物は、サーモクロミック材料である。
【００１８】
この実施の形態によれば、上記クロミズム特性を有する化合物のクロミズム特性を温度によって制御することができる。したがって、上記感光性樹脂組成物を塗布して乾燥させてなるレジスト膜のＯＤ値を、上記レジスト膜の加熱温度を制御することによって、簡単に制御することができる。
【００１９】
また、この発明のＢＭは、
上記遮光膜形成用の感光性樹脂組成物に対して、活性光線の照射および現像が行われてパターン化され、さらに物理的刺激が与えられて黒色化されて成る
ことを特徴としている。
【００２０】
上記構成によれば、本ＢＭは、高いパターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物に対して、活性光線の照射及び現像が行われてパターン化され、さらに物理的刺激が与えられて黒色化されて得られる。したがって、目的とする形状寸法を有すると共に、高いＯＤ値を有している。
【００２１】
また、この発明のＢＭの製造方法は、
上記遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を基板上に塗布した後乾燥し、
上記基板上に塗布された上記感光性樹脂組成物に活性光線を選択的に照射した後、アルカリ性水溶液で現像してパターンを形成し、
上記パターン化された上記感光性樹脂組成物に、物理的刺激を与えることによって黒色化する
ことを特徴としている。
【００２２】
上記構成によれば、高パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物に対して、活性光線の選択的照射および現像が行われてパターンが形成され、さらに物理的刺激が与えられて黒色化される。したがって、高いＯＤ値を呈するＢＭを、高いパターニング精度で形成することができる。
【００２３】
また、この発明のトランジスタアレイ基板は、
基板上に、マトリクス状に形成された複数の画素電極と、
上記各画素電極の間に一方向に延在して配列されたゲート線と、
上記各画素電極の間に他方向に延在して配列されたソース線と、
上記各ゲート線と上記各ソース線との交差位置に配置されると共に、上記ゲート線に接続されたゲート電極と上記ソース線に接続されたソース電極と上記画素電極に接続されたドレイン電極とを有する複数のトランジスタと
を備え、
上記各トランジスタの上部および少なくとも上記各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも上記各ゲート線および上記各ソース線を含む配線と上記各画素電極との間とに、上記ＢＭを配設した
ことを特徴としている。
【００２４】
上記構成によれば、各トランジスタの上部および少なくとも各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも各ゲート線および各ソース線を含む配線と各画素電極との間とに、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設している。したがって、上記各トランジスタの上部と、少なくとも上記各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも上記各ゲート線および上記各ソース線を含む配線と上記各画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるため、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができる。
【００２５】
また、この発明のカラーフィルタ基板は、
基板上に、マトリクス状に形成された複数のカラーフィルタと、
上記各カラーフィルタ上全面に形成された共通電極と
を備え、
上記各カラーフィルタの間に、上記ＢＭを配設した
ことを特徴としている。
【００２６】
上記構成によれば、各カラーフィルタの間に、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設している。したがって、上記各カラーフィルタ間を、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるため、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができる。
【００２７】
また、この発明のトランジスタアレイ基板の製造方法は、
基板上に、金属膜を成膜して、ゲート線およびソース線と、上記ゲート線に接続されたゲート電極,上記ソース線に接続されたソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタと、上記ドレイン電極に接続されたドレイン線と、のパターンを形成し、
上記ＢＭの製造方法によって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極形成領域との間と、上記ドレイン線と上記画素電極形成領域との間とに、配設されるようにパターン化されると共に、黒色化されたＢＭを形成し、
導電透明膜を成膜し、パターニングを行うことによって、上記画素電極形成領域に画素電極を形成する
ことを特徴としている。
【００２８】
上記構成によれば、トランジスタ,ゲート線およびドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とに、高パターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭが配設されている。したがって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と上記画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭで確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【００２９】
また、この発明のトランジスタアレイ基板の製造方法は、
基板上に、金属膜を成膜して、ゲート線と、このゲート線に接続されたゲート電極,ソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタと、上記ドレイン電極に接続されたドレイン線と、のパターンを形成し、
上記ＢＭの製造方法によって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極形成領域との間と、上記ドレイン線と上記画素電極形成領域との間とに、配設されるように、且つ、表面に上部ソース線形成用の溝とソース電極接続用の穴とが形成されるように、パターン化されると共に、黒色化されたＢＭを形成し、
上記ＢＭ表面の上記溝と上記穴とに金属を充填して、上記ソース電極に接続された上部ソース線を形成し、
導電透明膜を成膜し、パターニングを行うことによって、上記画素電極形成領域に画素電極を形成する
ことを特徴としている。
【００３０】
上記構成によれば、トランジスタ,ゲート線およびドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とに、高パターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭが配設されている。したがって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と上記画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、形成時に多段階調露光を行うことにより、上記ＢＭを、表面に上部ソース線形成用の溝とソース電極接続用の穴とが形成されるようにパターン化することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【００３１】
また、この発明のカラーフィルタ基板の製造方法は、
基板上に、上記ＢＭの製造方法によって、枠状にパターン化されると共に、黒色化されたＢＭを形成し、
上記ＢＭ内に顔料インクを塗布することによってカラーフィルタを形成し、
導電透明膜で成る対向電極を全面に形成する
ことを特徴としている。
【００３２】
上記構成によれば、カラーフィルタの周囲を、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭで、取り囲んでいる。したがって、上記カラーフィルタの周囲を、高いＯＤ値を有する上記ＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３３】
以上より明らかなように、この発明の遮光膜形成用の感光性樹脂組成物は、露光特性を有する感光性樹脂組成物にクロミズム特性を有する化合物を混合したものを用いるので、上記遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を塗布して乾燥させてなるレジスト膜のパターニングを、上記クロミズム特性を有する化合物がクロミズム特性を発揮しない(つまりＯＤ値が低い)状態で行うことによって、パターニング精度を高めることができる。さらに、その後、上記クロミズム特性を有する化合物にクロミズム特性を発揮させることによって、上記レジスト膜の高ＯＤ値化を図ることができる。
【００３４】
したがって、この発明によれば、パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を提供することができる。
【００３５】
また、この発明のＢＭおよびその製造方法は、パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることが可能な遮光膜形成用の感光性樹脂組成物に対して、活性光線の照射および現像を行ってパターン化し、さらに物理的刺激を与えて黒色化してＢＭを得ている。したがって、当該ＢＭは、目的とする形状寸法を有すると共に、高いＯＤ値を有している。
【００３６】
また、この発明のトランジスタアレイ基板は、各トランジスタの上部および少なくとも各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも各ゲート線および各ソース線を含む配線と各画素電極との間とに、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設しているので、上記各トランジスタの上部と、少なくとも上記各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも上記各ゲート線および上記各ソース線を含む配線と上記各画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭにより確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるため、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができる。
【００３７】
また、この発明のカラーフィルタ基板は、各カラーフィルタの間に、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設しているので、上記各カラーフィルタの間を、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるため、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができる。
【００３８】
また、この発明のトランジスタアレイ基板の製造方法は、トランジスタ,ゲート線およびドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とに、高パターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設するので、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と上記画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【００３９】
また、この発明のトランジスタアレイ基板の製造方法は、トランジスタ,ゲート線およびドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とに、高パターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭを配設するので、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と上記画素電極との間と、上記ドレイン線と上記画素電極との間とを、高いＯＤ値を有するＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、形成時に多段階調露光を行うことにより、上記ＢＭを、表面に上部ソース線形成用の溝とソース電極接続用の穴とが形成されるようにパターン化することができる。また、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【００４０】
また、この発明のカラーフィルタ基板の製造方法は、カラーフィルタの周囲を、高いパターニング精度で成形されると共に、高いＯＤ値を呈するＢＭで、取り囲んでいる。したがって、上記カラーフィルタの周囲を、高いＯＤ値を有する上記ＢＭによって確実に遮光することができる。さらに、上記ＢＭは高いパターニング精度で成形されるので、パターニングを行う際のフォトマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４２】
先ず、材料定義について説明する。この発明における「材料」は、露光特性を有する材料と加熱あるいは光照射等によるクロミズム特性を有する材料との２つの材料から構成されている。
【００４３】
ここで、上記「クロミズム特性」としては、光、熱、電界、溶媒、圧力、溶媒蒸気、イオン添加、溶液ｐＨ等、色変化を起こす要因毎に分類される。この中で、上記ＢＭの製造法を考慮すると、本実施の形態において特に有効である材料は、光,熱および電界によるクロミズム特性を示す材料である。
【００４４】
光によるクロミズム特性とは、光(主に紫外光)によって、シス‐トランス構造変化や結合変化が起こって色が変わる特性である。具体的な材料としては、スピロピラン化合物、インドリノスピロピラン化合物、フルギド化合物、ピラン化合物、スピロオキサジン化合物、スピロナフトオキサジン化合物、スピロフェナンスロオキサジン化合物、ジアリールエテン化合物、クロメン化合物、および、これらのチオ体、スチルベン誘導体、アゾ化合物等、の有機材料が挙げられる。
【００４５】
また、熱によるクロミズム特性とは、加熱することによって、分子配向が変化したり、加熱による液化によって反応が進んだりし、その結果色が変化する特性である。具体的には、金属酸化物材料、あるいは、ロイコ染料系、サリチリデンアニリン類、ポリチオフェン誘導体、テトラハロゲノ錯体、エチレンジアミン誘導体錯体、ジニトロジアンミン銅錯体、１,４‐ジアザシクロオクタン錯体、ヘキサメチレンテトラミン錯体、サルチルアルデヒド類錯体等、の有機材料が挙げられる。
【００４６】
また、電界によるクロミズム特性とは、材料に電界を印加することによって、酸化還元反応が起こってカチオン化またはアニオン化して色が変化する特性である。具体的には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリエチレンジオキシチオフェンおよびその誘導体等、の高分子材料が挙げられる。
【００４７】
次に、上記露光特性を有する材料としては、ポジ型およびネガ型の何れでもよいが、ＢＭ上面の加工性を向上させることを考慮すると、特にポジ型の露光特性を有する材料が含まれる組成物の方が、より大きな効果を発揮する。具体的に、ポジ型材料としては、ノボラック系樹脂とナフトキノンジアジド系化合物とから構成される一般的な材料を適用することができる。また、ネガ型材料であっても、高分子バインダー,光重合性モノマー,光重合開始剤および遮光性顔料から構成される一般的な材料を適用することができる。
【００４８】
次に、混合材料の定義について説明する。この発明における組成物は、上述した露光特性を有する材料とクロミズム特性を有する材料とを混合することによって形成される。ここで、クロミズム特性を有する材料の最適な混合比は、材料毎に異なるが、変化後の色をより鮮明にすることを考慮すると、熱あるいは光の照射後に現れる色が照射前の状態に影響を与えない範囲内で、より濃度が高い方が好ましい。具体的には、３０重量％までの範囲が特に好ましい。
【００４９】
次に、基板定義について説明する。基板も一般的なものが選択可能であり、ガラスやプラスチック基板等を選択することができる。また、上記基板上に絶縁膜あるいは金属膜を形成したものを選択してもよい。
【００５０】
次に、上記感光性樹脂組成物を用いたＢＭ製造方法について説明する。この発明におけるＢＭは、何れも(１)溶液塗布工程,(２)乾燥工程,(３)露光・現像工程および(４)熱処理工程を経て、形成される。
【００５１】
先ず、上記「溶液塗布工程」は、例えば、スピンコート法,バーコート法,ＬＢ法,ディップコート法およびインクジェット法等の一般的な手法によって、基板上に、上述した露光特性を有する材料とクロミズム特性を有する材料とを混合してなる樹脂組成物を塗布する工程である。ここで、塗布膜厚は、乾燥後で例えば０.５μm〜５μmになるように設定する。
【００５２】
また、上記「乾燥工程」は、室温で数時間から数日間放置するか、または、温風ヒーター,赤外線ヒーターおよびホットプレート等によって数分から数時間で加熱することによって、溶剤除去を行う工程である。ここで、加熱する温度については、クロミック材料の反応が進まない程度が好ましく、例えば室温〜１００℃の温度範囲である。
【００５３】
また、上記「露光・現像工程」は、上記塗布膜を、フォトマスク等を介して、紫外線やエキシマレーザー光等の活性性エネルギー線で、照射エネルギー線量１００mＪ/cm2〜２０００mＪ/cm2の範囲で露光する。その後、例えば１質量％〜１０質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(ＴＭＡＨ)水溶液のようなアルカリ溶液を用いて、所望のパターンに現像する工程である。その場合に使用される露光装置および現像液については、一般的なものを適用することができる。
【００５４】
また、上記「熱処理工程」は、上記パターンが形成された基板を、数分から数時間温風ヒーター,赤外線ヒーターおよびホットプレート等で加熱することによって、レジストパターンの耐久性を向上させ、クロミック材料の色変化を起こさせる工程である。ここで、加熱温度は、クロミック材料の色変化温度に合わせて選択することができ、例えば５０℃〜２００℃である。
【００５５】
より詳細には、上記ＢＭ製造方法は、組成物に含まれるクロミック材料の特性によって例えば以下のように、適宜選択して用いられる。
【００５６】
先ず、フォトクロミック材料を含む感光性樹脂組成物を用いたＢＭ製造方法としては、例えば、
・上記(３)の「露光・現像工程」において、パターニングに必要な波長の紫外光入射によって露光および現像を行った後、続いて、(４)の「熱処理工程」において、色変化に必要な波長の紫外光を入射する方法。
・上記(３)の「露光・現像工程」および(４)の「熱処理工程」において、加熱することによって色変化を抑制しながら紫外光を照射して露光および現像を行った後に、昇温することによって熱処理を行い、そのまま基板を室温等に戻しながらさらに紫外光を照射する方法。
を適用することができる。
【００５７】
前者の方法は、露光に必要な紫外光の波長が色変化に必要な波長よりも長波長側である場合に特に有用である。一方、後者の方法は、紫外光による色変化を熱によって戻すことができる材料(Ｔ‐type)に有用である。
【００５８】
また、サーモクロミック材料あるいはエレクトロクロミック材料を含む感光性樹脂組成物を用いたＢＭ製造方法としては、上記(４)の「熱処理工程」において加熱あるいは通電を行うことによって色変化させる方法を、適用することができる。
【００５９】
・第１実施の形態
図１は、本実施の形態の感光性樹脂組成物を用いたＢＭ製造方法における手順を示す基板の縦断面図である。尚、本実施の形態における上記感光性樹脂組成物は、ポジ型ブラックレジストにロイコ色素を混合したロイコ色素/ポジ型ブラックレジストである。
【００６０】
先ず、上記感光性樹脂組成物として、ノボラック系ポジ型ブラックレジスト(ＪＡＳ‐１００：ＪＳＲ株式会社製)中にカーボンブラックを１重量％混合したものに対して、ロイコ色素(山本化成製)を５重量％混合し、その後、顕色剤であるビスフェノールＡをビスフェノールおよびロイコ色素のモル比が１：２になるように混合したものを用いる。
【００６１】
続いて、以下の手順によって、ＢＭの製造を行う。先ず、図１(a)に示すように、ガラス基板１上に、スピンコート法によって上述した感光性樹脂組成物２を塗布した後、８０℃で５分間乾燥させることによって塗布膜を形成する。次に、図１(b)に示すように、感光性樹脂組成物２の上部(上方)に、中央部に半透明領域(透過率４０％)４が配置され、半透明領域４の両側に遮光領域５が配置され、遮光領域５の両側が全透過領域６である３階調フォトマスク３を配置し、通常のリソグラフィー技術によって白抜き矢印で示すように露光し、アルカリ性水溶液を用いて現像する。
【００６２】
こうすることによって、図１(c)に示すように、上記感光性樹脂組成物２が、３階調フォトマスク３の遮光領域５に対応する領域が略露光前の感光性樹脂組成物２の高さを保持し、３階調フォトマスク３の半透明領域４に対応する領域が透過率に応じた深さに窪んだ形状に成形される。その後、２００℃で１０分間熱処理を行うことによって、感光性樹脂組成物２における上記ロイコ色素と上記ビスフェノールＡとを反応させて黒色化させ、図１(d)に示すようなＢＭ７を形成する。
【００６３】
こうして得られたＢＭ７の遮光率を測定したところ、ＯＤ値で「２.５」であり、抵抗値は２.１×１０11Ω/□である。また、ガラス基板１上に形成されたＢＭ７は、ピンホールや色ムラ等のない優れたものであった。さらに、図１(d)において、３階調フォトマスク３の遮光領域５によって遮光された未露光部分８と、３階調フォトマスク３の半透明領域４を介して露光された半露光部分９と、の膜厚を測定した。その結果、夫々の膜厚は、１.１μmおよび０.６μmとであり、２階調の露光が達成されたことを確認した。
【００６４】
〔比較例１：ポジ型ブラックレジストを用いたＢＭ形成１〕
上記感光性樹脂組成物として、上記第１実施の形態の場合と同様に、ノボラック系ポジ型ブラックレジスト中にカーボンブラックを１重量％混合した材料を使用した。そして、上記第１実施の形態の場合と同様に、ガラス基板上に上記感光性樹脂組成物をスピンコート法によって塗布した後、８０℃で５分間乾燥する。そして、通常のリソグラフィー技術による露光、アルカリ溶液による現像、２００℃で１０分間の熱処理、を順次行うことによってＢＭを形成する。このようにして得られたＢＭの遮光率を測定したところ、ＯＤ値で「０.６」であり、十分な遮光率を得ることができなかった。
【００６５】
〔比較例２：ポジ型ブラックレジストを用いたＢＭ形成２〕
上記ノボラック系ポジ型ブラックレジストに対するカーボンブラックの混合量を１０重量％としたことを除き、上記比較例１と同様の方法でＢＭを形成した。こうして得られたＢＭの遮光率を測定したところ、ＯＤ値で「２.８」であり、十分な遮光率を得ることができた。しかしながら、半露光部分と未露光部分とのパターン(図１(d)参照)を形成することができなかった。
【００６６】
以上のように、本実施の形態においては、上記露光特性を有する材料としてノボラック系ポジ型ブラックレジスト中にカーボンブラックを１重量％混合したものを用い、上記サーモクロミック材料として５重量％のロイコ色素を用い、顕色剤としてビスフェノールＡを用い、上記カーボンブラックが混合されたノボラック系ポジ型ブラックレジストとロイコ色素とビスフェノールＡとを混合したものを感光性樹脂組成物２として用いる。
【００６７】
そして、上記ガラス基板１上に上記感光性樹脂組成物２を塗布した後、上記ロイコ色素の反応が進まない温度である８０℃で５分間乾燥させて塗布膜(レジスト膜)を形成している。したがって、形成されたレジスト膜は黒色化しておらず、次の３階調フォトマスク３を用いたリソグラフィー技術による露光の際に光が上記レジスト膜の下部まで十分に届くことができ、図１(c)に示すように、２階調の露光を達成することができるのである。
【００６８】
その後、上記２階調の露光および現像によって精度良くパターン化された感光性樹脂組成物２に対して、上記ロイコ色素の反応を十分に進ませることができる温度である２００℃で１０分間熱処理を行うことによって、上記ロイコ色素と上記ビスフェノールＡとを反応させて黒色化させるようにしている。したがって、得られたＢＭ７の遮光率はＯＤ値で「２.５」であり、十分な遮光率を得ることができる。
【００６９】
このように、上記露光特性を有する材料と上記サーモクロミック材料とを混合したものを感光性樹脂組成物２として用いることによって、レジスト膜のパターニングをＯＤ値が低い状態で行ってパターニング精度を高める一方、その後加熱によって高ＯＤ値化を図ることが可能になる。したがって、本実施の形態によれば、高パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ったＢＭ７を得ることができるのである。
【００７０】
また、上記露光特性を有する材料としてポジ型ブラックレジストを用いることによって多階調の露光を可能にすると共に、抵抗値は２.１×１０11Ω/□であり高い値を得ることができる。したがって、本実施の形態によれば、上記「CF on Array構造」のアクテイブマトリクス型液晶表示装置を実現すること可能になる。
【００７１】
・第２実施の形態
本実施の形態は、上記第１実施の形態におけるＢＭ製造方法を用いることによって、上記ロイコ色素/ポジ型ブラックレジストを用いたＴＦＴアレイ基板および液晶パネルを形成する方法に関する。
【００７２】
図２は、本実施の形態によって形成されたＴＦＴアレイ基板の平面図である。また、図３(a)は図２におけるＡ‐Ａ’矢視断面図であり、図３(b)は図２におけるＢ‐Ｂ’矢視断面図であり、図３(c)は図２におけるＣ‐Ｃ’矢視断面図である。以下、図２および図３に従って本実施の形態を説明する。尚、本実施の形態におけるＢＭ形成以外については、一例を示すものであって、本実施の形態に限定されるものではない。
【００７３】
(基板準備)
先ず、ガラス基板１１上に、スパッタ法によってアルミ等の金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法によってゲート線１２および共通電極１３を形成する。次に、窒化シリコン等から成る下部絶縁膜１４を形成し、この下部絶縁膜１４上に半導体膜(ａ‐Ｓi,ｎ＋ａ‐Ｓi)をプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition：化学気相成長)法によって成膜した後、フォトリソグラフィ法によって半導体膜１５のパターンを形成する。その後、アルミ等の金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法によって、ソース電極１６およびドレイン電極１７と、ドレイン線１８と、のパターンを形成する。その後、窒化シリコンから成る保護膜１９のパターンを形成することによってＢＭ形成前の基板を形成する。
【００７４】
(ＢＭ形成)
図４は、本ＢＭ形成時におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。すなわち、図４(a)は、ＢＭ形成時における図３(a)に相当する図である。また、図４(b)は、ＢＭ形成時における図３(b)に相当する図である。また、図４(c)は、ＢＭ形成時における図３(c)に相当する図である。
【００７５】
先ず、上述した「基板準備」において形成された上記ＢＭ形成前の基板に上記第１実施の形態と同じ感光性樹脂組成物溶液をコーターを用いて塗布し、８０℃で５分間乾燥させることによって塗布膜２０’を形成する。続いて、図４に示すように、画素部および接続部に対応する領域２１aが全透過であり、上部ソース配線形成部に対応する領域２１bと領域２１cとが透過率６０％と透過率２０％との２段階の透過率であり、その他の部分に対応する領域２１dが遮光である４階調フォトマスク２１を用いて、４階調露光を行う。そうした後に、アルカリ溶液で現像を行う。
【００７６】
その結果、図５に示すようにパターニングされた上部絶縁膜２０が形成される。尚、図５(a)は、ＢＭ形成後における図３(a)に相当する図である。また、図５(b)は、ＢＭ形成後における図３(b)に相当する図である。また、図５(c)は、ＢＭ形成後における図３(c)に相当する図である。その後、２００℃で１０分間熱処理を行うことによって、上記第１実施の形態の場合と同様に、上部絶縁膜２０を黒色化させてＢＭを形成するのである。
【００７７】
(ＴＦＴアレイ基板および液晶パネル形成)
先ず、上記黒色化された上部絶縁膜２０のパターンをマスクとして、上記保護膜１９をドライエッチングした後、溝部(上記接続部)２２,２３にインクジェット法によってメタルインクを塗布することによって、上部ソース線２４を形成する。また、上記画素部にインクジェット法によって顔料インクを塗布することによって、カラーフィルタ(Ｒ)２５とカラーフィルタ(Ｇ)２６とカラーフィルタ(Ｂ)２７とを形成する。
【００７８】
その後、感光性樹脂からなるオーバーコート膜２８を塗布し、ドレイン線１８と画素電極２９との接続箇所３０を区画・形成するために、図３(b)に示すように、オーバーコート膜２８に対して露光およびドライエッチングを行う。そうした後、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ)等の導電透明膜を成膜し、この導電透明膜に対してフォトリソグラフィ法等によってパターニングを行うことによって、図３に示すように、画素電極２９を形成する。
【００７９】
以上の工程によって、上記ＴＦＴアレイ基板が形成される。
【００８０】
一方、別のガラス基板(図示せず)上にＩＴＯ等の導電透明膜で成る対向電極(図示せず)を全面に製膜した対向電極基板(図示せず)を形成する。そして、上記対向電極基板と上記ＴＦＴアレイ基板とを、上記対向電極と画素電極２９とが互いに対向するようにして貼り合わせる。その後、上記対向電極基板と上記ＴＦＴアレイ基板との間に液晶を注入することによって液晶パネルが形成される。
【００８１】
以上のようにして作成された液晶パネルは、電流のリークがなく、均一な表示画像を再現することができるのである。
【００８２】
上述したように、本実施の形態においては、上記ＴＦＴアレイ基板を構成する各ＴＦＴ,各ゲート線１２および各ドレイン線１８の上部を覆って遮光する絶縁膜、および、各ゲート線１２と各画素電極２９との間と、各上部ソース線２４と各画素電極２９との間と、各ドレイン線１８と各画素電極２９との間と、各上部ソース線２４と各ドレイン線１８との間に、配設されて遮光し、混色を防止する絶縁膜を、上記第１実施の形態におけるＢＭ製造方法によって形成された高パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ったＢＭよって構成している。したがって、各ＴＦＴ,各ゲート線１２および各ドレイン線１８の上部を確実に覆って遮光すると共に、各配線と各画素電極２９との間に配設されて確実に遮光することができる。
【００８３】
さらに、上記ＢＭをパターニングする際の４階調フォトマスク２４の位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができる。
【００８４】
尚、本実施の形態においては、上記露光特性を有する材料としてポジ型ブラックレジストを用いて多階調露光を行うことによって、上記「CF on Array構造」のＴＦＴアレイ基板を作成する場合について説明している。しかしながら、この発明はこれに限定されるものではなく、ソース線を基板上に形成する場合、画素電極をドレイン線を介さずにＴＦＴのドレイン電極に直接接続する場合、カラーフィルタがない場合等、種々のＴＦＴアレイ基板にも適用できることは言うまでもない。
【００８５】
・第３実施の形態
〔参考例〕
先ず、参考例について説明する。上記感光性樹脂組成物として「ＣＯＬＯＲ ＭＯＳＡＩＣ ＣＫ(富士フィルム製)」を用い、次に説明する本実施の形態の場合と同様の方法によってＢＭを形成した。この場合に、作成されたＢＭの遮光率はＯＤ値で「３.５」であり、抵抗値は２.８×１０12Ω/□であった。
【００８６】
次に、本実施の形態について説明する。本実施の形態は、上記第１実施の形態におけるＢＭ製造方法を用いることによって、上記ロイコ色素/ネガ型ブラックレジストを用いたＢＭ,カラーフィルタ基板および液晶パネルを形成する方法に関する。
【００８７】
上記感光性樹脂組成物として、「ＣＯＬＯＲ ＭＯＳＡＩＣ ＣＫ(富士フィルム製)」中に、ロイコ色素を１５重量％混合した後、顕色剤であるクエン酸を、クエン酸およびロイコ色素のモル比が１:３になるように混合したものを使用した。
【００８８】
先ず、コーターを用いて、ガラス基板上に、上記感光性樹脂組成物を塗布し、８０℃で５分間乾燥させる。乾燥膜厚は１.５μmである。その後、ネガマスクを用いた露光および現像を行った後、２００℃で１０分間熱処理することによって、枠状にパターン化されると共に、黒色化されたＢＭを形成する。
【００８９】
こうして得られたＢＭの遮光率を測定したところ、ＯＤ値で「４.５」であり、抵抗値は２.１×１０12Ω／□であった。上記〔参考例〕と比較すると、本実施の形態によるＢＭは、高抵抗を維持したまま、遮光率を向上できることを確認できた。また、基板上に形成されたＢＭは、ピンホールや色ムラ等の無い優れたものであった。さらに、上記ＢＭの枠内に顔料インクを塗布することによってカラーフィルタＲ,Ｇ,Ｂを形成した後、ＩＴＯ等の導電透明膜で成る対向電極を全面に形成して上記カラーフィルタ基板が形成される。
【００９０】
続いて、従来の形成方法に従って形成されたＴＦＴアレイ基板と、上記形成されたカラーフィルタ基板とを、上記ＴＦＴアレイ基板の画素電極と上記カラーフィルタ基板の上記対向電極とを互いに対向させて貼り合わせた後、液晶を注入することによって液晶パネルが形成される。
【００９１】
以上のようにして作成された液晶パネルは、電流のリークがなく、均一な表示画像を再現することができるのである。
【００９２】
以上のごとく、本実施の形態においては、上記カラーフィルタ基板を構成する各カラーフィルタＲ,Ｇ,Ｂの周囲を枠状に取り囲んで遮光し、混色を防止する絶縁膜を、以下のようにして形成している。
【００９３】
すなわち、上記露光特性を有する材料としてネガ型ブラックレジストを用い、上記サーモクロミック材料としてロイコ色素を用い、顕色剤としてクエン酸を用い、上記ネガ型ブラックレジストとロイコ色素とクエン酸とを混合したものを感光性樹脂組成物として用いる。そして、ガラス基板上に上記感光性樹脂組成物を塗布した後、上記ロイコ色素の反応が進まない温度である８０℃で５分間乾燥させて塗布膜(レジスト膜)を形成している。したがって、形成された塗布膜は黒色化しておらず、次のネガマスクを用いた露光の際に光が上記塗布膜の下部まで十分に届くことができ、高いパターニング精度得ることができるのである。
【００９４】
その後、上記精度良くパターン化された上記レジスト膜に対して、上記ロイコ色素の反応を十分に進ませることができる温度である２００℃で１０分間熱処理を行うことによって、上記ロイコ色素と上記クエン酸とを反応させて黒色化させるようにしている。したがって、得られたＢＭでなる上記遮光膜の遮光率はＯＤ値で「２.５」となり、十分な遮光率を得ることができる。
【００９５】
このように、パターニング精度を維持したまま高ＯＤ化を図ることができるＢＭによって、各カラーフィルタＲ,Ｇ,Ｂの周囲を遮光する遮光膜を形成するので、各カラーフィルタＲ,Ｇ,Ｂの周囲を確実に遮光することができる。さらに、上記レジスト膜をパターニングする際の上記ネガマスクの位置合わせマージンを小さくすることができ、その分だけ開口率を向上することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】この発明の感光性樹脂組成物を用いたＢＭ製造方法における手順を示す縦断面図である。
【図２】図１に示すＢＭ製造方法を用いて形成されたＴＦＴアレイ基板の平面図である。
【図３】図２における断面図である。
【図４】ＢＭ形成時におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。
【図５】ＢＭ形成後におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１,１１…ガラス基板、
２…感光性樹脂組成物、
３…３階調フォトマスク、
４…半透明領域、
５,２１d…遮光領域、
６,２１a…全透過領域、
７…ＢＭ、
８…未露光部分、
９…半露光部分、
１２…ゲート線、
１３…共通電極、
１４…下部絶縁膜、
１５…半導体膜、
１６…ソース電極、
１７…ドレイン電極、
１８…ドレイン線、
１９…保護膜、
２０’…感光性樹脂組成物溶液の塗布膜、
２０…上部絶縁膜、
２１…４階調フォトマスク、
２１b…透過率６０％領域、
２１c…透過率２０％領域、
２２,２３…溝部(接続部)、
２４…上部ソース線、
２５…カラーフィルタ(Ｒ)、
２６…カラーフィルタ(Ｇ)、
２７…カラーフィルタ(Ｂ)、
２８…オーバーコート膜、
２９…画素電極、
３０…ドレイン線と画素電極との接続箇所。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ可溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド基含有化合物とを含むポジ型感光性樹脂組成物に、クロミズム特性を有する化合物を混合した
ことを特徴とする遮光膜形成用の感光性樹脂組成物。
【請求項２】
高分子バインダー,光重合性モノマー,光重合開始剤および遮光性顔料を含有するネガ型感光性樹脂組成物に、クロミズム特性を有する化合物を混合した
ことを特徴とする遮光膜形成用の感光性樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２に記載の感光性樹脂組成物において、
上記クロミズム特性を有する化合物は、サーモクロミック材料である
ことを特徴とする遮光膜形成用の感光性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１あるいは請求項２に記載の遮光膜形成用の感光性樹脂組成物に対して、活性光線の照射および現像が行われてパターン化され、さらに物理的刺激が与えられて黒色化されて成る
ことを特徴とするブラックマトリクス。
【請求項５】
請求項１あるいは請求項２に記載の遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を基板上に塗布した後乾燥し、
上記基板上に塗布された上記感光性樹脂組成物に活性光線を選択的に照射した後、アルカリ性水溶液で現像してパターンを形成し、
上記パターン化された上記感光性樹脂組成物に、物理的刺激を与えることによって黒色化する
ことを特徴とするブラックマトリクスの製造方法。
【請求項６】
基板上に、マトリクス状に形成された複数の画素電極と、
上記各画素電極の間に一方向に延在して配列されたゲート線と、
上記各画素電極の間に他方向に延在して配列されたソース線と、
上記各ゲート線と上記各ソース線との交差位置に配置されると共に、上記ゲート線に接続されたゲート電極と上記ソース線に接続されたソース電極と上記画素電極に接続されたドレイン電極とを有する複数のトランジスタと
を備え、
上記各トランジスタの上部および少なくとも上記各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも上記各ゲート線および上記各ソース線を含む配線と上記各画素電極との間とに、請求項４に記載のブラックマトリクスを配設した
ことを特徴とするトランジスタアレイ基板。
【請求項７】
基板上に、マトリクス状に形成された複数のカラーフィルタと、
上記各カラーフィルタ上全面に形成された共通電極と
を備え、
上記各カラーフィルタの間に、請求項４に記載のブラックマトリクスを配設した
ことを特徴とするカラーフィルタ基板。
【請求項８】
基板上に、金属膜を成膜して、ゲート線およびソース線と、上記ゲート線に接続されたゲート電極,上記ソース線に接続されたソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタと、上記ドレイン電極に接続されたドレイン線と、のパターンを形成し、
請求項５に記載のブラックマトリクスの製造方法によって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極形成領域との間と、上記ドレイン線と上記画素電極形成領域との間とに、配設されるようにパターン化されると共に、黒色化されたブラックマトリクスを形成し、
導電透明膜を成膜し、パターニングを行うことによって、上記画素電極形成領域に画素電極を形成する
ことを特徴とするトランジスタアレイ基板の製造方法。
【請求項９】
基板上に、金属膜を成膜して、ゲート線と、このゲート線に接続されたゲート電極,ソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタと、上記ドレイン電極に接続されたドレイン線と、のパターンを形成し、
請求項５に記載のブラックマトリクスの製造方法によって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極形成領域との間と、上記ドレイン線と上記画素電極形成領域との間とに、配設されるように、且つ、表面に上部ソース線形成用の溝とソース電極接続用の穴とが形成されるように、パターン化されると共に、黒色化されたブラックマトリクスを形成し、
上記ブラックマトリクス表面の上記溝と上記穴とに金属を充填して、上記ソース電極に接続された上部ソース線を形成し、
導電透明膜を成膜し、パターニングを行うことによって、上記画素電極形成領域に画素電極を形成する
ことを特徴とするトランジスタアレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
基板上に、請求項５に記載のブラックマトリクスの製造方法によって、枠状にパターン化されると共に、黒色化されたブラックマトリクスを形成し、
上記ブラックマトリクス内に顔料インクを塗布することによってカラーフィルタを形成し、
導電透明膜で成る対向電極を全面に形成する
ことを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項１】
アルカリ可溶性ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド基含有化合物とを含むポジ型感光性樹脂組成物に、クロミズム特性を有する化合物を混合した
ことを特徴とする遮光膜形成用の感光性樹脂組成物。
【請求項２】
高分子バインダー,光重合性モノマー,光重合開始剤および遮光性顔料を含有するネガ型感光性樹脂組成物に、クロミズム特性を有する化合物を混合した
ことを特徴とする遮光膜形成用の感光性樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２に記載の感光性樹脂組成物において、
上記クロミズム特性を有する化合物は、サーモクロミック材料である
ことを特徴とする遮光膜形成用の感光性樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１あるいは請求項２に記載の遮光膜形成用の感光性樹脂組成物に対して、活性光線の照射および現像が行われてパターン化され、さらに物理的刺激が与えられて黒色化されて成る
ことを特徴とするブラックマトリクス。
【請求項５】
請求項１あるいは請求項２に記載の遮光膜形成用の感光性樹脂組成物を基板上に塗布した後乾燥し、
上記基板上に塗布された上記感光性樹脂組成物に活性光線を選択的に照射した後、アルカリ性水溶液で現像してパターンを形成し、
上記パターン化された上記感光性樹脂組成物に、物理的刺激を与えることによって黒色化する
ことを特徴とするブラックマトリクスの製造方法。
【請求項６】
基板上に、マトリクス状に形成された複数の画素電極と、
上記各画素電極の間に一方向に延在して配列されたゲート線と、
上記各画素電極の間に他方向に延在して配列されたソース線と、
上記各ゲート線と上記各ソース線との交差位置に配置されると共に、上記ゲート線に接続されたゲート電極と上記ソース線に接続されたソース電極と上記画素電極に接続されたドレイン電極とを有する複数のトランジスタと
を備え、
上記各トランジスタの上部および少なくとも上記各ゲート線を含む配線の上部と、少なくとも上記各ゲート線および上記各ソース線を含む配線と上記各画素電極との間とに、請求項４に記載のブラックマトリクスを配設した
ことを特徴とするトランジスタアレイ基板。
【請求項７】
基板上に、マトリクス状に形成された複数のカラーフィルタと、
上記各カラーフィルタ上全面に形成された共通電極と
を備え、
上記各カラーフィルタの間に、請求項４に記載のブラックマトリクスを配設した
ことを特徴とするカラーフィルタ基板。
【請求項８】
基板上に、金属膜を成膜して、ゲート線およびソース線と、上記ゲート線に接続されたゲート電極,上記ソース線に接続されたソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタと、上記ドレイン電極に接続されたドレイン線と、のパターンを形成し、
請求項５に記載のブラックマトリクスの製造方法によって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極形成領域との間と、上記ドレイン線と上記画素電極形成領域との間とに、配設されるようにパターン化されると共に、黒色化されたブラックマトリクスを形成し、
導電透明膜を成膜し、パターニングを行うことによって、上記画素電極形成領域に画素電極を形成する
ことを特徴とするトランジスタアレイ基板の製造方法。
【請求項９】
基板上に、金属膜を成膜して、ゲート線と、このゲート線に接続されたゲート電極,ソース電極およびドレイン電極を有するトランジスタと、上記ドレイン電極に接続されたドレイン線と、のパターンを形成し、
請求項５に記載のブラックマトリクスの製造方法によって、上記トランジスタ,上記ゲート線および上記ドレイン線の上部と、上記ゲート線と画素電極形成領域との間と、上記ドレイン線と上記画素電極形成領域との間とに、配設されるように、且つ、表面に上部ソース線形成用の溝とソース電極接続用の穴とが形成されるように、パターン化されると共に、黒色化されたブラックマトリクスを形成し、
上記ブラックマトリクス表面の上記溝と上記穴とに金属を充填して、上記ソース電極に接続された上部ソース線を形成し、
導電透明膜を成膜し、パターニングを行うことによって、上記画素電極形成領域に画素電極を形成する
ことを特徴とするトランジスタアレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
基板上に、請求項５に記載のブラックマトリクスの製造方法によって、枠状にパターン化されると共に、黒色化されたブラックマトリクスを形成し、
上記ブラックマトリクス内に顔料インクを塗布することによってカラーフィルタを形成し、
導電透明膜で成る対向電極を全面に形成する
ことを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−２３３４７６（Ｐ２００８−２３３４７６Ａ）
【公開日】平成２０年１０月２日（２００８．１０．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−７２１５１（Ｐ２００７−７２１５１）
【出願日】平成１９年３月２０日（２００７．３．２０）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１０月２日（２００８．１０．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月２０日（２００７．３．２０）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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