【目的】ゲートアレイに内蔵される圧電素子を用いる発振回路において、そのレイアウト面積を増大させることなく、ノイズを除去することができる発振回路の提供。
【構成】ゲートアレイに内蔵される圧電素子を用いる発振回路であって、出力端に前記ゲートアレイの内部セル領域に存在する未使用ポリシリコンゲートを用いて構成されるローパスフィルタを備えることにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【目的】 サブマ−ジア−ク溶接に用いられ、良好なビ−ド形状が得られ、酸素量が低く、低温靭性が良好な溶接金属が形成できる溶融型フラックスを提案する。
【構成】 ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＢａＯ、ＣａＦ₂、ＣａＯ、ＭｎＯ、ＭｇＯを適正範囲で含有するとともに、ＣａＦ₂＋ＣａＯ＋ＢａＯ）／ＳｉＯ₂の比のほかに、粒度を調整し、形状ならびに外観が優れるビ−ドが得られ、スラグ剥離性が良く、酸素量が低く、低温靭性が極めて良好な溶接金属が得られるフラックスである。 （もっと読む）

【目的】 接着剤等を用いずに浴槽と壁面間の隙間をシールし、浴槽下部に排水を流入させない。
【構成】 三日月形断面の軟質樹脂よりなる頭部1aの中央付近から下方にＬ字断面の硬質樹脂よりなる基部1bを接続させた隙間処理用長尺材１を、据え置き形ユニットバスの浴槽２フランジ2aと浴室内壁８との隙間に挿入してシールを行い、浴槽上面からのオーバーフローはすべて洗い場側へ排出し、浴槽下部に排水を流入させない。 （もっと読む）

【目的】 被処理基材の支持部材の構造を単純化することにより、大型ＣＶＤのみならず小型ＣＶＤ装置にも有利に適用でき、被処理基材の大きさに関係なく、１回のＣＶＤ反応によって基材全面への均質なコーティングを施すことができるＣＶＤ装置とこの装置を使った新規なＣＶＤ皮膜形成方法を提案すること。
【構成】 ＣＶＤ反応炉１内に、被処理基材２を支持するための支持部材３を配設してなるＣＶＤ装置において、前記支持部材３は、外的または内的な衝撃付加機構によって、定期的もしくは不定期的に間歇的な微小ショックが加えられるような単純な構成とした。 （もっと読む）

【構成】 複数の対をなす蓄熱式バーナ装置１８と２２、１９と２３、２０と２４、２１と２５をおのおの対同志で交互に燃焼させ、例えば一方の蓄熱式バーナ装置１８、２０、２３、２５が燃焼を行う間に、非燃焼状態の他方の蓄熱式バーナ装置２２、２４、１９、２１から炉２６内の排ガスを吸引して次回の燃焼空気の予熱に利用する熱を回収するようにした蓄熱再生式燃焼システム１において、上記蓄熱式バーナ装置対１８と２２、１９と２３、２０と２４、２１と２５を単位として間引き運転する。
【効果】 蓄熱器１０〜１７に常時バランスよく熱量が蓄熱される。 （もっと読む）

【構成】 溶接用フラックスとしてtotal SiO₂：5 〜20wt％、MgO ：15〜35wt％、CaCO₃ ：7 〜14wt％、CaF₂：2 〜10wt％、Al₂O₃ ：4 〜9 wt％、TiO₂：3 〜10wt％及びB₂O₃：0.7 〜2 wt％を含み、かつ 鉄粉：15〜35wt％及びTi粉：0.5 〜3.0 wt％に加えてMn粉を含有するボンドフラックスを用い、溶接用ワイヤとしてＣ：0.008 wt％以下及びSi：0.007 wt％に加えてMnを含有する鋼ワイヤを用いる。かつ、これらボンドフラックス中のMn含有量ｂ（wt％）及び鋼ワイヤ中のMn含有量ａ（wt％）は、2.5 ≦ａ＋0.33ｂ≦4.3 （wt％）の関係を満足させる。
【効果】 大入熱の場合であっても良好な溶接金属の切欠じん性を得ることができる。また、良好な溶接作業性とビード外観、及び溶接金属の良好な耐水素割れ性も得ることができる。 （もっと読む）

【目的】 エレクトロマイグレーション耐性が高く、コンタクト抵抗の低い多層配線構造およびその製造方法を提供する。
【構成】 シリコン基板201 上に下層配線213 を形成し、その上にヴィア孔205を有する層間絶縁膜204 を形成した後、アルミの選択CVD でプラグ206 をヴィア孔から突出するように形成し、TiN 膜217-1 を全面に堆積した後、CMP 法によってプラグの突出部およびその上のTiN 膜を研磨除去し、アルミ合金膜217-2 を形成し、さらにその上にTiN 膜217-3 を形成し、最後にパターニングして上層配線217 を形成する。 （もっと読む）