【課題】粒径10ｎｍ程度の超微細な金属ナノ微粒子を再現性よくかつ粒径を揃えて短時間に作製することを可能にする製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｕイオンを含むテトラ金（III）酸ナトリウム水溶液を作製して原液とし、原料溶液に界面活性剤（ポリエチレングリコールモノステラート；４ｍモルの溶液を原液として作製）に超純水を用いて10ＭｅＶの電子線エネルギーを照射し、粒度の均一な金属ナノ微粒子を作製する。 （もっと読む）

【課題】高温での機械的特性が優れた金属間化合物を提供する。
【解決手段】本発明の金属間化合物は，Ａｌ：５ａｔ％より大で１３ａｔ％以下，Ｖ：９．５ａｔ％以上で１７．５ａｔ％より小，Ｔｉ：５ａｔ％以下，Ｂ：１０００重量ｐｐｍ以下，残部は不純物を除きＮｉからなり，初析Ｌ１₂相と（Ｌ１₂＋Ｄ０₂₂）共析組織とからなる２重複相組織を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低高度での大気観測には従来からカイツーン(観測用バルーン)が用いられているが、装置全体が大型で取扱いが難しく、観測地域や時間に制約があるが、これを簡易に実現する。
【解決手段】本発明の大気採取器１は軽量小型で自動採取するため、飛翔体７である小型回転翼機に搭載することで都市部低高度の大気採取を容易にし、今後重要性が増大する環境モニタリングに大きな威力を発揮する装置となる。 （もっと読む）

【課題】統計的手法による、販売予測や株価予測、工場における炉温度制御に用いるパラメータを用いて、外生変数を取り込むことのできる、汎用性の高いARMAX（外生入力自己回帰移動平均）モデルによるシステム同定手段に、収束性の早いパラメータ推定方法を提供する。
【解決手段】（ｐ、q）次のＡＲＭＡＸモデルにおいて、確率変数が正規分布に従うとき３次以上キュムラントが０となることを利用してＡＲパラメータ推定は３次キュムラントを用いて推定し、ＭＡＸパラメータは相互相関関係を用いてモデルの構造的な前提からくる ａ ｐｒｉｏｒｉ ｋｎｏｗｌｅｄｇｅ（先験的知識）を用いることによって推定するという方法を用い、従来収束しにくかったケースでも収束するロバストなパラメータ推定を行う。 （もっと読む）

【課題】インクジェット印刷工程により、各種プリント基板上に１００ｎｍ以下の微細線幅の配線パターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する金コロイド粒子を主成分とするインクジェット印刷機用インキを用いて、インクジェット印刷機により、プリント基板上に１００ｎｍ以下の微細線幅の配線パターンを形成させる。 （もっと読む）

【課題】安価でかつ容易に製造することができ、６００ｎｍ以上の長波長領域においても光電変換効率の高い光電変換素子を与える化合物を提供する。
【解決手段】式（I）で示される化合物。


［Ａは芳香族炭化水素環を表す。Ｒ^１は、Ａに結合した基であり、炭化水素基、炭化水素基が結合していてもよいアミノ基を表す。Ｒ²〜Ｒ^４は水素等を表す。Ｂは環状炭化水素基を表し、該環状炭化水素基には−ＣＯ_２Ｈ、−ＳＯ_３Ｈ又は−ＰＯ_３Ｈ_２が結合している。ｎは０〜２の整数を表し、aは０〜５の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板の上に結晶性の良い欠陥の少ない受光層を形成することによって１．６５μｍ〜３．０μｍの中赤外光を受光できる製造容易で暗電流の小さい受光素子を与えること。
【解決手段】 ＩｎＰ基板の上に直接にあるいはＩｎＰバッファ層を介して１．６５μｍ〜３．０μｍの範囲にバンドギャップを持つＧａＩｎＮＡｓＰ受光層又はＧａＩｎＮＡｓＳｂ受光層或いはＧａＩｎＮＡｓＰＳｂ受光層を設け、ＩｎＰ窓層或いはＩｎＡｌＡｓ窓層をその上に設けるかあるいは設けず、マスクして亜鉛を選択拡散してｐ領域を形成しｐ電極をつける。ＧａＩｎＮＡｓＰ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂ或いはＧａＩｎＮＡｓＰＳｂはＩｎＰ基板と格子整合（不整合度±０．２％以下）するので格子定数を徐々に変化させるグレーディッド層が不要である。ＩｎＰ基板はｎ−ＩｎＰでもＳＩ−ＩｎＰでもよい。
１．６５μｍ〜３．０μｍの中赤外光の受光素子を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】基材に対し長期にわたり高性能の反射防止効果を維持することができる光学用透明部材及びそれを用いた光学系を提供する。
【解決手段】基材２１上に、ＳｉＯ₂を主成分とする膜２２、Ａｌ₂Ｏ₃を主成分とする膜２３およびＡｌ₂Ｏ₃を主成分とする板状結晶から形成されている板状結晶層２４を有し、該板状結晶層２４の表面は凹凸形状２５となっている光学用透明部材及びそれを用いた光学系。板状結晶層のＡｌ₂Ｏ₃を主成分とする板状結晶は、基材の表面に対して平均角度４５°以上９０°以下の方向に配列している。前記板状結晶層の厚さが、２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長させるＳｉＣ層の結晶性を良好にして表面平坦性を向上させることができる単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定厚さの表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層とを有するＳＯＩ基板を準備し、上記ＳＯＩ基板を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層を単結晶ＳｉＣ膜に変成させ、上記単結晶ＳｉＣ膜をシード層としてエピタキシャル成長させることにより単結晶ＳｉＣ層を形成する方法であって、上記エピタキシャル成長を、相対的に低温の成長温度に設定した第１段階と、相対的に高温の成長温度に設定した第２段階を含む少なくとも２段階の処理で段階的にエピタキシャル成長させることにより、エピタキシャル成長過程での昇華による部分的なシード層の消滅が防止され、結晶性と表面の平坦性の良好な単結晶ＳｉＣ層を形成することができる。 （もっと読む）

【目的】良好な生成品質のカーボンナノ構造物の連続生産を行うことのできるカーボンナノ構造物の仕切構造式製造装置を提供することを目的とする。
【構成】 反応炉１の一端の開口側には原料ガス流入口３と、キャリアガス流入口４が設けられている。触媒基体は反応炉１の加熱領域に導入される。原料ガスから分解する分解ガスが原料ガス流入口３側に逆流するのを防止する仕切部材５が原料ガス流入口３側に設けられており、その断熱効果により原料ガスや分解ガス等の原料ガス流入口側への逆流を抑制し、良質のカーボンナノ構造物の連続生産を行うことができる。 （もっと読む）