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Fターム[2H079AA02]の内容

光の変調 (22,262) | 制御手段 (4,614) | 物理量 (2,633) | 電界 (1,636)

Fターム[2H079AA02]に分類される特許

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【課題】単体でMZIを構成しない導波路型光変調器の性能評価を従来に比べて容易にする性能評価装置および性能評価方法を提供すること。
【解決手段】第1の偏波保持ファイバー303には、第1の偏光子302を介して、パンダの目に沿った向きの伝搬モードのみが入力される。LN変調器304の基板に対して第1の偏波保持ファイバー303のパンダの目を45度傾けて、その光導波路の一端に光結合させることにより、LN変調器304の光導波路に、TEモードとTMモードに等量分配して光を伝搬させる。次いで、LN変調器304では、電気光学効果(EO効果)により光導波路の屈折率が変化し、このEO効果には異方性があるため、一方の伝搬モードの伝搬光のみに位相シフトが加わる。第2の偏波保持ファイバー305もパンダの目を45度傾けて光結合させる。第2の偏光子306では、第2の偏波保持ファイバー305の一方の伝搬モードのみを透過する。 (もっと読む)


【課題】 光波形ごとに変調度が異なるようなアナログ信号変調に適用した場合でも、安定した光変調器バイアスの制御を実現することを目的としている。
【解決手段】 光送信機において、入力した送信データ系列に基づいてアナログ信号を生成するアナログ信号生成部と、前記アナログ信号に基づいて光を変調し、この変調した光信号を出力する光変調器と、前記光変調器に印加するバイアス電圧の制御を行うバイアス制御回路と、前記光信号に対応する変調度を示す変調度情報に基づいて前記バイアス電圧の制御に用いる制御パラメータを調整する調整回路と、を備えた。 (もっと読む)


【課題】 抑圧搬送波両側波帯変調の際に無線周波数波形の波形帯域幅を増加させるメカニズムを提供すること。
【解決手段】 本開示の様々な態様によれば、抑圧搬送波両側波帯変調の間に無線周波数波形の波形帯域幅を増加させる方法及び装置が開示される。光学変調器は、抑圧搬送波両側波帯変調(DSB-SC)モードにおいて動作させられ、複数の光学的な側波帯及び光学的な側波帯高調波を生成するように構成されている。光学フィルタを介して適当な光学高調波を適切に選択することによって、無線周波数波形を発生させる無線周波数(RF)回路を単純化すると同時に、超広帯域、抑圧搬送波単側波帯(SSB-SC)型の光学波形を合成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】複数チャンネルのWDM光から所望のチャンネルの所望の波長を選択することができる光可変フィルタアレイ装置を校正すること。
【解決手段】光可変フィルタアレイ装置に用いられる波長選択素子18をライン状に光反射状態とし、波長走査光を光可変フィルタアレイ装置に入射する。出力が得られるタイミングでの反射走査光の波長と光反射状態の位置から、波長選択素子18のx座標と波長との関係を確定する。こうすれば波長選択素子18の各画素の反射特性を変化させることによって、光フィルタの特性を変化させ、任意のWDM光の任意の波長を選択することができる。 (もっと読む)


【課題】光変調特性が高性能であるとともに、温度ドリフトについて改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器であって、温度ドリフトを抑圧するよう、バイアス電極が3.8μm以下の所定厚さで構成される。 (もっと読む)


【課題】構成が簡単で低コスト、かつ制御が容易で低損失な光多値変調用の光変調器及び光変調方法を提供する。
【解決手段】入力された電気信号を多値光信号に変換する光変調器であって、入射された信号光を分岐させる光分岐手段と、前記光分岐手段の出力側に接続され、前記電気信号に応じて信号光の位相を変調する少なくとも2つの位相変調手段と、分岐された信号光を合流させる光合流手段と、少なくとも2つの前記位相変調手段の全て、又は少なくとも2つの前記位相変調手段の内の1つを除いた残りの前記位相変調手段に接続され、少なくとも2つの前記位相変調手段から前記光合流手段を経て出力側に導かれる信号光の強度がそれぞれ異なるように調整する強度調整手段とを備えた。 (もっと読む)


【課題】分極反転領域を有する光デバイスにおいて、分極反転領域の特性に起因する性能劣化の発生を有効に防止した光デバイスを提供する。
【解決手段】マッハツェンダ型光変調器の光導波路(A)、(B)は、通常、分極非反転領域である−Z面に形成される。しかし、信号電極11と接地電極10を2つの導波路に非対称に設けると、出力光にチャープを生じ、好ましくないので、これらの電極を2つの導波路に対称に設ける。ここで、光変調が有効にかけられるためには、光導波路の存在する基板の一部を分極反転する必要がある。分極反転により、光導波路は、+Z面に形成されることになる。しかし、+Z面には、分極反転領域の自発分極の不安定性から、電荷が蓄積され、光変調器の性能に悪影響を与えるので、分極反転領域の表面に導電性のアモルファス層を形成する。 (もっと読む)


【課題】メサ部上の樹脂領域の開口が狭い場合であっても、AuZn膜を含む金属膜をメサ部上に容易に形成することが可能な半導体光変調素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】メサ部32を保護膜22によって覆う第1の絶縁膜形成工程と、メサ部32を樹脂領域20によって埋め込むとともに、メサ部32上の該樹脂領域20の部分に開口20cを形成する工程と、開口20cにおいて露出した保護膜22、及び樹脂領域20を保護膜24によって覆う第2の絶縁膜形成工程と、メサ部32上の保護膜22,24の部分に開口を形成する工程と、Ti膜を含む金属膜26aを、該Ti膜と保護膜24とが互いに接触するように開口20c内を除く樹脂領域20上に形成する工程と、Au膜を含む金属膜26bを、該Au膜とメサ部32とが互いに接触するようにメサ部32上から金属膜26a上に亘って形成する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体マッハツェンダ型変調器を備える光変調装置の動作状態を調整する構成および方法を提供する。
【解決手段】光変調装置は、変調器、変調信号生成器、重畳器、およびバイアス制御器を備える。変調器は、電気光学効果を有する半導体基板に設けられた光導波路と、バイアス電圧および変調信号に応じた電界を前記光導波路に与える信号電極とを備える。変調信号生成器は、変調信号を生成する。重畳器は、バイアス電圧に所定の周波数の信号を重畳する。バイアス制御器は、変調器により生成される変調光信号から抽出される所定の周波数成分の位相に基づいて、変調器の変調方向のバイアス電圧および変調方向に直交する直交方向のバイアス電圧を制御する。 (もっと読む)


【課題】 マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができるマッハツェンダ変調器の制御装置およびマッハツェンダ変調器の制御方法を提供する。
【解決手段】 マッハツェンダ変調器の制御装置は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出部と、電流検出部が検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定部と、を備える。マッハツェンダ変調器の制御方法は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出ステップと、電流検出ステップにおいて検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定ステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】 導波路型のフォトダイオードにおける信頼性を向上させること。
【解決手段】 半導体からなり、メサ型構造を有する光導波路50と、半導体からなり、光導波路50に接続され、光導波路50よりも広いメサ型構造を有する光導波路構造を備えたフォトダイオード52と、を有する光半導体。フォトダイオード52における導波路幅を広げることで、コア20の側面付近に欠陥が生じた場合でも光の導波領域を保護することができるため、フォトダイオード52の信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 波長可変レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いてダークチューニングで発振波長を調整することができる波長可変レーザ装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザ装置の制御方法は、波長可変半導体レーザと、波長可変半導体レーザの出力と光結合され消光状態と透過状態との間で出力光強度を制御する半導体マッハツェンダ変調器と、波長可変半導体レーザとマッハツェンダ変調器との間に設けられ、波長可変半導体レーザから半導体マッハツェンダ変調器に入力される光の波長を検知する波長検知部とを備える波長可変レーザ装置において、半導体マッハツェンダ変調器を透過状態よりも光減衰率が大きい状態に制御し、その後、波長検知部の検知結果に基づいて波長可変半導体レーザの出力波長を調整する。 (もっと読む)


【課題】AlGaInAs光吸収層を持つ電界吸収型変調器の特性を向上させる。
【解決手段】n型InP基板1上に、n型InPクラッド層2、AlGaInAs光吸収層4、p型InGaAsP光導波路層6、及びp型InPクラッド層7が順に積層されている。p型InGaAsP光導波路層6は、組成が異なる3つのInGaAsP層6a,6b,6cを有する。InGaAsP層6a,6b,6cの価電子帯間のエネルギー障壁は、InGaAsP層が単層の場合に比べて小さくなる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高効率な波長変換を達成する波長変換素子を提供する。
【解決手段】2つの異なる波長の光を入射し、一方の光により第二高調波を発生し、他方の光と前記第二高調波の差周波発生により変換光を発生する波長変換素子であって、周期分極反転構造を有する二次非線形光学媒質からなる導波路部であって、前記一方の光を前記第二高調波に変換する第二高調波発生部と、前記第二高調波の屈折率を変化させるための位相調節部とを有する、導波路部と、前記導波路部の入力端に設けられ、前記第二高調波を反射する第1の反射部と、前記導波路部の出力端に設けられ、前記第二高調波を反射する第2の反射部とを備え、前記位相調節部は、前記第1の反射部によって反射された第二高調波の位相と前記第二高調波発生部で発生する第二高調波の位相とを整合させることを特徴とする波長変換素子である。 (もっと読む)


【課題】小型化可能で、かつ良好な特性が得ることができる光学装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第1出力光導波路26aと第2出力光導波路26bとが接続された第2MMI25を備えたマッハツェンダ変調器10と、第1出力光導波路26aから出力される第1出力光、及び第2出力光導波路26bから出力される第2出力光の両方と光結合して設けられた光アイソレータ60と、光アイソレータ60を介して第1出力光と光結合し、第2出力光と光結合しない光ファイバ64と、を具備する光学装置である。 (もっと読む)


【課題】 出力光導波路に光強度検出電極を備えたマッハツェンダ型光変調器において、リーク電流を抑制すること。
【解決手段】 2つの出力光導波路38a及び38bに合分波部34を介して2つの光導波路32a及び32bが接続されたマッハツェンダ型光変調器であって、2つの光導波路32a及び32bのそれぞれに設けられたアーム電極40及び42と、2つの出力光導波路38a及び38bのそれぞれに設けられ、アーム電極40及び42よりも高い電圧が印加される光強度検出電極44と、アーム電極40及び42と光強度検出電極44との間の導波路に設けられ、アーム電極40及び42に印加される電圧よりも高いが印加されるリーク抑制電極60と、を備えることを特徴とする光変調器。 (もっと読む)


【課題】光信号の搬送波周波数を高精度かつ高速に制御可能にして、送信光源の発振周波数の安定性を確保し、伝送性能の向上をはかるほか、波長多重間隔の高密度化により伝送路の帯域利用率の向上をはかって大容量の伝送を実現する。
【解決手段】信号処理回路12が、送信信号を変調方式に応じて電界情報にマッピングするマッピング回路121と、送信信号をマッピングされた電界情報の電界位相に対し一定周期の位相回転を付与する位相回転回路122とを有する。そして、搬送波周波数制御部16が、位相回転回路122で付与される位相回転の周期を制御することにより、光変調部15から出力される光信号の搬送波周波数を制御する。 (もっと読む)


【課題】光の通過損失が増大することを抑制しつつ、位相調整を行うことが可能な光変調装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第1出力光導波路38a及び第2出力光導波路38bに第2MMI34を介して第1光導波路32a及び第2光導波路32bが接続するマッハツェンダ型光変調器10と、第1光導波路32a及び第2光導波路32bに設けられた位相調整用電極40に対して位相制御信号を入力すると共に、位相制御信号を位相調整用電極夫々の間で切替える機能を有する位相調整回路12と、第1光導波路32a及び第2光導波路32bを伝搬する光を変調させる変調信号を、第1光導波路32a及び第2光導波路32bに設けられた変調用電極42に差動信号として入力する駆動回路14と、駆動回路14から出力される差動信号の極性を反転させる信号極性反転回路50と、を備える光変調装置である。 (もっと読む)


【課題】光変調特性が高性能であるとともに、光の挿入損失について改善された光変調器を提供する。
【解決手段】光導波路と、高周波電気信号を印加するための進行波電極と、光にバイアス電圧を印加するためのバイアス電極と、進行波電極に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部の両方にリッジ部を具備する光変調器において、バイアス用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離が、高周波電気信号用相互作用部に形成されたリッジ部の頂面における相互作用光導波路の端から当該頂面の端までの距離よりも大きく形成され、バイアス用相互作用部における光の伝搬損失を低減する。 (もっと読む)


【課題】良好な特性を得ることができる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、マッハツェンダ変調器10をパッケージ70内に固定する工程と、マッハツェンダ変調器10を固定する工程の後、入力光を入力レンズ46に入射する工程と、入力レンズ46を介してマッハツェンダ変調器10に入力する入力光を検知し、入力光の検知結果に基づいて、入力レンズ46の位置合わせをする工程と、位置合わせをする工程の後、入力レンズ46をパッケージ70内に固定する工程と、を有する光学装置の製造方法である。 (もっと読む)


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