【課題】リッジ導波路のメサ幅を高精度に制御する。
【解決手段】半導体基板上に設けられたコア層と、コア層の上方に突出するリッジ型の導波路を備え、導波路は、コア層の上方に設けられたメサ状の第１クラッド層と、第１クラッド層上に設けられた第１エッチングストップ層と、第１エッチングストップ層上に設けられ、第１クラッド層と同一の組成を有する第２クラッド層とを有し、第１エッチングストップ層は、第１クラッド層及び第２クラッド層を化学エッチングするエッチャントでエッチングされない半導体光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣドリフトが抑制された光導波路素子の製造方法を提供する。さらには、製造プロセスの途中で、ＤＣドリフトを調整することを可能とし、製造の歩留まりを改善する、光導波路素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板に、光導波路を形成する工程と、バッファ層を形成する工程と、電極を形成する工程とを有する、光導波路素子の製造方法において、該バッファ層を形成した後に、該バッファ層内の特定物質の濃度分布を加熱によって調整するための１段階又は複数段階の界面拡散層熱調整工程（Ｓ１，Ｓ２）を組み込む。 （もっと読む）

【課題】低消費電力を実現する外部変調型レーザ素子の駆動回路を提供すること。
【解決手段】この駆動回路１は、バイアス電流Ｉ_ｂｉａｓが供給されて直流光を出射するＤＦＢレーザ素子３と、直流光を変調する光吸収型のＥＡ部５とを駆動する回路であって、バイアス電圧印加用の２つの電源端子ＶＣＣ，ＶＳＳ間においてＤＦＢレーザ素子３を挟んで直列に接続されたバイアス電流源１１及びスイッチング素子１３を備えており、スイッチング素子１３は、ＥＡ部５に並列に接続された抵抗素子１９及びＭＯＳＦＥＴ２１が直列に接続された回路部と、ＭＯＳＦＥＴ２５を含む回路部とが並列に接続されて構成されており、ＭＯＳＦＥＴ２１，２５は、相補的な差動信号によって駆動される。 （もっと読む）

【課題】
進行波型光変調器の製造工程において、電極の屈折率を簡便且つ正確に測定することが可能であり、検査に必要な検査用電極もより小さな電極パターンとすることが可能な検査用電極付きウエハ及びその電極の屈折率測定方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有するウエハ１に、複数の光導波路２と、該光導波路に沿って信号電極及び接地電極が配置されてなる、該電極間に電気信号を進行させて該光導波路を伝搬する光を制御するための複数の進行波型制御電極と、該ウエハの一部に形成された検査用電極（３，３１）とを有する検査用電極付きウエハにおいて、該検査用電極は、該信号電極と同一延伸方向に延びる共振型電極（３，３１）を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調装置の安定な特性を得ること。
【解決手段】光変調器１０と、一端が前記光変調器に電気的に接続されたボンディングワイヤ３０と、前記ボンディングワイヤの他端と電気的に接続され、絶縁層上に設けられてなるインダクタ成分を有する第１金属層５６と、前記第１金属層と電気的に直列に接続された接地パターンを備えた第２金属層５２と、を具備する光変調装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光通信システム用の放射電力等化器に関する。
【解決手段】本発明は、光通信システム用の放射電力等化器を提供し、該等化器は、（ａ）１つ又はそれ以上の放射成分に分割する光デマルチプレクサ（３００）、（ｂ）前記１つ又はそれ以上の放射成分を選択的に伝送又は減衰する液晶セル・アレー（３１０）、（ｃ）光マルチプレクサ（３３０）、（ｄ）１つ又はそれ以上の対応する成分放射電力を示す信号を生成するＰＩＮダイオード検出器アレー（１２０）と結合した発信器エルビウムドープ・ファイバ増幅器（７０）、及び、（ｅ）制御モジュール（１３０）を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 バイアス電圧を低減することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかるマッハツェンダ型変調器は、入力された光を分岐する光分岐導波路と、ＰＮ接合構造またはＰＩＮ接合構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第１のアーム光導波路と、量子井戸構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第２のアーム光導波路と、前記第１のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第１の位相電極と、前記第２のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第２の位相電極と、を備え、 前記第１の位相電極に順方向電圧を印加し、前記第２の位相電極に０Ｖまたは逆方向電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低い半波長電圧で、かつ、高い周波数で入力光を変調する光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、並走する第１光導波路および第２光導波路を有する誘電体膜と、誘電体膜上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、第１光導波路および第２光導波路の間に配置された信号線と、第１光導波路に対する第２光導波路とは反対側の第１領域に配置された第１グランド線と、第２光導波路に対する第１光導波路とは反対側の第２領域に配置された第２グランド線とを有するコプレーナ線路と、第１領域および第２領域において誘電体膜と接してまたは絶縁膜の内部に設けられ、第１光導波路および第２光導波路に対するバイアス電圧を印加する補助電極と、を備える光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】バイアス電圧に基づいて光信号の位相シフトを行う場合において、バイアス電圧にパイロット信号を付与しなくても、位相シフト量を所期の位相シフト量に調整できるようにする。
【解決手段】Ｉ用位相変調器（１２）は、第１変調信号と第１パイロット信号とが付与されたバイアス電圧Ｖ１に基づいて位相変調し、Ｑ用位相変調器（１４）は、第１パイロット信号と異なる第２パイロット信号と第２変調信号とが付与されたバイアス電圧Ｖ２に基づいて位相変調する。時間平均パワー同期検波部（２２）は、両パイロット信号の電圧の正負が同じとなるタイミングにおける光パワーと、両パイロット信号の電圧の正負が逆となるときの光パワーと、を検出する。バイアス電圧制御部（１８）は、時間平均パワー同期検波部（２２）の検出結果に基づいて、両光パワーの差が小さくなるように、バイアス電圧Ｖ３を制御する。 （もっと読む）

【課題】印加電界に対して複雑な屈折率特性を有する結晶を用いて、高速な光変調器動作をさせる。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、並走する第１光導波路および第２光導波路を有する誘電体膜と、誘電体膜上に形成され、第１光導波路および第２光導波路の間に配置された信号線と、第１光導波路に対する第２光導波路とは反対側の第１領域および第２光導波路に対する第１光導波路とは反対側の第２領域に配置された第１および第２バイアス電極とを有する伝送線路と、第１バイアス電極および第２バイアス電極に互いに異なる第１バイアス電圧および第２バイアス電圧を印加し、信号線に第１バイアス電圧および第２バイアス電圧の間の制御電圧を印加する駆動回路部と、を備える光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】光位相変調器においてビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制する。
【解決手段】入射された光信号を２つに分岐する分岐部（１２０）と、第１の位相シフタ（１３２）を有する第１の変調器アーム（１３０）と、第２の位相シフタ（１４２）を有する第２の変調器アーム（１４０）と、第１の変調器アームを伝搬した第１の光信号と第２の変調器アームを伝搬した第２の光信号とを合波して出射する結合部（１５０）とを備えた光位相変調器（１００）において、損失調整部（Ａ）を設け、第１の位相シフタ（１３２）による第１の光信号の位相のシフトに依存しない第１の変調器アーム（１３０）の伝搬損失と、第２の位相シフタ（１４２）による第２の光信号の位相のシフトに依存しない第２の変調器アーム（１４０）の伝搬損失とを互いに異ならせた。 （もっと読む）

【課題】
安全な光通信において利用する揺らぎは、白色性及び安定性が高く、大きさの調整が可能で、揺らぎが重畳された光の伝送特性が良好である必要があり、これを実現するのが課題である。
【解決手段】
（１）揺らぎ生成用の光源と伝送用の光源を分離し、伝送特性を向上させる。
（２）伝送用の光源に揺らぎを重畳する際にアンプで揺らぎの大きさを調整する。
（３）揺らぎの拡大過程用の光ファイバは高分散のものを利用し、ソリトン次数を維持して伝播させる。これによりラマン効果と環境変動の影響が抑制され、白色性が高く、大きさの安定した揺らぎが得られる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マスクレス加工装置に関する。
【解決手段】本発明のマスクレス加工装置は、基板に照射される光を提供する照明光学系と、多数の光変換素子で構成され、前記照明光学系から照射された光を加工パターンに応じて選択的に反射または透過するように当該光変換素子を調節して光量を変換する空間光変調器と、前記多数の光変換素子が前記基板の一つのピクセルに対応して集光するように配列され、前記空間光変調器により変換された光が入射されると、当該ピクセルに前記多数の当該光変換素子によって提供された高エネルギーの光を投射する投射光学系と、前記加工パターンの入力を受け、入力された加工パターンに応じて、前記光源から照射された光を前記多数の光変換素子によって選択的に変換されるように前記空間光変調器を制御する制御部と、を含み、デジタルマスクを用いることにより、マスク使用によるコストが低減し、加工しようとする対象のスケール変形に対する能動的な対応が容易であるだけでなく、前記装置の活用度及び利用度が拡大される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、常に最適な動作点に制御できる光波長変換器を得る。
【解決手段】信号光を増幅する前置半導体光増幅器５と、プローブ光を２つに分配する光分波器８ａと、前置半導体光増幅器５からの信号光及び光分波器８ａからのプローブ光を合波する光合波器６ａと、光合波器６ａにより合波された信号光及びプローブ光を増幅する半導体光増幅器（ＳＯＡ）７と、光分波器６ａにより分配されたプローブ光を増幅する半導体光増幅器（ＳＯＡ）９と、ＳＯＡ７、９の出力光を合波して波長変換光として出力する光合波器６ｂと、波長変換光を２つに分配する光分波器８ｂと、光分波器８ｂにより分配された波長変換光の平均電力に応じた電流を出力するフォトダイオード１０と、フォトダイオード１０から出力された電流が最大値となるように、前置半導体光増幅器５のバイアス電流を制御する前置ＳＯＡ制御回路１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】バイアスドリフトと駆動信号の振幅の両方を同時に制御し、安定的に半導体ＭＺ変調器を動作させる駆動制御装置を提供する。
【解決手段】連続光を出射する光源からの光を受け、駆動電圧に対する光出力特性が周期的に変化する半導体光変調器の駆動制御装置であって、半導体光変調器から出力された出力光に応じて変化する電気信号を検波するピーク検波部と、発振回路と、発振回路の出力とピーク検波部のピーク検波出力信号とに基づいて同期検波する同期検波回路と、同期検波回路の出力に応じて半導体光変調器の位相バイアスを制御するバイアス制御部と、データ信号を増幅する増幅器と、同期検波回路の出力に応じて増幅器から出力された増幅されたデータ信号の振幅を制御する振幅制御部と、増幅器の出力に対して基準電圧を供給する電源回路と、増幅器の出力と基準電圧とを受けて駆動電圧を発生する加算器とを備える。 （もっと読む）

【課題】可変光バッファ回路の回路全体のサイズを小さくし、簡単な製造工程と製造設備を使用でき、経路間の損失のばらつきも解消する。
【解決手段】可変光バッファ回路は、半導体基板上に形成した光スイッチ回路と合波回路とを接続して構成され、光導波路で形成された遅延線を含め一体形成される。合波回路は光導波路で形成された遅延線と光結合器で構成される。同一遅延線を用いる場合、光結合器と、その一方の入力端に接続された遅延線とからなる組が、遅延線および光結合器が交互に縦続してＮ個の経路を構成するよう接続される。光結合器の各々の結合率は、各経路の各々に対し、光結合器の結合率に基づいた損失を除いた損失を最小としたときの最小損失値の測定値に基づき設定される。 （もっと読む）

【課題】位相変調時に符号の値によらず出力される光強度を一定とすることができる光変調器を得ること。
【解決手段】変調導波路３，４と、分波器２と、変調導波路３，４の出力光の位相を変化させる位相調整導波路５，６と、位相調整導波路５の出力光と位相調整導波路６の出力光を合波する合波器７と、変調導波路３，４の入力電圧と出力光の振幅の関係に基づいて、変調導波路３の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路３の出力光の振幅と変調導波路４からの出力光の振幅との加算結果と変調導波路４の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路３の出力光の振幅と変調導波路４の出力光の振幅との加算結果とが等しくなるよう変調導波路３，４の印加電圧を制御する利得制御部１３および変調バイアス制御部１４と、位相誤差を打ち消すよう位相調整導波路５，６を制御する位相調整バイアス制御部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】中間色、特に視感度が高い赤色と緑色の組み合わせで表示される中間色の色相ズレを低減することができるようにする。
【解決手段】赤色、緑色および青色の各色レーザ光をそれぞれ出力する赤色、緑色および青色の各レーザ光源装置と、これらの各レーザ光源装置から時分割で順次出力されるレーザ光を映像信号に基づいて変調する空間光変調素子と、１フレームを構成する複数の点灯区間ごとにレーザ光源装置の点灯を制御するとともに、空間光変調素子での各色レーザ光の出力を制御する制御部と、を備え、緑色レーザ光源装置は、ＣＩＥｘｙ色度図上において標準緑色よりも高いｙ値を有する緑色レーザ光を出力し、制御部は、隣接する２つのフレームに跨って緑色および赤色の順序で点灯するＧＲ点灯パターンを含む点灯順序でレーザ光源装置を点灯させる構成とする。 （もっと読む）

【課題】出力光信号の非線形性が抑制された光変調回路を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光変調回路は、入力光信号を分岐する光分岐回路４０１と、光分岐回路に並列に接続された第１の光変調部４１０及び第２の光変調部４２０と、各光変調部で変調を受けた光信号を結合する光結合回路４０２とを備える。第１の光変調部４１０と第２の光変調部４２０の応答周期比を１：１／３とし、かつ、光分岐回路４０１による第１の光変調部４１０と第２の光変調部４２０への分岐の電界強度比を１：１／３²＝９：１とする。そして、光結合回路４０２による結合の電界強度比を１：１／３²＝９：１とする。当該応答周期比および電界強度比は三角波のフーリエ展開による。二次成分のほか、高次のフーリエ成分を一次の成分に加えていくことによって、駆動電圧に対する応答曲線の非線形性を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、ｐ型半導体基板３上に、ｐ型半導体層５を形成する工程と、ｐ型半導体層５を表面５Ｓからエッチングしてｐ型半導体基板３の主面３Ｓに沿った第１の方向に沿って延びる孔部５Ｈを形成することにより、一対のストライプ構造５Ｐを形成する工程と、孔部５Ｈに埋め込み層１５を形成する工程と、埋め込み層１５上にコア層１７を形成する工程と、コア層１７上に、ｎ型半導体材料からなる上部クラッド層２３を形成する工程と、ｎ電極３７及びｐ電極３９を形成する工程と、を備える。埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）