【課題】光導波損失を低下させることが可能な半導体光変調器の製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体光変調器の製造方法は、ｐ型半導体基板３上に、ｐ型半導体層５を形成する工程と、ｐ型半導体層５を表面５Ｓからエッチングしてｐ型半導体基板３の主面３Ｓに沿った第１の方向に沿って延びる孔部５Ｈを形成することにより、一対のストライプ構造５Ｐを形成する工程と、孔部５Ｈに埋め込み層１５を形成する工程と、埋め込み層１５上にコア層１７を形成する工程と、コア層１７上に、ｎ型半導体材料からなる上部クラッド層２３を形成する工程と、ｎ電極３７及びｐ電極３９を形成する工程と、を備える。埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光変調部のバイアス制御を効果的に行って安定した伝送信号特性を得ることのできる光送信装置と光変調制御方法を提供する。
【解決手段】 光送信装置は、第１導波路と第２導波路を含み、前記第１導波路と前記第２導波路の各々において、２ｎ値（ｎは１以上の整数）の強度レベルを有する変調駆動信号で搬送光を変調する光変調器と、前記第１導波路から出力される第１の光信号と、前記第２導波路から出力される第２の光信号との間に所定の位相差を与える位相シフト部と、
前記位相差が与えられた前記第１の光信号と前記第２の光信号を合波して得られる多値光変調信号の一部を光電変換する光検出器と、前記検出された変調信号の交流成分の変化を検出するモニタ部と、前記検出された交流成分の変化に基づいて、前記第１導波路に与える第１バイアス電圧と前記第２導波路に与える第２バイアス電圧の少なくとも一方を、前記検出される交流成分のパワーが大きくなるように制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】複数のマッハツェンダー型導波路を入れ子構造に組み合わせた光変調器における合波部に合流する出力信号強度を適正に調整し、信号出力を容易に安定化することが可能な光変調器を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板３と、基板に形成され、複数のマッハツェンダー型導波路（１１〜１４）を並列に配置し、マッハツェンダー型導波路の入力導波路に接続される導波路を分岐して構成する分岐部と、マッハツェンダー型導波路からの出力導波路が合流する合波部とを有する光導波路と、光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極を備えた光変調器において、分岐部と分岐部から分岐した導波路が接続されるマッハツェンダー型導波路の入力導波路との間、あるいは、マッハツェンダー型導波路の出力導波路と合波部３６との間の少なくとも一つに、Ｙ分岐スイッチ（５１，５２）を設け、Ｙ分岐スイッチの分岐比を調整可能とする。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。複屈折率付与部１２０及び複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１のアーム導波路１０２の第５の導波路部１０２Ｃの上に、第１の電極１０２Ｄが配置され、第２のアーム導波路１０３の第４の導波路部１０３Ｂが有する第２の傾斜部分の上に第２の電極１０３Ｄが配置されている。第１の電極１０２Ｄが配置された第１の方向と、第２の電極１０３Ｄが配置された第２の方向は、複屈折率調整部１３０において、両電極に単位電圧を印加したときに、ＴＭ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、ＴＥ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 （もっと読む）

【課題】光変調器の信号線間クロストークを抑制し、これに伴い小型化が実現可能な光変調器およびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成された複数の光導波路３と、光導波路３内を通過する光を変調するために設けられる信号線電極４と、光導波路３上に信号線電極４を配してなる光変調部１２とを備える光変調器において、信号線電極４がその周囲を誘電体絶縁膜５によって覆われ、誘電体絶縁膜５がその外側をグラウンド電極６によって覆われるようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、変調信号の中心周波数が復調可能な周波数から高周波にシフトしているときであっても、部品のコストの増大及び信号の品質の劣化を防止する。
【解決手段】本発明は、光送信器１が、第１の周波数を発振周波数とする第１の局部発振信号を出力する第１の局部発振器１０と、データ信号を利用して第１の局部発振信号を変調する変調器１１と、変調信号の周波数帯域の近傍に位置する第２の周波数を発振周波数とする第２の局部発振信号を出力する第２の局部発振器１４と、変調信号及び第２の局部発振信号を合波する合波器１５と、変調対象となる光の連続信号を出力する光源１２と、合波信号を利用して変調対象となる光の連続信号をＳＳＢ変調するＳＳＢ変調器と、を備え、光受信器２が、ＳＳＢ変調信号を電気信号に変換する受光器２０と、電気信号を復調しデータ信号を出力する復調器２４と、を備える光通信システムである。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬している信号光に位相差を生じさせ、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−２の２つの干渉アーム中を伝搬している信号光に位相差を生じさせ、さらに、変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓから出力される信号光を位相変調駆動用信号光として、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬しているクロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】光源出力がシャットダウンしたときに駆動電圧の増加を抑え、光源出力の復帰時に速やかに出力光を安定化させること。
【解決手段】この光送信器１の制御方法は、外部変調器５を含む光送信器１において、外部変調器５に印加するバイアス電圧を調整することによって、光送信器１からの出力光を制御する光送信器１の制御方法であって、光検出素子７による出力光のモニタ信号を基にしてバイアス電圧を帰還制御し、出力光の断を検出した際には、バイアス電圧が直前の電圧に維持されるようにバイアス電圧を帰還制御する。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓから出力されるＲＺ型クロック信号光を光分波部ＳＰ−１により２系統に分波し、光遅延部Ｄ−Ｔ−１により２系統のＲＺ型クロック信号光に所定の遅延を付与し、遅延が付与された２系統のＲＺ型クロック信号光を位相変調駆動用のクロック信号光として、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１内の２つの干渉アームに１つずつ設けられた位相変調部Ｒ１，Ｌ１に入力することにより、光入力ポートＰ−ＭＺ−１−１から入力され２つの干渉アーム中を伝搬しているＲＺ型クロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】システム全体の集積化を可能とし、且つ超高速の光乱数生成要求にも対応可能とする。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調手段ａ１の光出力ポートａ９から出力されるＲＺ型クロック信号光を位相変調駆動用のクロック信号光として、マッハツェンダー干渉型光強度変調手段ａ１内の２つの干渉アームに１つずつ設けられた光−光相互位相変調手段ａ２，ａ３に入力することにより、光入力ポートａ０から入力され２つの干渉アーム中を伝搬しているＲＺ型クロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】システム全体の簡素化が可能で、高速の乱数生成要求にも対応できる乱雑性の高い乱数を生成する。
【解決手段】高速カオス光信号生成光回路は、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−１の光出力ポートＰ−ＭＺ−１−ｃｒｏｓｓからの信号光に時間Ｔ−１の遅延を付与して位相変調駆動用信号光とし、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬する信号光に位相差を生じさせ、マッハツェンダー干渉型光強度変調部ＭＺ−２の光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓからの信号光に時間Ｔ−２（Ｔ−１≠Ｔ−２）の遅延を付与して位相変調駆動用信号光とし、変調部ＭＺ−２の２つの干渉アーム中を伝搬する信号光に位相差を生じさせ、光出力ポートＰ−ＭＺ−２−ｃｒｏｓｓからの信号光を位相変調駆動用信号光とし、変調部ＭＺ−１の２つの干渉アーム中を伝搬するクロック信号光に位相差を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】リッジ形状やメサ形状といった凸状部分上の樹脂若しくはレジストのエッチングの停止タイミングを容易に且つ精度良く判断することが可能な光半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】この光半導体デバイスの製造方法は、一対の溝に挟まれた光導波路において光の導波を行う光変調器を製造する方法であって、ウエハ１６上に設定された評価用領域（ＴＥＧ領域）に、複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂを形成する工程と、ウエハ１６上に樹脂層１３を塗布する工程と、樹脂層１３に対してエッチングを行い、光導波路の頂部を露出させる露出工程と、光導波路上に電極を形成する工程とを備え、評価用領域における複数対の評価用溝３１ａ，３１ｂの幅が各対毎に異なっており、露出工程の際に、エッチングによって評価用領域における少なくとも一対の評価用溝３１ａ，３１ｂに挟まれた領域３３の頂部を露出させる。 （もっと読む）

【課題】熱膨張係数の差に起因して光導波路基板の内部に発生する応力を低減することのできる光導波路デバイスを提供する。
【解決手段】厚さ３０μｍ以下の光導波路基板１１と、光導波路基板１１を保持し光導波路基板１１より誘電率が低い液晶ポリマ基板１２と、を有し、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２が接着剤層１４によって接着された光導波路デバイス１０であって、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２の熱膨張係数はそれぞれ基板面内に異方性を有し、光導波路基板１１の異方性の軸方向と液晶ポリマ基板１２の異方性の軸方向が揃うように、光導波路基板１１と液晶ポリマ基板１２の相対的向きが調整されている。 （もっと読む）

【課題】屈折率が異なる第１の平面光波回路と第２の平面光波回路とが、それぞれの平面光波回路に形成された複数の光導波路同士を光結合するように端面で突き合わせ接続された光部品において、使用環境の温度変化に対して安定な光部品を提供すること。
【解決手段】光部品５００は、第１の屈折率ｎ₁を有する第１の平面光波回路５０１と、第１の屈折率ｎ₁と異なる第２の屈折率ｎ₂を有する第２の平面光波回路５０２とが光軸方向に対して直角な端面で突き合わせ接続されている。第１及び第２の平面光波回路５０１、５０２には、それぞれ第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の光導波路が形成されている。第１の平面光波回路５０１の第ｉ（ｉは１以上ｎ以下の整数）の光導波路と第２の平面光波回路５０２の第ｉの光導波路の位置が接続界面において一致するように調心して接続する。この際、第１の平面光波回路５０１の第ｉの光導波路が界面の法線となす角度φ_iがスネルの法則を満足する範囲でｉ毎に異なるようにする。 （もっと読む）

【課題】偽マスクの形成をさせると共にクラッド層がコンタクト層から露出することを回避可能にする、マッハツェンダー変調器を作製する方法を提供する。
【解決手段】マッハツェンダー変調器１１では、第１のウイング部４７ａが第４のIII−Ｖ化合物半導体の［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ａと、第２のウイング部４７ｂが［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ｂを有し、コンタクト層４７が［１−１０］方向に延在する半導体順メサ縁５１ｃを有する。故に、偽マスクの形成により導波路部１３ａの構造が乱されることがない。また、第１のウイング部４７ａは第１のトレンチ２３の外縁２３ａに到達し、第２のウイング部４７ｂは第２のトレンチ２５の外縁２５ａに到達する。故に、コンタクト層４７は、両ウイング部を形成可能な幅の半導体層から形成可能であるので、クラッド層４５がコンタクト層４７から露出されない。 （もっと読む）

【課題】信号電極の入力部から作用領域に至るまでの間でも、クロストーク現象が抑制可能であり、かつ製造コストの増加を抑制した進行波型光変調素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板に形成された光導波路２と、光導波路を伝搬する光波を変調する変調電極とを有する進行波型光変調素子において、変調電極は、２本以上の信号電極３１，３２と接地電極から構成され、信号電極の全ての入力部Ｐ１，Ｐ２は、基板の第１の側面１１側に設けられ、信号電極が形成する電界が光導波路に作用する作用領域の位置が、第１の側面に最も近い第１の信号電極３１と、作用領域の位置が、第１の側面に対向する第２の側面１２に最も近い第２の信号電極３２については、各作用領域の作用開始部Ｃ１，Ｃ２において、第１の信号電極は第１の側面側から、第２の信号電極は第２の側面側から、各々導入される。 （もっと読む）

【課題】 光変調器のバイアス制御において、最適なバイアス電圧の収束点まで引き込む時間を早めることを目的としている。
【解決手段】 光送信器において、入力したデータ系列信号に基づいて駆動された変調信号を出力する変調信号駆動部と、印加されたバイアス電圧および前記変調信号駆動部から入力した前記変調信号に基づいて光を変調し、この変調した光信号を出力する光変調部と、前記変調信号駆動部から前記変調信号が前記光変調部に入力していない初期状態として前記バイアス電圧の制御を行った後に、前記変調信号駆動部から前記変調信号が前記光変調部に入力している通常状態として前記バイアス電圧の制御を行う制御部と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】基板の同じ側面側に２つの信号電極の入力部がある場合でも、電気的クロストークを抑制し、製造コストの増加も抑えた進行波型光変調素子を提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路を含む光導波路２と、光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極とを備える。変調電極は、マッハツェンダー型光導波路の２つの分岐導波路２１，２２に対して、別々の変調信号を印加する第１の信号電極３１と第２の信号電極３２とを有し、各信号電極は、基板の同じ側面側に変調信号入力部Ｔ１，Ｔ２を有する。信号電極の変調信号入力部Ｔ１、Ｔ２から作用部Ｓまでの少なくとも一部の領域では、第１の信号電極３１と第２の信号電極３２との間に配置された接地電極が、第１の信号電極に沿う第１の接地電極４１と第２の信号電極に沿う第２の接地電極４２に分離されている。 （もっと読む）

【課題】光導波路にＴＯ効果を低消費電力で発現できるとともに、光導波路の偏波保持特性の低下を抑制できること。
【解決手段】本発明の一態様にかかる光導波回路は、基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層内に形成された光導波路と、クラッド層の上部であって光導波路の上方に形成され、光導波路を加熱するヒータとを備える。クラッド層は、光導波路の両側方に、この光導波路の延伸方向に沿って形成された溝領域を有する。この溝領域には、クラッド層の上面に平行であって光導波路の延伸方向に垂直な方向に向けて、少なくとも光導波路の側面に至る深さの溝部と中実部とが交互に形成される。この中実部は、この垂直な方向に溝領域の両端をつなぐように連続する。 （もっと読む）