【課題】従来の光送信装置で問題となっていた位相変調光の平均値変動による直交制御最適点の誤検出を防ぐことにより、安定した位相シフト量（動作点）の調整を行うことができる光送信装置を提供する。
【解決手段】分岐部３９とＬＰＦ３２と加算器（減算器）３３とを有する構成の信号補正手段４０を、光送信装置の制御ループ２２に設ける。分岐部３９ではモニタＰＤ３１で得られた電気信号ｂ３を、第１の分岐信号ｂ３−１と、第２の分岐信号ｂ３−２とに分岐する。ＬＰＦ３２では第２の分岐信号ｂ３−２の低周波成分を通過させて、第２の分岐信号ｂ３−２から高周波成分を除去することにより、第２の分岐信号ｂ３−２の平均値ｂ４を得る。加算器３３では、第１の分岐信号ｂ３−１から、ＬＰＦ３２で得られた第２の分岐信号ｂ３−２の平均値ｂ４を差し引くことにより、補正モニタ信号ｂ５を得る。 （もっと読む）

【課題】
進行波型光変調器の製造工程において、電極の屈折率を簡便且つ正確に測定することが可能であり、検査に必要な検査用電極もより小さな電極パターンとすることが可能な検査用電極付きウエハ及びその電極の屈折率測定方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有するウエハ１に、複数の光導波路２と、該光導波路に沿って信号電極及び接地電極が配置されてなる、該電極間に電気信号を進行させて該光導波路を伝搬する光を制御するための複数の進行波型制御電極と、該ウエハの一部に形成された検査用電極（３，３１）とを有する検査用電極付きウエハにおいて、該検査用電極は、該信号電極と同一延伸方向に延びる共振型電極（３，３１）を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周波数特性の劣化を防ぐことができる光デバイスを得る。
【解決手段】ｎ型ＩｎＰ基板１上に、光分波器２、マッハツェンダ光変調器３，４、及び光合波器５が設けられている。光分波器２は入力光を第１及び第２の入力光に分波する。マッハツェンダ光変調器３，４は、第１及び第２の入力光をそれぞれ変調する。光合波器５は、マッハツェンダ光変調器３，４により変調された光を合波する。マッハツェンダ光変調器３の位相変調電極８ａ，８ｂとマッハツェンダ光変調器４の位相変調電極１４ａ，１４ｂは、マッハツェンダ光変調器３，４の光導波路６ａ，６ｂ，１２ａ，１２ｂの延在方向に対して垂直な方向から見て互いに重ならない。 （もっと読む）

【課題】従来よりも広い波長可変帯域を有し、かつ、正確な発振波長制御が簡便な半導体波長可変レーザを提供すること。
【解決手段】半導体波長可変レーザ４００のフィルタ領域４２０は、第１のＭＺＩ４２１と第２のＭＺＩ４２２を並列配置し、２×２光カプラ４２３の２つの出力ポートに各々接続している。各ＭＺＩは、２つの２×２光カプラの間に、同一構造の２本のアーム導波路を有する対称ＭＺＩである。各アーム導波路は、一方の２×２光カプラの出力ポートに接続された第１のミラーと、第１のミラーと所定の長さ（第１のＭＺＩ４２１では第１の長さＬ１、第２のＭＺＩ４２２では第２の長さＬ２）の光導波路により接続され、他方の２×２光カプラの入力ポートに接続された第２のミラーとを有するファブリペローエタロンを備える。当該他方の２×２光カプラの出力ポートには、反射率９０％以上の高反射ミラー４２４、４２５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】微小変調成分の同期検波を確実に行って、安定した光変調器の動作点制御を行うことができる光位相制御回路を提供する。
【解決手段】ＡＧＣアンプ２６はループ帯域の下限カットオフ周波数が微小変調信号ｂ４の周波数よりも高く設定され、可変利得アンプ３１では利得制御信号ｂ９−１に基づいて、光電気変換後の電気信号ｂ８を目標振幅値ｂ１０となるように増幅し、ピーク検出回路３２では可変利得アンプの出力振幅を検出し、積分器では前記出力振幅と目標振幅値との差分を積分して得られる出力信号ｂ９を利得制御信号として可変利得アンプへ出力し且つ同期検波用の信号ｂ９−１として同期検波器２７へも出力する。同期検波器は同期検波用の信号を同期検波して動作点の制御方向を判断し、制御回路２８は前記制御方向に基づいて動作点制御信号を出力し、加算器２９は微小変調信号を前記動作点制御信号に重畳した動作点制御信号ｂ６を光変調器へ出力する。 （もっと読む）

【課題】印加電界に対して複雑な屈折率特性を有する結晶を用いて、高速な光変調器動作をさせる。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、並走する第１光導波路および第２光導波路を有する誘電体膜と、誘電体膜上に形成され、第１光導波路および第２光導波路の間に配置された信号線と、第１光導波路に対する第２光導波路とは反対側の第１領域および第２光導波路に対する第１光導波路とは反対側の第２領域に配置された第１および第２バイアス電極とを有する伝送線路と、第１バイアス電極および第２バイアス電極に互いに異なる第１バイアス電圧および第２バイアス電圧を印加し、信号線に第１バイアス電圧および第２バイアス電圧の間の制御電圧を印加する駆動回路部と、を備える光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】バイアス電圧に基づいて光信号の位相シフトを行う場合において、バイアス電圧にパイロット信号を付与しなくても、位相シフト量を所期の位相シフト量に調整できるようにする。
【解決手段】Ｉ用位相変調器（１２）は、第１変調信号と第１パイロット信号とが付与されたバイアス電圧Ｖ１に基づいて位相変調し、Ｑ用位相変調器（１４）は、第１パイロット信号と異なる第２パイロット信号と第２変調信号とが付与されたバイアス電圧Ｖ２に基づいて位相変調する。時間平均パワー同期検波部（２２）は、両パイロット信号の電圧の正負が同じとなるタイミングにおける光パワーと、両パイロット信号の電圧の正負が逆となるときの光パワーと、を検出する。バイアス電圧制御部（１８）は、時間平均パワー同期検波部（２２）の検出結果に基づいて、両光パワーの差が小さくなるように、バイアス電圧Ｖ３を制御する。 （もっと読む）

【課題】 バイアス電圧を低減することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかるマッハツェンダ型変調器は、入力された光を分岐する光分岐導波路と、ＰＮ接合構造またはＰＩＮ接合構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第１のアーム光導波路と、量子井戸構造を有し、前記光分岐導波路から入力される光を伝播させる第２のアーム光導波路と、前記第１のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第１の位相電極と、前記第２のアーム光導波路を伝播する光の位相を調整する第２の位相電極と、を備え、 前記第１の位相電極に順方向電圧を印加し、前記第２の位相電極に０Ｖまたは逆方向電圧を印加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低い半波長電圧で、かつ、高い周波数で入力光を変調する光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成され、並走する第１光導波路および第２光導波路を有する誘電体膜と、誘電体膜上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、第１光導波路および第２光導波路の間に配置された信号線と、第１光導波路に対する第２光導波路とは反対側の第１領域に配置された第１グランド線と、第２光導波路に対する第１光導波路とは反対側の第２領域に配置された第２グランド線とを有するコプレーナ線路と、第１領域および第２領域において誘電体膜と接してまたは絶縁膜の内部に設けられ、第１光導波路および第２光導波路に対するバイアス電圧を印加する補助電極と、を備える光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】より低消費電力化を実現した熱光学位相シフタ、およびこれを用いた可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタを提供すること。
【解決手段】請求項１に記載された発明は、光信号を導波するための光導波路１３と、該光導波路１３の一部を加熱することで前記光信号に位相変化を与えるヒータ１５とを備え、前記ヒータ１５の長手方向と前記光導波路１３の加熱される部分１３１、１３２の長手方向とが同じ向きになるように重なって設けられており、前記光導波路の加熱される部分が、複数本の互いに平行な光導波路を光学的に結合して往復する１本の導波路となるようにした折り返し構造に形成されることで、前記加熱される部分の光導波路が前記ヒータと重なる位置に高密度に設けられていることを特徴とする熱光学位相シフタである。可変光減衰器、１×Ｍ光スイッチ、可変波長フィルタはこの熱光学位相シフタを用いて構成できる。 （もっと読む）

【課題】光位相変調器においてビット遷移時に発生する周波数チャープを抑制する。
【解決手段】入射された光信号を２つに分岐する分岐部（１２０）と、第１の位相シフタ（１３２）を有する第１の変調器アーム（１３０）と、第２の位相シフタ（１４２）を有する第２の変調器アーム（１４０）と、第１の変調器アームを伝搬した第１の光信号と第２の変調器アームを伝搬した第２の光信号とを合波して出射する結合部（１５０）とを備えた光位相変調器（１００）において、損失調整部（Ａ）を設け、第１の位相シフタ（１３２）による第１の光信号の位相のシフトに依存しない第１の変調器アーム（１３０）の伝搬損失と、第２の位相シフタ（１４２）による第２の光信号の位相のシフトに依存しない第２の変調器アーム（１４０）の伝搬損失とを互いに異ならせた。 （もっと読む）

【課題】 高調波成分を抽出することができる光周波数ダブラおよびマルチキャリア発生器を提供する。
【解決手段】 光周波数ダブラは、 光信号を２つに分岐する分岐部と、分岐部に接続された２本の半導体光導波路と、２本の半導体光導波路のそれぞれに対して同振幅で逆位相の変調信号を入力するための変調用電極と、２本の半導体光導波路から入力された光信号の偶数次高調波成分あるいは奇数次高調波成分の何れかを同相で合成して出力する合波部と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、常に最適な動作点に制御できる光波長変換器を得る。
【解決手段】信号光を増幅する前置半導体光増幅器５と、プローブ光を２つに分配する光分波器８ａと、前置半導体光増幅器５からの信号光及び光分波器８ａからのプローブ光を合波する光合波器６ａと、光合波器６ａにより合波された信号光及びプローブ光を増幅する半導体光増幅器（ＳＯＡ）７と、光分波器６ａにより分配されたプローブ光を増幅する半導体光増幅器（ＳＯＡ）９と、ＳＯＡ７、９の出力光を合波して波長変換光として出力する光合波器６ｂと、波長変換光を２つに分配する光分波器８ｂと、光分波器８ｂにより分配された波長変換光の平均電力に応じた電流を出力するフォトダイオード１０と、フォトダイオード１０から出力された電流が最大値となるように、前置半導体光増幅器５のバイアス電流を制御する前置ＳＯＡ制御回路１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】可変光バッファ回路の回路全体のサイズを小さくし、簡単な製造工程と製造設備を使用でき、経路間の損失のばらつきも解消する。
【解決手段】可変光バッファ回路は、半導体基板上に形成した光スイッチ回路と合波回路とを接続して構成され、光導波路で形成された遅延線を含め一体形成される。合波回路は光導波路で形成された遅延線と光結合器で構成される。同一遅延線を用いる場合、光結合器と、その一方の入力端に接続された遅延線とからなる組が、遅延線および光結合器が交互に縦続してＮ個の経路を構成するよう接続される。光結合器の各々の結合率は、各経路の各々に対し、光結合器の結合率に基づいた損失を除いた損失を最小としたときの最小損失値の測定値に基づき設定される。 （もっと読む）

【課題】位相変調時に符号の値によらず出力される光強度を一定とすることができる光変調器を得ること。
【解決手段】変調導波路３，４と、分波器２と、変調導波路３，４の出力光の位相を変化させる位相調整導波路５，６と、位相調整導波路５の出力光と位相調整導波路６の出力光を合波する合波器７と、変調導波路３，４の入力電圧と出力光の振幅の関係に基づいて、変調導波路３の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路３の出力光の振幅と変調導波路４からの出力光の振幅との加算結果と変調導波路４の出力光が所定の位相値となる場合の変調導波路３の出力光の振幅と変調導波路４の出力光の振幅との加算結果とが等しくなるよう変調導波路３，４の印加電圧を制御する利得制御部１３および変調バイアス制御部１４と、位相誤差を打ち消すよう位相調整導波路５，６を制御する位相調整バイアス制御部１５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】バイアスドリフトと駆動信号の振幅の両方を同時に制御し、安定的に半導体ＭＺ変調器を動作させる駆動制御装置を提供する。
【解決手段】連続光を出射する光源からの光を受け、駆動電圧に対する光出力特性が周期的に変化する半導体光変調器の駆動制御装置であって、半導体光変調器から出力された出力光に応じて変化する電気信号を検波するピーク検波部と、発振回路と、発振回路の出力とピーク検波部のピーク検波出力信号とに基づいて同期検波する同期検波回路と、同期検波回路の出力に応じて半導体光変調器の位相バイアスを制御するバイアス制御部と、データ信号を増幅する増幅器と、同期検波回路の出力に応じて増幅器から出力された増幅されたデータ信号の振幅を制御する振幅制御部と、増幅器の出力に対して基準電圧を供給する電源回路と、増幅器の出力と基準電圧とを受けて駆動電圧を発生する加算器とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、製造誤差に強い導波路型光干渉計回路を提供することである。
【解決手段】それぞれ独立した導波路型光スイッチを少なくとも２段に縦続して接続した導波路型光スイッチ回路において、各段の前記導波路型光スイッチの入力には、その前段の１光スイッチからの出力のうち１出力のみが接続されて、前記導波路型光スイッチは、所望の光路長差を設けた２本のアーム導波路を有するマッハツェンダー干渉計であり、少なくとも一方のアーム導波路に移相器を備えた干渉計型光スイッチであって、前記少なくとも２段の導波路型光スイッチの一方の前記光路の長い方のアーム導波路と、前記少なくとも２段の導波路型光スイッチのもう一方の前記光路の長い方のアーム導波路とが、それぞれの前記導波路型光スイッチの入力側から出力側に引かれた中心線に対し、反対の方向に配置されて構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力光信号の非線形性が抑制された光変調回路を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る光変調回路は、入力光信号を分岐する光分岐回路４０１と、光分岐回路に並列に接続された第１の光変調部４１０及び第２の光変調部４２０と、各光変調部で変調を受けた光信号を結合する光結合回路４０２とを備える。第１の光変調部４１０と第２の光変調部４２０の応答周期比を１：１／３とし、かつ、光分岐回路４０１による第１の光変調部４１０と第２の光変調部４２０への分岐の電界強度比を１：１／３²＝９：１とする。そして、光結合回路４０２による結合の電界強度比を１：１／３²＝９：１とする。当該応答周期比および電界強度比は三角波のフーリエ展開による。二次成分のほか、高次のフーリエ成分を一次の成分に加えていくことによって、駆動電圧に対する応答曲線の非線形性を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】親マッハツェンダ光導波路に印加するＤＣバイアス電圧について改善されたネスト型の光変調器を提供する。
【解決手段】子マッハツェンダ光導波路を成す２本の光導波路の上方にバイアスを印加するための中心導体の役割を成す２つの電極を各々有し、該２つの電極に同相のバイアス電圧を印加することにより、親マッハツェンダ光導波路としてのバイアスを設定するネスト型の光変調器であって、子マッハツェンダ光導波路を成す２本の光導波路と当該２本の光導波路の上方に形成された前記２つの電極の位置が光の導波方向と交わる方向にずれた状態であっても当該２本の光導波路において発生する屈折率変化が互いに等しくなるように、接地導体の役割をなす３つの電極を、光の導波方向と交わる方向における前記２つの電極の各電極の両側にして当該２つの電極の間は共通で設けた。 （もっと読む）

【課題】光を変調する光素子において、メサが欠けやすく、かつ、電極パッドの寄生容量が大きくなる。
【解決手段】光素子であって、リッジ状の光導波路部と、前記光導波路部に並んで配置された、メサプロテクタ部と、前記メサプロテクタ部の上部を覆うとともに、該メサプロテクタ部の両側に配置された樹脂部と、前記光導波路部上に配置された電極と、前記メサプロテクタ部に対して、前記光導波路部と反対側に位置する樹脂部上に配置された電極パッドと、前記樹脂部上に配置されるとともに、前記電極と前記電極パッドを電気的に接続する接続部と、を有する。 （もっと読む）