【課題】偏波合成後の偏波間の光強度差を、簡素な構成により低減する。
【解決手段】光変調器１は、入射面から入射された偏波の異なる２つの光ＬＯ，ＬＥを出射面上の離間した２点から出射させる複屈折媒質１１０と、前記２点から出射された偏波の異なる２つの光が導入されるよう配置された光ファイバ１１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より安定してフィードバック制御を営むことのできる動作点ドリフトの補償方法を実現する。
【解決手段】光変調システム１は、低周波信号＃２を用いたフィードバック制御によってＭＺ型光変調器１２の動作点ドリフトを補償する補償機能を有している。そして、フィードバック制御の安定性を判定する判定部１８と、フィードバック制御が不安定であると判定されたときに、低周波信号＃２の周波数を第１の周波数から第２の周波数へと切り替える低周波信号生成部１４を備えている。 （もっと読む）

【課題】制御装置などを必要とせずに、素子自体が動作点シフト抑制機能を有するネスト型光導波路構造の光導波路素子を提供する。
【解決方法】電気光学効果を有する、ニオブ酸リチウム等からなる基板と、基板上に形成された光導波路と、光導波路内を導波する光波を変調するための複数の変調用電極とを具え、光導波路は、光波の進行方向において２つに分岐して２本のメイン光導波を構成し、各メイン光導波路は光波の進行方向においてさらに２つに分岐して２本のサブ光導波路を構成し、２本のメイン光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路を構成するとともに、２本のサブ光導波路は、メインマッハツエンダー型光導波路内に組み込まれるようにしてサブマッハツエンダー型光導波路を構成し、基板の、相対向して位置する２つの前記サブマッハツエンダー型光導波路間において、熱伝導抑止領域を有するようにして光導波路素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】平板状の複屈折結晶を用いた、小型且つＰＭＤおよび偏波クロストークの特性が良好な偏波合成装置を提供する。
【解決手段】第１の出力導波路１０８１が出力端面Ｍに対して斜めに形成され、第２の出力導波路１０９１が第１の出力導波路１０８１と出力端面Ｍの双方に対して斜めに形成された光導波路素子１０と、第１及び第２の出力導波路１０８１，１０９１からそれぞれ出射された光を互いに平行な光にするレンズ２０と、光導波路素子１０又はレンズ２０からの出射光の偏波を回転させて該出射光を偏波が互いに異なる光ＬＯ，ＬＥとする偏波回転部３０と、偏波が互いに異なる光ＬＯ，ＬＥを偏波合成する偏波合成素子４０と、を備え、偏波合成素子４０の光伝搬方向の厚さＬは、偏波合成された光の偏波モード分散の許容最大値に対応する第１の厚さよりも小さく、偏波合成された光の偏波クロストークの許容最小値に対応する第２の厚さよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】時間軸上の隣り合うビットに対応する各光パルス間で偏波を直交させる光変調器を小型化する。
【解決手段】第１の導波路が出射端面に対して斜めに形成され、第２の導波路が第１の導波路と出射端面の双方に対して斜めに形成された光導波路素子と、第１，第２の導波路から出射された第１，第２変調光の光路を互いに平行にするレンズと、第１，第２変調光の少なくとも一方に位相遅延を付与する位相遅延素子と、第１，第２変調光の少なくとも一方の偏波を回転させて当該２つの変調光間で偏波を直交させる偏波回転部と、偏波が直交した第１，第２変調光を偏波合成する偏波合成素子と、を備え、位相遅延素子の光伝搬方向の厚さは、位相遅延素子による位相差と偏波合成素子による位相差とによって第１，第２変調光の各光パルスがビットインターリーブされる厚さに設定されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＺ型導波路の合波部から放出される主出力光とモニタ光（放射モード光）との光強度変化が相補的関係となるように設定することが可能な光導波路素子を提供する。
【解決手段】基板に少なくとも１つのマッハツェンダー型導波路が形成され、該マッハツェンダー型導波路の出射側の合波部２０には、２本の分岐導波路２２，２３が導入されると共に、出力主導波路２４と該出力主導波路を挟む２本の出力副導波路２５，２６とが導出されるように構成された光導波路素子において、該分岐導波路２２，２３はシングルモード導波路で構成され、該合波部２０の導波路はマルチモード導波路で構成され、該マルチモード導波路の幅Ｗ２は、該シングルモード導波路の幅Ｗ１，Ｗ３よりも広く、かつ、該シングルモード導波路の幅の２倍の幅よりも狭く構成されている。 （もっと読む）

【課題】 容易にゼロチャープ変調と負チャープ変調とを行うことが可能な光半導体素子を提供する。
【解決手段】 光分波器が、第１及び第２の入力ポートと、第１及び第２の出力ポートとを含む。第１の入力ポートに信号光が入力されると、第１の出力ポートに出力される信号光と、第２の出力ポートに出力される信号光との強度が等しくなり、第２の入力ポートに信号光が入力されると、第１の出力ポートに出力される信号光の強度が、第２の出力ポートに出力される信号光の強度より大きくなる。光合波器が、第３及び第４の入力ポートと、第３及び第４の出力ポートとを含む。第１の光導波路が、第１の出力ポートと第３の入力ポートとを接続し、第２の光導波路が、第２の出力ポートと第４の入力ポートとを接続する。第１の変調電極及び第２の変調電極に印加される電圧により、第１の光導波路及び第２の光導波路の光路長が変化する。 （もっと読む）

【課題】
共振周波数の異なる複数の共振型電極を用いながら、変調効率が高く低コスト化することが可能な光制御素子を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該基板に設けられ、該光導波路を伝搬する光の位相を制御するための制御電極３とを有する光制御素子において、該制御電極３は、該光導波路２に沿って配置される、共振周波数（ｆ１，ｆ２）の異なる複数の共振型電極３１，３２を有し、制御信号を入力する１つの入力配線３０と、該入力配線から分岐する分岐信号線が各共振型電極に接続され、かつ、該分岐信号線は、各共振型電極において該制御信号が該共振型電極に供給されるタイミングと、該光導波路を伝搬する光が当該共振型電極の近傍を通過するタイミングとを一致させるように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の共振波長を有する光デバイスを提供する。
【解決手段】本明細書に開示する光デバイス１０は、光を伝搬するコア層１２を有し、コア層１２を伝搬する光を共振させる共振部１４と、コア層１２に沿って幅が変化しながら延びる共振波長変調層１６と、を備える。共振部１４は、コア層１２における長手方向の両側部に設けられた回折格子１３か、又は、コア層１２を伝搬する光と結合可能に配置された複数のリング型光導波路１７を有する。共振波長変調層１６は、コア層１２の光の伝搬方向における共振波長を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，高周波信号の周波数帯において広い変調帯域を有する高周波信号の発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の光高周波信号発生器は，光コム信号を発生する光コム発生器１１と，光コム発生器１１から発生した光コム信号を分波する光分波器１３と，光分波器１３で分波された光コム信号を結合する光結合器１５と，光結合器１５が結合した光周波数成分の差周波信号を発生する光混合器１７と，光分波器１３から出力された光コム信号の一部から所定の成分を抽出するための第１の光フィルタ１９を有する。この第１の光フィルタ１９が抽出した光成分と，光コム信号のうち分波器で分波された光成分を光混合器が混合することで，差周波信号が発生する。 （もっと読む）

【課題】
光ファイバの波長分散を補償可能であり、数１０Ｇｂｐｓを超える高速伝送にも適用可能な光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する材料で構成される基板１と、該基板に形成された光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極３とを有する光変調器において、該光導波路から出射する出射光Ｌ２を光ファイバで導波し、該光ファイバの波長分散特性と逆の特性の波形歪を有するように、該光導波路に沿って該基板を所定のパターンで分極反転１０させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】寄生抵抗が低減されたダイオード構造が形成できるようにする。
【解決手段】 この半導体素子は、ｎ型とされた窒化物半導体から構成されて主表面がＣ面方向とされている第１半導体層１０１と、第１半導体層１０１とは格子定数が異なる窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第１半導体層１０１の上に形成された第２半導体層１０２と、第２半導体層１０２とは格子定数が異なるｎ型の窒化物半導体から構成され、主表面がＣ面方向とされて第２半導体層１０２の上に形成された第３半導体層１０３とを少なくとも備える。また、第２半導体層１０２は、臨界膜厚より薄く形成されている。加えて、第１半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係と、第３半導体層と第２半導体層との格子定数の大小関係とは同じとされている。 （もっと読む）

【課題】導波路コア層の幅のばらつきが光の伝播に及ぼす影響を抑制する。
【解決手段】光半導体素子１は、クラッド層２上に設けられた、導波路コア層３ａ、及びその両側のスラブ層３ｂを有する第１半導体層３を備える。光半導体素子１は、その導波路コア層３ａの側面、及びスラブ層３ｂの上面を被覆する絶縁層４を備え、更に、導波路コア層３ａの側方で、スラブ層３ｂの上方に、絶縁層４を介して設けられた第２半導体層５を備える。第２半導体層５と導波路コア層３ａとは、絶縁層４によって電気的に分離される一方、光学的には接続される。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４と、該基板の端部に該光ファイバと接続するための補強用キャピラリ３とを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を、１つの受光素子５に向けて反射する反射手段（３１，３２）を該補強用キャピラリに設け、該反射手段で反射された２つの放射光が互いに交差するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性を確保し、コストを抑えつつ、全チャネルで良好な高周波特性を得ることができる多チャネル光送信モジュール及びその作製方法を提供する。
【解決手段】多チャネル光送信モジュールにおいて、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の厚さの差を１５μｍ以下とし、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２をサブキャリア４Ａの同一の上面に設け、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂと配線板支持板１２の上面にフリップチップ配線板１５を配置し、フリップチップ配線板１５を配線板支持板１２の電極にバンプ１６で固定すると共に、ＤＦＢレーザアレイ３Ｂの電極とフリップチップ配線板１５の電極とを各々金バンプ１４で結線した。 （もっと読む）

【課題】
光変調器の出力光とモニタ光との位相差が補償可能であり、かつ簡単な構成で小型化可能な構成を有する光変調器を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有する基板１と、該基板に形成されたマッハツェンダー型光導波路（２１〜２４）を含む光導波路２と、該光導波路を伝搬する光波を変調するための変調電極と、該光導波路からの出射光を導波する光ファイバ４ととを有する光変調器において、該マッハツェンダー型光導波路から放出される２つの放射光（Ｒ１，Ｒ２）を１つの受光素子５に向けて集光する集光手段（３１，３２）と、該受光素子５が受光する該２つの放射光の光量比を調整する光量比調整手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＤとモノリシックに集積容易な高速・高効率な半導体光変調素子を提供する。
【解決手段】基板１０１の面上に、上層から基板面に向かって順に少なくともｎ型クラッド層１１３ａ，１１３ｂ、ｉ―コア層１１５ａ，１１５ｂ、ｐ型クラッド層１１７ａ，１１７ｂを含む半導体多層構造でなる光変調素子を備え、光変調素子の光変調導波路が基板上の逆メサ方向に形成されている。信号電極１１１ａ，１１１ｂには正の電圧をバイアス電圧として用いる。 （もっと読む）

【課題】複数のＭＺ干渉計を含む光変調器における個々のＭＺ干渉計の特性を評価する方法を提供する。
【解決手段】光変調器１は、第１のＭＺ干渉計２と第２のＭＺ干渉計３を含み第１のＭＺ干渉計２は分波部５と、２つのアーム６，７と合波部８と電極を含む。２つのアームは分波部と接続され、合波部は２つのアームと接続され、電極は２つのアームにバイアス電圧を印加でき、電極は２つのアームに変調信号を印加でき、ＭＺ干渉計に駆動信号を印加し、ＭＺ干渉計の２つのアームから出力される光の位相差をπかあるいは０となるようにバイアス電圧を調整し、バイアス電圧が調整された後ＭＺ干渉計の出力強度のうち２次成分のサイドバンド成分の強度を用いてＭＺ干渉計の特性を評価する。 （もっと読む）

【課題】 発振スペクトル線幅の狭小化と、波長掃引範囲の広帯域化と、を同時に達成し得る光源装置を提供する。
【解決手段】 光を増幅させる光利得媒体と屈折率の波長分散を有する光導波路とを含んで構成される光共振器と、該光共振器内における光の強度を変調する光変調器と、を備え、該光変調器の変調周波数に応じて光パルスの発振波長が変化する光源装置であって、
前記光変調器が、前記光変調器を透過する光の透過率を調整可能であり、かつ、前記光変調器を透過する光の透過時間のデューティー比が５０％未満であることを特徴とする光源装置。 （もっと読む）

【課題】信号光の一部を電気光学変調器により切り出してパルス光を出力するレーザ装置において、煩雑な電気光学変調器のバイアス調整作業を改善可能な手段を提供する。
【解決手段】本発明を例示する態様のレーザ装置は、信号光を出力する信号光源１１と、信号光源１１から出力された信号光を増幅する光増幅器２１と、光増幅器により増幅された信号光の一部を切り出してパルス光を出力する電気光学変調器２５と、電気光学変調器２５の出射側に設けられ、光増幅器２１において発生するＡＳＥ光を検出するＡＳＥ光検出器２７と、電気光学変調器２５の作動を制御するＥＯ制御部５５とを備え、ＥＯ制御部５５が、ＡＳＥ光検出器２７により検出されるＡＳＥ光の強度が最小になるように、電気光学変調器２５のバイアス電圧を調整するように構成される。 （もっと読む）