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Fターム[2H079HA12]の内容

光の変調 (22,262) | 特性・目的 (1,307) | 目的 (827) | 駆動電圧低減 (143)

Fターム[2H079HA12]に分類される特許

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【課題】 高速で消光比が大きく、また駆動電圧とDCバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】 電気光学効果を有しx−カットもしくはy−カットの少なくとも一方の面方位を有する基板1と、基板1に形成された光を導波するための光導波路5と、基板1の一方の面側に形成され、光を変調するための高周波電気信号を印加するための高周波電気信号用の中心導体及び接地導体からなる進行波電極6を備えた相互作用部を有し、光導波路5は進行波電極6に高周波電気信号を印加することにより光の位相を変調するための少なくとも2本の相互作用光導波路5a、5bを含むマッハツェンダ光導波路を具備する光変調器において、進行波電極の中心導体が、相互作用部において分岐されており、分岐された中心導体6a、6bが、2本の相互作用光導波路5a、5bをそれぞれ伝搬する光の結合が疎となる距離に隔置される。 (もっと読む)


【課題】 民生用途で必要な反射波長の広帯域化を行った場合でも、電圧印加時の反射波長帯域を電圧未印加時の反射波長帯域と重ならないようにシフトさせることが可能である光変調素子を実現する。
【解決手段】 本発明の光変調素子101は、基板1上に、格子部材5が周期的に配置される格子層3と、格子層3における導波方向に対して垂直の方向に電圧を印加するようになっている第1の導電性部材2と第2の導電性部材4とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 信号劣化のない、高速で、より低電圧駆動を可能とした有機導波路型光変調器を提供する。
【解決手段】 干渉型の光変調器の例としてマッハツェンダ型を示し、受動部である光導波路11はポリマーで形成され、能動部である両分岐光導波路11a、11bにDASTを選択的に配置している。有機導波路型光変調器10は、信号電源から高周波変調信号電圧を印加される変調部12と、適切な光学バイアスを設定するためにDC電圧を印加するバイアス印加部13と、接地電極17,18を有している。2つの分岐導波路に配置されるDASTの結晶軸は同一方向であり、バイアス電極16と接地電極17とで形成される電界は、DASTの結晶軸に対して反対方向となる。 (もっと読む)


【課題】高速で、低電圧駆動を可能とし、光伝播損失が少なく且つ信頼性が高く歩留まりのよい有機導波路型光変調器を提供する。
【解決手段】 基板14の上に下部クラッド層18、研磨停止層19、上部クラッド層17が設けられ、上部クラッド層17の上に信号電極12、接地電極13が設けられている。チャネル導波路のコア部(コア層)16にDASTを用いており、コア部16の断面は、コア上部幅に対してコア下部幅が小さいテーパー形状となっている。 (もっと読む)


【課題】 チャーピングを低減可能な発光モジュールを提供する。
【解決手段】 本発明の実施の形態に係る発光モジュールは、半導体発光素子と、半導体変調素子と、半導体発光素子に駆動電流を供給する第1の駆動回路と、半導体変調素子に駆動電圧を印加する第2の駆動回路と、第1の駆動回路及び第2の駆動回路を制御する制御回路とを備える。駆動電流は、第1のレベルの電流と該第1のレベルより低レベルの第2のレベルの電流とを含んでいる。駆動電圧は、第3のレベルの逆方向電圧と当該第3のレベルより高レベルの第4のレベルの逆方向電圧とを含んでいる。制御回路は、第1のレベルの電流供給時に第3のレベルの電圧が供給され、第2のレベルの電流供給時に第4のレベルの電圧が供給されるように、第1の駆動回路及び第2の駆動回路を制御する。 (もっと読む)


【課題】透明領域において1%を超える屈折率変化率を示す屈折率変化素子を提供する。
【解決手段】中心部に位置するπ共役系および前記π共役系の周囲に配置されるアルカン鎖を含む有機分子で形成され離散的なエネルギー準位を持つ複数の量子ドットと、前記量子ドットをその中に分散させる誘電体マトリクスとを有する構造部と、前記構造部に対して電子を注入する電子注入部とを具備することを特徴とする屈折率変化素子。 (もっと読む)


【課題】より生産性、信頼性に優れた有機導波路型光変調器を提供すること。
【解決手段】入射光を外部からの電界の強さに応じて出射光の位相または強度を変調し、有機材料をコア層にもつ光導波路の一部または全領域を外部からの電界により制御する有機導波路型光変調器であって、入射光を分岐する分岐部分10aと、分岐された入射光を変調する変調部分10bと、この変調された光を合成し出力する合成部分10cと、を有し、変調部分10bは、光の進行方向に対して複数のコア層(DAST14)を備えている。 (もっと読む)


【課題】
高速で駆動電圧が低く、かつDCドリフトと温度ドリフトが小さく、製作の歩留まりが良い光変調器を提供する。
【解決手段】
電気光学効果を有するLN基板1と、LN基板1に形成された光を導波するための光導波路3と、光を変調するための電圧を印加する、LN基板1の一方の面側に形成された中心導体4aおよび接地導体4b、4cからなる進行波電極4と、光導波路3が中心導体4aと接地導体4b、4cとの間に電圧を印加することにより光の位相を変調するための相互作用光導波路3a、3bとを具備する光変調器において、基板上面の少なくとも一部分に形成された第1バッファ層31と、第1バッファ層31の上方に形成した導電層32と、導電層32の少なくとも一部の上方に形成した第2バッファ層34とを具備し、中心導体4aが第2バッファ層34の上方に形成されるようにする。 (もっと読む)


【課題】
低駆動電圧による高速駆動及びDCドリフトの抑圧を可能とし、信頼性が高くかつ製作の歩留まりが良い光変調器を提供する。
【解決手段】
電気光学効果を有し、少なくともx−カット又はy−カットの面方位を含む基板1と、基板に形成された光を導波するための光導波路3と、光を変調するための電圧を印加する、基板の一方の面側に形成された中心導体4a及び接地導体4b、4cからなる電極4と、光導波路3が中心導体4aと接地導体4b、4cとの間に電圧を印加することにより光の位相を変調するための相互作用部3a、3bとを具備する光変調器において、基板上面の一部分に電気的に接触するとともに、光導波路3の上面を被覆しないように形成した導電層15と、導電層15の上方に形成した第2バッファ層16を具備し、相互作用部3a、3bでは中心導体4aが導電層15に接触せず、第2バッファ層16の上方に形成された中心導体4aを具備する。 (もっと読む)


【課題】 精密な温度制御を行わなくても、光デバイスを構成する電気光学材料の温度をほぼ一定に保つことが可能であり、かつ低コスト化を実現可能な光デバイスを提供すること。
【解決手段】 常誘電相と強誘電相との間で相転移を起こすKTN材料を備える光スイッチ10は、交流駆動回路17と、交流駆動回路17に電気的に接続され、位相変調用電極13と位相変調用電極14とに挟まれ、コア12を含む、動作領域の近傍に配置された、加熱用電極15および16とを備える。このような構成において、交流電力を加熱用電極15、16に印加することにより、KTN材料の温度を上昇させ、動作領域の温度を、KTNの相転移温度よりも高い温度にほぼ一定に保持する。 (もっと読む)


【課題】 増幅幅の比較的小さい増幅器により駆動することができる進行波型電極用の駆動回路、それを用いた光変調システム及び進行波型電極用の駆動方法を提供する。
【解決手段】
上記の課題は、電気信号を発生する電気信号源(1)と、回路の終端に設置される終端器(2)と、進行波型電極の一端に接続される第1の入出力導線(3a)と、進行波型電極の他端に接続される第2の入出力導線(3b)と、電気信号源からの電気信号を第1の入出力導線に伝えると共に、第1の入出力導線からの帰還信号を終端器に伝えるスイッチ素子であるサーキュレータ(4)と、第2の入出力導線に接続され、進行波型電極の他端から入力された電気信号を反射する反射器(5)と、電気信号を増幅する増幅器(6)とを具備する進行波型電極用の駆動回路(10)により、解決することができる。 (もっと読む)


【課題】 光の利用効率を改善した光変調装置を提供する。
【解決手段】 光変調装置10は、発光部22と、ファブリーペロー型の共振器16と、共振器16に制御電圧を印可する制御部12とを備える。共振器16は、印可する電界に応じて屈折率が変化する光変調膜34と、光変調膜34に電界を印可する櫛形電極35、36とを備える。発光部22から発光された光は、光変調膜34に印可される電界の方向と実質的に垂直に、かつ光入射面の法線方向から傾いて、光入射面に入射される。 (もっと読む)


【課題】光変調素子の変調効率を改善すること。光の群速度を低下させる構造の光導波路を用いることにより、変調信号との相互作用効果を増大させ、課題を解決する。
【解決手段】電気光学効果を有する材料からなる光導波路6と、光導波路6の表面に設けられた複数のピット3からなる2次元フォトニック構造5とを有している。これにより、フォトニックバンドギャップが生じない場合でも、光導波路を通過する光の群速度が低下し、この導波路を光変調素子に応用することで、非常に高い変調効率を実現できる。 (もっと読む)


【課題】 消費電力の小さい光集積デバイスを実現する。
【解決手段】 光変調器10とDFBレーザ20とが光結合する構造となっており、DFBレーザ20から出射された光が光変調器10への入射光Pinとなり、光変調器10からは光変調された出射光Poutが出力される。DFBレーザ20には変調電気信号Qが入力され、光変調器10には反転変調電気信号Q′が入力される。このため、DFBレーザ20から出力され光変調器10に入力される入射光Pinはある程度変調がされており、光変調器10では反転変調電気信号Q′により不足分の変調を行うだけで済む。このため、光変調器10での変調負担が減り、全体として消費電力が低減する。 (もっと読む)


【課題】 低消費電力で高速動作させることができる導波路型光可変減衰器を提供する。
【解決手段】 基板11と、基板11上に形成されたコア13と、コア13を覆うクラッド14と、上記コア13の表面、近傍或いは内部に形成された所定波長の光を吸収して発熱する微粒子層15と、その微粒子層15に光を照射する照射手段16とを備える。 (もっと読む)


【課題】 低電圧動作が可能な半導体光変調器を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施例による半導体光変調器の光導波路は、電気光学効果を有する光導波層20と、n型半導体からなるクラッド層10と、このクラッド層と光導波層との間に設けられた中間層40とを備える。この中間層40の伝導帯エネルギー準位を、n型半導体のクラッド層10よりも高くなるように構成することによって、n型半導体のクラッド層10からノンドープ層である光導波層20への電子1の拡散が防止される。これにより、光導波層20は電界を印加しない状態でも空乏化され、それゆえ、低いバイアス電圧でも電気光学効果による高効率な光変調を行うことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】小型且つ駆動電圧が低いマッハツェンダ変調器を用い、電気回路に非線形増幅特性がある場合であっても、生成された光信号の波形ひずみを極力抑えて高性能なRZ-DPSK信号波形を得る。
【解決手段】送信データの第1及び第2の値に対応させて夫々第1及び第2のRZパルス列を発生させる電子回路と、入力光を分岐して導く2つのアームを有し、この2つのアーム上に物理的に位置の異なる第1及び第2の変調部を備え、第1の変調部において入力光を前記第1のRZパルス列で変調すると共に、第2の変調部において入力光を前記第2のRZパルス列で変調し、第1及び第2の変調部において夫々異なるアームにRZパルス列を加えるマッハツェンダ変調器とを有するようにした。 (もっと読む)


【課題】光損失が小さく、高速駆動且つ低電圧駆動が可能な光変調器を得る。
【解決手段】外部から制御された電場によって屈折率が変化して光の位相を変化させる電気光学効果を有する有機材料を少なくとも一部に有して有機材料からなり光を伝搬するコア層と、コア層の層面を上下から挟む有機材料からなる上部クラッド層および下部クラッド層と、を備え、光を伝搬する光導波路と、導波路を伝搬する光の位相を変化させるための複数の電極と、を有し、複数の光導波路上を伝搬する光を干渉させる干渉型の光変調器であって、光導波路が、基板と、基板上に形成された下部クラッド層と、下部クラッド層上に形成され、コア層の構成材に対して研磨速度の遅い研磨停止層と、研磨停止層の表面から下部クラッド層の所定の深さまで形成された電気光学効果を有する有機材料からなるコア層と、研磨停止層上およびコア層上に形成された上部クラッド層と、を備えて構成される。 (もっと読む)


【課題】
定比組成ニオブ酸リチウム結晶又は該結晶にMgをドープした結晶基板において、不純物を熱拡散する場合や、加工歪を回復するために熱処理する際の基板表面の屈折率上昇を抑制し、また、生産性並びに光学特性の優れた高品位な光学素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
実質的に定比組成のニオブ酸リチウム単結晶基板上に不純物層を形成する工程と、前記不純物層中の不純物を前記実質的に定比組成のニオブ酸リチウム単結晶基板の少なくとも一部に拡散させる拡散工程とを含む光学素子の製造方法において、該拡散工程は、1000℃以上1200℃以下の拡散温度で、露点温度0℃以下のガスを導入する雰囲気中で行うことを特徴とする。好ましくは、3時間以上24時間以下の拡散時間で熱処理することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 EO効果の効率が高く、駆動電圧を低減することができる垂直積層型導波路デバイス及びそのポーリング方法、駆動方法を提供する。
【解決手段】 基板上に、底部電極と、底部クラッド層と、底部コア層と、下部クラッド層と、中間電極と、上部クラッド層と、上部コア層と、最上部クラッド層と、上部電極とがこの順に積層してなり、前記底部クラッド層、前記下部クラッド層、前記上部クラッド層、及び前記最上部クラッド層の屈折率がいずれも前記底部コア層及び前記上部コア層の屈折率以下であり、前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層の厚みが、前記底部コア層と前記上部コア層とが接触しないように設定されていることを特徴とする垂直積層型導波路デバイスである。 (もっと読む)


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