【課題】上下両定盤の修正状態をできるかぎり同一として、マッチングのとれた定盤面を形成してワークを高精度で両面研磨する。
【解決手段】回転可能に配置された研磨用サンギア１１１と、研磨用サンギア１１１との間に環状領域１２１を形成するインターナルギア２２と、環状領域内に回転可能に配置された環状の下定盤２０と、下定盤２０の上側に回転可能に配置された環状の上定盤３０と、を備え、下定盤２０、上定盤３０、サンギア部材１１０、及びインターナルギア２２を夫々予め定めた回転方向、及び速度で回転させ、研磨キャリア１０で保持したワーク１１の両面研磨後、研磨用サンギア１１１に代えて、研磨用サンギア１１１のピッチ円径Ｒａより小さいピッチ円径Ｒｂを備えた修正用サンギア１１２を配置し、環状領域に研磨キャリア１０のピッチ円径ｒａより大きいピッチ円径ｒｂの修正キャリア２３０を配置し、下定盤２０、及び上定盤３０の修正を行う。 （もっと読む）

【課題】コンディショニングされる研磨パッドの表面状態や性能を予測できるコンディショナの評価方法を確立し、コンディショナの評価データを蓄積したデータベースと組合せることにより、コンディショナの性能評価と、コンディショニング条件を導き出し、適切なコンディショニングを可能とする。
【解決手段】評価対象のコンディショナ１の砥粒面を、樹脂板２の表面に押圧接触させた状態で１回転させて前記表面に切削痕３を形成し、切削痕３が形成された表面の断面プロファイルを測定し、得られた断面プロファイルに基づいて、当該コンディショナの評価項目として、切削痕の粗さ、切削痕の高さ頻度分布および切削痕の幅の総和の少なくともいずれか一つを求めるようにしている。 （もっと読む）

【課題】使用済み研磨材スラリーについて、簡易な再生処理により研磨材としての性能を再生させることを目的とする。
【解決手段】
ガラス材研磨用の酸化セリウム系研磨材スラリーの再生方法であって、次の工程を含む酸化セリウム系研磨材スラリーの再生方法。
第一工程：ガラス材研磨を行った後の使用済み研磨材スラリーから、研磨材よりも大粒子径の研磨屑を除去する工程
第二工程：ガラス材研磨を行った後の使用済み研磨材スラリーから、研磨材よりも小粒子径の研磨屑を除去する工程
第三工程：第一工程及び第二工程で研磨屑を除去して得られた回収研磨材スラリーに、金属フッ化物を添加して再生酸化セリウム系研磨材スラリーを得る工程 （もっと読む）

【課題】基板の研削工程において、ダイヤモンド粒子を含む固定砥粒を定盤に配置した両面研削装置を使用する場合に適した、基板の製造方法を提供する。
【解決手段】固定砥粒１１が研削面に配備された上定盤と下定盤１０を備える研削装置を用いてガラス基板の２つの主表面を両面研削する研削工程を有する基板の製造方法であって、修正部材５３、５５を備える修正キャリア５１を前記定盤上で自転させながら公転させ、修正キャリア５１の修正部材５３、５５と定盤の研削面とを互いに押圧させて摺動させて定盤の面修正を行う修正工程を有し、修正キャリア５１は、上定盤および下定盤１０にそれぞれ対向する２つの対向面を有する本体部と、２つの対向面にそれぞれ配置された修正部材５３、５５とからなり、修正部材５３、５５は、対向面の外周側に沿って配置され、かつ修正キャリアの自転軸と外周側の特定点とを結ぶ直線上の対向面にも配置されている。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの磨耗とドレッサの汚染を防ぎながらドレッシングを行なうこと。
【解決手段】研磨パッド１のドレッシング処理に用いるドレッシング液として、純水に微細気泡を混ぜたものを用いる。さらにドレッサ１０を円環状とし、この円環状の中空部分にドレッシング液を供給しながらドレッシング処理を行なう。ドレッサの中空部分に供給された、微細気泡を含有するドレッシング液は、ドレッサの中空部分に一定時間滞留し、ドレッシング液中の微細気泡が、研磨パッド１やドレッサ１０等についたゴミを吸着、除去する。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まりでクーラントを再生し、回転体に付着したスラッジを除去する機能を有するクーラント再生方法の提供することを課題とする。
【解決手段】クーラント再生方法１は、縦型遠心分離装置に洗浄液を吐出する洗浄液吐出工程Ｓ０’と、洗浄液の吐出される縦型遠心分離装置の回転体を遠心分離工程時の回転数よりも低速で回転させ、縦型遠心分離装置に付着したスラッジを洗浄及び除去するスラッジ洗浄工程Ｓ０”と、縦型遠心分離装置を有する遠心分離ユニットに使用済クーラントを供給するクーラント供給工程Ｓ１と、遠心分離ユニットに供給された使用済クーラントをシリコン切削屑を含む固形分と遠心分離液とに遠心分離する遠心分離工程Ｓ２と、遠心分離ユニットの縦型遠心分離装置を稼動させた状態で使用済クーラントの供給を間欠的に制御する間欠制御工程Ｓ３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】０．１μｍ以下の粒径のシリコン微粒子の比率を抑えた再生クーラント、及びクーラント再生方法の提供することを課題とする。
【解決手段】クーラント再生方法１ａは、遠心分離ユニット２に使用済クーラント３を供給するクーラント供給工程Ｓ１と、使用済クーラント３を遠心分離する遠心分離工程Ｓ２と、分離した遠心分離液１９を回収する遠心分離液回収工程Ｓ３と、遠心分離液５を膜分離ユニット７に供給する遠心分離液供給工程Ｓ５と、遠心分離液１９を膜分離する膜分離工程Ｓ６と、分離された膜濾過液２１を回収する膜濾過液回収工程Ｓ７とを具備し、再生クーラント４は、残存シリコン成分が再生クーラント全体の０．０１重量％以上、３．０重量％以下であり、残存シリコン成分に含まれる０．１μｍ以下の粒径のシリコン粒子が残存シリコン成分全体の０．０１重量％以上、３０重量％以下になる。 （もっと読む）

【課題】研磨布のドレッシング状態の変化によって生じる研磨速度の変化による研磨代のばらつきを抑制し、仕上がり厚さを高精度に制御できるシリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置を提供する。
【解決手段】所定の研磨代となるように研磨時間を設定し、タンク内に貯蔵された研磨剤を研磨布に供給しながらシリコンウェーハを研磨布に摺接させて設定した研磨時間で研磨し、供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させながらシリコンウェーハの研磨をバッチ式に繰り返すシリコンウェーハの研磨方法において、研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度を予めデータベースに記録しておく工程と、所定の研磨代となるように研磨時間を設定する際に、データベースに記録された研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度に基づいて研磨時間を設定する工程とを有するシリコンウェーハの研磨方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、前述した課題を解決するために、優れたパッド平坦性と高いパット研削力を同時に満たすドレッサーを提供する。
【解決手段】円盤状支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着されたドレッサーであって、円盤状支持材の半径をＲとした場合、砥粒が、０．３Ｒ≦Ｂ＜Ａ≦０．９Ｒ、かつ、Ａ−Ｂ≧４（ｍｍ）を満たす半径Ｂの同心円の外側、かつ、半径Ａの同心円の内側のリング状領域に固着されていることを特徴とする研磨布用ドレッサー。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主表面を平坦度３０ｎｍ以下に研磨することができる、ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法の提供。
【解決手段】両面研磨装置１０のガラス基板２２の両主表面を研磨するＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板の研磨方法であって、前記研磨パッド２４が、微多孔が形成された表面層を有し、圧縮率が２０％以上である第１の軟質プラスチックシートと、前記第１の軟質プラスチックシートの前記研磨面の背面側に接合された、圧縮率が２０％未満である第２の軟質プラスチックシートと、を備えており、前記第２の軟質プラスチックシートの前記第１の軟質プラスチックシートが接合された反対面側をバフ処理した後、前記第２の軟質プラスチックシートのバフ処理された面を前記両面研磨装置の上下定盤の側にして、前記研磨パッドを該上下定盤に取り付けた状態で、前記研磨面側をドレス処理してから、前記ガラス基板の両主表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の被研磨面の中央部における研磨速度の低下を抑え、基板の被研磨面を全面にわたって均一に平坦化することができる研磨パッドのコンディショニング方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に形成された薄膜に摺接して薄膜を研磨する研磨テーブル１上の研磨パッド２をドレッサ２２を用いてコンディショニングするコンディショニング方法であって、研磨パッド２の中心部と外周部との間を移動して研磨パッド２をドレッシングするドレッサ２２の移動速度を研磨パッド２の所定の領域Ａ２で標準移動レシピにおける所定の領域Ａ２の速度より大きくして研磨パッド２のコンディショニングを行い、研磨パッド２の所定の領域Ａ２に摺接して研磨される基板Ｗ上の薄膜の研磨速度を高めるようにした。 （もっと読む）

【課題】 研磨後のウェハの厚みばらつきを軽減しナノバブルの密度を高くする。
【解決手段】 ウェハを下定盤と上定盤とで挟んで研磨する研磨装置と、ナノバブルを含む所定の溶液を溜める溶液漕と、ナノバブル発生装置と、溶液を攪拌する攪拌部と、前記攪拌部から前記溶液漕へ接続する第一配管部と第二配管部と、第一配管部から分岐し攪拌部へ戻る第三配管部と、第一配管部内に設けられるアノード電極と、アノード電極と対向して設けられる第一カソード電極と、アノード電極と対向して設けられる第二カソード電極と、アノード電極と対向して設けられる第三カソード電極と、各電極が接続される電場発生装置と、から構成される循環系設備と、を備えて構成されることを特徴とするナノバブル循環型研磨装置。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドのコンディショニングのレシピチューニングに費やされるコストおよび時間を大幅に低減し、研磨パッドを研磨テーブルから剥がすことなく研磨パッドの研磨面を監視することができる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、回転するドレッサー５０を研磨パッド２２の研磨面２２ａ上を揺動させて該研磨面２２ａをコンディショニングし、研磨面２２ａのコンディショニング中に研磨面２２ａの高さを測定し、研磨面２２ａ上に定義された二次元平面上における、研磨面２２ａの高さの測定点の位置を算出し、研磨面２２ａの高さの測定と測定点の位置の算出を繰り返して、研磨面２２ａ内における高さ分布を生成する。 （もっと読む）

【課題】 研磨による傷の発生を軽減し、安定した研磨が行えること。
【解決手段】 センターギアと、このセンターギアを回転軸とする上定盤と、このセンターギアを回転軸としつつ前記上定盤と向かい合うように配置される下定盤と、この下定盤の縁側に配置されるインターナルギアとから構成される研磨装置が用いられ、前記下定盤と前記上定盤との間に水晶ウェハを配置して前記水晶ウェハを研磨する水晶ウェハの研磨方法であって、前記水晶ウェハと前記上定盤および前記水晶ウェハと下定盤との間に所定のガスを気泡化したナノバブルを含むフッ化カリウム水溶液、水酸化ナトリウムと炭酸ナトリウムとの混合溶液、水酸化カリウム溶液の何れか１つの溶液を介在させて水晶ウェハを研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨装置において、コンディショニングディスクを駆動するアームおよび軸受け部を適切に管理できる方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドを担持したプラテンを回転させながら、前記研磨パッドの表面をコンディショニングディスクによりドレッシングする工程を含み、前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの表面に押圧し、さらに前記アームを前記アームの回転軸回りで回転運動させ、前記コンディショニングディスクの位置を、前記プラテンの径方向上に、前記プラテンの中心部と外周部との間で変化させることにより実行され、前記ドレッシングの際、前記アームに作用するトルクの平均値＜Ｎ＞および変動幅Ｙを、前記コンディショニングディスクの、前記プラテンの径方向上における複数の位置にわたって求め、前記トルクの平均値＜Ｎ＞および前記トルクの変動幅Ｙの値をもとに、前記アームに対するメンテナンスの要否を判定する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、従来の研磨工具では実現できない、より精密な研磨を実現する研磨工具を提供することである。
【解決手段】 本発明は、研磨工具用チップの製造方法であって、超砥粒層と超硬合金層とが焼結一体化された複合材からチップ材料を切り出す工程、および、切り出されたチップ材料の超硬合金層を、該チップ材料の超硬合金層側の下端面を含む平面と超砥粒層側の上端面を含む平面とのなす角αが０°＜α＜９０°になるように加工する工程を含む、前記製造方法、該製造方法によって製造された研磨工具用チップ、および該研磨工具用チップを含む研磨工具に関する。 （もっと読む）

【課題】ドレッシングしたときに、金属成分の溶出が少なく、かつ砥粒の脱落が抑制されたドレッサーを提供する。
【解決手段】樹脂製支持材の表面に複数個の砥粒が単層に固着された研磨布用ドレッサーであって、前記樹脂製支持材と前記砥粒との間には金属層が存在し、前記樹脂製支持材に接する側の前記金属層の表面は凹凸部を有することを特徴とする研磨布用ドレッサーを提供する。好ましくは、金属層は前記樹脂製支持材と前記砥粒との間のみに存在している。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰスラリーの使用量を削減しても、実用的な研磨速度で被研磨膜を研磨することが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、ターンテーブル（１１）に支持され回転している研磨布（１２）に半導体基板（１４）上の被研磨膜を当接させる工程と、前記研磨布上における前記被研磨膜が当接する領域に、研磨フォーム（１５）を供給して前記被研磨膜を研磨する工程とを具備する。前記研磨フォームは、総量の０．０１〜２０質量％の研磨粒子および総量の０．１〜１０質量％の泡形成保持剤を含む水系分散体を泡状として得られる。 （もっと読む）

【課題】０．３５μｍルール以下の調高精細配線ルールのＬＳＩ等用の半導体材料表面を研磨するＣＭＰ研磨パッドをコンディショニングするための研磨工具を実現できる、パッドコンディショニング用焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】超砥粒焼結体の研磨面に並んだ研磨単位を有する研磨用焼結体は、超砥粒焼結体表面の加工をレーザーカットにより行うため、研磨単位を緻密に、鋭いエッジを保ったままで形成することが可能であり、その高密度研磨単位列によって、ＬＳＩ等用の半導体材料表面を研磨するＣＭＰ研磨パッドをコンディショニングするための研磨工具を提供することができる。また、円形超砥粒焼結体の素材から、円形中心に位置する正６角形から２枚、その正六角形の外側に位置する６枚の合同な素材片から６枚の研磨パッチを切り出した、研磨パッチである。パッチ角部は研磨時に被研磨材に損傷を与えないように、輪郭が丸められている。 （もっと読む）

【課題】表面粗さが小さく平滑性の高いハードディスク用ガラス基板を安定して製造すること。
【解決手段】研磨砥粒を含む研磨液を用いてハードディスク用ガラス基板５０の表面を研磨する研磨工程を含むハードディスク用ガラス基板５０の製造方法において、研磨工程では、研磨液中の研磨砥粒の電荷と同じ符号の電荷を付与した研磨液貯留タンク１５，１７を用いる。研磨液のｐＨは１〜５である。研磨砥粒はコロイダルシリカであり、コロイダルシリカをマイナス帯電させた研磨液を用いる。研磨液貯留タンク１５，１７は樹脂製である。研磨工程は、研磨液を循環使用する循環使用工程と、この循環使用工程の後、研磨液を掛け流し使用する掛け流し使用工程とを含み、掛け流し使用工程において、電荷を付与した研磨液貯留タンク１７を用いる。 （もっと読む）