【課題】研磨ムラの少ない高精度のレンズ研磨を効率的に行うことが可能なレンズ研磨方法およびレンズ研磨装置を提供する。
【解決手段】レンズ研磨方法は、研磨装置の回転軸に保持され該回転軸を中心に回転駆動するレンズに対し、研磨ツールが回転軸の軸線と直交する方向及び軸線方向から、レンズの光学面に回転軸を中心に同心円状又は螺旋状のいずれかの研磨軌跡を描くように光学面を非球面形状に研磨するレンズ研磨方法であって、レンズを、研磨軌跡の旋回中心から離間した位置に配置する工程と、研磨ツールが光学面を研磨する時に、研磨ツールと光学面との間に所定の圧力を付与する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】回転定盤に対する研磨パッドの繰り返しの着脱を容易に且つ位置決め精度良く実現することが出来、且つ、各種仕様の研磨装置の回転定盤に対しても大幅な改造を必要とすることなく適用出来る、新規構造の研磨パッド用補助板の提供。
【解決手段】研磨装置１２の回転定盤１４に装着される研磨パッド用補助板１０を下側補助板２０と上側補助板２２で構成し、位置決め手段を上下補助板２２，２０間に設けた。これにより、補助板と回転定盤との間に位置決め手段を設けた従来構造のものに比して、研磨パッド１６の回転定盤１４への中心軸の位置決めを容易に且つ精度良く為し得ると共に、各種仕様の研磨装置の回転定盤１４にも広く適用可能な研磨パッド用補助板１０を実現せしめ得た。 （もっと読む）

【課題】湾曲が抑制された炭化珪素基板であって、かつ鏡面である第１の面と、非鏡面である第２の面とを有するものを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶が準備される。炭化珪素単結晶を材料として、第１の面Ｐ１と、第１の面Ｐ１の反対側に位置する第２の面Ｐ２とを有する炭化珪素基板８０が形成される。炭化珪素基板８０が形成される際に、第１および第２の面Ｐ１、Ｐ２のそれぞれに第１および第２の加工ダメージ層７１、７２が形成される。第１の加工ダメージ層７１の少なくとも一部を除去しかつ第１の面Ｐ１の表面粗さが５ｎｍ以下となるように、第１の面Ｐ１が研磨される。第２の面Ｐ２の表面粗さを１０ｎｍ以上に保ちながら第２の加工ダメージ層７２の少なくとも一部が除去される。 （もっと読む）

【課題】表面状態が良好なガラス基板を簡易に生産性高く製造できるガラス基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】ガラス基板の表面に研磨砥粒を含むｐＨ４．０以下の研磨液を供給し、研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を鏡面に研磨する最終研磨工程と、前記最終研磨工程に続けて、ｐＨ４．０以下の酸性洗浄液を供給し前記研磨パッドにて前記ガラス基板の表面を擦り洗いする擦洗工程と、前記擦洗したガラス基板を最終洗浄する最終洗浄工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】主平面の研磨工程での研磨パッドの目詰まりを抑制して、ドレス処理の頻度を低減するとともに研磨速度を安定させ、主平面の平滑性に優れ、異なるロットのガラス基板間の板厚のばらつきが小さい磁気記録媒体用ガラス基板を得るための製造方法を提供する。
【解決手段】この磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法は、形状付与工程と、主平面研磨工程と、洗浄工程とを備え、前記主平面研磨工程は、前記ガラス基板の主平面を両面で５μｍ以上の研磨量で研磨する粗研磨工程を有する。そして、前記粗研磨工程では、気泡を含有し、研磨面に開口する前記気泡の平均直径が８０〜３００μｍであり、かつ１．１〜２．５％の圧縮率を有する研磨パッドと、砥粒を含有する研磨液を用いて主平面を研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板の研磨中に研磨パッドに気体を吹き付けて研磨パッドの表面（研磨面）の温度を制御することにより、ディッシングやエロージョン等を防止して段差特性の向上を図ることができるとともに研磨レートの向上を図ることができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド２に向けて気体を噴射する少なくとも１つの気体噴射ノズル２２と、少なくとも１つの気体噴射ノズル２２を保持するとともに気体噴射ノズル２２に気体を供給する気体供給部２０とを備え、少なくとも１つの気体噴射ノズル２２の直下の点Ｐ１，Ｐ２を通り、研磨パッド２の回転中心を中心とする同心円Ｃ１，Ｃ２を描き、同心円Ｃ１，Ｃ２上の直下の点Ｐ１，Ｐ２における接線方向を研磨パッド２の回転接線方向と定義すると、少なくとも１つの気体噴射ノズル２２の気体噴射方向は、回転接線方向に対して研磨パッド２の回転中心側に傾いている。 （もっと読む）

【課題】絶縁皮膜付素線の絶縁皮膜を効率よく除去することができる絶縁皮膜付素線の絶縁皮膜除去工具および除去方法を提供する。
【解決手段】電力ケーブル１０の接続端部で口出しされている素線絶縁導体のそれぞれの絶縁皮膜付素線１２から絶縁皮膜１２ａを除去するための絶縁皮膜除去工具であって、絶縁皮膜付素線１２の形状に合わせて屈曲可能であり、中空形状に形成されたその内部に絶縁皮膜付素線１２を挿通可能なフレキシブルシャフト２１と、このフレキシブルシャフト２１の先端に取り付けられ、絶縁皮膜付素線１２の絶縁皮膜１２ａと当接して摺動移動することで絶縁皮膜付素線１２の絶縁皮膜１２ａを除去する除去手段３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】例えばポリシリコンからなる疎水性のケイ素含有部分と例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる親水性のケイ素含有部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、親水性基を有する水溶性重合体、及び砥粒を含有する。研磨用組成物を用いて研磨した後の疎水性のケイ素含有部分の水接触角は、この研磨用組成物から水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物を用いて研磨した後の疎水性のケイ素含有部分の水接触角と比較して小さく、好ましくは５７度以下である。このような水溶性重合体の例としては、多糖類又はアルコール化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、かかる従来技術の背景に鑑み、研磨パッド表面への研磨屑付着を抑制することで被研磨物表面のスクラッチやディフェクトの発生を低減させて、製品の歩留まりを向上させ、かつ、高い平坦性と適度な研磨速度が得られる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、被研磨物と相対する研磨面のゼータ電位が−５５ｍｖより小さく−１００ｍｖ以上であることを特徴とする研磨パッドである。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】情報記録媒体用基板の製造方法は、少なくともＳｉＯ_２成分を含むガラス又は結晶化ガラスからなる板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒を少なくとも含有し、研磨開始時における研磨液中の砥粒濃度が１５ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であり、研磨液中の砥粒の全重量に対する、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒の含有量が７０ｗｔ％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 研磨パッドの貼り換え作業を行うことなく、研磨パッドの表面に紫外線硬化樹脂からなる膜を薄く均一に形成することができる研磨パッド用表面処理剤及び研磨パッド製造装置を提供する。
【解決手段】 紫外線硬化樹脂を溶剤に分散させた分散液からなる研磨パッド用表面処理剤３を回転自在な定盤１２に取り付けられた基材４上に均一に塗布するための表面処理剤塗布部１３と、塗布された前記基材４上の研磨パッド用表面処理剤３に対して紫外線を均一に照射する紫外線照射部１４と、を備える研磨パッド製造装置１０。 （もっと読む）

【課題】例えばポリシリコンからなる疎水性のケイ素含有部分と例えば酸化シリコン又は窒化シリコンからなる親水性のケイ素含有部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いることができる研磨用組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シラノール基を有する砥粒、及び水溶性重合体を含有する。研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置したときには、砥粒の表面積１μｍ^２あたりに５０００個以上の水溶性重合体の分子が吸着する。このような水溶性重合体の例としては、ポリオキシアルキレン鎖を有するノニオン性化合物、より具体的には、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキレンジグリセルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】情報記録媒体用基板の製造方法は、少なくともＳｉＯ_２成分を含むガラス又は結晶化ガラスからなる板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の砥粒濃度が２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であり、前記研磨液中の砥粒の全重量に対する、前記Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる砥粒の含有量が７０ｗｔ％以上であり、前記研磨工程における加工圧力が１２０ｇ／ｃｍ^２〜１６０ｇ／ｃｍ^２であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムの代替として、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、次世代のハードディスク用基板に求められる、機械的強度が高い材料を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともＳｉＯ_２成分を含む板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む情報記録媒体用基板の製造方法であって、前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる研磨砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の砥粒濃度が２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であることを特徴とする情報記録媒体用基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤ低減剤を用いて研磨した後の研磨対象物表面における６５ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの数を低減することが可能なＬＰＤ低減剤、シリコンウエハの欠陥低減方法、及びシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＬＰＤ低減剤は、ＬＰＤ低減剤中のナトリウムイオンの濃度が１０ｐｐｂ以下であり、シリコンウエハ研磨において用いられる。ＬＰＤ低減剤は、さらにアルカリを好ましくは含有する。ＬＰＤ低減剤は、シリコンウエハの仕上げ研磨に用いられ、ＬＰＤの大きさが６５ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン膜の研磨速度に対して酸化ケイ素膜及び窒化ケイ素膜の研磨速度を向上させることが可能であり、ポリシリコン膜をストッパ膜として酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜を研磨する研磨工程に適用することが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、第１の液と第２の液とを混合して使用されるＣＭＰ研磨液であって、第１の液がセリウム系砥粒と分散剤と水とを含有し、第２の液がポリアクリル酸化合物と界面活性剤とｐＨ調整剤とリン酸化合物と水とを含有し、第２の液のｐＨが６．５以上であり、リン酸化合物の含有量が所定範囲となるように第１の液と第２の液とが混合される。また、本発明のＣＭＰ研磨液は、セリウム系砥粒と、分散剤と、ポリアクリル酸化合物と、界面活性剤と、ｐＨ調整剤と、リン酸化合物と、水とを含有し、リン酸化合物の含有量が所定範囲である。 （もっと読む）

【課題】耐磨耗性及び耐久性に優れるとともに、研磨中にウエハを傷つけることがなく、かつ、環境負荷が小さい研磨装置用ワークピース保持リングを提供すること。
【解決手段】ポリグリコール酸樹脂から形成された研磨装置用ワークピース保持リングＲであって、ロックウェル硬度が１００以上であることを特徴とする研磨装置用ワークピース保持リング。 （もっと読む）

【課題】前記研磨パッドを使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、前記研磨対象物の外周部の研磨量を抑える技術を提供する。
【解決手段】Chemical Mechanical Polishing（CMP）法においてリテーナリング９の内周側に配置される半導体ウェハ８（研磨対象物）を研磨するための研磨パッド１０は、研磨パッド１０の研磨面１０ａを有する硬質層１２と、硬質層１２を挟んで半導体ウェハ８と反対側に配置され、硬質層１２よりも軟質である軟質層１３と、を有する。研磨面１０ａに異なる荷重を作用させた際の研磨面１０ａの窪み量の差分である特定窪み量差分値ΔTが８６［μｍ］以下である。以上の研磨パッド１０を用いれば、図３及び図４、図６に示すように、研磨パッド１０を使用してＣＭＰ法の研磨を実施するに際し、半導体ウェハ８の外周部の研磨量を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムを用いず、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、ガラス、結晶化ガラス、結晶等の脆性無機材料からなる基板を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともＳｉＯ_２成分、またはＡｌ_２Ｏ_３成分を含む板状の無機材料を、研磨液及び研磨パッドを用いて研磨する研磨工程を含む基板の製造方法であって、
前記研磨液は、Ｚｒ及びＳｉを含む化合物からなる研磨砥粒を少なくとも含有し、
前記研磨液中の砥粒濃度が２ｗｔ％〜４０ｗｔ％の範囲であることを特徴とする基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高速で相変化メモリデバイスを研磨することができる、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物、及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨（ＣＭＰ）用スラリー組成物を用いる。窒素化合物は、脂肪族アミン、芳香族アミン、アンモニウム塩、アンモニウム塩基またはこれらの組み合わせから選択される少なくとも１種の化合物を含む。 （もっと読む）