【課題】１３族及び１５族からなる化合物半導体基板を、表面平坦性が高く、表面粗さが小さく、表面の微小スクラッチや微小ピット、加工変質層が生じないような高品質な研磨表面を得つつ、かつ速い研磨速度を達成することができる研磨方法を提案する。
【解決手段】周期表における１３族及び１５族から構成される化合物半導体基板の表面を研磨する方法であって、酸化マグネシウムを主成分とする砥粒を酸化剤及び無機酸に含有させた研磨材スラリーを用いて、前記化合物半導体基板の表面をメカノケミカル研磨することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の極細繊維からなる研磨布ではなし得なかった、表面粗さが低く、動摩擦係数が小さい高性能の研磨布を提供する。
【解決手段】平均単繊維直径０．０５〜５．０μｍの極細繊維を含む繊維構造体であって、その繊維構造体の表面粗さが１〜２０μｍであり、動摩擦係数が０．１〜１．０であることを特徴とする研磨布であり、その繊維構造体の少なくとも一部に、１０〜３０００ｐｐｍの珪素化合物が存在し、その繊維構造体の少なくとも片側の表面に、極細繊維からなる立毛を有するものである。 （もっと読む）

【課題】平行度に優れた磁気記録媒体用ガラス基板を得ることが可能な磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法及び平行度に優れた磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。
【解決手段】一対の主平面１１と、外周端面１２と、内周端面１３と、を有する磁気記録媒体用ガラス基板１０の製造方法であって、外周端面は外周側面部１２０と外周面取り部１２１とを有し、両面研磨装置を用いてキャリアに保持された磁気記録媒体用ガラス基板の主平面を研磨する主平面研磨工程を有し、主平面研磨工程で研磨される前の磁気記録媒体用ガラス基板は、外周端面において、磁気記録媒体用ガラス基板の中心角で１５度間隔に設けた計２４の外周端面測定箇所で表面粗さＲａを測定したとき、外周側面部の表面粗さＲａの最大値は０．５μｍ以下、標準偏差は０．２μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】欠陥を発生させることなく、下層のＣＭＰストッパー膜を実質的に研磨せずに、実用的な速度でシリコン酸化膜を研磨できるＣＭＰ用スラリーを提供することである。
【解決手段】実施形態のＣＭＰ用スラリーは、総量の０．５質量％以上３質量％以下で配合されたコロイダルシリカと、総量の０．１質量％以上１質量％以下で配合された重量平均分子量５００以上１０，０００以下のポリカルボン酸とを含有し、ｐＨが２．５以上４．５以下である。コロイダルシリカ全体の５０質量％以上９０質量％以下の粒子は、３ｎｍ以上１０ｎｍ以下の一次粒子径を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、硬度を維持したままドレッシング性を向上させた研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、ポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有しており、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料成分として、（Ａ）イソシアネート成分、（Ｂ）ポリオール成分、（Ｃ）水酸基を１つ有する芳香族化合物及び／又はアミノ基を１つ有する芳香族化合物、及び（Ｄ）中空微小球体を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、硬度を維持したままドレッシング性を向上させた研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、連続気泡を有するポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有しており、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料成分として、（Ａ）イソシアネート成分、（Ｂ）ポリオール成分、及び（Ｃ）水酸基を１つ有する芳香族化合物及び／又はアミノ基を１つ有する芳香族化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨後の基板の表面に、有機残渣が生じることの少ないＣＭＰ研磨液用添加液を提供するものである。また、欠陥の発生数を低減できることが可能なＣＭＰ研磨液を提供し、半導体デバイス生産のスループットを向上させることを目的とする。
【解決手段】アルコール類及びフェノール類からなる群から選択される少なくとも１種の有機残渣抑制剤と、含有率が０．１質量％以上であるポリカルボン酸と、水と、を含有するＣＭＰ研磨液用添加液である。 （もっと読む）

【課題】平坦化、除去率および欠陥率の全てにおいて改善された研磨パッドの製造方法を提供する。
【解決手段】磁性基材、半導体基材および光学基材の少なくとも一つを研磨するのに使用可能な積層開口網状研磨パッドを形成する方法であって、硬化性ポリマーの第１および第２ポリマーシートまたは膜をエネルギー源に曝露して、第１および第２ポリマーシートにエネルギー源に曝露された細長部位を有する曝露パターンを形成し、曝露した第１および第２ポリマーシートからポリマーを除去して、第１および第２ポリマーシートの全体にわたって、曝露パターンに対応したチャネルパターン状に、第１および第２ポリマーの厚さ全体にわたって延在する細長チャネルを形成し、第１および第２ポリマーシートを接合して積層開口網状研磨パッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、長時間の研磨により高温になる場合であっても研磨層と支持層との間で剥離しにくい長寿命の積層研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の積層研磨パッドは、研磨層と支持層とが接着部材を介して積層されており、前記接着部材は、ポリエステル系ホットメルト接着剤を含む接着剤層、又は基材の両面に前記接着剤層を有する両面テープであり、前記ポリエステル系ホットメルト接着剤は、ベースポリマーであるポリエステル樹脂１００重量部に対して、１分子中にグリシジル基を２つ以上有するエポキシ樹脂を２〜１０重量部含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、研磨対象物の表面にスクラッチを生じさせ難く、かつドレッシング性を向上させた研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、無発泡ポリウレタン樹脂からなる研磨層を有しており、前記無発泡ポリウレタン樹脂は、原料成分として、（Ａ）イソシアネート成分、（Ｂ）ポリオール成分、及び（Ｃ）水酸基を１つ有する芳香族化合物及び／又はアミノ基を１つ有する芳香族化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】稼働停止時における電力等のユーティリティを低減する。
【解決手段】ＣＭＰ装置１の回転定盤１７に取り付けた研磨パッド１６とトップリング１８との間に半導体ウエハＷを保持して相対回転させてウエハＷを研磨する。リンス水供給管１１にリンス水流量調整弁１３を設けて、研磨部２内の研磨パッド１６に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。洗浄部３には研磨した半導体ウエハＷを洗浄用スポンジローラ２６，２７で挟持して洗浄して搬送する。リンス水供給管１２ａ、１２ｂにリンス水流量調整弁１４、１４を設けて、洗浄用スポンジローラ２６，２７に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。純水の供給間隔をｔ分とし、１回毎の純水の供給継続時間をｄｔ秒として、下記の（１）式と（２）式を満足する。
ｄｔ＝２０{１．６−ｅｘｐ（−０．０１７８３ｔ）} ……（１）
１０≦ｔ≦３０ ……（２） （もっと読む）

【課題】 本発明は、硬度を維持したままドレッシング性を向上させた研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、独立気泡を有するポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有しており、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料成分として、（Ａ）イソシアネート成分、（Ｂ）ポリオール成分、及び（Ｃ）水酸基を１つ有する芳香族化合物及び／又はアミノ基を１つ有する芳香族化合物を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性基材、半導体基材および光学基材の少なくとも一つを研磨するのに使用可能な積層開口網状研磨パッドの形成方法を提示する。
【解決手段】光硬化性ポリマーの第１および第２ポリマーシート１２または膜を曝露して、第１および第２ポリマーシート１２に曝露パターンを形成する。曝露は、光硬化性ポリマーを硬化させるのに十分な曝露時間で行われるが、近傍の細長部位がいっしょに硬化されない長さである。第１および第２ポリマーシートを接合して、第１および第２ポリマーシートのパターンがクロスした研磨パッドを形成する。第１および第２シートが、垂れ下がりを抑えるのに十分であって、ポリマーシートの細長チャネル３６同士、および平行面同士の間に直交関係を保持するのに十分な剛度を有した状態で、積層開口網状研磨パッドを硬化させることにより、固定化する。 （もっと読む）

【課題】ソフトな織地構成を有する開口網状研磨パッドの形成方法を提供する。
【解決手段】硬化性のポリマーシートまたは膜をエネルギー源に曝露して、細長部位を含む曝露パターンを形成する。このポリマーシートまたは膜を開口網状基材４０に取り付けた後、未硬化ポリマーを溶媒により除去する。これにより、細長チャネルが、ポリマーシートまたは膜の全体にわたって、曝露パターンに対応した織地構成パターン状に形成され、上記開口網状基材４０がポリマーを支持している。上記細長チャネルは、ポリマーシートまたは膜の厚さ全体にわたって延在しており、これにより開口網状研磨パッド材６０が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＬＰＤ低減剤を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能なＬＰＤ低減剤及びそのＬＰＤ低減剤を用いたシリコンウエハの欠陥低減方法を提供する。
【解決手段】本発明のＬＰＤ低減剤は、ポリビニルピロリドン及びポリＮ−ビニルホルムアミドから選ばれる少なくとも一種類の水溶性高分子を含有し、シリコンウエハの研磨において用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】両面処理装置の回転する上側加工ディスクと回転する下側加工ディスクとの間の少なくとも３つの加工物の同時両面材料除去処理のための方法を提供する。
【解決手段】加工物は、案内ケージにおいてそれぞれの開口部において自由に移動可能な態様にあり、２つの加工ディスク間に形成された加工間隙において圧力下で後者によって移動され、一旦、加工物の予め選択された目標厚みに到達すると、減速プロセスが開始され、その間において、上側加工ディスク、下側加工ディスク、および案内ケージのすべての駆動部ｉの角速度ω_ｉ（ｔ）は、２つの加工ディスクおよび案内ケージの停止にまで減じられ、すべての駆動部ｉの角速度ω_ｉ（ｔ）は、この場合において、時間ｔの関数としてのすべての角速度ω_ｉ（ｔ）の互いに対する比率が、予め選択された目標厚みに到達する瞬間における比率から１０％を越えて外れないように低減される。 （もっと読む）

【課題】表面に現れずに内在する研磨時の欠け、割れ等の原因を有するウエーハの研磨を防止するためのウエーハ研磨装置を提供する。
【解決手段】ウエーハ研磨装置は、ウエーハＷを載置するステージ５１と、前記ステージ５１上の前記ウエーハＷに圧力を加える加圧器５２、５３とを含む検査部５と、前記検査部５により検査済みの前記ウエーハＷを研磨する研磨部６と、を有し、検査により異常がないとされた半導体ウエーハＷを研磨する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を化学機械研磨する際に、絶縁層の物理的性質を変化させずに、材料剥がれやスクラッチなどの表面欠陥が被研磨面に発生することなく精度の高い被研磨面を得ることができる化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法、ならびに前記化学機械研磨用水系分散体を調製するためのキットを提供すること。
【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）砥粒、（Ｂ）キノリンカルボン酸および／またはピリジンカルボン酸、（Ｃ）炭素数４以上の脂肪族有機酸、（Ｄ）酸化剤、（Ｅ）三重結合を有する非イオン性界面活性剤、および（Ｆ）分散媒を含有し、前記（Ａ）砥粒が、平均一次粒子径が５〜５５ｎｍかつ会合度が１．９〜４．０のコロイダルシリカである。
（もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ウェハの両面研磨方法に関する。
【解決手段】研磨パッドの表面は、それぞれ、中心から端縁に向かって螺旋状に延びる少なくとも１つのチャネル状凹部によって断続的である。両面に供給される研磨剤、局所的に個々に適合可能な研磨剤の量および変形されたキャリアプレートによって、特に４５０ｍｍの直径を有する半導体ウェハの場合に、最適化された研磨剤の分散が達成される。 （もっと読む）

【課題】化学的機械研磨に際して研磨パッド表面の温度を速やかに且つ省エネルギー効率をもって昇温して適温に維持することができる、新規な構造の研磨パッド用補助板と研磨装置を提供すること。
【解決手段】研磨パッド１６を重ね合わせて固着状態で支持するパッド支持面を表面４０に有していると共に、裏面４２において回転定盤１４に重ね合わされて着脱可能に装着される装着面を有している研磨パッド用補助板１０において、通電により補助板本体３８（パッド支持面４０）を昇温して適温に維持する通電式温度制御手段５０を設けた。 （もっと読む）