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Fターム[3C058AA07]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 装置の構造(工具) (12,061) | 工具の種類 (6,468) | 砥粒を用いるもの(ラップ加工) (4,277)

Fターム[3C058AA07]に分類される特許

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【課題】化学的機械研磨に際して研磨パッド表面の温度を速やかに且つ省エネルギー効率をもって昇温して適温に維持することができる、新規な構造の研磨パッド用補助板と研磨装置を提供すること。
【解決手段】研磨パッド16を重ね合わせて固着状態で支持するパッド支持面を表面40に有していると共に、裏面42において回転定盤14に重ね合わされて着脱可能に装着される装着面を有している研磨パッド用補助板10において、通電により補助板本体38(パッド支持面40)を昇温して適温に維持する通電式温度制御手段50を設けた。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜を平坦化するCMP技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、4価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜を平坦化するCMP技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、4価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 (もっと読む)


【課題】被研磨物のスクラッチ傷の発生を防止し、耐摩耗性を有する被研磨物保持材を提供すること。また、化学的機械研磨加工に使用されて使用済みとなった被研磨物保持材を使用前の形態に復元してリサイクルすることが可能な被研磨物保持材を提供すること。
【解決手段】上記課題は、本発明の繊維強化樹脂層と、前記繊維強化樹脂層の少なくとも一方の面に樹脂層とを有する被研磨物保持材であって、
前記樹脂層が、以下の(A)〜(F)の条件における研磨速度が50μm/h以下であることを特徴とする被研磨物保持材により達成される。
(A)面圧:700gf/cm2(B)テーブル回転数:40rpm(C)チャック回転数:40rpm(D)研磨液:粒径70nm以上、pH12、固形分濃度:5%のコロイダルシリカ(E)研磨液流量:150ml/min(F)研磨時間:60min。 (もっと読む)


【課題】研磨パッドのクッション層へのスラリの含浸を、高度な耐久性と信頼性をもって防止することが出来る新規な防浸構造を実現し得る研磨パッド用補助板を提供すること。
【解決手段】回転定盤14に対して着脱可能とされた補助板本体20に対して、研磨層36の裏側にクッション層38が設けられた研磨パッド16が補助板本体20の上面中央部分に設けられたパッド装着凹所32の表面24に重ね合わされて固着されると共に、クッション層38の外周面を覆ってクッション層38へのスラリーの含浸を防止する外周防浸手段が補助板本体20によって形成され、更にパッド装着凹所32の周壁内面44とクッション層38との径方向対向面間の隙間の上方への開口部分を封止する封止材62,68が設けられている。 (もっと読む)


【課題】層間絶縁膜に対する良好な研磨速度を維持しながら、エロージョン及びシームの発生を抑制し、被研磨面の平坦性が高い金属膜用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】金属用研磨液において、砥粒、メタクリル酸系ポリマ及び水を含有する。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜を平坦化するCMP技術において、絶縁膜を高速かつ低研磨傷で研磨でき、また酸化珪素膜とストッパ膜との高い研磨速度比を有する研磨剤を提供する。
【解決手段】水、4価の金属水酸化物粒子及び添加剤を含有する研磨剤であって、該添加剤はカチオン性の重合体および多糖類の少なくとも一方を含む。 (もっと読む)


【課題】被研磨体を安定的に研磨できる、研磨装置を提供すること。
【解決手段】吊り機構80と、吊り機構80に吊るされた上定盤40と、上定盤40に対向する下定盤30と、上定盤40及び吊り機構80を軸継ぎ手55を介して昇降させるピストンロッド54及びシリンダ52を有する昇降機構50とを備え、上定盤40と下定盤30との間に配置された被研磨体を研磨する研磨装置であって、ピストンロッド54に連動するフランジ部120と、吊り機構80とフランジ部120との間に介在する制振機構100とを備えることを特徴とする、研磨装置。 (もっと読む)


【課題】凝集安定性に優れ、粗大粒子を含まない、磁性を有するダイヤモンド粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】爆射法で得られたダイヤモンド微粒子と、前記ダイヤモンド微粒子の表面の少なくとも一部を被覆する磁性体とからなる磁性ダイヤモンド微粒子であって、前記ダイヤモンド微粒子が、酸化処理されたものであることを特徴とする磁性ダイヤモンド微粒子。 (もっと読む)


【課題】ソーワイヤを用いてワークを切断したときに、加工変質層深さが浅く、平滑な表面の切断体が得られる樹脂被覆ソーワイヤを提供する。
【解決手段】樹脂被覆ソーワイヤは、ソーマシンでワークを切断するときに用いられるソーワイヤであって、鋼線の表面に、砥粒を含有せず、且つ120℃での硬さが0.07GPa以上の樹脂皮膜が被覆されており、樹脂皮膜は、ワークを切断するときに吹き付けられる砥粒が樹脂皮膜に食い込むことを抑制するように硬さが制御されている。 (もっと読む)


【課題】化学機械研磨に関し、金属層が希望の厚さまで平坦かされたかどうかを確実に判断する方法を提供する。
【解決手段】化学機械研磨装置は、研磨パッド30と、研磨面の第1の側に当接して基板10を保持するためのキャリア70と、研磨パッド30及びキャリヤヘッド70の少なくとも一方に接続されて両者間に相対運動を生じさせるモータとを備え、渦電流監視システムは、基板10の近くに交番磁界を発生させるように位置決めされており、光学監視システムは、光ビームを発生して基板10からの該光ビームの反射光を検出し、コントローラは、渦電流監視システム及び光学監視システムからの信号を受信する。 (もっと読む)


【課題】リテーニングリングの底面が、デバイス基板を研磨してリテーニングリングを試運転することから生じる平衡表面特性に実質的に一致するターゲット表面特性を有し、試運転プロセスを不要にする。
【解決手段】リテーニングリング100は、該リングの底面155を加工又はラッピングしてその底面155に成形されたプロフィールを形成することにより、整形することが出来る。リテーニングリング100の底面155は、フラットな部分、傾斜した部分及び湾曲した部分を含むことができる。リテーニングリング100の底面155をラッピングするのに専用に使用されるマシンを使用してラッピングを行うことができる。ラッピング中に、リングの軸の周りでリングを自由に回転するのを許すことが出来る。リテーニングリング100の底面155は、湾曲した部分又はフラットな部分をもつことができる。 (もっと読む)


【課題】 下地層の周側面に防水層を設けることにより、研磨パッドの下地層内にスラリーが浸透することを防止して、研磨特性に悪影響を及ぼさず、また研磨レートの検出精度を上げるようにする。
【解決手段】 研磨パッド1は、下地層11と下地層11の表面に積層されたパッド本体10とを有する。下地層11の周側面にスラリーの浸透を防止し得る防水層12が設けられている。 (もっと読む)


【課題】研磨速度安定性に優れる研磨パッド及びその製造方法を提供する。
【解決手段】中空微小体を含むポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドであって、前記ポリウレタン樹脂発泡体は、原料として下記一般式(1)で表されるポリシロキサン基含有ジオールを含み、前記ポリシロキサン基含有ジオールの含有量は、ポリウレタン樹脂発泡体の全原料に対して1〜10重量%である。


(式中、Rは炭素数が1〜12のアルキル基であり、nは10〜380の整数であり、mは1〜12の整数である。) (もっと読む)


【課題】精密機器に用いられる基盤やレンズ、液晶ガラス等における研磨加工時に剥がれが少なく安定生産ができ、かつ圧縮弾性率が低く被研磨面の高い平坦性を得られる研磨用吸着パッド素材とその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材上に、高分子弾性体(A)からなる接着層と、架橋剤を含有しかつ多孔の高分子弾性体(B)からなる表面層とが、順に存在する研磨用吸着パッド素材。さらには、架橋剤がイソシアネート系架橋剤であることや、圧縮時の圧縮変形量が多孔層上部よりも多孔層下部において大きいこと、高分子弾性体(B)の100%伸張モジュラスが2〜5MPaであること、架橋剤がブロックイソシアネート系架橋剤であることが好ましい。また研磨用吸着パッド素材の製造方法は、基材上の高分子弾性体(A)からなる接着層上に、架橋剤を含有する高分子弾性体(B)からなる処理液を塗布し、湿式凝固することを特徴とする。さらには、架橋剤が末端封鎖されたものであり湿式凝固後に熱処理を行うことや、湿式凝固表面を熱プレス処理することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】バリア膜の研磨速度が高速であり、層間絶縁膜を高速に研磨でき、かつ、CMP研磨液中の砥粒の分散安定性が良好あるCMP研磨液と研磨方法を提供する。
【解決手段】媒体と、金属防食剤と、酸化金属溶解剤と、前記媒体に分散している砥粒としてシリカ粒子とを含み、pHが酸性領域にあるCMP研磨液であって、(A1)前記シリカ粒子のシラノール基密度が5.0個/nm以下であり、(B1)前記シリカ粒子を走査型電子顕微鏡により観察した画像から任意の20個を選択したときの二軸平均一次粒子径が25〜55nmであり、(C1)前記シリカ粒子の会合度が1.1以上であるCMP研磨液、およびこれを用いた研磨方法。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、スラリー漏れを防止することができ、かつ光学的検知精度に優れる研磨パッドを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の研磨パッドは、研磨領域、クッション層、及び支持フィルムがこの順に積層されており、研磨領域及びクッション層を貫く開口部内かつ支持フィルム上に光透過領域が設けられており、前記光透過領域は、研磨定盤側の表面に、周囲部とくぼみ部とを有しており、前記周囲部には支持フィルムが積層されており、前記くぼみ部には支持フィルムが積層されておらず開口していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】研磨布のドレッシング状態の変化によって生じる研磨速度の変化による研磨代のばらつきを抑制し、仕上がり厚さを高精度に制御できるシリコンウェーハの研磨方法及び研磨装置を提供する。
【解決手段】所定の研磨代となるように研磨時間を設定し、タンク内に貯蔵された研磨剤を研磨布に供給しながらシリコンウェーハを研磨布に摺接させて設定した研磨時間で研磨し、供給した研磨剤を前記タンク内に回収して循環させながらシリコンウェーハの研磨をバッチ式に繰り返すシリコンウェーハの研磨方法において、研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度を予めデータベースに記録しておく工程と、所定の研磨代となるように研磨時間を設定する際に、データベースに記録された研磨布をドレッシングした後のバッチ回数の増加に伴って変化する研磨速度に基づいて研磨時間を設定する工程とを有するシリコンウェーハの研磨方法。 (もっと読む)


【課題】同時に加工可能な光学素子の数を従来よりも増やすことができる光学素子加工用治具、光学素子加工装置、及び光学素子製造方法を提供する。
【解決手段】光学素子加工用治具10は、光学素子材料の表面を研磨又は研削する光学素子加工装置において用いられる光学素子加工用治具10であって、球面形状の表面に、光学素子材料の一部が配置される凹部11が複数設けられた形状をなす部材からなる。 (もっと読む)


【課題】研磨液中の遊離砥粒として酸化セリウムを用いずとも、酸化セリウムと同等の研磨効果が得られる研磨工程によって、光学材料からなる光学部品を低コストで高精度の表面性状に加工する製造方法を提供すること。
【解決手段】光学材料を、研磨液を用いて研磨する研磨工程を含む光学部品の製造方法であって、前記研磨液は、Zr及びSiを含む化合物からなる研磨砥粒を少なくとも含有し、前記研磨液中の研磨砥粒濃度が0.005wt%〜40wt%の範囲であることを特徴とする光学部品の製造方法。 (もっと読む)


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