【課題】ワーク切断に起因するマイクロクラックを抑制してウエハ割れや欠けを抑える。
【解決手段】ワーク切断後のウエハ割れ発生頻度を抑制するべく、ウエハ表面のマイクロクラック深さおよびワーク切断後のウエハ厚さのうちの少なくとも該マイクロクラック深さが設定制御されている。具体的には、ウエハ厚さを、１００μｍ以上１３０μｍ以下の半導体基板に薄板化し、マイクロクラック深さを０μｍ以上２μｍ以下に設定制御して、ウエハ割れ発生頻度を０．５パーセント以上１パーセント以下に設定制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス板の破損発生率を低減できるガラス板研磨装置の監視方法及び監視システムを提供する。
【解決手段】搬出部３６におけるガラス板Ｇの破損を低減させるために、実施の形態では、画像処理部３４で算出された実面積が基準面積となるように、液体塗布部１４でのグリセリンの塗布量を、グリセリン制御部４２によって制御する。すなわち、液体塗布部１４において塗布されたグリセリンによる吸着部分が、剥離部２２によって剥離された際に基準面積と略等しくなるように、グリセリンの塗布量をグリセリン制御部４２によって制御する。例えば、ガラス板Ｇの非研磨面の全てを吸着シート１２に吸着させるのではなく、吸着部分と非吸着部分を備えるとともに、前記吸着部分を所定のエリアに分割するように、グリセリン制御部４２によってグリセリンの塗布量を制御する。 （もっと読む）

【課題】被加工物に形成された２本のＶ溝から露出したアライメントマークを検出しアライメントマークを基準として加工予定ラインを設定する場合において、アライメントマークを効率よく検出できるようにする。
【解決手段】被加工物を撮像する撮像手段と、被加工物を回転可能に保持する保持テーブルと、被加工物を切削する切削ブレードを備える切削手段とを少なくとも備え、保持テーブルと切削手段とが相対的に切削送り方向に切削送りされるとともに、切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に割り出し送りされる切削装置において、撮像手段は、撮像素子が切削送り方向に一列に配列されたラインセンサであり、撮像手段と保持テーブルとを相対的に割り出し送りすることで被加工物の切削領域を検出する。割り出し送り方向に形成された２列の溝のアライメントマークを同時に検出することができるため、切削加工の生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】被加工物を１回で精度良く加工できるようにすること。
【解決手段】加工方法は、単位除去形状と被加工物との相対向きを変え、各相対向きの計算除去形状と目標除去形状の差分の内、最小の差分となる相対向きに回転研磨工具の回転軸と被加工物との相対位置を位置決めし、かつ滞留時間分布に従った、相対速度で被加工物を加工するようになっている。このため、本発明の加工方法は、１回の走査で、誤差の少ない加工が可能であるため、被加工面の高精度化と、繰返し加工する回数が減ることによる加工能率の向上が可能になる。 （もっと読む）

【課題】研磨の処理が終了したかどうかを決定する。
【解決手段】化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含む。スペクトルに基づく終点検出は、スペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】球体の加工品質を向上させるとともに、研磨加工効率を高めることができる球体研磨装置を提供する。
【解決手段】軸方向に圧力を加えながら回転盤体３を固定盤体２に対して回転させることにより球体を研磨加工する球体研磨装置１において、加工中の球体５の直径を測定する球径測定器６と、球径測定器６の測定値により球体５を研磨する研磨加工能率を制御するＰＬＣ７と、を備え、球径測定器６は、被測定球体５の姿勢を変更する姿勢変更機構６４を有し、ＰＬＣ７は、加工完了寸法を設定する設定手段７１と、測定値Ｄｍより平均直径を算出する加工能率演算部７２と、設定手段７１により設定された設定値及び平均直径に応じて加工能率の目標値を設定する加工能率演算部７２と、測定値Ｄｍと加工完了寸法とを比較して加工を停止させる加工能率演算部７２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
加工条件を決定するに際して、オペレータの入力作業を少なくし、基本的な加工条件の数値を入力することによって、自動演算により加工条件に適合する数値データを制御装置に自動的に設定できるようにする。
【解決手段】
複数のメインローラ６の間にワイヤ２を多重に巻き掛け、往復走行状態のワイヤ２にワーク１４を押し当てることによって、ワーク１４を所定の厚みの多数の板状体に切断し、ウェーハとして産出するワイヤソー１において、必要な加工条件を入力し、加工条件にもづいて複数の計算式から１サイクルでのワイヤ２の送り距離、戻り距離を演算し、入力した加工条件および計算により求めた送り距離および戻り距離を制御装置に自動的に設定する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの研磨を支援すること。
【解決手段】ウェハを研磨する研磨機構の特性を表す複数の物理量を式の要素とする統計モデルに基づいて研磨レートを推定し、その推定結果を用いてウェハの研磨処理を行うウェハ研磨装置２００における研磨部材の劣化の推定を行う研磨部材劣化推定部１６０と、研磨部材劣化推定部１６０が推定した研磨レートと、研磨部材の劣化の推定結果とに基づいて、研磨部材の交換を判定する研磨部材交換判定部１７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】研磨中のドレッシングによる研磨部材表面が削り取られる現象を考慮することのできる変形解析方法および変形解析装置を提供する。
【解決手段】多数の微小要素で表現されるモデルを用いてコンピュータによりあるスカラー値の拡散と、前記スカラー値に依存する膨張による変形とを解く解析手法であって、予め所定の時間における各節点の変形量を解析し、前記各節点の変形量を元の形状における節点から差し引いた形状を初期形状として変形解析することを特徴とする変形解析手法。 （もっと読む）

【課題】簡易な制御でありながら、精度よくフィレットローラの欠損を判定する。
【解決手段】逐次算出した所定時間あたりの電力変化量ΔＰｉを用いて電力変化量積算値ΔＰｊおよび電力変化量最大値ΔＰｍａｘｊを算出し（ステップＳ１０２〜Ｓ１０８，Ｓ１１４）、電力変化量積算値ΔＰｊと電力変化量最大値ΔＰｍａｘｊとを含む直近２０ケの電力変化量積算値ΔＰｊ−１９〜ΔＰｊおよび電力変化量最大値ΔＰｍａｘｊ−１９〜ΔＰｍａｘｊを用いて許容値範囲ΔＰｊｍａｖ±３σｓｊおよびΔＰｍａｘｊｍａｖ±３σｍｊを設定して（ステップＳ１１２〜Ｓ１１８）、電力変化量積算値ΔＰｊおよび電力変化量最大値ΔＰｍａｘｊが許容値範囲ΔＰｊｍａｖ±３σｓｊおよびΔＰｍａｘｊｍａｖ±３σｍｊの範囲内であるか否かによってフィレットローラＲが欠損しているか否かを判定する（ステップＳ１２０）。この結果、簡易な制御で欠損判定をすることができる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーにおけるワイヤの使用量を抑制できるインゴットの切断方法を提供すること。
【解決手段】インゴットを切断するワイヤソーを用いて、複数のインゴットを順次に切断するインゴットの切断方法であって、前記ワイヤソーのワイヤを一方向に送りつつ１つのインゴットを切断する工程と、この切断時における、前記ワイヤが前記１つのインゴットから離れたときのワイヤの送り位置を基準として、当該ワイヤを以下の数式（１）で示される距離Ｌだけ他方向に巻き戻す工程と、この巻き戻した状態のワイヤに次のインゴットを接触させ、前記ワイヤを一方向に送りつつ前記次のインゴットを切断する工程とを実施する。
０＜Ｌ＜Ｘａ＋Ｘｂ…（１）
数式（１）中、ワイヤ径減少領域Ｒ１の長さをＸａとし、ワイヤ径増加領域Ｒ３の長さをＸｂとする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる、研磨装置の提供。
【解決手段】毎回同じ目標板厚値Ａに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段として上定盤４０を備える、研磨装置であって、上定盤４０によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Ｔｃを測定するために上定盤４０のモーター駆動軸６１に対する相対位置を計測する接触式変位センサ６５と、上定盤４０によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Ｔと目標板厚値Ａとの仕上がり誤差に基づいて、接触式変位センサ６５の計測結果に基づいて得られた研磨中板厚値Ｔｃの板厚補正値Ｔｐを算出する制御部９０とを備え、上定盤４０は、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。 （もっと読む）

【課題】加工工程おける被加工製品の生産効率を向上させる。
【解決手段】加工装置制御システム１００は、研磨パッド、ドレッサなどの消耗部品の状態を表す物理量（累積使用時間など）から半導体ウェハＣＭＰ装置などの加工装置２００の装置性能（研磨レートなど）を予測する予測モデル、および、その予測モデルのパラメータを予測するメタ予測モデルを有する。モデル作成シミュレータ部１１０は、加工履歴データ記憶部１４０に蓄積されている加工履歴データと予め定めた所定の統計分布に従う乱数とを用いて、シミュレーションにより、そのメタ予測モデルのパラメータを定めるとともに、装置性能の予測モデルのパラメータを定め、そのパラメータを制御演算部１３０へ送信する。制御演算部１３０は、受信したパラメータによって定められる装置性能の予測モデルと前記消耗部品の状態を表す物理量の現在値とを用いて、加工装置２００に対する制御量を演算する。 （もっと読む）

【課題】作業負担を増加させることなく、上下の回転定盤によりキャリアに保持された半導体ウエハの両面を研磨する際の、研磨の進行状況を正確に推定できる半導体ウエハの研磨方法及び半導体ウエハ研磨装置を提供する。
【解決手段】上下の回転定盤２、３によりキャリア６ａに保持されたウエハＷを挟持し、該上下の回転定盤２、３を回転動作させることにより、ウエハＷの両面を同時研磨する研磨装置１を用いたウエハ研磨方法であって、ウエハＷの両面を同時研磨している際の、研磨装置１の定盤負荷電流値をモニタし、そのモニタした定盤負荷電流値を用いて一定時間内における定盤負荷電流値の標準偏差を基準時間毎に算出し、該算出した標準偏差の変化からウエハＷの研磨の進行度を推定する。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの寿命を正確に決定することができ、研磨パッドの交換頻度を少なくすることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】本研磨装置は、研磨テーブル１２を回転させるテーブル回転モータ７０と、トップリング２０を回転させるトップリング回転モータ７１と、研磨パッド２２をドレッシングするドレッサ５０と、研磨パッド２２の高さを測定するパッド高さ測定器６０と、研磨パッド２２の高さから研磨パッド２２の減耗量を算出し、研磨パッド２２の減耗量と、テーブル回転モータ７０のトルクまたは電流と、トップリング回転モータ７１のトルクまたは電流とに基づいて研磨パッド２２の寿命を決定する診断部４７とを備える。 （もっと読む）

【課題】可視光線を用いてシリコン層などの半導体層の研磨終点を正確に検知することができる研磨方法および研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨方法は、半導体層の研磨中に該半導体層に可視光を照射し、半導体層からの反射光を受光し、反射光の所定の波長範囲での強度を測定し、強度の測定値を所定の基準強度で割って相対反射率を算出し、相対反射率と反射光の波長との関係を示すスペクトルを生成し、スペクトルから、半導体層の厚さに従って変化する研磨指標を求め、研磨指標が所定のしきい値に達した時点に基づいて半導体層の研磨を終了する。 （もっと読む）

【課題】 ワークの全加工領域において均質な研削面を得ることのできる簡易な構成の研削装置を提供すること。
【解決手段】 回転駆動機構（モータ）により回転駆動される砥石（ホーニングヘッド）を、その回転軸に沿って往復移動させる往復移動機構（モータ）を備え、往復移動される砥石の転向点近傍における当該砥石の移動速度Ｖｈの変化に応じて砥石の回転速度Ｖθを減速制御する回転速度制御手段（制御ユニット）を備える。そして砥石の移動速度に見合う回転速度（周速度）まで減速制御し、移動速度がゼロになると回転速度もゼロすることで、砥石の往復移動速度と回転速度（周速度）との関係を完全同期させ、これによってクロスハッチ線の交差角をワークの全加工領域において一定化する。 （もっと読む）

【課題】ワークの厚みを目標仕上げ厚みに高精度に研磨すること。
【解決手段】ワークの露出した被研磨面からワークの厚みを測定し（ステップＳ１）、ワークの被研磨面の全面に研磨パッドを押し当てて所定時間ワークの被研磨面を研磨し（ステップＳ２）、被研磨面の一部が露出した状態でワークの露出した被研磨面からワークの厚みを測定し（ステップＳ３）、ステップＳ１の処理によって得られたワークの厚みとステップＳ３の処理によって得られたワークの厚みとによって研磨量を算出すると共に、ステップＳ１の処理における研磨時間に基づいて研磨の経過時間に対するワークの厚み変化を求め（ステップＳ４）、ステップＳ４の処理で求めた研磨の経過時間に対するワークの厚み変化と目標仕上げ厚みとに基づいて研磨時間を設定してワークの被研磨面の全面にステップＳ１と同等の圧力で研磨パッドを押し当ててワークの被研磨面を研磨する（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】回転ブラシの磨耗の程度を良好に検出して、回転ブラシとワークとの間隔を良好に自動的に調整し、表面処理作業の効率化を図る。
【解決手段】回転ブラシ１０，２０の回転によって空気流が発生すると、流速計１００で空気流の流速Ｖが検出される。演算部２１０は、外部メモリ２５０の流速−ブラシ径データ２５４を参照し、検出した流速Ｖに対応するブラシ直径Ｄを得る。演算部２１０では、得られたブラシ直径Ｄと、ブラシ初期位置Ｐと、ワーク厚さＷＴとから、ブラシ位置調整量ΔＰを演算する。このブラシ位置調整量ΔＰの値に基づいて、昇降機構１２，２２によって回転ブラシ１０，２０の位置調整が行なわれる。 （もっと読む）

【課題】サンプルに形成された薄膜の除去工程中に該薄膜に関する情報を、渦電流プローブを使用して実状態で取得する方法を開示する。
【解決手段】渦電流プローブに検出コイルを設ける。渦電流プローブの検出コイルに交流電圧を印加する。渦電流プルーブの検出コイルがサンプルの薄膜に近接したときには、該検出コイルで第１の信号を測定する。該検出コイルが、既知の組成を有しおよび／または該コイルから離れて設けられた基準部材に近接する位置にあるときには、該検出コイルで第２の信号を測定する。第１の信号に含まれる利得及び／又は位相の歪みを第２の信号に基づいて校正する。校正した第１の信号に基づいて薄膜の特性値を決定する。上述の方法を実行する装置を更に開示する。加えて、研磨剤でサンプルを研磨し、このサンプルを監視する化学機械研磨（ＣＭＰ）システムを開示する。このＣＭＰシステムは、研磨テーブルと、研磨テーブル上でサンプルを保持する構成であるサンプルキャリヤと、渦電流プローブとを含む。 （もっと読む）