【課題】優れた研磨レートで高い平坦性を維持することを実現するための研磨布及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】平均断面積４０〜４００μｍ²の極細繊維束を含む不織布と、不織布に含浸付与された架橋ポリウレタン弾性体とを含み、架橋ポリウレタン弾性体は、特定の研磨スラリーに対する質量膨潤率が０．２〜６質量％である、研磨布である。 （もっと読む）

【課題】研磨処理が完了したかどうかを決定する。
【解決手段】化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッド３０を含む。スペクトルに基づく終点検出は、スペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッド５３の頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板１０上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 （もっと読む）

【課題】研磨不良の発生を抑制した研磨装置を提供する。
【解決手段】この研磨装置は、下記のようなスラリー配管３００と、純水供給部３２０と、を備えている。スラリー配管３００は、鉛直下向きに延伸した出口部３０２と、出口部３０２から鉛直上向きに延伸した先で、鉛直下向きに屈曲する第１屈曲部３０４と、第１屈曲部３０４から鉛直下向きに延伸した先で、少なくとも水平よりも高い方向に屈曲する第２屈曲部３０６と、を備えている。また、純水供給部３２０は、スラリー配管３００の外部から、出口部３０２に向けて純水を供給する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法により、金属膜を研磨して、層間絶縁膜に設けられた開口部内に導体パターンを形成する際、リセス、ディッシング、及びエロージョンを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ法により、層間絶縁膜１４の上面よりも上方に形成された金属膜１９及びバリア膜１８を除去することで、開口部内に、バリア膜１８及び金属膜１９よりなる導体パターンを形成する研磨工程と、を有し、該研磨工程では、層間絶縁膜１４の上面が露出する前に、金属膜１９の研磨レートと層間絶縁膜１４の研磨レートとの差が小さい研磨条件を用いて研磨を行なうことで、導体パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】
従来、ガラス基板の精密研磨に適するジルコニア系研磨剤を開発することを目的とした。
【解決手段】
中和法、加水分解法等の湿式合成法で得られるジルコニア粉末は、微細な一次粒子が集合して二次凝集粒子を形成している。本発明者等は湿式合成ジルコニア粉末のガラス研磨能力を評価し、その粉末の一次・二次粒子形態を解析した。その結果、７０〜１５０ｎｍの一次粒子が集合して３００〜５００ｎｍになった二次凝集粒子がフラクタル次元１．００〜１．０５の範囲にある球近似形状をもつ粉末において、極めて高い研磨能力が得られることを見出した。好適な粉末はジルコニウム塩の加水分解法によって製造でき、ガラス基板等の精密研磨に使用できる。 （もっと読む）

【課題】スラリーが供される配管内や研磨装置内などに残留するスラリー残留物を確実に除去でき、かつ、フラッシング時間の短縮化を図れるスラリー循環装置を提供する。
【解決手段】スラリー循環装置３は、第１，第２供給タンク４１，４２と、第１，第２供給タンク４１，４２に貯留された液体を第１，第２ＣＭＰ装置２１，２２に供給する供給ライン４３と、第１，第２ＣＭＰ装置２１，２２に供給される液体の供給元を切り替える第１，第２循環弁４３６，４３７と、第１，第２ＣＭＰ装置２１，２２から排出される液体を第１，第２供給タンク４１，４２に回収する回収ライン６３と、液体の回収先を切り替えるセパレータ６４と、第１，第２供給タンク４１，４２に純水を補給する第１，第２ＤＩＷ補給部５３，５４と、第１，第２供給タンク４１，４２にアルカリ溶液を補給するアルカリ溶液補給部５５とを備える。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨装置において、コンディショニングディスクを駆動するアームおよび軸受け部を適切に管理できる方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドを担持したプラテンを回転させながら、前記研磨パッドの表面をコンディショニングディスクによりドレッシングする工程を含み、前記コンディショニングディスクを前記研磨パッドの表面に押圧し、さらに前記アームを前記アームの回転軸回りで回転運動させ、前記コンディショニングディスクの位置を、前記プラテンの径方向上に、前記プラテンの中心部と外周部との間で変化させることにより実行され、前記ドレッシングの際、前記アームに作用するトルクの平均値＜Ｎ＞および変動幅Ｙを、前記コンディショニングディスクの、前記プラテンの径方向上における複数の位置にわたって求め、前記トルクの平均値＜Ｎ＞および前記トルクの変動幅Ｙの値をもとに、前記アームに対するメンテナンスの要否を判定する。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶基板等の非酸化物単結晶基板を、高い研磨速度で研磨し、平滑で結晶の原子レベルにおいても表面性状に優れた高品質な表面を得る。
【解決手段】非酸化物単結晶基板を化学的機械的に研磨するための研磨剤であって、酸化還元電位が０．５Ｖ以上の遷移金属を含む酸化剤と、平均２次粒子径が０．５μｍ以下の酸化セリウム粒子と、分散媒とを含有することを特徴とする。本発明の研磨剤において、前記酸化剤は、過マンガン酸イオンであることが好ましい。また、研磨剤のｐＨは１１以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム酸化物（サファイア）や炭化シリコンSiCなどの難加工材料のラッピングやCMPにおける加工レートを向上させる。
【解決手段】本発明は、アルミニウム酸化物又は炭化シリコンの研磨に用いられる。この研磨剤は、アルカリ溶液に、フラーレン粒子と、シリカ粒子を混合して形成される。このアルカリ溶液は水酸化カリウムKOH水溶液であり、かつ、このKOH水溶液に水酸化フラーレンのフラーレン粒子を0.01wt％〜１wt％、シリカ粒子を１〜３０wt%の範囲で混合した。 （もっと読む）

【課題】無色透明硫化亜鉛の変色を生じさせそしてその性能を低下させる不純物を実質的に含まない向上した品質の多スペクトル無色透明硫化亜鉛を得る。
【解決手段】硫化亜鉛を保持するチャックをコーティングし、かつ硫化亜鉛をコーティングされていない粒子で機械加工することにより、金属汚染物質が低減された低散乱無色透明硫化亜鉛が製造される。不活性ホイルは酸クリーニング方法でクリーニングされ、また硫化亜鉛もクリーニングする。硫化亜鉛は不活性化ホイルに包まれ、次いでＨＩＰプロセスによって処理されて、低散乱無色透明硫化亜鉛を提供する。この低散乱無色透明硫化亜鉛は窓およびドームのような物品に使用されうる。 （もっと読む）

【課題】リテーナリングが摩耗した場合でも、リテーナリングを研磨パッドから離したウェーハの研磨中に、ウェーハがリテーナリングから飛び出すことを防止可能であり、かつ、リテーナリングの長寿命化を図れる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置の研磨ヘッド４は、ウェーハチャック４１と、リテーナリング４７を保持するリテーナ保持部材４２と、回転軸部材４３と、ウェーハチャック４１とリテーナ保持部材４２とにより第１加圧室Ｐ１を形成する第１ダイアフラム４８と、リテーナ保持部材４２と回転軸部材４３とにより第２加圧室Ｐ２を形成する第２ダイアフラム４９と、ウェーハチャック４１に対するリテーナ保持部材４２の最大上昇量を規定するメカストッパ４４と、当該最大上昇量を調整する上昇量調整手段４５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ外周部と内周の膜厚を均等に削れるような半導体ウェハ研磨装置、および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】図１に示すように、研磨パッド４と、研磨パッド４によって研磨される半導体ウェハ３を吸着するトップリング２と、トップリング２に吸着させた半導体ウェハ３を研磨中に固定保持するために設けられているガイドリング１と、を備え、トップリング２の外周部に、複数の穿孔１０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】研磨工程において、研磨パッドの平坦性を維持させる。
【解決手段】この研磨装置１０は、プラテン１００と、プラテン１００上に設けられた研磨パッド１２０と、研磨パッド１２０とプラテン１００とを固定する粘着層１６０と、を備えている。研磨パッド１２０には、研磨される基板２０が接する一面と反対側の裏面に、外周の端面まで延在する溝部１２２を備えている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の被加工物に対して研磨残りが発生するのを防止すること。
【解決手段】研磨装置は、その表面に研磨パッドが装着された定盤と、上記の研磨パッドに対向する側の面に吸着面２１Ｓを有するヘッド２０を備える。さらにヘッド２０は、真空吸着用の第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）と、各流路からそれぞれ吸着面２１Ｓまで通じる複数の吸着孔３３，３４とを有する。さらに研磨装置は、第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）を選択的に切り替えて有効にする流路切替手段４０，４１，４２を備える。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＰ用研磨パッドの表面状態を適正化し、低圧研磨プロセスにおいて、既存のＣＭＰ用研磨パッド及び研磨剤を用いて、研磨特性を維持しながら、安定して高い研磨速度を得られる半導体基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】 表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が７〜１１μｍであるＣＭＰ用研磨パッドに、３〜７ｋＰａの圧力で半導体基板を押し当て加圧し、この半導体基板上に形成された薄膜を化学機械的に研磨する半導体基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ装置において研磨中に摩擦によって発生する熱が研磨パッドから回転定盤に伝わるのを防止して、温度上昇に伴う研磨液と基板表面の化学作用の増進によって、研磨液の削減もしくは研磨レートの増大を可能にできる新規な構造のＣＭＰ装置を提供する。
【解決手段】断熱材で構成された回転定盤４上に、表面中央部分にＣＭＰ用研磨パッド１が固着されるパッド支持面が形成された補助板６を両面接着テープ７を介して載置することで、ＣＭＰ加工中に摩擦によって発生する熱がＣＭＰパッド１から前記回転定盤４に伝わることを防止する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に対する研磨速度を向上させることが可能なＣＭＰ研磨液を提供する。
【解決手段】本発明のＣＭＰ研磨液は、水及び砥粒を含み、砥粒が、第１の粒子を含むコアと、該コア上に設けられた第２の粒子と、を有する複合粒子を含有し、第１の粒子がシリカを含有し、第２の粒子が水酸化セリウムを含有し、ＣＭＰ研磨液のｐＨが９．５以下である。 （もっと読む）

【課題】高い除去速度で選択的に相変化物質の除去ができ、その一方でまた、総欠陥及びＴｅ残査欠陥の減少をもたらす、新規なケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）組成物を開発する。
【解決手段】初期成分として：水；砥粒；フタル酸、フタル酸無水物、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の少なくとも一種；キレート化剤；ポリ（アクリル酸−ｃｏ−マレイン酸）；及び酸化剤を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を使用する、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲナイド相変化合金（ＧＳＴ）を含む基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、ここで、該ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、低い欠陥性と共に高いＧＳＴ除去速度を促進する方法である。 （もっと読む）

【課題】 セルフアライン方式によるコンタクトプラグ形成のためのＣＭＰを１種類のスラリーで実施することができる半導体素子の製造コスト低減が可能なシリコン膜用ＣＭＰスラリーを提供する。
【解決手段】 水酸化テトラメチルアンモニウムと、グリシンと、砥粒と、水とを含むＣＭＰスラリーであって、水酸化テトラメチルアンモニウムを０．５質量％以上、グリシンを水酸化テトラメチルアンモニウムに対してモル比（グリシン／水酸化テトラメチルアンモニウム）で０．５〜４．０となる量を含むシリコン膜用ＣＭＰスラリー。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを下げることなく、研磨液の使用量を削減できるようにする。
【解決手段】研磨パッドの表面に研磨液を供給しながら、研磨パッドの表面に基板を摺接させて該基板を研磨する研磨方法において、研磨パッドの表面温度を制御することなく基板を研磨した時の研磨液供給流量と研磨レートとの関係、及び研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら基板を研磨した時の研磨液供給流量と研磨レートとの関係を予め求めておき、研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら基板を研磨した時の研磨レートの方が研磨パッドの表面温度を制御することなく基板を研磨した時の研磨レートよりも高くなるように、研磨パッドの表面温度を所定温度に制御しながら、高い研磨レートが得られるように、研磨パッドの表面に研磨液を継続的に供給する。 （もっと読む）