【課題】既設鋼構造物の鋼材に発生した亀裂にレーザ光を照射して亀裂を補修する。
【解決手段】既設鋼構造物１の鋼材３に発生した亀裂５の一端部５ａに形成された第一貫通孔２０から亀裂５の他端部５ｂまで、所定のスポット径のレーザ光１１を亀裂５に沿って照射し、亀裂５を溶融させて消去することで、既設鋼構造物の鋼材３に発生した亀裂５を容易且つ確実に補修することが出来る。 （もっと読む）

【課題】周期性の高い周期構造を形成すること。
【解決手段】本発明は、被加工物４０を連続発振レーザ光５２および５４に対し相対的に走査させた状態において、前記連続発振レーザ光５２および５４を、前記被加工物４０のアブレーションが生じるエネルギー密度以下のエネルギー密度で、前記被加工物４０の表面に照射することにより、前記被加工物４０の表面に周期的な凹凸構造５８を形成するステップを含む周期構造の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化が可能で、且つ複数波長の混合レーザ光から最短波長のレーザ光を高い波長純度で取り出す。
【解決手段】波長の異なる複数のレーザ光Ｌからその照射目的に応じて波長を選択して照射対象物Ｏｂに照射し得るようにしたレーザ照射装置であって、上記複数波長のレーザ光Ｌから成る混合光の光路上に、複数波長のレーザ光Ｌのうち、少なくとも最短波長のレーザ光の回折限界に相当する幅のスリット２と、このスリット２を通過したレーザ光を照射対象物Ｏｂ上に集光する対物レンズ４と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】被加工物に溶融凝固加工を施して加工生産物と成す際の、加工生産物の変形を推測する変形推測方法を提供すること。
【解決手段】この変形推測方法は、被加工物において、溶融凝固加工によって溶融凝固部が形成される溶融凝固部１４ａａ（形成領域）と、溶融凝固加工によって溶融凝固部１４ａａが形成されない非形成領域１４ａｂとを分離して認識する第一ステップと、溶融凝固部１４ａａは直交異方性を有するハニカムコア材によって形成されたものとする一方で、非形成領域１４ａｂは等方性を有する無垢材によって形成されたものと置換する第二ステップと、第二ステップにおいて置換したモデルによって、被加工物に溶融凝固加工を施した加工生産物の変形を算出する第三ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】焼戻しするときの溶接部の温度を高精度に制御可能な溶接方法及び溶接装置を提供する。
【解決手段】本発明の溶接方法は、母材を溶接する溶接処理と、溶接処理で溶接された溶接部の熱影響部の温度が焼戻しの温度範囲未満となった後に、溶接部に溶接処理とは別に溶接が施されていない段階で、熱影響部をレーザ照射によって焼戻しの温度範囲に加熱する加熱処理と、を有する。溶接処理された溶接部に加熱処理を施した後に、溶接部の上に溶接を施す第２溶接処理を有していてもよい。第２溶接処理は、溶接処理で溶接された溶接部の熱影響部が焼戻しの温度範囲内に加熱されるように行われる。 （もっと読む）

【課題】タービンエンジン構成要素などの高温基板内に冷却孔を組み込むための方法を提供すること。
【解決手段】高温基板６４に少なくとも１つの通路孔１００を形成するための方法が説明されている。所望の各通路孔または一群の通路孔のために、基板６４の外側面６２上に節点６０がレーザ固結工程によって最初に形成される。節点が、各通路孔１００用の事前に選択した入口領域として機能する。次いで、通路孔１００が、節点６０を貫通して基板６４内に形成されることができる。タービンエンジン構成要素など、関連する物品もまた説明されている。 （もっと読む）

【課題】半導体膜のパルスレーザ光を照射してアニールする際に、適正なパルスエネルギー密度を高くすることなく該パルスエネルギー密度のマージンを大きくすることを可能にする。
【解決手段】パルスレーザ光を出力するレーザ光源と、パルスレーザ光を整形して処理対象の半導体膜に導く光学系と、パルスレーザ光が照射される前記半導体膜を設置するステージとを有し、前記半導体膜に照射される前記パルスレーザ光が、パルスエネルギー密度で最大高さの１０％から最大高さに至るまでの立ち上がり時間が３５ｎ秒以下、最大高さから最大高さの１０％に至るまでの立ち下がり時間が８０ｎ秒以上であるものとすることで、結晶化などに適したパルスエネルギー密度を格別に大きくすることなく、そのマージン量を大きくして、良質なアニール処理をスループットを低下させることなく行う。 （もっと読む）

【課題】マークエッジ部分での光の散乱、反射を防ぐことにより、マークの視認性を低下させ、光学ガラス部材の光学特性に影響を与えないマークを形成する。
【解決手段】光学ガラス部材のマーク形成方法であって、ガラスプリフォームを用意することと、ガラス粒子を含む被膜を前記ガラスプリフォームの表面に形成することと、被膜の所定の領域にレーザ光を照射することで、ガラス粒子をガラスプリフォームの表面に融着させて融着膜を形成することと、融着膜が形成されたガラスプリフォームをプレスすることを含む光学ガラス部材のマーク形成方法が提供される。 （もっと読む）

【解決手段】 レーザ光Ｌを対象物に照射して、該対象物の一部を溶融させてバンプ４を形成するバンプ形成方法に関し、上記対象物が銅である場合には、上記レーザ光Ｌを、０．１〜１０ｍｓｅｃのパルス幅でパルス照射して、１パルスあたりのエネルギー密度を２０〜５０Ｊ／ｍｍ^２とする。
１回目のレーザ光Ｌの照射によって形成された溶融部分に、さらにレーザ光Ｌが照射されると、衝撃により溶融部分の中央がへこんで表面波振動が誘起され、その後溶融部分の外縁で反転した表面波が中央で衝突して上方に向けて隆起し、バンプ４として凝固する。
【効果】 バンプ４を高く形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】熱可塑性樹脂成形体およびガラス基材からなる複合体において、その接合強度を高める。
【解決手段】この複合体の製造方法には、熱可塑性樹脂成形体２とガラス基材３とを接触させる接触工程と、熱可塑性樹脂成形体２におけるガラス基材３との接触部２ａの温度が所定の温度になるようにガラス基材３を通じてレーザー光Ｂを照射して加熱する加熱工程とが含まれる。熱可塑性樹脂成形体２におけるガラス基材３との接触部２ａの温度をＴ１、熱可塑性樹脂成形体２を構成する熱可塑性樹脂の流動開始温度および分解開始温度をそれぞれＴ２、Ｔ３としたとき、加熱工程において、関係式（１）を満たすように制御する。これにより、熱可塑性樹脂の分解を防ぎつつ、熱可塑性樹脂成形体２とガラス基材３との接合強度を高めることができる。
（１）Ｔ２≦Ｔ１≦Ｔ３＋４００℃ （もっと読む）

本発明は半導体材料を照射するための装置に関し、本装置は、一次レーザービームを生成するレーザーと、光学系と、一次レーザービームを複数の二次レーザービームに成形するための複数の開口部を含む一次レーザービーム成形手段と、を含み、個々の開口部の形状および／またはサイズは照射対象半導体材料層の共通領域の形状および／またはサイズに対応し、光学系は、共通領域を照射するために二次レーザービームを重ね合わせるのに適合している、ことを特徴とする。さらに、本発明は、半導体デバイス製造におけるこのような装置の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を伝送する光ファイバの長さ方向に沿って配線した銅線などの断線検知線に通電し、この通電の遮断により光ファイバの断線を検知するにあたり、光ファイバが断線しても断線検知線が溶断するまで断線検知線が高温にならない場合であっても、光ファイバの断線を確実に検知すること。
【解決手段】温度ヒューズ４２を断線検知線４１に設けて、光ファイバ２２の断線部から外部に漏れ出すレーザ光の熱によって断線検知線４１が溶断しない程度にレーザ光の出力が低い場合であっても、温度ヒューズ４２において電流が遮断されるようにする。 （もっと読む）

【課題】ターボ機械構成部品上にパターンを形成し、圧縮機および／またはタービン・ブレードの有効表面積を増加させて空力特性を高める。
【解決手段】
ターボ機械（２）構成部品上にパターンを形成する方法が、ターボ機械（２）構成部品の選択された表面領域に材料を加えることを含み、材料は所定のパターンで配置される。本発明の別の態様によれば、ターボ機械構成部品は、外部表面を有するボディ部分を備え、パターンが外部表面上に形成される。パターンは、直接描画（ＤＷ）プロセスを通して外部表面に加えられる材料を含む。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウム合金からなる２つの金属構成部材（１２，１４）を溶接する方法（１０）であって、接合される前記金属構成部材（１２，１４）を、溶接領域（１８）で、レーザ光線（２０）によるエネルギー付与によって溶接シーム（２２）を形成しながら溶解する工程と、さらなるエネルギー付与により、前記溶接シーム（２２）をその表面（２８）の領域において部分的に溶解しながら、前記溶接シーム（２２）の表面（２２）を平滑化する工程と、を有する方法（１０）に関するものであり、前記さらなるエネルギー付与はデフォーカスされたレーザ光線（２０’）によって実行され、該レーザ光線の焦点は光線方向（２４）において前記溶接シーム（２２）の表面（２８）に至る前方または後方に位置決めされ、デフォーカスされた前記レーザ光線（２０’）と、該レーザ光線が衝突する前記２つの金属構成部材（１２，１４）の表面（２６，２８）の面垂線とが５度以上の角度をなす。本発明は、この方法により溶接された接合構成体にも関する。 （もっと読む）

ニオブ又はその合金をベースとする超伝導無線周波（ＳＣＲＦ）キャビティ（ＤＢ）は、最小のＨＡＺ、最小の歪み及び収縮と共に厚さの半分を超えて完全な深さまでの溶け込みを達成するためキャビティの壁の内側の面から溶接されたＳＣＲＦキャビティの中に少なくとも１つのレーザビーム溶接部品を含む。方法は、改善された溶接品質及び実質的に溶接欠陥のない表面仕上げを保証する。更に、ニオブ又はその合金をベースとする超伝導無線周波（ＳＣＲＦ）キャビティのレーザ溶接を容易にするように適応された溶接ノズルシステム（ＮＡ１ＮＢ）及び溶接リグ（ＣＦ）が開示される。本発明は、生産性を向上し、一貫した品質及び信頼性を保証し、最小のＨＡＺと共に溶接の溶け込みを向上し、可能な低減コストで溶接継ぎ目の仕上げを滑らかにすることに向けられる。
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【課題】平坦性を確保しつつ、結晶性の高い半導体膜を有する、ＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】分離により絶縁膜上に単結晶の半導体膜を形成した後、該半導体膜の表面に存在する自然酸化膜を除去し、半導体膜に対して第１のレーザ光の照射を行う。第１のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を７以上、より好ましくは１０以上１００以下とする。そして、第１のレーザ光の照射を行った後、半導体膜に対して第２のレーザ光の照射を行う。第２のレーザ光の照射は、希ガス雰囲気下、窒素雰囲気下または減圧雰囲気下にて、半導体膜の任意の一点におけるレーザ光のショット数を０より大きく２以下とする。 （もっと読む）

【課題】半導体膜への不純物の拡散を抑えつつ、歩留まりの低下を抑えることができるＳＯＩ基板の作製方法を提供することを、目的の一とする。
【解決手段】半導体基板の表面を熱酸化させることで、酸化膜が形成された半導体基板を形成する。そして、窒素原子を有するガス雰囲気下においてプラズマを発生させることにより、上記酸化膜の一部をプラズマ窒化させ、酸化膜上に窒素原子を含む絶縁膜が形成された半導体基板を得る。そして、窒素原子を含む絶縁膜とガラス基板を接合させた後、半導体基板を分離することで、ガラス基板上に窒素原子を含む絶縁膜、酸化膜、薄膜の半導体膜が順に積層されたＳＯＩ基板を形成する。 （もっと読む）

【課題】空胴の内周面を補修又は修整することのできる高周波加速空胴の製造方法を提供することにある。
【解決手段】赤道部２８とアイリス部２７とが設けられた複数の半セル２０を製造し、複数の半セル２０から超伝導高周波加速空胴１の空洞本体を組み立てるために電子ビーム溶接し、超伝導高周波加速空胴１の内側の溶接部Ｗ２をレーザ溶接して、電子ビーム溶接による裏波ビードを整形する超伝導高周波加速空胴１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】溶接施工時間を犠牲にすることなく、重ねすみ肉アーク溶接継手の疲労強度を向上させることのできる、薄鋼板の重ねすみ肉アーク溶接継手およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の溶接継手は、重ねすみ肉アーク溶接による溶接金属とは異なる溶融、凝固組織が隣接し、その最大深さが下板厚の２０〜５０％であり、その溶接ビード幅方向の幅が下板表面で下板厚の３０〜７０％であることを特徴とし、本発明の製造方法は、溶接継手の下板となる鋼板の表面上に、重ねすみ肉溶接ビードの止端部が形成される個所を想定し、予め当該箇所に、レーザ、プラズマアーク、ＴＩＧアークのいずれかの高エネルギー照射手段により、溶融、凝固部を形成した後、重ねすみ肉アーク溶接することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】機械的に丈夫で、電気的に確実にはんだ付け可能なコンタクト領域を形成する製造方法、および、この製造方法を用いてコンタクト領域を形成したソーラーセルを提供する。
【解決手段】基板１０はコンタクト側にアルミニウムまたはアルミニウム含有物からなる焼結された多孔性の層１２を備え、多孔性の層１２に固体レーザ２２からレーザビーム２４を照射し、多孔性の層１２を圧縮および／または除去することで、基板１０に、少なくとも１つの部分的なコンタクト領域２０を形成する。 （もっと読む）