【課題】平均熱膨張係数（２３〜１５０℃）が２〜６ｐｐｍ／Ｋの範囲に任意に調節可能で、ヤング率が高くかつ機械的強度が大きく、焼結性に優れる窒化珪素・メリライト複合焼結体、およびそれを用いた装置を提供する。
【解決手段】窒化珪素・メリライト複合焼結体は、窒化珪素及びメリライト（Ｍｅ_２Ｓｉ_３Ｏ_３Ｎ_４、Ｍｅは窒化珪素とメリライトを形成する金属元素）を含む複合焼結体であって、Ｓｉを、Ｓｉ_３Ｎ_４換算で４１〜８３モル％、Ｍｅを、酸化物換算で１３〜５０モル％、含有する。また、装置は、半導体検査用装置であって、そのような窒化珪素・メリライト複合焼結体を用いて構成される。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示し、圧電特性の良好な酸窒化物圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される正方晶ペロブスカイト型酸窒化物からなり、窒素原子がｃ軸方向に配向している酸窒化物圧電材料。
【化１】


（式中、Ａは２価の元素、ＢおよびＢ’は４価の元素を表す。ｘは０．３５以上０．６以下、ｙは０．３５以上０．６以下、ｚは０．３５以上０．６以下、δ１およびδ２は−０．２以上０．２以下の数値を表す。）前記ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれた少なくとも１種であり、ＢおよびＢ’はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】５７３°Ｋ〜８７３°Ｋの範囲で、ＭｏとＳｉの同時酸化が起こり、さらにＭｏ酸化物の蒸発減少が伴うという、ペスト（粉化現象）を効果的に防止できるＭｏＳｉ_２粉末、同粉末の製造方法、同粉末を用いた発熱体及び発熱体の製造方法の提供。
【解決手段】ＭｏＳｉ_２粉末を酸化性の酸又は酸化剤を含む酸で洗浄し、ＭｏＳｉ_２粉末の比表面積が０．２ｍ^２／ｇ以上であり、かつ表面に酸化皮膜を備え、また酸素含有量が２０００ｐｐｍ以上であるＭｏＳｉ_２粉末とし、さらに、該粉末を用いてペスト（粉化現象）を効果的に防止できるＭｏＳｉ_２粉末を主成分とする発熱体を得る。 （もっと読む）

本発明は、酸化ケイ素と、炭水化物を有する炭素源との高めた温度での反応による炭化ケイ素の製造方法、特に炭化ケイ素の製造のため又は炭化ケイ素を含有する組成物の製造のための工業的方法に関する。更に、本発明は、高純度の炭化ケイ素、これを含有する組成物、触媒としての使用並びに電極及び他の物品の製造の際の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】従来技術のＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料よりも優れた熱特性、強度特性等を発揮できるＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を製造する方法であって、（１）ＳｉＣ繊維表面に炭素、窒化ホウ素及び炭化ケイ素の少なくとも１種を含む被覆層が形成されてなる被覆ＳｉＣ繊維に対し、ＳｉＣ微粉末及び焼結助剤を含み、かつ、有機ケイ素高分子を含まないスラリーを含浸させることにより予備成形体を得る第１工程及び（２）前記予備成形体を加圧焼結させる第２工程を含むことを特徴とするＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料の製造方法に係る。 （もっと読む）

【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板、パワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】 β−Ｓｉ_３Ｎ_４及びβ−サイアロンのうち少なくとも１種の結晶粒子１と粒界相３とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子１内に、該結晶粒子１の他の部分４よりもＡｌ存在量が多いＡｌ多領域部５を有するとともに、該Ａｌ多領域部５が希土類元素を含有する被覆層６で覆われていることを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】酸素存在下で焼結が可能であって、焼結体の相対密度が高く、機械的強度の優れた六方晶系窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系窒化ホウ素とアルミノケイ酸塩とをあらかじめ混合粉砕して焼結用混合粉とし（混合粉砕工程）、該焼結用混合粉を圧力成形してプレ成形体とし（プレ成形工程）、プレ成形体を酸素が存在する雰囲気下において焼結する（焼結工程）。六方晶系窒化ホウ素からなる粉体粒子は、表面のみならず内部にも酸素が含まれている。 （もっと読む）

規則性メソ多孔質炭化ケイ素（ＯＭＳｉＣ）ナノ複合材料の調製方法には、フェノール樹脂、前加水分解したオルトケイ酸テトラエチル、界面活性剤、およびブタノールを含む前駆体組成物の蒸発誘起性の自己組織化を使用することが好ましい。前駆体混合物を乾燥し、架橋し、加熱して、中程度の大きさの細孔の規則的離散領域を有する規則性メソ多孔質炭化ケイ素材料を形成する。
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【課題】新規のＳｉＣセラミック材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は新規のＳｉＣセラミック材料とその製造方法に関する。本発明の炭化硅素（ＳｉＣ）材料は、炭化硅素（ＳｉＣ）セラミック材料であって、セラミック材料が炭化硅素粒子及び１又は複数の酸化物結合相から成り、炭化硅素がセラミック材料の全重量に基づき少なくとも７０重量％、好ましくは８０重量％、より好ましくは８０〜９５重量％の範囲で存在し、炭化硅素粒子の粒度分布が、ＳｉＣ細粒の少なくとも一部と非凝集ＳｉＣ大粒の少なくとも一部を含む少なくとも二峰性であることを特徴とするセラミック材料二峰性である。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化珪素結晶２を９３質量％以上含む窒化珪素質焼結体１であって、焼結体１の表面を含む断面研磨面をフッ酸水溶液によりエッチング処理を行った後の前記断面研磨面の組織写真において、焼結体１の空隙３について、表面領域Ａにおける空隙率が焼結体１の内部Ｂにおける空隙率よりも小さい窒化珪素質焼結体１である。 （もっと読む）

本発明は、多孔質セラミック材料から製造されたハニカムタイプの構造であって、その構造を構成する多孔質セラミック材料は４５〜９０質量％の炭化ケイ素ＳｉＣ、好ましくはα型のＳｉＣ、及び、１０〜５５質量％の実質的にチタン酸アルミニウムＡｌ_２ＴｉＯ_５の形態のセラミック酸化物相を少なくとも部分的に含み、その材料は、また、多孔度が１０％を超え、そしてメジアン孔サイズが５〜６０ミクロンであることを特徴とする、ハニカムタイプの構造に関する。 （もっと読む）

【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第３ａ族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ２ＧＨｚと３ＧＨｚにおける誘電損失が５×１０^−４以下であり、熱伝導率が５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上であり、気孔率が３％未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 微細な細孔をもつＳｉＣセラミックスを提供すること。
【解決手段】 本発明のＳｉＣセラミックスは、ＪＣＰＤＳカード番号で０４９−１４２８と規定された結晶相をもつＳｉＣよりなり、異なる粒径をもつＳｉＣ粒子よりなるＳｉＣ粉末と、ＳｉＣ粉末を構成するＳｉＣ粒子同士を結合し、ＳｉＣ粒子を構成するＳｉＣとは結晶相が異なるＳｉＣよりなる結合材と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、窒化ホウ素焼結体及び複合焼結体に緻密な表面層等を形成することにより、表面から発生するコンタミネーションを抑制することによって、クリーンな雰囲気が求められる条件下でも使用可能とする。
【解決手段】 相対密度が６５〜９０％の窒化ホウ素焼結体又は相対密度が６５〜９０％で窒化ホウ素を３０質量％以上含む複合焼結体に、セラミックス粉スラリーを３０〜３００ＭＰａで圧入し、焼成することを特徴とする成形体の製造方法。セラミックスラリーがリン酸アルミニウムのスラリーであり、６００〜１０００℃で焼成する成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 従来の方法により製造したハニカム構造体と同様の特性を有するハニカム構造体を製造することが可能なハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化ケイ素原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することにより多孔質炭化ケイ素焼結体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記炭化ケイ素原料組成物は、少なくともシリカ粉末とカーボン粉末及び／又は炭素源ポリマーとを含むことを特徴とするハニカム構造体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高負荷切削条件、高能率切削条件下でも、欠損が発生せずに安定した加工ができる長寿命の立方晶窒化硼素焼結体工具の提供を目的とする。
【解決手段】立方晶窒化硼素の平均粒径の５倍以上を基準長さＳとし、チャンファホーニング面の基準長さＳに含まれる立方晶窒化硼素の断面曲線の長さの合計をＬＣＣと表し、チャンファホーニング面の基準長さＳに含まれる結合相の断面曲線の長さの合計をＬＣＢと表し、ＬＣＢに対するＬＣＣの比をＰＣ（ＰＣ＝ＬＣＣ／ＬＣＢ）と表し、丸ホーニング面の基準長さＳに含まれる立方晶窒化硼素の断面曲線の長さの合計をＬＲＣと表し、丸ホーニング面の基準長さＳに含まれる結合相の断面曲線の長さの合計をＬＲＢと表し、ＬＲＢに対するＬＲＣの比をＰＲ（ＰＲ＝ＬＲＣ／ＬＲＢ）と表したとき、ＰＣに対するＰＲの比（ＰＲ／ＰＣ）は、１．２≦ＰＲ／ＰＣ≦８．０を満たす立方晶窒化硼素焼結体工具。 （もっと読む）

【課題】 耐熱衝撃性に優れたハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】 本発明のハニカム構造体１は、セラミックス粒子と、セラミックス粒子同士を結合する結合材と、を有する多孔質セラミックスよりなるハニカム構造体１であって、セラミックス粉末は、１０％粒径（Ｄ１０）と９０％粒径（Ｄ９０）との間隔が１０μｍ以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】気孔率を十分に低減し、十分な強度を有する新規な炭化ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】炭化珪素ー炭素成形体を形成し、該成形体に対して溶融シリコンを含浸させシリコン含浸炭化珪素ー炭素成形体を形成し、前記シリコン含浸炭化珪素ー炭素成形体を非酸化性雰囲気で焼結し、炭化ケイ素、シリコン、二酸化ケイ素の３相を含み、前記シリコンはネットワーク状に連続して存在するようにして炭化ケイ素複合材料を構成する。 （もっと読む）

【課題】銃弾，砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部２をセラミックスで構成し、受衝部２の裏面側に位置する基部３を受衝部２より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材１とすることにより、基部３には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面２ａで発生したクラックの進行は、基部３との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性、耐チッピング性を改善した窒化珪素質焼結体および切削工具ならびに切削加工装置、切削方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素質焼結体は、窒化珪素結晶粒子を主体とする結晶相と、前記窒化珪素結晶の粒界にある非結晶の粒界相とを具備する。粒界相は、ランタン、アルミニウム、マグネシウム、珪素及び酸素を含む。前記焼結体は、ランタンを酸化物換算量で０．１質量％以上、アルミニウムを酸化物換算量で０．０５〜０．６質量％、マグネシウムを酸化物換算量で０．３質量％以上、酸素を酸素量が２．５質量％以下含有する。ランタンの酸化物換算量、アルミニウムの酸化物換算量およびマグネシウムの酸化物換算量の合計が３．５質量％以下である。 （もっと読む）