【課題】摺動部に十分な潤滑液が回り込まない状況やドライ状況といった厳しい環境下においても、摩擦係数が高くなる不都合を抑制又は解消して、耐久性や信頼性に優れるＳｉＣ摺動材製のメカニカルシール用密封環を実現させる。
【解決手段】回転軸１と一体回転する回転側の密封環２と、ハウジング３に相対固定される静止側の密封環４と、回転側及び静止側の各密封環２，４の摺動面２ａ，４ａどうしを押付け合う弾性機構５とを有して成るメカニカルシールＭにおける回転密封環２又はその回転密封輪２を所定の規格寸法に加工して成る環状体の外周面２ｂから内周面２ｃに向けての単位時間当りの液体の浸透漏れ量Ｆが０．０１ｍｌ／２４ｈｒ≦Ｆ≦５００ｍｌ／１ｈｒの範囲で規定されるＳｉＣ摺動材製のメカニカルシール用密封環を得る。 （もっと読む）

【課題】高密度で耐久性が高い炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末及び非金属系焼結助剤を含む混合粉体を焼成するにあたり、前記混合粉体にケイ素を含むケイ素源を混合することを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法である。前記ケイ素源としては粉末状ケイ素粉体、特に粒径１μｍ以下の粉末状ケイ素粉体が望ましい。上記混合粉体をスラリー状で混合したのち造粒し、造粒粉を加圧しながら焼成することで、炭化ケイ素焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】顆粒痕の発生を確実に抑止し、微細構造においても均一な炭化ケイ素焼結体を製造する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の焼成前の炭化ケイ素前駆体を製造する炭化ケイ素前駆体の製造方法であって、粉砕された炭化ケイ素と非金属系焼結助剤とを多価アルコールに分散し混練することによりペースト状の炭化ケイ素前駆体を形成する工程と、ペースト状の炭化ケイ素前駆体を成形モールドに入れて焼成する工程とを有する。 （もっと読む）

本発明は、一般的に多孔性ハニカム基材に関し、さらに特には、繊維系材料を備える素材からなる多孔性ハニカム基材に関する。約１０容量％から約６０容量％のセラミックファイバーを有する多孔性ハニカム基材は、様々な複合材料に製造される。ファイバー材料は、粒子系材料に混合されて、多孔性マトリックス形状の複合構造を反応形成する。多孔性ハニカム基材は、ファイバー複合材料から生成した細孔のオープンポアネットワークを表し、フィルタ及び化学プロセスの触媒ホストのような様々な用途のために、高い透過性を提供する。
（もっと読む）

【課題】コンパクトでありながら高い熱交換機能を有し、製造も容易な積層内部熱交換型反応器を提供する。
【解決手段】紙製の平板と波板とが積層され波板の山部と平板との間に往路を有する流入側ユニットと、波板の谷部と平板との間に復路を有する流出側ユニットと、が交互に積層されてなる積層前駆体から積層前駆体と同一形状の炭化ケイ素質の積層体を形成し、積層体を流入口と流出口をもつケーシングに封入する。流入口から往路に流入した流体は、積層体とケーシングとの間に形成された連通空間に入り、連通空間から復路を流れる。連通空間又は積層体には発熱手段が形成され、流体は発熱手段で加熱されて流出口から流出される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長に使用可能なヒータの製造方法を提供する。
【解決手段】ヒータは、通電により発熱する発熱体を備える。発熱体は、所定の形状と電気比抵抗を有するＳｉＣ焼結体１を得た後、ＳｉＣ焼結体１の表面を複数層のＳｉＣ薄膜２〜５で被覆することにより得られる。複数層のＳｉＣ薄膜２〜５は、それぞれ異なる成膜温度で形成され、外側の層ほど高い成膜温度である。各成膜温度は、１４００℃±５０℃、１６００℃±５０℃、１８００℃±５０℃、２０００℃±５０℃とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性が高く、摩擦撹拌接合の回転工具のプローブに好適に利用することができる焼結体と、この焼結体を用いた回転工具を提供する。
【解決手段】軸部１０と、軸部１０よりも細径で、軸部１０の先端に設けられるプローブ１２とを備え、摩擦撹拌接合に利用される回転工具１である。この回転工具１の少なくともプローブ１２の部分は、第１相と第２相と不可避的不純物とからなる焼結体である。第１相は、窒化珪素またはサイアロンからなる。第２相は、Ｂ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｓｉから選択される元素の窒化物、炭化物、酸化物、および炭窒化物あるいはこれらの固溶体であり、かつ、窒化珪素およびサイアロンではない材料からなる。また、第１相と第２相の合計体積に占める第１相の体積割合は、５０〜９０％である。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、フィルタに適した大きさの気孔を形成できると共に、比抵抗値を広い範囲内の任意の値に、容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、窒化珪素粉末と平均粒子径１０μｍ〜５０μｍの炭素質物質とからなり珪素と炭素のモル比が０．５〜１．５の炭化珪素生成原料、及び、骨材としての炭化珪素粉末を６０質量％〜９５質量％含む混合原料を成形する成形工程と、成形工程で得られた成形体を、窒素ガスの濃度が５体積％以上１００体積％以下である非酸化性ガス雰囲気下で、２０００℃〜２３５０℃の温度で一度のみ焼成する焼成工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の放熱部材に適した複合部材、その製造方法、放熱部材、半導体装置を提供する。
【解決手段】この複合部材は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCといった非金属無機材料とが複合されたものであり、上記SiCを70体積％超含有し、熱膨張係数が4ppm/K以上8ppm/K以下であり、熱伝導率が180W/m・K以上である。この複合部材は、半導体素子との熱膨張係数の整合性に優れる上に、放熱性にも優れるため、半導体素子の放熱部材に好適に利用できる。上記非金属無機材料は、上記非金属無機材料同士を結合するネットワーク部を有する焼結体などの成形体を利用することで、複合部材中の非金属無機材料の含有量を容易に高められる上に、複合部材中に上記ネットワーク部が存在することで熱特性に優れる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、任意の形状を有する高耐熱性及び高強度の炭化ケイ素成形品を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素成形品の製造方法であって、
（１）炭化ケイ素粉末及び炭化ケイ素系繊維を含むプリプレグシートを黒鉛型に被覆したものを熱間等方加圧処理（ＨＩＰ処理）する工程、及び
（２）得られたＨＩＰ処理物を、酸素を含む雰囲気下で４００℃以上１３００℃未満の温度で加熱処理して黒鉛型を除去する工程、
を含むことを特徴とする製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の放熱部材に適した複合部材、その製造方法、放熱部材、半導体装置を提供する。
【解決手段】この複合部材は、マグネシウム又はマグネシウム合金とSiCといった非金属無機材料とが複合されたものであり、ＳｉＣ粉末成形体を形成し、前記成形体を焼結して、ＳｉＣ同士を結合するネットワーク部を有するＳｉＣ集合体を形成し、鋳型に収納された前記ＳｉＣ集合体に溶融したマグネシウム又はマグネシウム合金を大気圧以下の雰囲気で含浸させることによる、ＳｉＣ５０体積％以上含有する複合部材。 （もっと読む）

【課題】メタルベイン等の欠陥のないＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を提供する
【解決手段】ＳｉＣ粉末と、該ＳｉＣ粉末間を相互に結合する熱硬化性樹脂とからなる三次元骨格構造を備え、開気孔率が２〜２５％である多孔質ＳｉＣ成形体。細孔径１〜３０μｍの細孔が全細孔の７０％以上であり、閉気孔率が５％以下である。この多孔質ＳｉＣ成形体を非酸化雰囲気中で脱脂して得られたプリフォ−ムに、Ｓｉを浸透させることによりＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を得る。 （もっと読む）

【課題】チタン、炭化ケイ素、炭素混合粉末の常圧焼結によるチタンシリコンカーバイドセラミックス部材の合成において、部材の高さ方向（鉛直方向）に成分偏析が生じる問題を解決し、安価な大量生産技術を提供する。
【解決手段】チタンシリコンカーバイド（Ｔｉ_３ＳｉＣ_２）の化学量論組成に相当するチタン、炭化ケイ素、炭素の混合粉末に、液相生成成分としてケイ素などチタンと共晶反応がある元素、アルミニウムなど低融点で、チタンシリコンカーバイドのケイ素のサイトを置換できる元素を添加することにより、混合粉末の圧縮成形体を常圧焼結して合成する。 （もっと読む）

【課題】摩擦撹拌接合のプローブに適した回転工具を提供する。
【解決手段】この回転工具は、摩擦撹拌接合のプローブに用いられるものであり、WCを主成分とし、残部がSiC及び不純物から構成される焼結体からなる。この焼結体の熱伝導率が130W/m・K以下である。SiCを含有していながらも熱伝導率が低いことで、この回転工具により摩擦撹拌接合を行った場合、接合対象に摩擦熱を十分に伝えて、接合対象の構成材料を十分に塑性流動させて良好に接合できる。この回転工具は、WC-SiC系焼結体により構成されることで、ヤング率が高く剛性に優れる上に、硬度が高く耐摩耗性に優れるため、長期に亘り上記良好な接合を安定して提供することができると期待される。 （もっと読む）

【課題】炭化ホウ素セラミックスが本来有する高い比剛性を著しく損なうことなく、構造材料とした場合の課題であった破壊靱性値を改善し、比較的高強度化を維持でき、高速で可動する用途に使用した場合の信頼性をも満足できる炭化ホウ素系セラミックスの提供。
【解決手段】室温での曲げ強度が２００ＭＰａ以上、破壊靱性値が２．５ＭＰａ・ｍ^0.5以上であり、かつ、比剛性が１５０乃至１８０ＧＰａ・ｃｍ³／ｇである炭化ホウ素−炭化ケイ素複合セラミックスであって、少なくとも、炭化ホウ素の含有量が５０質量％よりも多く、炭化ケイ素の含有量が５０質量％未満であり、遊離炭素及びその他の成分の合計含有量が３質量％以下であり、該その他の成分のうちの１つであるアルミニウムの含有量が１質量％以下である組成を有し、かつ、セラミックス中の粒子サイズの平均粒径が２０μｍ以下である炭化ホウ素−炭化ケイ素複合セラミックス及び、その製造方法。 （もっと読む）

【課題】多孔質セラミックスを提供する。
【解決手段】粉粒子状の炭化ケイ素に適切な比例によって、樹脂を添加した上、溶剤を添加して混合し均一に攪拌する。樹脂は混練プロセスにおいて、粉粒子状の炭化ケイ素の表面を覆って、膠質物を形成し、この膠質物を押出成形加工によって成形し、炭化ケイ素の溶融温度によって、この固形物に焼結を行い、炭化ケイ素の溶融温度が樹脂よりはるかに高いため、樹脂が完全に燃焼し、炭化ケイ素の間に空孔を形成して、多孔質セラミックスを形成する。さらに、樹脂の添加比率と空孔の大きさと単位面積の空孔数を改変することによって、多孔質セラミックスの熱伝導と放熱の最適条件を調製できる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素質のＤＰＦを少ない工数で製造でき、かつ気孔率や細孔分布の制御も容易とする。
【解決手段】紙製の平板と波板とを交互に積層してハニカム形状とし、炭素源とシリコン粉末を含むスラリーを含浸し、非酸化性雰囲気で焼成することで、炭素質ハニカム体を経て炭化ケイ素質ハニカム体を形成する。平板と波板は多孔質であり形成された炭化ケイ素質ハニカム体のセル隔壁も多孔質となる。そして両端をそれぞれ市松状に目詰めすることで、波板の形状効果によって濾過面積の大きなＤＰＦとすることができる。 （もっと読む）

炭化ホウ素焼結体の形成方法には、本質的に純粋な水を用いて高温で炭化ホウ素粉末を洗浄して低酸素炭化ホウ素粉末を生成するステップと；低酸素炭化ホウ素粉末と焼結助剤および加圧助剤とを混合してグリーン混合物を形成するステップと；グリーン混合物をグリーン体に整形するステップとが含まれる。この方法には、約５ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲内の平均粒径を有する炭化チタン粉末と、低酸素炭化ホウ素粉末とを混合するステップを含むことができる。この方法はさらに、炭化ホウ素グリーン体を焼結させるステップと；炭化ホウ素の理論密度（ＴＤ）の約９８．５％超の密度まで焼結体を熱間等方圧加圧成形するステップとを含むことができる。あるいは、この方法は、整形された炭化ホウ素グリーン体を約２２００℃超の温度で焼結させてＢ４Ｃ／ＳｉＣの共晶液体固溶体を形成し、約９８％ＴＤ超の密度を有する炭化ホウ素焼結体を形成するステップを含むことができる。
（もっと読む）

炭化ケイ素と黒鉛とを含む多孔質の炭化ケイ素焼結体およびその製造方法が記載される。多孔質の炭化ケイ素体はシールであることができる。多孔質の炭化ケイ素焼結体は、約１容量％〜約５容量％の範囲の気孔率を構成する、約２０μｍ〜約４０μｍの範囲の平均孔径で細孔を画定する。
（もっと読む）

炭化ケイ素焼結体の形成方法は、約３重量％未満の酸素含有率を有し、約８ｍ^２／ｇ〜約１５ｍ^２／ｇの範囲の表面積を有する炭化ケイ素粉末を、炭化ホウ素粉末および炭素焼結助剤と混合して炭化ケイ素素地を形成する工程を含む。あるいは、炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素粉末を、約５ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲の平均粒径を有する炭化チタン粉末とおよび炭素焼結助剤と混合して炭化ケイ素素地を形成する工程を含む。別の代替手段においては、炭化ケイ素焼結体の形成方法は、炭化ケイ素粉末を、炭化ホウ素粉末、炭化チタン粉末、および炭素焼結助剤と混合して炭化ケイ素素地を形成する工程を含む。焼結後に、炭化ケイ素体は、炭化ケイ素の理論密度の少なくとも９８％の密度を有する。
（もっと読む）