説明

Fターム[4G001BA22]の内容

セラミック製品 (17,109) | 原料組成 (4,418) | 炭化物 (681) | SiC (352)

Fターム[4G001BA22]に分類される特許

61 - 80 / 352


【課題】炭化ケイ素焼結体のポアを無くし、高い耐プラズマ性を有する炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素を含む炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、炭化ケイ素を含む混合粉体を形成する工程と、混合粉体を所定の形状に成形し焼成する工程と、炭化ケイ素と同一純度を有する炭化ケイ素をターゲットとして用いて、焼成された炭化ケイ素焼結体の表面に炭化ケイ素膜をスパッタリング法により形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素焼結体を、液相を形成せずに、低温で焼結する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末に、炭素源として炭素または炭化することが可能な物質を炭素換算量で1wt%から10wt%、及びホウ素源としてホウ素またはホウ素化合物をホウ素換算量で0.1wt%−5wt%混合した混合物を準備し、この混合物に対して1800℃以上でマイクロ波焼結を行う。これにより、このような低温焼結にも変わらず、例えば図に示すような、緻密でかつ異常粒成長が抑制された炭化ケイ素粉末の焼結体を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】CVD法によって製造された炭化ケイ素焼結体と同レベルの耐食性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、不活性雰囲気下において、エチルシリケートとフェノール樹脂とを含む混合物を焼成し、炭化ケイ素粉体を生成する過程で生成され、ケイ素単体と一酸化ケイ素とを含むケイ素源の粉体を抽出する工程と、炭化ケイ素焼結体の表面に前記ケイ素源を蒸着させる蒸着工程を有する。 (もっと読む)


【課題】十分に高密度で一様な構造を有し超高圧容器なしで製造できるダイヤモンド含有超硬質複合材料を提供する。
【解決手段】炭化物、窒化物等の硬質粉末、0〜10重量%鉄族金属と平均粒径10〜1000μmのダイヤモンド粒子とを混合し、この混合物を0〜200MPaの範囲の加圧下、通電加熱により、900℃以上での加熱速度を100〜10000℃/分とし、1900℃を超えない温度で30秒未満保持し焼結し相対密度85%以上を有する超硬質複合材料を得る。 (もっと読む)


【課題】 凝集性を改良した炭化ケイ素微粉を提供する。
【解決手段】 炭化ケイ素粗粉体に、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子を加えてなる炭化ケイ素微粉であって、そのBET比表面積比(=金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子のBET比表面積/炭化ケイ素粗粉体のBET比表面積)が20〜80で、且つ、金属酸化物微粒子または炭化ケイ素微粒子の含有量が1〜10%であることを特徴とする。前記炭化ケイ素粗粉体のBET比表面積が1〜10m/gであること、前記金属酸化物が、ケイ素、アルミニウム、チタンの酸化物の少なくとも1種からなること、が好ましい。 (もっと読む)


【課題】流体の温度を安定的にかつ短時間に上昇させることができる流体昇温用フィルターおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンおよび炭化ケイ素を含有しており、マイクロ波によって加熱されて用いられる。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素焼結体の耐酸化性を向上させることにより、炭化ケイ素焼結体の再利用性を高める。
【解決手段】窒化アルミニウムを含有する原料物質と、炭化ケイ素を含む原料物質と、焼結助剤としてイットリアとフェノール樹脂とを混合する工程と、混合して得られた混合体の粉体をホットプレスにより焼成する工程とを有し、混合物中における炭化ケイ素と窒化アルミニウムとの比が90/10〜50/50である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、複数のハニカムユニットに安定して通電すると共に、高容量バッテリーから端子を経て電極間に電圧を印加しても断線及び接触抵抗による発熱を抑制することが可能なハニカム構造体及び該ハニカム構造体を有する排ガス浄化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ハニカム構造体10は、複数の貫通孔が長手方向に並設されていると共に、導電性セラミックスを含むハニカムユニット11が接着層12を介して4個接着されており、ハニカムユニット11の外周面には、一対の帯状電極13が形成されており、4個の一対の帯状電極13と電気的に接続されている一対の導電部材14が設置されている。 (もっと読む)


【課題】炭化ケイ素焼結体の耐酸化性を向上させることにより、炭化ケイ素焼結体の再利用性を高める。
【解決手段】炭化ケイ素粉末及び炭素源としてフェノール樹脂を含むスラリー溶液を調製する工程と、スプレードライヤー法を用いて、スラリー溶液から炭化ケイ素顆粒を得る工程と、炭化ケイ素顆粒から形成された成形体をホットプレス法を用いて焼結する工程とを含む炭化ケイ素焼結体の製造方法であって、スラリー溶液にフェノール樹脂の沸点よりも高い沸点を有する可塑剤としてグリセリンを添加する。 (もっと読む)


【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、1000℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Cu、Ag、Au、Al等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、(a)ガーナイト結晶相および/またはスピネル結晶相、(b)アスペクト比が3以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び(c)AlN、Si、SiC、Al、ZrO、3Al・2SiO及びMgSiOの群から選ばれる少なくとも1種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が0.3%以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透光性と耐プラズマ性とを併せ持つセラミックス材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムと炭化ケイ素との比が少なくとも75:25であり、焼結助剤としてイットリアとフェノール樹脂とを使用して作製されるセラミックス材料は、透光性を有する。 (もっと読む)


【課題】高充填率であっても加工コストを抑えられるSiC/Si複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】SiC粉末及び有機バインダーを含む混合物を準備する行程と、前記混合物を成形してプリフォームとする成形工程と、前記プリフォームを所定雰囲気で脱脂する脱脂工程と、脱脂した後の前記プリフォームに加工を施す加工工程と、Siを浸透させる浸透工程と、を含むSiC/Si複合材料の製造方法。前記有機バインダーの添加量は、前記SiC粉末をタップした際にできる空隙の容積の25〜100体積%に調整する。 (もっと読む)


【課題】隔壁の細孔内に多量の触媒を担持することが可能なハニカム構造体、および、多量の触媒を担持しかつ圧力損失が低い隔壁を有するハニカム触媒体を提供する。
【解決手段】多孔質の隔壁3によって区画形成された流体の流路となる複数のセル5を有し、隔壁3は、気孔率60〜75%、平均細孔径15〜60μm、および厚さ0.05〜0.51μmであり、セル5の密度が15〜31(セル/cm)であるハニカム構造体1、および、前記ハニカム構造体1の隔壁3の細孔11内に触媒21bを担持させたハニカム触媒体30。 (もっと読む)


【課題】高昇温性能及び高熱容量のいずれをも同時に満足させ、ディーゼルエンジン等から排出される排ガスを効率良く浄化することが可能なハニカム構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】隔壁1は、第1の厚さを有する第1隔壁1aと、第1の厚さと厚さが異なる第2の厚さを有する第2隔壁1bによって構成されている。そして、第1隔壁1aによって構成された第1領域3aと、第2隔壁1bによって構成された第2領域3bとの間に、第1の厚さと第2の厚さの間の厚さを有する中間隔壁1cが1〜3列形成され、第1隔壁1aと第2隔壁1bとが交差することがなく形成されている。また、セルの連通方向に垂直な断面における、第1領域3aを形成する境界線の境界線間距離の最小距離と、第2領域3bを形成する境界線の境界線間距離の最小距離22とがそれぞれ6〜40mmである。 (もっと読む)


【課題】接合強度が大きく、且つセラミックス材料と金属材料とを簡便に接合することが可能なセラミックス−金属接合体を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス−金属接合体100は、骨材としての炭化珪素粒子、及び炭化珪素粒子を結合させる結合材としての珪素を含有する多孔質のセラミックス材料からなるセラミックス部材31と、金属部材32とが、ろう材33を介して接合されたものであり、セラミックス部材31を構成するセラミックス材料が、セラミックス材料100質量%に対して、結合材としての珪素を、30〜80質量%含有するものである。 (もっと読む)


【課題】靭性および強度等の機械特性に優れる炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、成形し、炭素化処理してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、X線回折法による、前記炭素繊維の炭素002面の面間隔d002が、3.46〜3.51である炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、伸縮性やドレープ性に優れ、高強度、高弾性率で、かつ複雑な形状を有する型に追随できる炭素繊維構造物、及び、衝撃強度、耐摩耗性、耐熱性、軽量性に優れ、厚肉成形品を得るのに適した炭素繊維強化炭化ケイ素複合材料(C/SiC複合材料)を提供することを目的とする。
【解決手段】
炭素繊維強化炭化ケイ素系複合材料において、炭化ケイ素系材料の強化用炭素繊維構造物が、丸編みされてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】従来よりも高強度な炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクを提供する。
【解決手段】炭素繊維と、樹脂とを混合後、焼成成形してなる焼成体にシリコンを溶融含浸して得られる炭素繊維複合材であって、X線回折法による、前記炭素繊維の炭素002面の面間隔d002が、3.36〜3.43であることを特徴とする炭素繊維複合材、及びこの炭素繊維複合材を用いたブレーキ用部材、半導体用構造部材、耐熱性パネル、ヒートシンクである。炭素繊維はピッチ由来の前駆体から焼成して得られた炭素繊維であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】熱応力による割れを抑制することができる炭化ケイ素セラミックス、および、該炭化ケイ素セラミックスを用いた半導体プロセス用治具を提供する。
【解決手段】本発明による炭化ケイ素セラミックスは、炭化ケイ素の純度が99.9999重量%以上で、かつ、密度が2.0〜3.0g/cmである。また、本発明による半導体プロセス用治具は前記炭化ケイ素セラミックスからなる。 (もっと読む)


【課題】元来の出発原料を用いた場合と同程度の熱伝導率、強度、気孔率等の特性を有するとともに、歩留まりの向上とコスト削減が可能である炭化珪素ハニカム構造体の製造方法及び炭化珪素ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】炭化珪素質ハニカム構造体の製造過程で発生した当該ハニカム構造体の出発原料に由来する回収物から再生された再生原料を、出発原料の一部として用いたハニカム構造体の製造方法であって、再生原料が、出発原料を焼成した後の工程における前記炭素珪素ハニカム構造体を構成する材料から回収されるものである。そして、その再生原料の平均粒子径を5〜100μmとした後に、出発原料の一部として出発原料全体に占める割合が50質量%以下となるように添加し、これを用いて炭化珪素ハニカム構造体を製造する。 (もっと読む)


61 - 80 / 352