【課題】従来に比べて容易に電気抵抗率の温度変化依存性を抑制することが可能なハニカム構造体を提供する。
【解決手段】本発明では、セル壁によって区画された柱状のハニカムユニットを含んで構成されたハニカム構造体であって、前記ハニカムユニットのセル壁および／または外周壁に一対の電極が配置されており、前記ハニカムユニットのセル壁は、セラミック製の骨材および該骨材によって構成された気孔からなるとともに、前記セル壁には、前記骨材を構成するセラミックよりも電気抵抗率が低い物質が含まれていることを特徴とするハニカム構造体が提供される。 （もっと読む）

【課題】緻密かつ高比剛性でありながら更に加工性に優れた炭化ホウ素セラミックス材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素粉末と、焼結助剤としてケイ素の酸化物、窒化物、酸窒化物、アルミニウムの酸化物、窒化物、酸窒化物、アルミニウムとケイ素の複合酸化物、複合窒化物、複合酸窒化物の中からＳｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎを全て含むように選択した１種または複数種とを準備し、これらの原料を混合、成形後、焼成することで、炭化ホウ素を９０〜９９．５質量％含有し、結晶粒界に少なくともケイ素、アルミニウム、酸素、窒素が共存している高剛性セラミックス材料を得る。 （もっと読む）

【課題】 色ムラの発生が無く、加工性、強度、耐熱性の良好なＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を提供する。
【解決手段】
窒化硼素１０〜４０質量％、炭化珪素５８〜８８質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５〜３質量％未満の相対密度９７％以上、曲げ強さ３００ＭＰa以上、Ａｒガス中の２０００℃で１０時間加熱後の質量減少率が０．６質量％以下であるＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体。
比表面積１０ｍ^２／ｇ以上で酸素含有量が１８．５×（混合粉末中のＢＮ質量％）^{−０．６５７}以下の窒化硼素が１０〜４０質量％、比表面積７ｍ^２／ｇ以上の炭化珪素が５８〜８８質量％、炭化硼素又は炭化硼素と炭素が０．５質量％以上３質量％未満の混合粉末であり、酸素量が１．２０質量％以下、比表面積が８〜４５ｍ^２／ｇの混合粉末を非酸化性雰囲気で圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１８５０〜２１５０℃、保持時間１〜６時間のホットプレス焼結するＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 常圧焼結方法により、割れや欠け等を生じさせずに焼結させることができ、生産性を向上させるチタンシリコンカーバイドの製造方法を提供する。
【解決手段】 チタンシリコンカーバイドの製造に使用する原料粉末を構成するTi粉末の一部をTi繊維に置換したチタン繊維混合粉末を調製する工程と、前記チタン繊維混合粉末を加圧してチタン繊維を含有する圧粉体を形成する工程と、前記圧粉体を常圧下において加熱して焼結させる工程とを備え、前記チタン繊維混合粉末を調製する工程においては、Ti成分と、Si成分と、C成分とがチタンシリコンカーバイドのTiとSiとCのモル比に一致するように、Ti繊維と各粉末の分量比を設定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 部分的な強度の偏りが抑えられた炭化ケイ素質ハニカム体を得ること。
【解決手段】 本発明の炭化ケイ素質ハニカム体は、炭化ケイ素よりなり、軸方向にのびる複数のセルが区画された炭化ケイ素質ハニカム体において、炭化ケイ素質ハニカム体を形成する炭化ケイ素粒子の表面に、酸化被膜が均一に形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス部材と金属部材とを、ろう付けによって高い導電性を確保した状態で接合するセラミックス−金属接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス−金属接合体の製造方法は、導電性を有するセラミックス材料からなるセラミックス部材１３１の接合面１３１ａに、還元性を有する還元剤１３４を塗工して上記接合面１３１ａにおける酸化膜を還元除去し、その後、セラミックス部材１３１と金属部材１３２とをろう材１３３を介して接合する工程を備えたセラミックス−金属接合体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基材に対する密着性に優れ、より高い酸化防止効果を付与することができる被膜を備え、かつ、優れた耐熱衝撃性を有するＳｉＣ焼成用道具材を提供する。
【解決手段】多孔質ＳｉＣ基材と、前記基材のＳｉＣ結晶表面に形成される酸化物膜とからなるＳｉＣ焼成用道具材において、前記酸化物膜の組成を、ＳｉＯ₂が６５重量％以上９０重量％以下、残部がＡｌ₂Ｏ₃及びＹ₂Ｏ₃とし、かつ、前記Ａｌ₂Ｏ₃及びＹ₂Ｏ₃の重量組成比を２０：８０〜６０：４０とする。 （もっと読む）

【課題】簡易に製造することができ、電気抵抗値を種々とすることが可能な導電性ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】導電性ハニカム構造体１は、導電性を有するセラミックスの焼結体で形成され、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備える基体１０と、基体の軸方向の一端に開口し、他端に至ることなく軸方向に延びるスリット部１１と、スリット部の内部に充填された、電気絶縁性または前記基体より電気伝導率の小さい、非焼結の充填材１２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、電気抵抗を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、窒化珪素粉末と炭素質物質とからなり珪素と炭素のモル比が０．５〜１．５である炭化珪素生成原料、及び、骨材としての炭化珪素粉末を含む混合原料で、単一の軸方向Ｚに延びて列設された複数の隔壁１４により区画された複数のセル１５を備えるハニカム構造の成形体を成形する成形工程と、成形体を非酸化雰囲気で焼成し、導電性の基体１０とする焼成工程と、基体を、軸方向の一端から軸方向に沿って他端に至ることなく切断してスリット部１１を形成する切断工程と、スリット部を、電気絶縁性または基体より電気伝導率の小さい充填材１２で充填する充填工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板において、ＩＩＩ族窒化物半導体層との間で剥離や亀裂が発生することを抑制することができる下地基板に関する技術を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板の下地基板として用いられるセラミックス複合材料であって、酸化物系セラミックスおよび非酸化物系セラミックスから構成され、２０〜９００℃における平均線熱膨張係数が（５．９±０．２）×１０^−６／℃であるセラミックス複合材料。前記セラミックス複合材料を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層貼り合わせ基板に用いられる下地基板の製造方法であって、酸化物系セラミックス粉末と非酸化物系セラミックス粉末とを所定の比率で混合する原料混合工程と、原料混合工程において得られた混合粉末を所定形状の成形体に成形する成形工程と、成形体を不活性雰囲気中で焼成してセラミックス複合材料の焼結体を作製する焼成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】超硬質多結晶炭化ホウ素材料を提供する。
【解決手段】本発明の多結晶Ｂ_４Ｃ材料は強磁界整列技術及び焼結によって作製することができる。このＢ４Ｃのｃ軸は印加された磁界に垂直に高度に配向されていた。ｃ軸に垂直／平行な表面上で測定された硬度は夫々３８．８６±２．１３ＧＰａ及び３１．３１±０．７９ＧＰａであった。これらの大きな値の硬度、弾性係数及び破壊靱性によりＢ４Ｃ材料の応用分野が拡大する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や機械的強度の他に、焼成するセラミック電子部品と反応しない特性を備えた上で、更に、エネルギー効率や窯効率に優れたセッターを提供すること。
【解決手段】基材と、その上層に表面コート層を有し、該基材が、ＳｉＣを７０〜９９質量％、Ｓｉを１〜３０質量％含有する。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で、比抵抗値を広い範囲内で容易に調整することが可能な導電性炭化珪素質多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックスの焼結体を、所定の加熱温度で所定加熱時間にわたり酸化雰囲気下で加熱し、炭化珪素質粒子の表面に二酸化珪素層を形成させる酸化処理工程を具備し、該酸化処理工程における加熱温度及び／または加熱時間を変化させることにより比抵抗値の異なる導電性炭化珪素質多孔体を製造するものである。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で製造することができ、広い範囲内で種々の比抵抗値をとることが可能な炭化珪素質セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性を有する多孔質の炭化珪素質セラミックス焼結体であって、粒子表面に二酸化珪素層が形成されている。また、二酸化珪素層は、酸素濃度として０．４質量％〜４．８質量％が形成されている。更に、炭化珪素質セラミックス焼結体は、単一の方向に延びて列設された隔壁により区画された複数のセルを備えるハニカム構造に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】 所望の導電特性に制御することができる炭化けい素質多孔体の製造方法を実現する。
【解決手段】 骨材としての炭化けい素粉末に、窒化けい素中のけい素成分とカーボンのモル比（Ｓｉ／Ｃ）が０．５〜１．５である窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末を所定量混合して成形し、得られた成形体を窒素雰囲気で焼成することにより、けい素源の窒化けい素と炭素源の炭素質固体とが反応して炭化けい素が生成して骨材をつなぐネックが形成された炭化けい素質多孔体を製造する製造方法であって、炭化けい素粉末に対する窒化けい素粉末及び炭素質固体粉末の混合比により導電特性を制御する。 （もっと読む）

【課題】低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、ホウ素を含むホウ素原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素を製造することができる炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、チタンを含むチタン原料と、炭素を含む炭素原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を焼結する焼結工程と、酸化性雰囲気下で炭素を酸化して除去する酸化工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素焼結体を製造する炭化ケイ素焼結体の製造方法及び炭化ケイ素焼結体を提供すること。
【解決手段】 本発明の炭化ケイ素焼結体の製造方法は、炭化ケイ素と、アルミニウムを含むアルミ原料と、が混合した原料粉末を調製する原料混合工程と、原料粉末を、窒素とアルゴンとからなる雰囲気下で焼結する焼結工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の炭化ケイ素焼結体は、請求項１〜６のいずれかに記載の製造方法を施してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より適切に耐熱衝撃性とアイソスタティック強度を両立させかつ浄化性能を高めることができるハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】本発明によるハニカム構造体１は、複数条の単位空間２ａを相互に隔てる隔壁２と、複数条の単位空間２ａの延在する延在方向Ｓの周方向θに延びて隔壁２を外包する外周壁３と、を一体的に含むハニカム構造体であって、外周壁３の径方向の外周壁厚ｄを、隣接する単位空間２ａ相互間に位置する隔壁２の隔壁厚ｔで除した比率ｄ／ｔを１．３以上の値とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、かつ高剛性の金属−セラミックス複合材料を提供する。
【解決手段】セラミックス粒子と結合材のシリカとからなる多孔体の気孔に、金属を浸透させてなる金属−セラミックス複合材料であって、前記金属−セラミックス複合材料の断面において粒径１００μｍ以上のセラミックス粗大粒子の占める面積が３５％以上であり、前記セラミックス粗大粒子のシリカ被覆率は３０％以下である金属−セラミックス複合材料。断面における前記セラミックス粗大粒子のシリカ被覆率は３０％以下である。 （もっと読む）