【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び／または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び／または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び／または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相１０と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相２０とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 （もっと読む）

【課題】より容易に電極部を形成すると共に、体積抵抗率をより低減する。
【解決手段】ハニカム構造体２０は、流体の流路となる複数のセル２３を形成する隔壁部２２を備えている。このハニカム構造体２０は、隔壁部２２の一部に形成されＳｉＣ相とＳｉ酸化物とＡｌ酸化物とアルカリ土類金属酸化物とを含む酸化物相と金属Ｓｉと金属Ａｌとを含み金属Ｓｉと該金属Ａｌとの総量に対する金属Ａｌの割合が０．００１ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下である金属相とを有する電極部３２と、隔壁部２２の一部であり電極部３２より体積抵抗率が高い発熱部３４とを備えている。このハニカム構造体は、ＳｉＣ相とＳｉ酸化物を含む酸化物相とを有するハニカム基材の一部の表面に、金属Ｓｉと金属Ａｌとを含む含浸基材とアルカリ土類金属の化合物とを形成し、不活性雰囲気下で加熱して金属Ｓｉ及び金属Ａｌをハニカム基材の気孔内に含浸させて得る。 （もっと読む）

【課題】製造時に亀裂の発生が抑制された、表層と基材内部の物性が異なる複合セラミックスとその製造方法を提供する。
【解決手段】マトリックス中に強化材が含まれてなる複合セラミックスであって、前記強化材の単位体積当たりの含有率が、前記複合セラミックス表面および表面近傍で最小値をとり、続いて表面から深さ方向に対して漸増して、その後一定値に達することを特徴とし、さらに強化材の含有率が、深さ方向に対して直線状、階段状、漸近曲線状のいずれか１つの形状で漸増する、マトリックスが炭化ケイ素とシリコンと炭素からなり、強化材が炭素繊維であるとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】コストがかからず、高温での強度も十分高いＳｉ−ＳｉＣ系複合材料を提供する。
【解決手段】Ｓｉ−ＳｉＣ系複合材料を以下の手順で製造する。まず、ＳｉＣ成形体と金属Ｓｉとを、金属Ｓｉが加熱溶融したあとＳｉＣ成形体と接触するように配置し、酸化物の標準生成自由エネルギーの負の絶対値がＳｉより大きい元素からなる易酸化性金属（例えば金属Ａｌ）を含む混合物を共存させた状態で、常圧下、Ａｒガス雰囲気中、１４００〜１８００℃で加熱処理することにより、溶融した金属Ｓｉを前記ＳｉＣ成形体に含浸させる。 （もっと読む）

【課題】筒状セラミックス体にひびや割れが生じにくい熱伝導部材を提供する。
【解決手段】一方の端面から他方の端面まで貫通し、加熱体である第一の流体が流通する流路を有する筒状セラミックス体１１と、筒状セラミックス体１１の外周面に嵌合するとともに筒状セラミックス体１１の外周を囲む環状のひだ部１５を有する金属管１２と、筒状セラミックス体１１と金属管１２と挟まれつつ筒状セラミックス体１１および金属管１２に接合する中間材１３と、を備え、筒状セラミックス体１１の内部に第一の流体を、金属管１２の外周面１２ｈ側に第一の流体よりも低温の第二の流体を流通させ、第一の流体と第二の流体との熱交換を行う熱伝導部材１０。 （もっと読む）

【課題】筒状セラミックス体を金属管で被覆する場合において、熱的な結合状態を保ちつつ、セラミックスと金属の熱膨張係数の違いに起因する熱応力を緩和する熱伝導部材を提供する。
【解決手段】熱伝導部材１０は、一方の端面２から他方の端面２まで貫通し、加熱体である第一の流体が流通する流路を有する筒状セラミックス体１１と、筒状セラミックス体１１の外周壁７（外周面７ｈ）に嵌合する金属管１２と、筒状セラミックス体１１と金属管１２との間に金属からなる中間材１３と、を備える。そして、金属管１２内で、複数の筒状セラミックス体１１が、軸方向に並んで分断された状態で備えられている。 （もっと読む）

【課題】高硬度、高ヤング率、高導電性、高熱伝導性という特性を持ち、難焼結性を改善し、他の特性も同時に向上させる、ＷＣ基Ｗ−Ｍｏ−ＳｉＣ系複合セラミックス及びその製造方法。
【解決手段】Ｗ_１−ｘＭｏ_ｘＣ（ｘ＝０．０５〜０．２５）固溶体及び５〜３０ｍｏｌ％のＳｉＣからなる相を備え、高ヤング率、高硬度の特性を有することを特徴とするＷＣ基Ｗ−Ｍｏ−Ｓｉ−Ｃ系複合セラミックス。ＷＣの持つ特性すなわち、高硬度、高ヤング率、高導電性、高熱伝導性という特性を十分に活用し、さらに難焼結性を著しく改善すると共に、その他の特性も同時に向上させることのできるＷＣ基Ｗ−Ｍｏ−ＳｉＣ系複合セラミックスを製造出来る。 （もっと読む）

【課題】信頼性や精度の高い複雑な形状も含みうる無機繊維結合セラミックス部品、及び短期間に低コストでクラックや欠け等の欠陥がなく、複雑形状の形成も可能な該部品の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ、Ｍ、Ｃ及びＯを含む非晶質物質、並びにβ−ＳｉＣ、ＭＣ及びＣを含む結晶質微粒子とＳｉＯ_２及びＭＯ_２を含む非晶質物質との集合体、のうち少なくとも１つからなる無機繊維と、Ｓｉ及びＯを含む非晶質物質、並びに結晶質のＳｉＯ_２及びＭＯ_２を含む結晶質物質、のうち少なくとも１つからなる無機物質と、Ｃを主成分とする境界層と、から構成される無機繊維結合セラミックス、及び主としてＳｉＣの焼結構造からなり、０．０１〜１質量％のＯ、及び特定の金属原子を含有する無機繊維と、Ｃを主成分とする境界層と、から構成される無機繊維結合セラミックスを放電加工する無機繊維結合セラミックス部品の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ほぼ化学量論組成を有するとともに緻密な焼結体が得られる易焼結性炭化ケイ素粉末、比抵抗の低い炭化ケイ素セラミックス焼結体、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭素／ケイ素の元素比率が0.96〜1.04であり、かつ、平均粒径が１．０〜１００μｍであり、かつ、¹³C-NMRスペクトルにおいてケミカルシフトが0〜30ppmの範囲における吸収強度の積分値の、0〜170ppmの範囲における吸収強度の積分値に対する比が20％以下であることを特徴とする易焼結性炭化ケイ素粉末。該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】導電性セラミックス焼結体は、ドーパントを含む半導体セラミックスの第一相１０と、非導電性セラミックスの第二相２０とを具備し、第二相が第一相に取り囲まれて散在している海島構造を有する。上記構成において、第一相は、第一相全体におけるドーパントの平均濃度よりドーパントの濃度が高く、第二相を被覆しているＤ高濃度相１１と、第一相全体におけるドーパントの平均濃度よりドーパントの濃度が低いＤ低濃度相１２とからなるものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】六方晶系窒化ホウ素を快削性付与剤として含み、比較的低温で、かつ、無加圧下でも製造が可能な快削性セラミックス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の快削性セラミックスは、快削性付与剤としての六方晶系窒化ホウ素粉体と、焼結助剤としてのアルミノケイ酸塩粉体と、基材としてのセラミックス粉体（ただし六方晶系窒化ホウ素及びアルミノケイ酸塩は除く）との混合物の焼結体からなり、前記六方晶系窒化ホウ素粉体の粒子には表面のみならず内部にも酸素が含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性や耐食性に優れた炭化ケイ素系耐熱性超軽量多孔質構造材を提供する。
【解決手段】有機多孔質構造体の有形骨格に樹脂類及びシリコン粉末を含んだ第一スラリーを含浸させ真空或いは不活性雰囲気下において炭素化し、真空或いは不活性雰囲気下において反応焼結させて炭化ケイ素化し、シリコンを溶融含浸してシリコン被覆層を形成し、次いで樹脂類を含む第二スラリーを含浸させ炭素化するとともにシリコン被覆層の少なくとも表面を炭化ケイ素化する。 （もっと読む）

【課題】六方晶系窒化ホウ素を快削性付与剤として含み、より低温で焼成可能であって、かつ、無加圧下で製造が可能な快削性セラミックス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】粒子の表面のみならず内部にも酸素が含まれている快削性付与剤としての六方晶系窒化ホウ素粉体と、基材としてのセラミックス粉体（ただし六方晶系窒化ホウ素は除く）とを混合して焼結用混合粉とし（混合工程）、該焼結用混合粉を圧力成形してプレ成形体とし（プレ成形工程）、プレ成形体を非酸化性ガス雰囲気下又は真空中において焼結する（焼結工程）。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生個数の低減化が図られている多孔体の製造方法を提供する。
【解決手段】１００重量部のＳｉＣ粉末と、５重量部以下のカーボン粉末または５重量部以下のカーボンを含む有機系バインダーと、２０重量部以上の金属シリコン粉末との混合粉末をプレス成形して成形体とする。成形体を非酸化雰囲気中、１２００〜１３５０［℃］で熱処理することにより金属シリコンの粒子同士をネッキングさせる。 （もっと読む）

【課題】強化繊維の形態を適切に調整することで、破壊エネルギーが高く、かつ熱伝導率や曲げ強度の特性も適切に制御された、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックスを提供する。
【解決手段】炭素繊維３１からなる短繊維を集合してその外表面に炭素被膜３２を形成することで被膜付き繊維集合体３を作製する工程と、炭化ケイ素と炭素材料とを混合して基材部原料２を作製する工程と、これらに炭素被膜のない炭素繊維からなる短繊維４とを混合して混合体を作製する工程と、前記混合体を成型，加圧して成形体を作製し、前記成形体を還元雰囲気下で焼成して焼成体を作製したのち、焼成体に対して減圧下でシリコン含浸を行うことを特徴とする、炭素繊維強化炭化ケイ素系セラミックス１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高剛性でかつ高熱伝導率のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料を支障なく提供する。
【解決手段】ＳｉＣ粒子の間にＳｉが充填された構造を有するＳｉＣ／Ｓｉ複合材料において、ＳｉＣ粒子が、粒度が異なる粗粉及び微粉により構成され、ＳｉＣの充填率が、８６〜９４体積％となるようにする。この場合、ＳｉＣ粒子の結晶相は、粗粉においてはα相のみであり、微粉においてはβ相のみであるか又はβ相及びα相が混在しており、α相及びβ相の結晶の含有率をそれぞれα体積％及びβ体積％とすれば、６４≦β／（１００−α）≦８６が成立する。 （もっと読む）

【課題】 低温〜高温の広い温度域ですぐれた抵抗値特性を有する炭化ケイ素発熱体，ハニカムを製造することができる製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明の製造方法は、炭化ケイ素と、ケイ素と、炭素と、アルミニウム原料と、を混合する工程と、混合物を焼成する工程と、を有する製造方法である。そして、アルミニウム原料の割合，焼成条件を調節することで、優れた抵抗値特性が得られるものとなっている。 （もっと読む）

【課題】押出成形など、低コストの成形法に対して、同じく低コストでかつ環境負荷が少ない酸による洗浄法による半導体製造プロセス用ＳｉＣ部材の製造方法を提供する。
【解決手段】水系押出成形において、成形体を乾燥後、不活性ガス雰囲気中で３５０〜４５０℃の温度で熱処理する脱脂工程と、酸で洗浄する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】道路等に敷設する際の手間と時間を低減して設置コスト及び維持コストを低減し、融雪効率の高い融雪材を提供する。
【解決手段】歩道、駐車場、ポーチ、壁面、屋根等の積雪可能な箇所に用いる融雪材を１４００〜１５００℃で焼成したＳｉＣ焼結体で構成し、積雪した雪等を該ＳｉＣ焼結体から放射される遠赤外線で融雪する。 （もっと読む）

【課題】グラスライニングにも適用が可能な熱伝導性ガラスであって、熱伝導性に優れ、かつ、ガラスの発泡による膨張が少ない熱伝導性ガラス、及びそのような熱伝導性ガラスの製造方法を提供すること。
【解決手段】熱伝導性フィラーとしてＳｉＣをガラスフリットに添加する場合に、６００℃以上７２０℃未満の温度範囲で焼成する。ＳｉＣの表面を酸化処理し、ＳｉＯ_２被膜を形成させてもよい。また、熱伝導性フィラーを混合したガラスフリットを、不活性ガス雰囲気下で焼成してもよく、減圧下又は加圧下で焼成してもよい。 （もっと読む）