【課題】セラミックスの曲げ強度及び接触強度を向上できる技術の提供。
【解決手段】ＳｉＣ微粒子１２を１０〜３０ｗｔ％含有するセラミックス焼結体１あるいはＳｉＣ製のセラミックス焼結体にショットピーニング処理によって圧縮残留応力を導入するとともに前記セラミックス焼結体１に亀裂２を形成した後、酸素含有雰囲気下で、前記ショットピーニング処理にて導入した圧縮残留応力を全て除去できる加熱温度よりも低い温度での熱処理によってＳｉＣを酸化させＳｉＯ_２を生成する熱処理工程を行うことを特徴とするセラミックス製品の製造方法、セラミックス製品５を提供する。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、坩堝、及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１ｃからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液６を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子を製造する結晶シリコン粒子の製造方法であって、坩堝１は窒化珪素を含む材料から成るとともに内面の表層部１ｂが酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】アルミニウム７７〜９４．５質量％、珪素５〜２０質量％及びマグネシウム０．５〜３質量％を含有する金属粉末２０〜４０体積％と、平均粒子径が５０〜３００μｍの炭化珪素粉末６０〜８０体積％を混合した後、離型処理を施した金型に充填し、温度６００〜７５０℃に加熱して、圧力１０ＭＰａ以上で加熱プレス成形することを特徴とする、板厚２〜６ｍｍの板状アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】安価でありながら、十分な耐久性を安定して確保することができるファンクラッチ用転がり軸受を提供する。
【解決手段】入力側回転部材に相当するドライブディスク１８は、粘性流体を介して出力側回転部材に相当するケース１０にトルクを伝達する。このドライブディスク１８を回転自在に支持するファンクラッチ用転がり軸受１であって、内輪２１と、外輪２２と、内輪２１と外輪２２との間の環状領域に配置された転動体２３とを備え、内輪２１、外輪２２および転動体２３のうちの少なくとも一つの軸受要素は、Ｓｉ_６−ＺＡｌ_ＺＯ_ＺＮ_８−Ｚの組成式で表され、０．１≦Ｚ≦３．５を満たすβサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体から構成される。 （もっと読む）

【課題】 貫通性能の高い銃弾等の飛翔物に対して、防護性能がさらに優れ、しかも軽量の防護用部材およびこれを用いた防護体が望まれている。
【解決手段】 セラミックスからなる本体の受衝面１ａとは反対側の面１ｃの外周部に傾斜面１ｄを有する防護用部材１により、防護用部材１にクラックが進展しにくくなるため、防護用部材１における飛翔物の貫通を阻止する防護性能は損なわれない。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導性、高強度であり、かつ精密加工性を有し、ダストフリーであるプローブカード用の素材を提供する。
【解決手段】 平均粒子径が１．５μｍ以下、最大粒子径が１５μｍ以下の金属ホウ素２．５〜１０質量％、窒化ホウ素９７．５〜９０質量％の組成の原料からなり、原料全体の３０質量％以上がＧＩ値３〜１０である窒化ホウ素を、非酸化性雰囲気下１，９００℃〜２，１００℃、圧力１０〜３０ＭＰａで金属ホウ素が０．５質量％以下になるまでホットプレス焼成することを特徴とするプローブカード用素材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング時の窒化反応に依存せずに、ターゲットそのものが、バリア膜と同一成分となるように、かつ半導体デバイスの反応を効果的に防止でき、さらに、スパッタリング時にパーティクルの発生のない、例えばバリア膜用として、最適なスパッタリングターゲット、同ターゲットの製造方法及び同バリア膜を備えた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の組成を有するＴａ、Ｔａ珪化物、Ｔａホウ化物からなる焼結体スパッタリングターゲット、及びＴａ粉、Ｔａ珪化物粉及びＴａホウ化物粉を、ＴａｘＳｉｙＢｚ（６５≦ｘ≦７５、１５≦ｙ≦２５、５≦ｚ≦１５）の配合比となるように混合し、これを１０〜５０ＭＰａの加圧力、１７００〜２０００°Ｃでホットプレスにより焼結することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導性で、優れた精密加工性を持ち、シリコンに近い熱膨張を示す半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素３７〜４４質量％、窒化アルミニウム５４〜６０質量％、イットリアを含む焼結助剤１〜４質量％かつ相対密度９２％以上のＢＮ−ＡlＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。熱伝導率７０Ｗ／ｍＫ以上、熱膨張係数２．５〜３．５ｐｐｍ／Ｋ、ショア硬度４５〜５８であるプローブ案内部材。 最大粒径１０μｍ以下の窒化アルミニウム、ＧＩ値３〜１０の窒化ホウ素、イットリア１〜３質量％及びアルミナ３質量％以下（０質量％を含む）の原料を用いて、圧力１０〜３０ＭＰａ、温度１，７５０〜１，９００℃、保持時間１〜３時間のホットプレス焼成を用いるプローブ案内部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ドライエリア発生時のクラックの発生が抑制された金属蒸発発熱体を製造するのに好適なセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】
二硼化チタン（ＴｉＢ_２）粉末と窒化硼素（ＢＮ）粉末を含有する原料粉末を成型後、非酸化性雰囲気下で焼結する方法において、ＴｉＢ_２粉末が、レーザー回折散乱式粒度分布測定機にて測定された体積基準の粒度において、５μｍ未満の領域の頻度が全領域の１５％以下、５μｍ以上２０μｍ未満の領域の頻度が全領域の７５％以上、２０〜６２μｍの領域の頻度が全領域の１０％以下であることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。本発明では、原料粉末の組成が、ＴｉＢ_２が４０〜６０質量部、ＢＮが３１．５〜５８．９質量部、ＡｌＮが０．３〜２．０質量部、Ｓｒ化合物が０．３〜３．０質量部及びＦｅ又はＦｅ化合物が０．５〜３．５質量部であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】銃弾，砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部２をセラミックスで構成し、受衝部２の裏面側に位置する基部３を受衝部２より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材１とすることにより、基部３には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面２ａで発生したクラックの進行は、基部３との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】鏡面加工性を向上させる。
【解決手段】原料微粉として、炭化チタンの微粉、炭化バナジウムの微粉、炭化クロムの微粉、炭化ジルコニウムの微粉、炭化ニオブの微粉、炭化モリブデンの微粉、炭化ハフニウムの微粉、炭化タンタルの微粉、炭化タングステンの微粉および炭化珪素の微粉の中から１種選択し、或いは、２種以上を選択して混合し、かかる原料微粉を被成形微粉として、加圧成形した後、一次焼結させ、得られた一次焼結体を、更にホットプレスにより、加圧しつつ二次焼結させることによって、一次焼結体に残存する極微小の気孔を圧潰し、二次焼結体の緻密度を高め、鏡面加工性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を低減する方法及び静電チャックを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を、アルゴンからなる雰囲気のような、窒素が不足している雰囲気中で少なくとも約１０００℃の浸漬温度にその物体を曝すことにより低減される。物体は、多結晶質体のような緻密化された物である。静電チャックはチャック体内に電極１２を有する。電極１２の第１の面１４における、チャック体の第１の部分２０は約２３℃で約１×１０¹³ohm・cmより小さい体積比抵抗を有する。電極１２の第２の面１６における、物体の第２の部分２２は、第１の部分２０と１桁違う大きさの範囲内の体積比抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶を利用した半導体歪みセンサと比較してさらに高感度の半導体歪みセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】珪素源と炭素源と触媒を含む液状混合物を容器内に供給し、容器を乾燥室内に導入し、乾燥室内で液状混合物を硬化乾燥することにより、固形物を生成し、生成された固形物を加熱炉内に導入し、加熱炉内で固形物を炭化，焼成し、炭化，焼成された固形物を粉砕することによりβ型の炭化珪素粉体を生成し、β型の炭化珪素粉体と非金属系燃結助剤を混合，造粒することにより造粒体を生成し、生成された造粒体を焼結させることにより炭化ケイ素焼結体を形成し、炭化ケイ素焼結体表面に炭化ケイ素焼結体の歪みに伴う抵抗率の変化を検出するための電極を付設する。 （もっと読む）

【課題】パーティクル量の発生量を低減する。
【解決手段】平均粒径１μｍと平均２μｍの２種類の炭化ケイ素粉末を３：７の比率で容器内において混合した後、液状のフェノール樹脂１２ｗｔ％を加えてスラリーを得た。次に、スラリーをスプレードライヤーで造粒することによって得られた粉末を坩堝内に充填し、坩堝を加熱炉内に導入し、ホットプレス焼結することにより、炭化ケイ素焼結体を得た。 （もっと読む）

【課題】イオン損傷を受けにくく、寿命の長い電子放出源を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＺｒからなる群の１種以上から選ばれた金属元素の炭化物からなる、電子ビーム蒸着装置、電子ビーム溶接装置、又は電子ビーム加工装置用の電子銃である。他の発明は、電子ビームの加速電圧が１０ｋＶ以上であることを特徴とする請求項１記載の電子放出源である。また、他の発明は、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、及びＺｒからなる群から選ばれた１種以上の金属元素の炭化物からなる電子放出源を装着した電子ビーム蒸着装置、電子ビーム溶接装置、又は電子ビーム加工装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマ耐性を高めることが可能な炭化ケイ素焼結体及び炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素焼結体５０の製造方法は、平均粒径が０．５μｍ以上１．５μｍ以下である炭化ケイ素粉１０及び分散剤３０をスラリー化する第１工程と、第１工程によって得られたスラリー４０を焼結し、焼結体５０を得る第２工程とからなっている。 （もっと読む）

【課題】焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現する。
【解決手段】本願発明の発明者は、鋭意研究を重ねた結果、炭化ケイ素粉末と燃結助剤を含むスラリーにフェノールを添加することにより、焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現できることを知見した。具体的には、発明者は、炭化ケイ素粉末重量の８〜１６％の範囲内のフェノールを添加することにより、炭化ケイ素焼結体の密度が上がり、プラズマ耐性が１０〜８０％の範囲内向上することを知見した。これは、スラリーにフェノールを添加することにより、焼結性が向上し、燃結助剤によってガラス相が生成されることにより、炭化ケイ素焼結体中の気孔率が減少したためであると推察される。 （もっと読む）

【課題】摺動特性、強度や破壊靭性などの機械的特性に優れるとともに、脆化を抑制してＳｉＣ粒子の脱落などを防止してなる、ポンプなど液体を用いる回転機器での液体軸封装置として用いられるメカニカルシール装置、並びにこのメカニカルシール装置に用いるＳｉＣ系焼結体回転リング及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ系焼結体回転リング及びカーボン系シールリングを含むメカニカルシール装置において、前記ＳｉＣ系焼結体回転リングは、平均結晶粒径が５μｍ以下、気孔率が１．０％以下であるＳｉＣ系焼結体回転リングとする。この回転リングは、酸化物還元法で作製したＳｉＣ系原料粉末中に、気相合成法（ＣＶＤ法）により作製した純度が９９．９％以上のＳｉＣ粉末を０〜１００％の割合で混合し、造粒・成形した後で、雰囲気制御加圧焼結法によって製造する。 （もっと読む）

【課題】従来の結晶粒径が大きくて、粒径分布も広い、多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスが示す低い切削加工精度と大きなチッピングの発生の改善を期待できる、結晶粒径が小さくて、粒径分布も狭い、多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスの効率的な製造方法、及びその用途を提供する。
【解決手段】粒子径の平均値が３μｍ以下で、粒子径の標準偏差３μｍ以下の水素化チタン粉末に、ケイ素粉末、炭化チタン粉末を混合し、混合粉末を加圧焼結して、結晶粒径の平均値が６μｍ以下、標準偏差が３μｍ以下、平均値＋３×標準偏差で定義した最大結晶粒径が１５μｍ以下の組織を有することで特徴付けられる多結晶チタンシリコンカーバイドセラミックスの効率的な製造方法、及びその製品。 （もっと読む）

【課題】亀裂の発生を抑制して靱性の高い表面硬化高強度セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ、ムライト、TiO₂、ZrO₂、Si₃N₄、SiC及びAlNの群から選ばれる１種以上の無機材料からなるマトリクスに炭化物の微細粒子を１vol％以上分散させた複合焼結体又は前記炭化物単体の焼結体を、１０００〜１４００℃で１〜３００時間の範囲内で熱処理後、電子線を照射して表面を硬化してなる表面硬化高強度セラミックスである。 （もっと読む）