【課題】水等の酸化源を含有する炭化水素系燃料中における摩擦により、被摩擦面に、耐摩耗性に優れており且つ摩擦時における相手材の摩耗を抑制することができる酸化物被膜が形成可能なセラミックス等を提供する。
【解決手段】本セラミックスは、組成式［Ｍ_αＳｉ_６−βＡｌ_βＯ_δＮ_８−β］〔Ｍ；任意の１種又は２種以上の金属元素、０≦α≦１．２、０．６≦β≦３、０．６≦δ≦４、０．０８５≦β／（α＋６）≦０．５〕で表されるものであり、水等の酸化源を含有する炭化水素系燃料中における摩擦により、被摩擦面に、組成式［Ｍ_αＳｉ_６−βＡｌ_βＯ_γ］〔Ｍ；任意の１種又は２種以上の金属元素、０≦α≦１．２、０．６≦β≦３、１０．５≦γ≦１２．２、０．０８５≦β／（α＋６）≦０．５〕で表される酸化物被膜を形成可能である。 （もっと読む）

【課題】快削性と共にシリコンに近い熱膨張係数を有し、高い強度を備えたセラミックス部材、このセラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ、及びセラミックス部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともフォルステライト及び窒化ホウ素を主成分として含み、窒化ホウ素が一方向に配向している焼結体であるセラミックス部材、セラミックス部材を用いて形成されるプローブホルダ、及びセラミックス部材の製造方法。セラミックス部材は、配向度が０．０７以下であり、配向方向と平行な方向の２０〜３００℃における熱膨張係数が（３〜５）×１０^−６／℃であるか、又はＪＩＳ Ｒ １６０１に基づく３点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】
Ａｌ_８Ｂ_４Ｃ_７焼結助剤は低温焼結の点から優れた焼結助剤であるが、炭化ケイ素焼結体の塑性加工を考慮した場合、１７５０℃よりも低温で高密度焼結体を得られる焼結技術の開発が必要であった。
【解決手段】
Ａｌ_４ＳｉＣ_４化合物を焼結助剤とすることにより、１４．５×１０^２℃以上の温度で焼結することにより、高密度の焼結体を作製することができた。また、この焼結体を高温で圧縮変形したところ、初期ひずみ速度１×１０^−４毎秒、１５．０×１０^２℃で良好な塑性変形することを確認した。 （もっと読む）

【課題】アルミナと同等以上の耐食性や体積抵抗率を有しながらアルミナより高い熱伝導率を有する新規な材料を提供する。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム基複合材料は、遷移金属、アルカリ金属、ホウ素の各元素がそれぞれ１０００ｐｐｍ以下であり、熱伝導率が４０〜１５０Ｗ／ｍＫ、熱膨張係数が７．３〜８．４ｐｐｍ／℃、体積抵抗率が１×１０¹⁴Ωｃｍ以上であり、構成相として、ＡｌＮとＭｇＯとを含み、更に、希土類金属酸化物、希土類金属−アルミニウム複合酸化物、アルカリ土類金属−アルミニウム複合酸化物、希土類金属酸フッ化物、酸化カルシウム及びフッ化カルシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含むものである。 （もっと読む）

【課題】低圧条件でｈＢＮからｃＢＮを合成する低圧合成方法及びｃＢＮ原料粉末を用いたｃＢＮ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属触媒として、１５ｗｔ％以上５５ｗｔ％以下のＣｒまたは１５ｗｔ％以上５５ｗｔ％以下の（Ｃｒ＋Ｍｏ）と、１．５〜８ｗｔ％のＡｌ，Ｍｇと、残部はＦｅ，Ｃｏ（及び少量のＮｉ）からなる合金粉末あるいは混合粉末を用いて、低圧（４ＧＰａ以上）かつ１２００〜１９００℃でｈＢＮからｃＢＮを合成し、また、ｃＢＮを原料粉末とし、金属触媒として用いた上記合金粉末あるいは混合粉末を焼結助剤として原料粉末に含有させて焼結し、ｃＢＮ焼結体を得る。 （もっと読む）

【課題】作業性および精度を向上させると共に、適用範囲を拡大する。
【解決手段】原料微粉を被成形微粉として、加圧成形した後、焼結させて形成したスリーブおよびコアを備えた熱間加圧成形用の型であり、原料微粉として、炭化チタンの微粉、炭化バナジウムの微粉、炭化クロムの微粉、炭化ジルコニウムの微粉、炭化ニオブの微粉、炭化モリブデンの微粉、炭化ハフニウムの微粉、炭化タンタルの微粉、炭化タングステンの微粉および炭化珪素の微粉の中から１種選択し、或いは２種以上を選択して混合し、スリーブおよびコアの被成形微粉の配合を各々個別に調製することにより、コアの熱膨張係数をスリーブの熱膨張係数より大きくすると共に、両熱膨張係数の値およびその差を所望の値に調製して、冷間時のスリーブとコアとの間のクリアランスを大きく確保すると共に、熱間時にスリーブとコアを密着させる。 （もっと読む）

【課題】強度や破壊靭性などの機械特性に優れるだけでなく、摺動特性などを主とする耐摩耗特性、特にＳｉＣ系耐摩耗材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ系耐摩耗材料を、気孔率が２％以上かつ６％未満、気孔径は２μｍ以下とし、構成するＳｉＣ粒子の平均結晶粒子径が５μｍ以下であるとともに、ビッカース硬度が１７００以上かつ２０００以下となるようにする。このＳｉＣ系耐摩耗材料は、原料となるＳｉＣ粉末におけるＳｉＣ純度、ＳｉＣの結晶相およびＳｉＣの一次粒子径を制御することにより、得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 高熱伝導でシリコンに近い熱膨張係数、かつ精密加工性が良好で、工具摩耗の少ない半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素３７〜４９質量％、窒化アルミニウム４９〜６０質量％、イットリア１〜４質量％を含有し、相対密度９２％以上かつ窒化アルミニウム結晶粒子の長径の平均が２．０〜３．２μｍであるＢＮ−ＡｌＮ複合焼結体を用いるプローブ案内部材。平均粒径１．２μｍ以下、比表面積２．０ｍ^２／ｇ以上の窒化アルミニウム４９〜６０質量％、比表面積２０ｍ^２／ｇ以上の窒化ホウ素３７〜４９質量％、イットリア１〜４質量％及びアルミナ３質量％以下（０質量％を含む）の原料を用いて、圧力１０〜５０ＭＰａ、温度１，６４０〜１，７８０℃、保持時間１〜４時間のホットプレス焼結を用いるプローブ案内部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】摺動特性、強度や破壊靭性などの機械的特性に優れるとともに、脆化を抑制してＳｉＣ粒子の脱落などを防止してなる、ポンプなど液体を用いる回転機器での液体軸封装置として用いられるメカニカルシール装置、並びにこのメカニカルシール装置に用いるＳｉＣ系焼結体リング及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ系焼結体回転リング及びカーボン系シートリングを含むメカニカルシール装置において、前記ＳｉＣ系焼結体リングは、平均結晶粒径が５μｍ以下、気孔率が５．０％以下、平均気孔径が２．０μｍ以下であって、比抵抗が室温で１Ω・ｃｍ以下であるＳｉＣ系焼結体リングとする。このリングはＳｉＣ純度が９７％以上であるとともに３Ｃ結晶を９２％以上含有するＳｉＣ原料粉末を造粒・成形した後で、加圧焼結法による圧力環境下で焼結することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 従来の硬質皮膜であるＴｉＮ皮膜やＴｉＡｌＮ皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜およびその形成用スパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】［１］（Ｚｒ_1-a-b ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（但し、ＭはＷ，Ｍｏの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜、［２］（Ｚｒ_1-a-b-c ，Ｈｆ_a ，Ｍ_b ，Ｄ_c ）（Ｃ_1-x Ｎ_x ）からなる硬質皮膜（但し、ＤはＳｉ，Ｂの１種以上）であって、０≦１−ａ−ｂ、０≦ａ、０．０３≦ｂ≦０．３５、０．０３≦ｃ≦０．３、０≦ｘ≦１を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。なお、上記式において、ａはＨｆの原子比、ｂはＭの原子比、ｃはＤの原子比、ｘはＮの原子比を示すものである。 （もっと読む）

【課題】超硬合金組成物、その製造方法を提供する。
【解決手段】各々が、第一材料を含有する硬質粒子とレニウムもしくはＮｉベース超合金を含む第二の異なる材料を含有する結合剤マトリックスとを含有する超硬金属組成物。２ステップ焼結法を利用して、比較的低い焼結温度にして固体相で上記超硬合金を製造し、実質的に完全に緻密化した超硬合金を生産することができる。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１３００〜１４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能な耐熱耐摩耗部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、相対密度９７％以上かつＳｉＣの最大粒子径が４．０μｍ以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用耐熱耐摩耗部材。１４００℃の窒素ガス中で６時間加熱した後の減量が０．１質量％以下、かつ耐ブラスト性試験が０．０５質量％/回以下のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 耐熱部材として高温での揮発分が少なく、不純物の混入が少なく、機械部品としての寸法精度を確保出来、高温での半導体製造装置に好適な部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 １７００℃の窒素ガス中で１２時間加熱した後のＳｉ、Ｃ、Ｂ、Ｎの合計含有量が９９．９質量％以上、且つ波長１μｍにおける放射率が８０％以上のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる合成装置用耐熱性黒色部材。相対密度９８％以上かつＳｉＣ粒子の最大粒子径が４．０μｍ以下であることが好ましい。ＳｉＣが６０．０質量％以上８３．５質量％以下、ＢＮが１５．０質量％以上３５．０質量％以下、Ｂ_４Ｃが０．５質量％以上２．０質量％以下、カーボンが１．０質量％以上４．０質量％以下の原料組成を２０００〜２２００℃、圧力１５〜４０ＭＰａでホットプレス焼結する合成装置用耐熱性黒色部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉛を使用せずに、圧電定数とヤング率の積が大きい圧電性に優れた圧電体材料を提供する。
【解決手段】組成式ＡＢＯ_２Ｎ（Ａは３価の陽イオン、Ｂは４価の陽イオンを示す。但し、Ａ、Ｂは鉛を除く。）で表されるペロブスカイト型結晶または前記ペロブスカイト型結晶を含むバルク材料からなる圧電体材料であって、前記圧電体材料中に含まれる窒素Ｎの個数をＮｘｙｚとし、Ｎｘｙｚのうち結晶中の面心位置であってかつ長軸方向に配置された窒素の個数をＮｚとすると、Ｎｚ／Ｎｘｙｚ＞１／３である圧電体材料。前記ＡはＬａ、ＢはＴｉであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示し、圧電特性の良好な酸窒化物圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される正方晶ペロブスカイト型酸窒化物からなり、窒素原子がｃ軸方向に配向している酸窒化物圧電材料。
【化１】


（式中、Ａは２価の元素、ＢおよびＢ’は４価の元素を表す。ｘは０．３５以上０．６以下、ｙは０．３５以上０．６以下、ｚは０．３５以上０．６以下、δ１およびδ２は−０．２以上０．２以下の数値を表す。）前記ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれた少なくとも１種であり、ＢおよびＢ’はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】サマリウムを含有していない窒化アルミニウム焼結体であって、サマリウムを含有する窒化アルミニウム焼結体と同等の性能を持つものを提供する。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム焼結体の製法は、（ａ）ＡｌＮと、ＡｌＮ１００重量部に対して２〜１０重量部のＥｕ₂Ｏ₃と、Ｅｕ₂Ｏ₃に対してモル比で２〜１０のＡｌ₂Ｏ₃と、Ａｌ₂Ｏ₃に対してモル比で０．０５〜１．２のＴｉＯ₂とを含み、Ｓｍを含まない混合粉末を調製する工程と、（ｂ）混合粉末を用いて成形体を作製する工程と、（ｃ）該成形体を焼成するにあたり、真空又は不活性雰囲気下でホットプレス焼成を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】特定の複合部材と金属部材との摺動面の間に炭化水素燃料が介在することにより、両部材の摩耗が抑えられる摺動構造を提供する。
【解決手段】本発明の摺動構造は、セラミックス（窒化ケイ素、サイアロン等）に繊維状カーボン（カーボンナノファイバー、カーボンナノチューブ）を分散させた複合材料からなる複合部材と、金属部材（軸受鋼等）とが、互いに摺動する摺動構造（内燃機関に燃料を供給する燃料供給用部品等）において、複合部材と金属部材の各々の摺動面の間に、１０^−５〜２×１０^−４質量％の水を含有する炭化水素燃料（パラフィン系炭化水素燃料等）が介在している。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

【課題】従来技術のＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料よりも優れた熱特性、強度特性等を発揮できるＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料を製造する方法であって、（１）ＳｉＣ繊維表面に炭素、窒化ホウ素及び炭化ケイ素の少なくとも１種を含む被覆層が形成されてなる被覆ＳｉＣ繊維に対し、ＳｉＣ微粉末及び焼結助剤を含み、かつ、有機ケイ素高分子を含まないスラリーを含浸させることにより予備成形体を得る第１工程及び（２）前記予備成形体を加圧焼結させる第２工程を含むことを特徴とするＳｉＣ繊維強化型ＳｉＣ複合材料の製造方法に係る。 （もっと読む）

【課題】切削温度（刃先部最高温度）を低下させるのに十分な高い熱伝導率を有すると同時に、切削工具に要求される高硬度、高強度などの特性を満たす焼結体の提供。
【解決手段】６０体積％以上９９体積％以下のＷＣと、１体積％以上４０体積％以下のＡｌＮ−Ｙ₂Ｏ₃混合物とを含み、１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有することを特徴とする焼結体。 （もっと読む）