【課題】高密度で熱伝導性に優れ、高強度の炭化ケイ素焼結体を相対的に低圧、低温の条件で製造できる方法を提供すること。
【解決手段】放電プラズマ焼結法により炭化ケイ素焼結体を製造する方法。平均粒径５μｍ以下の炭化ケイ素にアルミニウム粉体を焼結助剤として添加して、温度１４００〜１８００℃及び圧力２０〜７０ＭＰａの条件下で焼結させる。そして、当該方法で製造された炭化ケイ素焼結体は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）と、Ａｌ及び／又はＡｌ₄Ｃ₃若しくはＡｌ₄ＳｉＣ₄等の炭化アルミニウム系化合物を含む粒界相とからなるとともに、Ａｌ：０．５〜７％、残部が実質的にＳｉＣの組成であり、かつ、相対密度が９５％（密度：３．０ｇ／cm³）以上である。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素焼結体の純度の向上と、炭化ケイ素焼結体の炭素濃度の低減を図る。
【解決手段】半導体製造に用いられる炭化ケイ素焼結体治具の製造方法であって、
（ａ）炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤との混合物及び上記粉体混合物から調製された成形体のいずれか一方をホットプレス法により焼結して焼結体１を得る工程と、
（ｂ）上記焼結体１を加工処理して焼結体２を得る工程と、
（ｃ）上記焼結体２をアルゴン雰囲気下２０００〜２４００℃で熱処理して、上記焼結体２中の不純物を外部拡散させて不純物を取り除き焼結体３を得る工程と、
（ｄ）上記焼結体３と、二酸化ケイ素及び炭素を含む混合物とを同一環境内に配置し、アルゴン雰囲気下１６００〜１７００℃で加熱し、上記混合物から生じたガスを上記焼結体３の表面に供給して焼結体４を得る工程と、
を含む炭化ケイ素焼結体治具の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、焼結助剤を用いることなく製造された六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）の焼結体であって、その相対密度が９０％以上と高密度であり、かつ、曲げ強度が１００ＭＰａ以上と高い力学的強度を有する焼結体、およびその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明にかかるｈ−ＢＮ焼結体の製造方法は、窒素または不活性ガス雰囲気下で、六方晶窒化ホウ素および不可避不純物のみからなる原料粒子を粉砕して無秩序構造を含む粉体を調製する工程；窒素または不活性ガス雰囲気下で、上記粉体を焼結型内に充填する工程；および上記焼結型内の粉体を、減圧雰囲気下で、１０〜３００℃/分の昇温速度で所望の焼結温度まで昇温して加圧焼結する工程を含む。本発明にかかるｈ−ＢＮのｃ軸は、加圧焼結時の圧力方向と垂直に配向しており、ｈ−ＢＮのａ軸が加圧焼結時の圧力方向と平行に配向している。 （もっと読む）

【課題】鋼の浸炭材，焼入れ材など高硬度鋼の高速切削、断続切削に最適なｃＢＮ基超高圧焼結体およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】ｃＢＮ：３０〜８０体積％と、残りが周期律表４ａ，５ａ，６ａ族元素の炭化物，窒化物，ホウ化物，酸化物、Ａｌの窒化物，酸化物、Ｓｉの炭化物，窒化物およびこれらの相互固溶体の中の少なくとも１種からなる結合相と不可避不純物とでなるｃＢＮ基超高圧焼結体において、結合相は（１）ＺｒおよびＨｆの少なくとも１方とＴｉとを含む複合窒化物および複合炭窒化物の少なくとも１種の複合化合物と、（２）ＺｒおよびＨｆの少なくとも１方とＴｉとを含む複合ホウ化物と、（３）ＡｌＮと、（４）Ａｌ₂Ｏ₃とを含有するｃＢＮ基超高圧焼結体。 （もっと読む）

【課題】エアベアリング面の段差の低減を図れかつ表面平滑性の高い磁気ヘッドスライダ用焼結体、これを用いた磁気ヘッドスライダ、及び磁気ヘッドスライダ用焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＴｉＣ及びＸＣの少なくとも一方と、Ｔｉ及びＸを含む炭化物と、Ａｌ_２Ｏ_３と、遊離炭素とを有し、１００体積部のＡｌ_２Ｏ_３に対して、ＴｉＣ及びＸＣの少なくとも一方、及び、Ｔｉ及びＸを含む炭化物を合わせた総炭化物を２５〜１６０体積部含み、Ａｌ_２Ｏ_３及び総炭化物の合計１００体積部に対して遊離炭素を１〜１５体積部含む磁気ヘッドスライダ用焼結体（但し、ＸはＴａ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ及びＣｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素である。）。 （もっと読む）

【課題】従来よりも短時間にかつ低コストでＡｌ添加ＴｉＮのバルク体を製造する方法を提供する。
【解決手段】所定量の金属Ｔｉ粉末および所定量の金属Ａｌ粉末を混合した後、プレス成形して第１の成形体とする。第１の成形体を所定圧のＮ_２雰囲気中で自己燃焼合成させ、それによって得られた試料を粉砕して第１の粉体とする。第１の粉体をプレス成形して第２の成形体とする。第２の成形体を所定圧のＮ_２雰囲気中で自己燃焼合成させ、それによって得られた試料を粉砕して第２の粉体とする。第２の粉体をプレス成形して第３の成形体とする。第３の成形体を加圧焼結させることにより、Ａｌ添加ＴｉＮのバルク体を得る。 （もっと読む）

【課題】反りが小さく、色ムラやシミの少ない半導体用ホウ素ドープ材の製造が可能となる窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】比表面積５〜１５ｍ２／ｇ、酸素量１質量％以下の窒化ホウ素粉末４８〜８９質量％と、比表面積２５〜６０ｍ２／ｇ、酸素量２質量％以下の窒化ホウ素粉末１０〜４８質量％と、ホウ酸カルシウム粉末１〜４質量％とを含む混合粉をホットプレス焼結することを特徴とする窒化ホウ素焼結体の製造方法。本発明においては、窒化ホウ素焼結体が、窒化ホウ素９６〜９９質量％、酸化カルシウム０．４〜２質量％、酸化ホウ素０．５〜３質量％を含み、密度が１．７〜２．０ｇ／ｃｍ３であることが好ましい。また、窒化ホウ素焼結体が、ＢＮウェハの製造に用いるものであることが好ましい。 （もっと読む）

第一の光を放射するための光源と、580から1000ｎｍの波長範囲において光に対する10％から80％の透過率を有するCaAlSiN光変換材料を含んだ、第一の光の少なくとも一部を第二の光に変換するための光変換層を有する発光デバイス。 （もっと読む）

共重合体を含むシリコン組成物を提供する。共重合体は、一般式：Ｈ−［ＳｉＨ_２ＣＨ_２］_ｘｎ［Ｓｉ（Ｒ_１）ＨＣＨ_２］_ｙｎ［ＳｉＨ（Ｒ_２）ＣＨ_２］_ｚｎ−Ｈで示され、式中、Ｒ_１は、メチル、フェニル、メトキシ、エトキシまたはブトキシ、Ｒ_２は、アリル、プロパギルまたはエチニル、そしてｘ，ｙおよびｚが０でないときｘ＋ｙ＋ｚ＝１である。前述の共重合体を使用した炭化ケイ素系材料と、それによって生成された生成物の生成方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】 比較的低温での焼結により相対密度９８％以上の高密度のＳｉＣを主成分とする焼結体を提供しようとする。
【解決手段】 ＳｉＣとＡ１Ｎとの固溶体の微粒子から構成された被焼結粉末を焼結して成り、該固溶体は０．５〜１０ｍｏｌ％のＡ１Ｎを含み、該微粒子は積層無秩序構造を持ち、前記焼結体の平均粒子サイズが５〜２００ｎｍであり、微量のＡ１Ｎが固溶したβ−ＳｉＣ構造、微量のＡ１Ｎが固溶したα−ＳｉＣと微量のＡ１Ｎが固溶したβ−ＳｉＣとの混在構造から選択される構造を有することを特徴とする焼結体であり、あるいは、該固溶体が８ｍｏｌ％以上のＡ１Ｎを含み、前記焼結体の平均粒子サイズが５〜２００ｎｍであり、前記焼結体が、Ａ１Ｎが固溶した変調構造を有する、ことを特徴とする焼結体である。
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【課題】スプラッシュの低減を可能としたボートを提供する。
【解決手段】二硼化チタンと窒化硼素及び／又は窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス焼結体からなり、金属蒸発面の通電方向に対する垂直方向の算術平均粗さ（Ｒａ）の比が０．７〜１．３であるか、又は金属蒸発面の通電方向に対する垂直方向の最大高さ（Ｒｍａｘ）の比が０．７〜１．３であることを特徴とする金属蒸発発熱体である。この場合において、通電方向及び通電方向に対して垂直方向の算術平均粗さ（Ｒａ）がいずれも２〜５μｍであり、また通電方向及び通電方向に対して垂直方向の最大高さ（Ｒｍａｘ）がいずれも３０〜６０μｍであること、算術平均粗さ（Ｒａ）又は最大高さ（Ｒｍａｘ）の調整が、サンドブラスト処理によって行われていること、及び金属蒸発面にキャビティを有すること、の実施態様から選ばれた少なくとも一つを備えていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 希土類多ホウ化物において、高温（９００Ｋ以上）で優れたｎ型の熱電的性質を有する新しい機能を示す多ホウ化物を提供することを目的としている。
【解決手段】 一般式ＲＥＢ_22+XＣ_4+YＮ_1+Z（−６＜Ｘ＜６、−３＜Ｙ＜３、−１＜Ｚ＜１、ＲＥは、Ｓｃ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素）で表される、三斜晶系または菱面体系に属する炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物を提供することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】高含有ＣＢＮ材料、同材を組み込んだ圧縮物、および同材を製造する方法および支持体上にＣＢＮ含有材料を結合した切削工具を提供する。
【解決手段】ＣＢＮ粒子とＷ_２Ｃｏ_２１Ｂ_６を含む相とを含み、さらにＣＢＮ含有相、ＴｉＣｘＮｙ含有相、ＷＣ含有相、ＷＣｏＢ含有相およびＡｌ含有相から選択された１以上の相を含む材料。ＴｉＣｘＮｙ（ｘ＋ｙ＝１）とＡｌを混合し、真空中で約９００℃で加熱してＡｌの一部を反応させ、粉砕してバインダー材料を形成する。６５〜９８％のＣＢＮと残部該バインダー材料とを混合した混合物を形成し、該混合物を支持体に結合した状態で、真空中１２００〜１３００℃の範囲で焼結する。 （もっと読む）

【課題】長期操業の可能なセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】焼結原料を予熱途中からプレスを開始して焼結温度まで高め、所定時間保持した後冷却することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。本発明においては、以下の実施形態等から選ばれた少なくとも一つを備えていることが好ましい。（１）プレス開始前の昇温速度が５００〜１４００℃／ｈであり、プレス開始前の昇温速度をプレス後の昇温速度よりも遅くすること。（２）冷却途中でプレスを解除すること。（３）焼結温度が１２００〜２２００℃、プレス圧力が１０ＭＰａ以上であること。（４）プレスの開始と解除を８００〜１４００℃で行うこと。（５）焼結原料を、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること。（６）複数個の焼結原料が容器に収納されてなるユニットを、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること、など。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素より高比剛性でありかつ緻密な材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素５０〜９５質量部、炭化ホウ素５〜５０質量部、遊離炭素０．１〜５質量部を含むセラミックスであって、比剛性が１３０ＧＰａ・ｃｍ^３／ｇ以上であることを特徴とする高剛性セラミックス材料。混合時にさらにアルミニウムあるいはアルミニウム化合物をアルミニウム換算で０．１〜５重量部添加し、焼成を不活性ガス雰囲気中もしくは真空中で行う。 （もっと読む）

【課題】 パイプヒータの単純小型化と熱効率の向上を図る。
【解決手段】 炭化ケイ素焼結体からなる複数の中空円筒状のヒータと、上記ヒータの端部同士を連結する複数の中空連結部と、を備える炭化ケイ素焼結体からなるパイプヒータ。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐反応性に優れたセラミックス部材および高温反応炉を提供することを目的とする。
【解決手段】 本質的に窒化珪素質相と第二相とSiC粒子相からなるセラミックス部材であって、第二相とSiC粒子相の合計が２質量％以下であり、第二相は、０．５〜１．３質量％の希土類酸化物と０．５〜１．３質量％の酸窒化アルミニウムポリタイプの固溶したものであり、その第二相の形状のアスペクト比が５以上の割合が１０％以下であり、または、その第二相の形状の短軸側の最大径が０．８μｍ以上の割合が３０％以下であり、かつ、SiC粒子相は、平均粒径０．０５μｍ以下で０．２〜０．４質量％の球状SiC微粒子からなることを特徴とする耐反応性に優れたセラミックス部材、および、この部材を用いてなる高温反応炉である。 （もっと読む）

【課題】
高い硬度を有するセラミックス焼結体を提供すること。
【解決手段】
ＣｒＢ₂粉末と、Ｃｒ₃Ｃ₂粉末とを含有する原料混合物を焼結して得られることを特徴
とするセラミックス焼結体、およびその製造方法。
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【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板１として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜２が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 （もっと読む）

【課題】優れた均熱性を有するセラミックス部材を提供する。
【解決手段】セラミックス部材１０は、セラミックス焼結体１１と、セラミックス焼結体１１に接して形成された、金属元素を含む金属部材１２とを備える。セラミックス焼結体１１における金属部材１２周辺の変質層１１ａの厚さｔは３００μｍ以下に抑えられている。 （もっと読む）