【課題】スプラッシュの低減を可能としたボートを提供する。
【解決手段】二硼化チタンと窒化硼素及び／又は窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス焼結体からなり、金属蒸発面の通電方向に対する垂直方向の算術平均粗さ（Ｒａ）の比が０．７〜１．３であるか、又は金属蒸発面の通電方向に対する垂直方向の最大高さ（Ｒｍａｘ）の比が０．７〜１．３であることを特徴とする金属蒸発発熱体である。この場合において、通電方向及び通電方向に対して垂直方向の算術平均粗さ（Ｒａ）がいずれも２〜５μｍであり、また通電方向及び通電方向に対して垂直方向の最大高さ（Ｒｍａｘ）がいずれも３０〜６０μｍであること、算術平均粗さ（Ｒａ）又は最大高さ（Ｒｍａｘ）の調整が、サンドブラスト処理によって行われていること、及び金属蒸発面にキャビティを有すること、の実施態様から選ばれた少なくとも一つを備えていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】
セラミック前駆体のケイ素系高分子を薄膜化しイオンビームにより円筒架橋部を形成し、これを焼成することによって、数量、太さ、長さの制御された直径数ナノ〜数十ナノのセラミックスナノワイヤーを均一に、簡便に作製する方法を提供する。
【解決手段】
セラミック前駆体として使用可能なケイ素系高分子を用いて形成した薄膜にイオンビーム照射すると形成される円筒架橋部を溶媒抽出することにより得られるケイ素系高分子ナノワイヤーを、電離放射線で再架橋させ、セラミックナノワイヤーの形状保持及び収率を向上させる直径数ナノから数十ナノのセラミックナノワイヤーの合成方法。 （もっと読む）

【課題】ガス分離材における支持体（基材）等に適した窒化ケイ素多孔質体を形状精度よく製造し得る方法、及び、係る多孔質体を用いたガス分離材を提供する。
【解決手段】本発明の窒化ケイ素多孔質体の製造方法では、金属Ｓｉ粉末と金属Ａｌ粉末と酸化イットリウム粉末Ｙ₂Ｏ₃と酸化アルミニウム粉末Ａｌ₂Ｏ₃とを含む成形用材料を所定の形状に成形し、該成形体を仮焼した後、窒化可能な雰囲気中で反応焼結させる。このときの仮焼温度及び反応焼結温度は、Ｘ線回折パターンにおける酸窒化物のピーク強度Ｘ_ONとβ型窒化ケイ素のピーク強度Ｘ_SiNとの強度比（Ｘ_ON／Ｘ_SiN）が２０〜４０であり、且つ、３点曲げ強度（２５℃）が７０ＭＰａ以上である窒化ケイ素多孔質体が形成されるように決定される。本発明のガス分離材は、該多孔質体から構成される基材１４と、その上に形成されたガス分離膜１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 反りや変形がなく、寸法精度に優れた板状の窒化アルミニウム焼結体、及びその表面に金属化層を設けた半導体用基板として好適な窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 成形体の厚み方向及び表面方向の密度バラツキを制御し、この成形体を焼成することにより、反り量が３５μｍ／１０ｍｍ以下、厚みのバラツキが１６０μｍ／ｍｍ以下の窒化アルミニウム焼結体を得る。密度のバラツキを制御した上記成形体は、表面粗さがＲａで０.１μｍ以下の成形面を有する成形型を用い、成形体の加圧方向断面積Ａ（ｍｍ^２）と成形圧力Ｓ（ｋｇ／ｍｍ^２）とがＳ／Ａ≧０.００２の関係を満たす条件下で成形する。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素焼結体の焼成時間の短縮を図る。
【解決手段】
（イ）炭化ケイ素粉末及び炭素源を有機溶媒に混合してスラリー溶液を調製する工程と、（ロ）上記スラリー溶液を乾燥させ造粒粉を得る工程と、（ハ）上記造粒粉を焼成して脱脂粉を得る工程と、（ニ）上記脱脂粉表面にバインダーをコーティングして炭化ケイ素焼結体用粉体を得る工程と、を備える炭化ケイ素焼結体用粉体の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、ハニカムセラミックス微粒子捕集フィルタ基体、該基体から構成される微粒子捕集フィルタ、微粒子捕集フィルタ装置、及びそれらの製造方法を開示する。本発明のハニカムセラミックス微粒子捕集フィルタ基体は以下の重量比の原料から生成される。すなわち、シリコンカーバイド：１、粘土：０．０５〜０．５、小麦粉：０．１〜０．３５、グリース：０．０２５〜０．０５、水：０．２〜０．３５であり、基体はセル密度が４〜６２セル／ｃｍ２のハニカム構造を有し、セル壁厚は０．２〜１．２ｍｍであり、セル壁の多孔率は４０％〜７０％であり、セル壁の貫通孔率は>３０％、セル壁微細孔の平均半径の分布は１〜５０μｍである。前記捕集フィルタ基体は、異なる多面体或いは曲辺多面柱状体として設計でき、組合わせ、接着後に自動車の微粒子捕集フィルタとして形成される。微粒子捕集フィルタを封装することにより、微粒子捕集フィルタ装置が形成される。本発明は、ディーゼル車とその他の自動車の微粒子汚染物質の汚染問題を解決し、自動車、特にはディーゼル車の排気による環境汚染を有効に低減できる。 （もっと読む）

【課題】 パイプヒータの単純小型化と熱効率の向上を図る。
【解決手段】 炭化ケイ素焼結体からなる複数の中空円筒状のヒータと、上記ヒータの端部同士を連結する複数の中空連結部と、を備える炭化ケイ素焼結体からなるパイプヒータ。 （もっと読む）

炭化珪素質ハニカム構造体の製造過程で発生した当該ハニカム構造体の出発原料に由来する回収物から再生された再生原料を、出発原料の一部として用いたハニカム構造体の製造方法であって、前記再生原料が平均粒径１０〜３００μｍに粉砕されている炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法である。本発明によれば、炭化珪素質ハニカム構造体を製造する上で問題となっていたボイドや粗大粒子などの構造欠陥が形成されにくく、優れた強度や均一な熱伝導を有する炭化珪素質ハニカム構造体が得られる。また、既に一度混練が行われているものを出発原料の一部に使用しているため、混練時間を短縮することもできる。 （もっと読む）

平坦な支持表面３ｂを有すると共に容易に大型化できかつ破壊靭性を向上させた定盤を提供する。支持表面３ｂを有する定盤３であって、セラミックスからなる主物質ａと、金属からなる補助物質ｂとの複合物質Ａによって形成される。
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【課題】 耐プラズマ性が充分高く、寿命の長いドライエッチング装置用電極を提供する。
【解決手段】 例えば窒化アルミニウム粉末１００質量部および希土類酸化物０．５〜２０質量部を含むグリーン体を還元性雰囲気中で焼結することにより窒化アルミニウム粒界に希土類窒化物を生成させることにより得られる導電性の窒化アルミニウムで表面の一部又は全部を構成した貫通孔を有する成形体をドライエッチング装置用電極として用いる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ全面に均一に成膜でき、且つパーティクルの発生の少ない半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、発熱体および高周波電極を埋設したセラミックス製のウェハ保持体であって、前記セラミックス中に埋設された高周波電極の直径が、高周波電極に対向する上部高周波電極の直径よりも大きいことを特徴とする。前記セラミックスの主成分は、窒化アルミニウムであることが好ましく、また、前記高周波電極が、膜形状であることが好ましい。 （もっと読む）

再生処理等で熱応力がかかった際に、炭化珪素の粒子が破壊されることによって大きなクラックが発生するのを抑制でき、また、再生処理を繰り返し行った際に、担持した触媒が劣化するのを抑制でき、長期にわたって安定して使用することができるセラミック焼結体ならびにセラミックフィルタを提供することを目的とする。 本発明は、セラミック粗粒子、およびこのセラミック粗粒子群間にあってこれらを繋ぐように存在し、該セラミック粗粒子よりもその平均粒子径が小さなセラミック微粒子および／またはこれらの集合体からなる多結晶体の接合層とからなること特徴とするセラミック焼結体、ならびにこのセラミック焼結体を用いて作製されたセラミックフィルタ。
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【課題】低コストで安定した、大型、大面積で薄肉のセラミック体の製造方法を提供する。
【解決手段】耐熱性を有する型にセラミック原料粉末スラリーを注入し、乾燥、固化させる工程と、型の内部あるいは表面に形成された成形体を脱型せず型ごと焼成炉内に配し、所定温度に加熱し、前記成形体を焼結せしめ、炉冷後、型から焼結体を取り出す工程から成る大型薄肉セラミック体の製造方法。
【効果】脱型することなく、成形後、そのまま焼成することにより成形体のハンドリングが不要となり、大型薄肉セラミック体を容易に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 強度や破壊靭性などの機械的特性及び耐熱衝撃性を向上させた弁部材を提供すること。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなり、液体の流路の少なくとも一部を構成する溝または穴部を備えた液体用の弁部材であって、該弁部材を成す窒化珪素質焼結体は、窒化珪素を主成分とする結晶相と、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｕのうち少なくとも１種の第１の金属元素の珪化物からなる第１金属珪化物および上記第１の金属元素よりも融点の高い第２の金属元素の珪化物からなる第２金属珪化物を含む粒界相とを有し、且つ上記溝または穴部の表面における上記第１の金属珪化物および第２の金属珪化物のそれぞれの濃度が上記窒化硅素質焼結体の内部より低いことで耐熱衝撃性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】例えば容積が３０００ｃｍ^３以上の大形品にして３０ＭＰａの曲げ強度を有する窒化ホウ素焼結体を、焼結助剤を用いなくても、容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】六方晶窒化ホウ素粉を含む一軸加圧成形体に、第１と第２の少なくとも２回の冷間等方圧加圧処理を増圧して行った後、焼成することを特徴とする窒化ホウ素焼成体の製造方法。この場合において、第２の冷間等方圧加圧処理の圧力が、第１の冷間等方圧加圧処理の圧力の１．５〜５倍であることなどが好ましい。 （もっと読む）

【課題】セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板を用いた窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜の形成方法、及び該単結晶薄膜形成基板を使用した発光素子などの半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系又は三方晶系から選ばれた少なくともいずれかの結晶構造を有するセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を基板１として用いることにより、その上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜２が形成され、さらに上記の結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を用いることにより発光効率に優れた発光素子などの半導体素子の製造が可能となる。 （もっと読む）

高温の煙道ガス（２２）を発生させるため燃料・空気混合体を燃焼させるための多孔性バーナであって、ハウジング（１２）を含み、ハウジング内に多孔性で耐高温性の炭化ケイ素（SiC）からなる多孔性材料（１６）が燃焼のために設けられている多孔性バーナ（１０）において、多孔質体がケイ化された炭素織物を含み、この織物が秩序正しい、規則的な構造を有する。炭化ケイ素からなる織物（１６）は、平らな面から外れた形状、例えば波形を有してもよく、複数の織物部分（２８、３０）が層をなして重なり合うようになっていてよい。
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【課題】ナトリウム金属等を含むフラックスを使用して単結晶を育成するのに際して、高温で単結晶を育成した場合であっても、反応容器内のフラックスによる反応容器の膨潤や浸潤を防止できるようにすることである。
【解決手段】アルカリ金属とアルカリ土類金属との少なくとも一方を含むフラックスを使用して単結晶を育成するのに使用する反応容器２５であって、窒化チタンと窒化ジルコニウムとの一方または双方を主成分として含むセラミックスからなる反応容器２５を提供する。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素表面リッチ層を簡易に設けることができる炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】
炭化ケイ素粉末を含むスラリーを鋳型に流し込みグリーン体を得る工程と、上記グリーン体を圧縮して仮成形体を得る工程と、上記仮成形体の表面に炭素源をコーティングし表面炭素層を形成する工程と、上記表面炭素層にケイ素蒸気を暴露し、上記炭素源とケイ素を反応させて炭化ケイ素表面リッチ層を形成する工程と、を備えることを特徴とする炭化ケイ素焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高硬度炭化物粒子がマトリックス金属中に分散した複合耐磨耗材の耐磨耗性を更に改善する。
【解決手段】 マトリックス金属１０中に高硬度異形炭化物粒子２０を、断面積比で２０〜７０％となるように分散して混合する。高硬度異形炭化物粒子２０は、マトリックス金属１０からの脱離を抑制するためにマトリックス金属１０中へ食い込むように本体２１の表面の一部から突出した保持部２２を有する。 （もっと読む）