【課題】接合後の位置ズレが小さく、また、接合強度及び気密性が高く、中空部を有する場合でも中空部の寸法精度に優れた接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】第一の炭化珪素焼結体１１及び第二の炭化珪素焼結体１２を得る工程と、第二の炭化珪素焼結体１２の接合面１２ａを表面粗さＲａ０．６μｍ以下に加工する工程と、第一の炭化珪素焼結体１１の接合面１１ａに炭化珪素含有金属珪素層１３を形成する工程と、第二の炭化珪素焼結体１２の接合面１２ａと炭化珪素含有金属珪素層１３とを当接し、真空中で熱処理する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】高い接合強度を有するとともに、高温・腐食環境下等の極限環境下における強度低下の原因となるような金属が残留しておらず、かつ、低い処理温度で安価に製造できるセラミックス接合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックス焼結体２が接合されてなるセラミックス接合体１である。各セラミックス焼結体２の接合面に、少なくともケイ素を含み、セラミックス焼結体２とは異なる組成及び組織構造を有するセラミックス被膜３が形成されており、セラミックス被膜３が形成された接合面同士が、セラミックス中間層４を介して接合されている。 （もっと読む）

【課題】筒状セラミックス体にひびや割れが生じにくい熱伝導部材を提供する。
【解決手段】一方の端面から他方の端面まで貫通し、加熱体である第一の流体が流通する流路を有する筒状セラミックス体１１と、筒状セラミックス体１１の外周面に嵌合する金属管１２と、筒状セラミックス体１１と金属管１２との間に挟み込まれて軟質粒子を分散した金属から形成される中間材１３と、を備え、筒状セラミックス体１１の内部に第一の流体を、金属管１２の外周面１２ｈ側に第一の流体よりも低温の第二の流体を流通させ、第一の流体と第二の流体との熱交換を行う熱伝導部材１０。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面のうち少なくともアルミニウム層１２が形成される領域に、Ｃｕを固着し、Ｃｕを含有する固着層２４を形成する固着工程と、固着層２４が形成されたセラミックス基板１１を鋳型５０内に配置し、この鋳型５０内に溶融アルミニウムＭを充填し、セラミックス基板１１と溶融アルミニウムＭとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、セラミックス基板１１と接触した状態で溶融アルミニウムＭを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数のハニカムユニットに安定して通電すると共に、高容量バッテリーから端子を経て電極間に電圧を印加しても断線及び接触抵抗による発熱を抑制することが可能なハニカム構造体及び該ハニカム構造体を有する排ガス浄化装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ハニカム構造体１０は、複数の貫通孔が長手方向に並設されていると共に、導電性セラミックスを含むハニカムユニット１１が接着層１２を介して４個接着されており、ハニカムユニット１１の外周面には、一対の帯状電極１３が形成されており、４個の一対の帯状電極１３と電気的に接続されている一対の導電部材１４が設置されている。 （もっと読む）

【課題】 接着材ペーストが端面側に押し出されることがなく、端面の封止不良等が発生しにくいハニカム構造体を提供すること。
【解決手段】 多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、それぞれ側面と端面とを有する複数のハニカム焼成体と、前記複数のハニカム焼成体の側面に配設され、それぞれ前記のハニカム焼成体を結束させる複数の接着材層と、前記複数のハニカム焼成体の側面に配設された複数の端面部材と、を有するハニカム構造体であって、上記ハニカム焼成体の上記接着材層と接する側面は、上記ハニカム焼成体の端面と接する辺Ａを有し、上記端面部材は、無機材料からなり、上記辺Ａと略同じ幅の辺Ｘを有する略四角柱形状であり、上記端面部材は、辺Ｘが上記ハニカム焼成体の端面に近接するように配置されていることを特徴とするハニカム構造体。 （もっと読む）

【課題】 高温・高真空下で分解が生じ難い多孔質体、その製造方法、およびこれを用いた接合体を提供する。
【解決手段】 多孔質窒化珪素から成る基材１２の表面２２にポリシラザン由来の窒化珪素から成る被膜１４が設けられていることから、その基材１２の耐熱性が高められ、1400(℃)、0.1(Pa)の高温・高真空下で熱処理する際にも分解が抑制される。そのため、Si-Al合金ロウ材を用いてエンドキャップと接合する際に、基材１２の分解が抑制されるので、その後に分離膜として機能する多孔質膜を容易に形成できる。しかも、被膜１４は基材１２の細孔を閉塞しないので、被膜１４を設けない場合に遜色ない通気性が保たれる利点がある。 （もっと読む）

【課題】多層セラミック基板の製造方法が開示される。
【解決手段】本多層セラミック基板の製造方法は、結晶化ガラス成分を含有する複数のセラミックグリーンシートが積層されて成り第１及び第２面を有するセラミック積層体と、セラミック積層体の第１及び第２面のうち他のセラミック積層体と接する面として提供される面に形成され、非結晶化ガラス成分を含有する第１接合用セラミックグリーンシートを含む複数のセラミックブロックを備える段階、複数のセラミックブロックを焼成する段階、隣接した複数のセラミックブロックの第１接合用セラミックグリーンシート同士が向い合うよう複数のセラミックブロックを積層する段階、及び第１接合用セラミックグリーンシートの非結晶化ガラス成分を利用して複数のセラミックブロックを接合させる段階を含む。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素系材料でできた物品をろう付けによって組み立てるための方法を提供すること。
【解決手段】酸化性雰囲気下での非反応性ろう付けによる、炭化ケイ素系材料でできた少なくとも2つの物品の適度に耐火性のアセンブリのための方法であって、前記物品を非反応性ろう付け用組成物と接触させて配置し、前記物品及び前記ろう付け用組成物により形成された前記アセンブリを、酸化性雰囲気下で、適度に耐火性のジョイントを形成させるために、ろう付け用組成物を溶融させるのに十分なろう付け温度で加熱し、前記非反応性ろう付け用組成物が、シリカ(SiO₂)、アルミナ(Al₂O₃)、及び酸化カルシウム(CaO)で構成される組成物Aであるか、あるいは、アルミナ(Al₂O₃)、酸化カルシウム(CaO) 、及び酸化マグネシウム(MgO)で構成される組成物Bである方法。
前記ろう付け用組成物及び有機バインダーの粉末を含むろう付け用懸濁物、ペースト。
耐火性ジョイント及びアセンブリ。 （もっと読む）

【課題】過酷な熱サイクル環境の下でも割れ等の発生のないパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２の上に回路層用金属板７をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、セラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板２に噴射することにより、該セラミックス基板２の表面にセラミックス被膜６を形成し、その後、該セラミックス被膜６の上に回路層用金属板７をろう付け接合する。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素を母材としたセラミックス基板へのアルミニウム板の接合性を向上させたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素を母材とするセラミックス基板２の上に回路層用アルミニウム板７をろう付け接合してなるパワーモジュール用基板の製造方法であって、窒化アルミニウム又はアルミナのうちのいずれか又はこれらの混合物からなるセラミックス粉末をガス中に分散してエアロゾル化し、そのエアロゾルをセラミックス基板２に噴射することにより、該セラミックス基板２の表面にセラミックス被膜６を形成し、その後、該セラミックス被膜６の上に回路層用アルミニウム板７をろう付け接合する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム焼結体よりなるチューブと高融点金属棒状体との接合部において高い気密性が得られるような電極構造体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の電極構造体の製造方法は、窒化アルミニウム焼結体よりなるチューブ１１の孔部に高融点金属棒状体１２を遊嵌させ、該チューブ１１と該棒状体１２とを接合してなる電極構造体の製造方法であって、前記チューブ１１に前記棒状体１２を遊嵌させたときに、該チューブの接合予定面１４と該棒状体の接合予定面１５とが鈍角をなすように、該チューブ１１が形成されており、前記チューブの接合予定面１４と前記棒状体の接合予定面１５との間に、窒化アルミニウムおよび高融点金属を含む混合ペーストを介在させ、該混合ペースト中の窒化アルミニウムと高融点金属とを焼結させて、該チューブ１１と該棒状体１２とを接合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】接合時にＳｉＣ多孔体の内部に接合材が過剰に侵入することを防ぐと共に、十分な接合強度を得る。
【解決手段】ＳｉＣで構成される多孔体と、接合材とを接合させる接合方法であって、前記多孔体を、大気中において第１の温度で熱処理し、前記多孔体内の残留カーボンを除去する工程と、前記第１の温度で熱処理がされた多孔体の接合面にカーボンを塗布する工程と、前記接合面において、前記多孔体と前記接合材とを接合させる工程と、を少なくとも含む。これにより、ＳｉＣ多孔体と接合材（例えば、金属シリコン）との濡れ性が悪化して、ＳｉＣ多孔体内部への接合材の過剰な侵入を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】接合時にＳｉＣ多孔体の内部に接合材が侵入し難く、適切な接合を行なう。
【解決手段】ＳｉＣで構成される多孔体と、接合材とを接合させる接合方法であって、アルミニウムまたはホウ素の窒化物を前記多孔体内に浸透させる工程と、前記多孔体の接合面にカーボンを塗布する工程と、前記接合面において、前記多孔体と前記接合材とを接合させる工程と、を少なくとも含む。これにより、接合材がＳｉＣ多孔体内部へ過剰に侵入することを防ぎ、ＳｉＣ多孔体と接合材との反応を阻害することが可能となる。その結果、ＳｉＣ多孔体と接合材とを適切に接合させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】セラミック接合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主成分とし、接合部を有するセラミック接合体であって、向かい合う接合面が共に嵌め合いとなる形状を有しており、かつ前記接合面間の空隙が反応焼結を含む工程を経て合成された窒化ケイ素基材料により充填され、それらが強固に結合されていることを特徴とするセラミック接合体、及びその製造方法。
【効果】各工程中における接合面間の距離を維持したまま、成形体及び充填部を窒化、焼結・緻密化、そして結合を同時に行うことにより、安定した接合部を有するセラミック接合体を作製できる。 （もっと読む）

【課題】応力の発生ないし部分的集中が抑制された、各部材の接合強度が高い接合構造体の提供する。
【解決手段】第１部材と、第２部材と、この第１部材と第２部材との間に介在した中間部材とからなり、これらの各部材が接合材によって接合された接合構造体であって、前記中間部材が空間を形成する複数の孔もしくは溝を有することを特徴とする、接合構造体。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ₂Ｏ₅を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】均熱性が良好で純度の高い炭化ケイ素焼結体ヒータ及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】かさ密度３．０ｇ／ｃｍ³以上、熱伝導率２００ｗ／ｍ・ｋ以上の炭化ケイ素焼結体からなる加熱体と、加熱体に通電して前記加熱体を昇温させる、かさ密度２．２ｇ／ｃｍ³以下、熱伝導率１００ｗ／ｍ・ｋ以下の炭化ケイ素焼結体からなる１対の電極と、を備え、加熱体と電極は、接合材を加熱焼結して得られる炭化ケイ素焼結体を介して一体に接合されている炭化ケイ素焼結体ヒータ。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素からなる多数の連通孔を有し、流体透過が可能な多孔質セラミックスをろう付けする際に、多孔質部分の気孔内へのろう材の浸入を抑制し、通気性、透水性等の多孔質セラミックスの特性を損なうことなく、均一に接合させる炭化ケイ素多孔質セラミックスの接合方法およびその方法により得られる接合部材を提供する。
【解決手段】７５０℃以上１７００℃以下で熱処理することにより、炭化ケイ素多孔質セラミックス内外表面を酸化膜とし、該酸化膜形成面を他の炭化ケイ素セラミックス材に、シリコン系ろう材を用いて接合させる。 （もっと読む）

ダイヤモンドと拡散接合又は拡散型接合を形成することのできる材料の層であって、ダイヤモンド要素に接合される層を有する接合構造体を製造する方法。その方法は、ダイヤモンドと前記の材料の層との間の、又は前記の材料の層と金属要素の表面若しくは金属構造体の表面との間の複数の接触表面の局所領域に電子ビーム加熱を施用して、その領域における前記複数の接触表面の少なくとも一部分を接合する工程を含む。その方法は、ダイヤモンドの層をフレーム又は取り付け台に接合する工程に関して独特の適用を有する。 （もっと読む）