【課題】 セラミック体と金属体との接合強度を比較的高くするとともに、長期にわたって安定した接合強度を実現する。
【解決手段】 接合層３２を、セラミック体１６の貫通孔１６ａの内面１７に対して、第１内面部分７２ａの少なくとも一部から第２内面部分７２ｂの全体を経て第３内面部分７２ｃの少なくとも一部まで連続して接着させ、セラミック体１６と金属体１４との接合強度を比較的高くするとともに、貫通孔１６ａの内面１７と柱状部１５の側面１９との間における接合層３２の一方主面１６αの側の端面３２ａを、他方主面１６βの側に向かって凹んだ凹形状とした、セラミック体１６と金属体１４との接合体１である。温度変化等に応じて接合層自体が変形し易く、接合層自体の変形によって応力を緩和することができ、比較的長期にわたって安定した接合強度を実現する。 （もっと読む）

【課題】接合後の位置ズレが小さく、また、接合強度及び気密性が高く、中空部を有する場合でも中空部の寸法精度に優れた接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】第一の炭化珪素焼結体１１及び第二の炭化珪素焼結体１２を得る工程と、第二の炭化珪素焼結体１２の接合面１２ａを表面粗さＲａ０．６μｍ以下に加工する工程と、第一の炭化珪素焼結体１１の接合面１１ａに炭化珪素含有金属珪素層１３を形成する工程と、第二の炭化珪素焼結体１２の接合面１２ａと炭化珪素含有金属珪素層１３とを当接し、真空中で熱処理する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と導体パターン層との強固な接合性を得ることができ、組立作業性を向上させることができるパワーモジュール用基板用の導体パターン部材を提供する。
【解決手段】導体パターン部材１０は、導体パターン層６とろう材箔９とを積層状態に仮固定してなり、導体パターン層６の表面にろう材箔９を溶接することにより形成された溶接部１２が、導体パターン層６の外縁の少なくとも対向する二辺に沿って又は前記二辺の端部に位置するように複数設けられている。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板とアルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム層との界面強度が高く信頼性に優れたパワーモジュール用基板を効率よく生産することができるパワーモジュール用基板の製造方法、及び、パワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一方の面のうち少なくともアルミニウム層１２が形成される領域に、Ｃｕを固着し、Ｃｕを含有する固着層２４を形成する固着工程と、固着層２４が形成されたセラミックス基板１１を鋳型５０内に配置し、この鋳型５０内に溶融アルミニウムＭを充填し、セラミックス基板１１と溶融アルミニウムＭとを接触させる溶融アルミニウム充填工程と、セラミックス基板１１と接触した状態で溶融アルミニウムＭを凝固させる凝固工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックス基板と第一の金属板及び第二の金属板との接合信頼性が高く、かつ、セラミックス割れの発生を抑制できるヒートシンク付パワーモジュール用基板、このヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法、及び、このヒートシンク付パワーモジュール用基板を用いたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板と、該第二の金属板の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウム又はアルミニウム合金からなるヒートシンクとを備え、前記第一の金属板及び前記第二の金属板のうち前記セラミックス基板との界面近傍にはＣｕが固溶されており、前記第二の金属板及び前記ヒートシンクの接合界面近傍にはＡｇが固溶されている。 （もっと読む）

【課題】十分な接合率および接合強度が得られ、スパッタリング中に熱の影響を受けても割れの発生を著しく低減できるスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材２０の内周面に、または円筒形状のセラミックス焼結体からなるターゲット材の内周面と円筒形支持基材１０の外周面の両方に、ニッケルまたは銅からなる第１の下地層３０を形成し、その第１の下地層の上に、スズからなる第２の下地層４０を形成し、次いで、そのターゲット材を円筒形支持基材の外側に配置し、両者を接合材で接合し、ターゲットを製造する。 （もっと読む）

【課題】第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制し、信頼性の高いパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板２１と、第一の金属板２２と、第二の金属板２３と、を備えたパワーモジュール用基板２０であって、第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成されており、第二の金属板２３は、耐力が３０Ｎ／ｍｍ^２以下のアルミニウムで構成されており、第二の金属板２３とセラミックス基板２１との接合界面には、Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｇａ，Ｌｉのうちのいずれか１種又は２種以上の添加元素が固溶しており、第二の金属板２３のうち接合界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されている。 （もっと読む）

【課題】強磁場中で望ましくない干渉を引き起こす可能性のある強磁性特性を全く有しない強磁場中で使用するための筐体用の金属被覆及び低コストで信頼性の高いＳＡＷフィルタチップを取り付けるのに適する密閉マイクロ空洞を提供する。
【解決手段】セラミック１０用の金属被覆３０は、金属を有する基底層１２と、パラジウムを含み、層厚さが０．１〜５μｍの間にある接着層１４と、非強磁性材質のはんだづけ可能層１６と酸化保護層２０とを含み、接着層１４の材質がはんだづけ可能層１６の材質と異なる。 （もっと読む）

【課題】炭化ホウ素含有セラミックス部材同士を、簡便な方法で、かつ、接合強度が１００ＭＰａ以上の極めて高い強度をもって接合することができる新規な技術の提供。
【解決手段】炭化ホウ素を含有してなる各セラミックス部材同士が、接合層を介して一体化されてなり、かつ、接合した部分の強度が１００ＭＰａ以上である炭化ホウ素含有セラミックス接合体。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、金属板１２，１３には、Ｚｎ，Ｇｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｇａ及びＬｉから選択される１種又は２種以上の添加元素が固溶されており、金属板１２，１３のうちセラミックス基板１１との界面近傍における前記添加元素の濃度の合計が０．０１質量％以上５質量％以下の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温環境下において、耐熱性及び接合信頼性を確保することができると共に、オーミックコンタクト性の確保が可能な接合体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくともＳｉを含む化合物からなるセラミック体１０と、その表面に接合された金属体１１との接合体１及びその製造方法である。金属体１１は、Ｃｒと、Ｓｉの拡散係数がＣｒよりも高い金属元素とを少なくとも含有し、かつ熱膨張係数が１１×１０^-6／℃以下である。セラミック体１０と金属体１１との接合界面には、ＳｉとＣｒと上記金属元素とを含有する拡散接合領域１２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】金属板とセラミックス基板とが確実に接合され、熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、このパワーモジュール用基板を備えたパワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法、ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の表面に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属板１２，１３が積層されて接合されたパワーモジュール用基板１０であって、金属板１２，１３には、Ａｇが固溶されており、金属板１２，１３のうちセラミックス基板１１との界面近傍におけるＡｇ濃度が０．０５質量％以上１０質量％以下の範囲内に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面粗さに関係なく、金属又は金属化合物の基板同士の接合を可能とする方法を提供すること。
【解決手段】金属又は金属化合物の基板とシリコンを主とする基板を接合して接合体を製造するに際し、あるいは、金属又は金属化合物の基板同士を接合して接合体を製造するに際し、金属又は金属化合物の基板の表面にシリコン化合物を形成する金属を被覆し、該被覆面に他方の基板を接触配置して熱処理する、好ましくは、接触面を局所的に加熱することからなる接合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】容易に、かつ、低コストで、金属板とセラミックス基板とが確実に接合された熱サイクル信頼性の高いパワーモジュール用基板を得ることができるパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の接合面及び金属板の接合面のうち少なくとも一方にＳｉとＣｕを固着させるＳｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１と、固着したＳｉ及びＣｕを介してセラミックス基板と金属板とを積層する積層工程Ｓ２と、積層方向に加圧するとともに加熱して溶融金属領域を形成する加熱工程Ｓ３と、この溶融金属領域を凝固させる凝固工程Ｓ４と、を有し、Ｓｉ及びＣｕ固着工程Ｓ１において、セラミックス基板と金属板との界面に、Ｓｉ；０．００２ｍｇ／ｃｍ^２以上１．２ｍｇ／ｃｍ^２以下、Ｃｕ；０．０８ｍｇ／ｃｍ^２以上２．７ｍｇ／ｃｍ^２以下を介在させ、加熱工程Ｓ３において、Ｓｉ及びＣｕを金属板側に拡散させることにより溶融金属領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】メタライズ膜とセラミック枠体の接合強度が高いと共に、セラミック枠体の反りの発生を防止でき、メタライズ膜とＮｉめっき被膜の界面強度が高く、接合体の接合信頼性の高い高放熱型電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】ヒートシンク板１１と、セラミック枠体１２と、外部接続端子１３を有する高放熱型電子部品収納用パッケージ１０において、ヒートシンク板１１と外部接続端子１３に接合するセラミック枠体１２の当接部分に設けられるメタライズ膜１４が第１と第２のメタライズ膜１４ａ、１４ｂの２層構造からなり、セラミック枠体１２に設けられる第１のメタライズ膜１４ａがＷ、Ｍｏ、又はこれらの両方を含む高融点金属にセラミック枠体１２を構成するセラミック粉末を含有してなり、この上面に設けられる第２のメタライズ膜１４ｂがセラミック粉末を含有しない高融点金属からなる。 （もっと読む）

【課題】 ろう材を含む接合材を介した、セラミック基板と金属枠体との接合の信頼性が高い電子部品収納用パッケージを提供する。
【解決手段】 上面に電子部品の搭載部１ａを有するセラミック基板１と、セラミック基板１の上面にろう材５を含む接合材３を介して接合された、搭載部１ａを取り囲む金属枠体２とを備え、金属枠体２はろう材５よりも熱膨張係数が小さく、接合材３は、熱膨張係数が金属枠体２の熱膨張係数以下の金属粉末が加圧成型されてなる枠状のコア材４と、コア材４の表面を覆うとともに少なくともその表面近傍の金属粉末の間に含浸したろう材５とからなる電子部品収納用パッケージである。コア材４により接合材３の熱膨張係数を低減でき、接合強度を向上できるため、接合材３に作用する熱応力を小さくして接合材３の破壊を抑制することができるので、接合の信頼性が高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】ステータを腐食環境から保護するシール組立体を含む電子デバイスを提供する。
【解決手段】本明細書で開示されるのは、ロータ（３０）と、ステータ（４０）と、少なくとも１つの継手及びモノシリック・セラミックセパレータ（１１０）を有するシール組立体（１００）と、を備えるモータ２０を含むシステム（１０）である。シール組立体（１００）の各継手は化学結合継手であり、モノシリック・セラミックセパレータ（１１０）が、モータ（２０）のロータ（３０）とステータ（４０）の間のギャップ（５０）に配置され、シール組立体（１００）がロータ（３０）とステータ（４０）を気密分離する。 （もっと読む）

【課題】金属部材とセラミッ部材との信頼性の高い接合が可能で、かつセラミック部材にクラックが発生することのない接合構造体、及びそのような接合構造体を備えた高信頼性の半導体素子収納用パッケージを提供する。
【解決手段】金属からなる第１の部材１１と、この第１の部材１１に接合される、表面に金属層１２ａを有するセラミックからなる第２の部材１２と、第１の部材１１上から第２の部材１２の金属層１２ａ上に跨って配置される金属からなる第３の部材１３と、第１の部材１１および第２の部材１２の金属層１２ａと、第３の部材１３との間に配置されるろう材１４と、第３の部材１３の周囲にろう材１４により形成されるフィレット１５，１６とを具備し、第３の部材１３は、第１の部材１２と対向する部分にのみろう材１４の溜まり部となる面取部１７を備える接合構造体、及びこのような接合構造体を有する半導体素子収納用パッケージ。 （もっと読む）

【課題】高信頼性のセラミックス／金属の接合技術を提供する。
【解決手段】接合部材は、金属製の第１の円筒部１９と、第１の円筒部１９と同軸に軸端面同士で接合され、第１の円筒部１９を形成する金属よりも熱膨張率が小さいセラミックスで形成された第２の円筒部１１と、を有する。第１の円筒部１９と第２の円筒部１１とが互いに接合される各軸端面は、第１の円筒部１９が第２の円筒部１１の外側になるようにテーパ角度θ＝５３〜７０度の傾斜をもったテーパ面である。両円筒部の内径および外径はそれぞれ等しい。両円筒部の接合は、ガラス封着、ロウ付け、接着剤接合のいずれかによる。第１の円筒部は、フェライト系ステンレス鋼、クロム基合金、ニッケル基合金のいずれかであり、第２の円筒部はジルコニア主相の層を含んだ材質の異なる多層構造体である。 （もっと読む）

【課題】多孔質体どうしを接合した積層構造体において、多孔質体の材質によらず接合性に優れるものを提供すること。
【解決手段】第１の多孔質体１１と、前記第１の多孔質体１１に積層された第２の多孔質体１２と、前記第１の多孔質体１１と前記第２の多孔質体１２との間に介在して両多孔質体間を接合する接合材１３とを有する積層構造体１であって、前記第１の多孔質体１１と前記第２の多孔質体１２との間には、両多孔質体間を連通させる連通部１４が形成され、かつ前記接合材１３の少なくとも表面部が金属材料からなるもの。 （もっと読む）