【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、
前記緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比４以上１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックスを含み、該アルミナ質セラミックスが、アルミナ以外の成分系として、それぞれ０．１〜６質量％の、マグネシア（ＭｇＯ）、シリカ（ＳｉＯ_２）、希土類酸化物（ＲＥ_２Ｏ_３及び／又はＲＥＯ_２、ＲＥ：希土類元素）、酸化鉄(Ｆｅ_３Ｏ_４及び/又はＦｅ_２Ｏ_３）、カルシア（ＣａＯ）、クロミア（Ｃｒ_２Ｏ_３）、前記以外の遷移金属酸化物、又は、これらの複合酸化物の少なくとも１種以上を含有することを特徴とする蓄熱部材。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来材よりも電極活性持続性に優れ、且つ、運転停止時の室温と稼動時の７００℃を超える高温の繰返し熱履歴にも耐える優れた耐久性を有する燃料電池用の空気極材料を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の固体酸化物形燃料電池用空気極材料は、下記一般式（Ｉ）で表されるペロブスカイト型酸化物、および、イットリウム、サマリウムおよびガドリニウムよりなる群から選択される少なくとも１種の元素でドープされたドープドセリア、または、イットリウム、スカンジウムおよびイッテルビウムよりなる群から選択される少なくとも１種の元素の酸化物で安定化された安定化ジルコニアのうち少なくとも一方を含むことを特徴とする。
（Ｐｒ_xＡ_1-x）（Ｆｅ_yＢ_1-y）Ｏ₃……（Ｉ）
［式中、Ａは、アルカリ土類金属元素等を示し；Ｂは、７ａ族元素等を示し；ｘは０．５≦ｘ≦１；ｙは０．５≦ｙ≦１を示す］ （もっと読む）

【課題】広い温度範囲において、適切に温度検知ができる導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、このサーミスタ素子を用いた温度センサを提供する。
【解決手段】サーミスタ素子２をなす導電性酸化物焼結体１は、Ｙｂ，Ｌｕの少なくともいずれか、及び、Ｙｂ，Ｌｕ，Ｌａを除く３Ａ族元素のうち少なくとも１種からなる元素群を第１元素群ＲＥ１とし、Ｌａを除く３Ａ族元素のうち少なくとも１種からなり、第１元素群ＲＥ１をなす元素群のうち少なくとも１種を含む元素群を第２元素群ＲＥ２とし、Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇのうち、少なくともＳｒをモル比で主として含む元素群をＳＬとし、Ｃｒを除く４Ａ〜７Ａ及び８族元素のうち少なくとも１種からなる元素群をＭ１としたとき、ＲＥ１₄Ａｌ₂Ｏ₉と表記される組成を有する第１結晶相と、(ＲＥ２_1-cＳＬ_c)(Ａｌ_xＭ１_y)Ｏ₃と表記される第２結晶相とを含み、係数ｃが、０．１８＜ｃ＜０．５０である。 （もっと読む）

【課題】 広い温度範囲において、適切に温度検知ができ、高温に曝されても安定した抵抗値を示す導電性酸化物焼結体、これを用いたサーミスタ素子、このサーミスタ素子を用いた温度センサを提供する。
【解決手段】 サーミスタ素子２をなす導電性酸化物焼結体１は、Ｙｂ，Ｌｕの少なくともいずれか、及び、Ｙｂ，Ｌｕ，Ｌａを除く３Ａ族元素のうち少なくとも１種からなる元素群を元素群ＲＥとし、４Ａ，５Ａ，６Ａ，７Ａ及び８族元素のうち少なくとも１種及びＡｌからなる元素群を元素群Ｍとしたとき、（ＲＥ_1-cＳｒ_c）Ｍ_dＯ₃と表記される導電性結晶相と、ＲＥ₂Ｏ₃と表記される第１絶縁性結晶相と、ＳｒＡｌ₂Ｏ₄と表記される第２絶縁性結晶相とを含む。係数ｃは、０．１８＜ｃ＜０．５０であり、係数ｄは、０．６７≦ｄ≦０．９３であり、ＲＥ₄Ａｌ₂Ｏ₉と表記される第３絶縁性結晶相の存在量（０を含む）が、第１及び第２絶縁性結晶相の存在量よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＩＴＯ焼結体は、酸化スズを８〜１２重量％、並びに元素の周期表の２ａ族及び４ａ族元素のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を０．００１〜０．１重量％含み、残部が酸化インジウムからなる。このＩＴＯ燒結体からなるターゲット。これらの酸化物を上記量で配合し、成形した後焼成してＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】活性化元素でドープされ、かつ高透過性、高密度および高有効原子数を有する光学セラミックスを得る。
【解決手段】少なくとも１つの光学的に活性体中心を持つ、対称、立方体構造の単一粒子を有する透明、多結晶光学セラミックスを得るため、前記光学セラミックを、次の式：A_2+xB_yD_zE₇、（ただし、-1.15≦x≦0および0≦y≦3並びに0≦z≦1.6、その上3x+4y+5z=8で、ここでＡは希土類イオンの群からの少なくとも１つの３価カチオンであり、Ｂは少なくとも１つの４価カチオンであり、Ｄは少なくとも１つの５価カチオンであり、かつＥは少なくとも１つの２価アニオンである）、となるような構成とする。 （もっと読む）

【課題】乾式法により複合タングステン酸化物薄膜を形成するために用いられる、複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法を提供する
【解決手段】一般式：Ｍ_xＷ_yＯ_z（ただし、Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、およびＩの内から選択される１種以上の元素、０．００１≦ｘ／ｙ≦１、２．０＜ｚ／ｙ≦３．０）からなる組成を有する複合タングステン酸化物の粉末に、真空もしくは不活性ガス雰囲気下、９００℃以上１１００℃未満の温度、１９．６ＭＰａ以上の圧力の条件で、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスを施すことにより、前記複合タングステン酸化物以外の相を含まず、かつ、密度が７ｇ／ｃｍ³以上である、上記組成の複合タングステン酸化物の焼結体からなるターゲット材を得る。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、且つ大量生産に適し、低コストで良好な熱電変換性能を有する熱電変換材料を提供する。
【解決手段】粒子とその表面を被覆する粒界相とよりなり、該粒子がペロブスカイト型酸化物、例えば、ＳｒＴｉＯ_３等の絶縁体であり、該粒界相がペロブスカイト型酸化物、例えば、ＳｒＴｉＯ_３等に金属をドープした半導体であり、粒子の平均一次粒径が２〜１００ｎｍであり、粒界相の厚みが０．２〜８ｎｍである熱電変換材料。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸がある基板でも、前記基板上に直接コランダム結晶膜を形成して基板表面の硬質化や装飾性の向上化に役立つコランダム結晶膜の形成方法、および、コランダム結晶膜積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】塗布により製膜可能なアルミニウム含有化合物を含む金属酸化物膜形成用溶液を基板に塗布して酸化アルミニウム膜の前駆体を得た後、直接、前記金属酸化物前駆体をコランダム結晶化温度以上に加熱するか、または、一旦前記前駆体を酸化アルミニウム膜形成温度以上に加熱して酸化アルミニウム膜を得、次いで前記酸化アルミニウム膜をコランダム結晶化温度以上に加熱して、前記基板上にコランダム結晶膜を形成させるコランダム結晶膜を形成する方法。および、基板と、前記基板上に形成された表面が平滑な粒状構造のコランダム結晶を含むコランダム層とを有するコランダム結晶膜積層体。 （もっと読む）

本発明は、亜酸化ホウ素及び第二相を含み、その第二相がホウ化物を含有する、亜酸化ホウ素複合材料を提供する。ホウ化物は、周期律表の第４族〜第８族の遷移金属のホウ化物から選ばれることができる。特にホウ化物は、鉄、コバルト、ニッケル、チタン、タングステン、ハフニウム、タンタル、ジルコニウム、レニウム、モリブデン又はクロムのホウ化物から選ばれることができる。そのホウ化物はまた、白金族金属ホウ化物、好ましくはホウ化パラジウムであることができる。第二相はまた、１種以上の酸化物を含有することができる。 （もっと読む）

【課題】 良好なプロトン伝導性を有するプロトン伝導体、電気化学セル、およびプロトン伝導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 プロトン伝導体（１０）は、主構成元素の一部が主構成元素の価数および主構成元素の価数よりも小さい価数をとりうる遷移金属によって置換されたプロトン伝導体である。遷移金属の価数は、環境に応じて変化する。遷移金属の価数が低下すると、遷移金属の価数低下を補うためにプロトンがプロトン伝導体に供給される。それにより、良好なプロトン伝導性が得られる。 （もっと読む）

【課題】特に非鉛系に有効な圧電性能に優れたペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】下記一般式（ＰＸ）で表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の製造方法において、下記式（１）〜（３）の関係を充足する条件で、組成を決定する。
Ａ（Ｂ，Ｃ）Ｏ_３・・・（ＰＸ）
（式（ＰＸ）中、Ａ：Ａサイト元素であり、Ｂｉを主成分とする少なくとも１種の金属元素、Ｂ，Ｃ：Ｂサイト元素であり、各々１種又は複数種の金属元素、Ｏは酸素原子。Ｂ及びＣは互いに異なる組成である。）、
０．９８＜ＴＦ（ＰＸ）＜１．０１・・・（１）、
ＴＦ（ＡＢＯ_３）＞１．０・・・（２）、
ＴＦ（ＡＣＯ_３）＜１．０・・・（３）
（式（１）〜（３）中、ＴＦ（ＰＸ）は上記一般式（ＰＸ）で表される酸化物の許容因子、ＴＦ（ＡＢＯ_３）及びＴＦ（ＡＣＯ_３）はそれぞれ（）内に記載の酸化物の許容因子である。） （もっと読む）

【課題】 本願発明が解決しようとする課題は、アークイオンプレーティング法、マグネトロンスパッタ法に用いるターゲット材であって、ドロップレットの生成が抑制され、品質の高い皮膜を形成するのために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、Ｂ元素とＭ成分、但し、Ｍ成分は周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属元素、Ｓｉ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、Ｍ成分の窒化物又は炭窒化物を、モル％で５％以上、３０％以下含有し、該窒化物又は該炭窒化物がＢ元素を含む化合物に隣接する組織を有することを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、ＡＩＰ法、ＭＳ法で用いるターゲット材であって、機械的強度が改善されるとともに、ドロップレットの生成が著しく抑制される、品質の高い皮膜を形成するために好適なターゲット材を提供することである。
【解決手段】 本願発明は、ＳｉとＭ成分、但し、Ｍ成分は周期律表４ａ、５ａ、６ａ族金属、Ｂ、Ｓから選択される１種以上の元素を有するターゲット材において、該ターゲット材は、ＳｉとＭ成分及びＳｉの窒化物を有していることを特徴とする窒化物含有ターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】 焼成物の形状や寸法の制限が少ない固体電解質体の焼成用支持具および固体電解質体の製造方法を提供する。
【解決手段】 焼成用セッターが高純度マグネシアで構成されることから、ペロブスカイト構造酸化物から成る固体電解質との反応が十分に抑制される。また、高純度マグネシアは、1400〜1600(℃)程度の高温でも変形や収縮が無く安定性が高いため、従来のような目砂などを用いる必要もなく、焼成物がセッターに直に接する状態で焼成処理を施すことができる。この結果、焼成物の形状や寸法の制限が緩和されると共に、その変形が抑制され、更に表面粗さの低下も抑制される。更に、マグネシアは酸化物の中でも比較的安価であるから、製造コストが低減される利点もある。すなわち、容易且つ安価に特性の優れた固体電解質体が得られる。 （もっと読む）

【課題】燃焼合成反応後に仮焼を効率的に行なうことで、高品位な酸化物系の誘電体セラミックスを安価に製造できる誘電体セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】比表面積が 0.01 m²/g〜2 m²/g の４族元素を含む金属粉末と、酸素供給源となる物質とを少なくとも含む反応原料においてそれぞれの粉末を所定割合で混合して原料粉末とする混合工程と、該混合工程で得られた原料粉末を断熱火炎温度が 1500℃以上である燃焼合成法により反応させる燃焼合成工程と、得られた反応生成物を粗粉砕する工程と、該粗粉砕した反応生成物を仮焼する仮焼工程と、該仮焼した反応生成物を微粉砕する工程と、該微粉末を洗浄する工程とを備えてなり、上記粗粉砕する工程は、得られた反応生成物を平均粒子径 10μm〜1000μm の粗粉末に粉砕する工程である。 （もっと読む）

【課題】低コストで、実用に耐えうる十分な接合強度を有し、接合の信頼性が高く、低熱膨張かつ剛性及び比剛性の高い低熱膨張セラミックス接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】室温における熱膨張係数の絶対値が０．６×１０^−６／Ｋ以下、弾性率が１００ＧＰａ以上、比剛性が４０ＧＰａ・ｃｍ^３／ｇ以上のコーディエライト結晶質焼結体からなる複数の部材の接合面同士を接触させ、熱処理により接合一体化した接合体およびその製造方法である。焼結体は当該焼結体の構成元素（Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ）中におけるＳｉの割合が酸化物（ＭｇＯ，Ａｌ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２）換算で５１．５〜７０．０質量％となる条件でＳｉを含有する。焼結体中の余剰ＳｉＯ_２が加熱時に液相を形成して物質移動を活性化し、これにより接合部の材料が実質的に母材と同じになり、熱膨張係数差に起因する残留応力を解消して、極めて高い接合強度の接合体が得られる。 （もっと読む）

無機基本材料の粉末と、同じく粉末形態であり無機基本材料のためのドーパントとして作用する第２の無機構成要素とを混合するステップを含む、高い融点をもつ粉末の形をした無機基本材料からセラミックを調製する方法。ドーパントは単一の無機材料または無機基本材料に対するドーパント効果をもつ少なくとも２つの無機材料の混合物により構成されている。本方法は、高温で実施される焼結ステップを含む。得られたセラミックは、その高い密度のため、標的要素として有利に使用される。これらのセラミックから得られたフィルムおよび電極は、特に有利な特性をもつ。 （もっと読む）

【課題】配向度の高い結晶配向セラミックスを安定的に製造できる結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】準備工程、混合工程、成形工程、及び焼成工程を行うことにより、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、その結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスを製造する方法である。準備工程においては、異方形状の配向粒子からなる異方形状粉末と、その１／３以下の粒径を有する微細粉末を準備する。混合工程においては、微細粉末と異方形状粉末とを混合する。成形工程においては、成形体内における配向粒子の配向度が６０％以上となるように原料混合物を成形して成形体を作製する。焼成工程においては、成形体を加熱し、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなる結晶配向セラミックスを作製する。 （もっと読む）

【課題】優れた圧電特性を発揮できる結晶配向セラミックス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面における配向度をＦｓとし、表面よりも１００μｍ以上内部における配向度をＦｃとすると、Ｆｓ≧８０％、Ｆｃ≧８０％、０．９８＜Ｆｃ／Ｆｓ＜１．１０を満足する結晶配向セラミックスである。その製造方法においては、準備工程、混合工程、成形工程及び焼成工程を行う。準備工程においては異方形状粉末とその１／３以下の粒径の微細粉末とを準備する。混合工程においては、これらの粉末と溶媒とを混合することにより、せん断速度３００〜５００／ｓｅｃにおける粘度の最大値（Ｖｆ）とせん断速度１〜１００／ｓｅｃにおける粘度の最大値（Ｖｓ）とがＶｓ／Ｖｆ＜１．５という関係を満足する原料混合物スラリーを作製する。成形工程においては原料混合物スラリーを成形し、焼成工程において成形体を加熱し、結晶配向セラミックスを得る。 （もっと読む）