【課題】 優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工してなるターゲットを膜形成材料とし、該膜形成材料中に含まれるチタンと亜鉛との原子数比がＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】酸化物粒子のナノメートルレベルでの分布性、組成制御性に優れた複合セラミックス粉体の提供。
【解決手段】少なくともＡ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３（ＡはＬａ及びＳｍの群から選ばれる１種または２種の元素、ＢはＳｒ、Ｃａ及びＢａの群から選ばれる１種または２種以上の元素、ＣはＣｏ、Ｇａ及びＭｎの群から選ばれる１種または２種以上の元素、ＤはＦｅ、Ｍｇ及びＮｉの群から選ばれる１種または２種以上の元素であり、０．１≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦１．０）で表される酸化物または酸化ニッケルと、金属イオンが固溶して酸素イオン導電性が付与されたジルコニアと、を含有する複合セラミックス粉体であって、
前記Ａ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３を構成するＡ、Ｂ、Ｃ及びＤの群から選択される１種または２種以上のイオンまたはニッケルイオンと、金属イオンとを、塩基性炭酸ジルコニウム錯体と共沈させ沈殿物を２００℃以上の温度で熱処理してなる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも酸化インジウムおよび酸化亜鉛を含有してなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比を０．７５〜０．９７の範囲内の値とするとともに、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_ｍ（ただし、ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径を５μｍ以下の値とし、酸化インジウムを６７〜９３重量％の範囲、酸化錫を５〜２５重量％の範囲、および酸化亜鉛を２〜８重量％の範囲で含むとともに、錫／亜鉛の原子比を１以上の値とすることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】酸化物粒子のナノメートルレベルでの分布性、組成制御性に優れた複合セラミックス粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともＡ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３で表されるペロブスカイト型酸化物または酸化ニッケルと、金属イオンが固溶して酸素イオン導電性が付与されたジルコニアと、を含有する複合セラミックス粉体であって、
初めに、ジルコニウムイオンと炭酸イオンとを、塩基性水溶液中で反応させて、塩基性炭酸ジルコニウム錯体を形成させ、次いで、Ａ_１−ｘＢ_ｘＣ_１−ｙＤ_ｙＯ_３を構成するＡ、Ｂ、Ｃ及びＤの群から選択される１種または２種以上の金属のイオンまたはニッケルイオンと、金属イオンとを、塩基性炭酸ジルコニウム錯体と共沈させ、沈殿物を２００℃以上の温度で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ａを還元処理して、前記酸化物結晶Ａと同じ結晶系を有する酸化物結晶Ｂを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性と近赤外領域での高透過性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする透明導電膜形成材料と、その製造方法およびそれを用いたターゲット、そのターゲットを用いる酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛と、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、酸素とからなり、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、亜鉛がそれぞれ原子数比で以下の関係を有する酸化物混合体または酸化物焼結体から構成される酸化亜鉛系透明導電膜形成材料である。
（a）Ｃｕ／（Ｚｎ＋Ｃｕ＋Ｍ）＝０．０１〜０．１０
（b）Ｍ／（Ｚｎ＋Ｃｕ＋Ｍ）＝０．０１〜０．１０
（c）（Ｃｕ＋Ｍ）／（Ｚｎ＋Ｃｕ+Ｍ）＝０．０２〜０．１０
（但し、ＭはＡｌまたはＧａを表わす。） （もっと読む）

【課題】菱面体晶構造と正方晶構造を混在させた良好な圧電性を有する圧電薄膜および圧電素子を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型金属酸化物よりなる圧電薄膜であって、前記ペロブスカイト型金属酸化物の結晶系が少なくとも菱面体晶構造と正方晶構造を有する混在系であり、かつ前記正方晶構造のａ軸長とｃ軸長の比が１．１５≦ｃ／ａ≦１．３０である圧電薄膜。基板上に、圧電薄膜と、該圧電薄膜に接して設けられた一対の電極とを有する圧電素子であって、前記圧電薄膜が上記の圧電薄膜である圧電素子。 （もっと読む）

【課題】工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が０．９〜１．８×１０^-3Ω・ｃｍの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、プラセオジムを含む酸化物焼結体であり、プラセオジムの含有量が、Ｐｒ／Ｉｎ原子比で０．００２５以上０．０４３以下、好ましくは０．００８以上０．０３５以下であり、酸化プラセオジム結晶相が存在しない酸化物焼結体を、スパッタリングターゲットまたはイオンプレーティング用蒸着材として用いる。 （もっと読む）

【課題】工業的規模の量産においても、リチウム二次電池用正極活物質として用いたとき、十分な充放電特性が得られるリチウムニッケル複合酸化物を安定して提供する。
【解決手段】炭酸ガス分圧が１０Ｐａ以下の雰囲気中で水酸化リチウムとニッケル複合酸化物との混合物を乾燥させて、真空中２００℃で８時間保持した場合に、該混合物の質量減少率が５質量％以下となるようにする乾燥工程と、４５０〜６５０℃の酸素濃度８０容量％以上の雰囲気中で乾燥後の前記混合物を拡散反応させる反応工程と、反応工程を経た前記混合物を焼結させる焼結工程を具備する製造方法によって得られる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化錫相（１１０）のピーク強度Ｉ１と酸化錫以外の酸化物あるいは複合酸化物相のＸ線回折図における２θ＝１５〜４０°の範囲に存在する最大ピーク強度Ｉ２がＩ２／Ｉ１＝０.１〜１であることを特徴とする酸化錫と酸化亜鉛と３価以上の元素の酸化物を主成分としたスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに前記スパッタリングターゲットを用いた光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】一般的なアルミナ粉末で作製された成形体を低温で焼結する。
【解決手段】本発明のアルミナ焼結体の製法は、（ａ）少なくともＡｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ₂との混合粉末又はＡｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ₂とＭｇＯとの混合粉末を所定形状の成形体に成形する工程と、（ｂ）該成形体を真空雰囲気下又は非酸化性雰囲気下でホットプレス焼成してアルミナ焼結体とする工程であって、Ａｌ₂Ｏ₃１００重量部に対するＭｇＦ₂の使用量をＸ（重量部）、ホットプレス焼成温度をＹ（℃）としたときに下記式（１）〜（４）を満たすようにホットプレス焼成温度を設定する工程と、を含む。
１１２０≦Ｙ≦１３００ …（１），０．１５≦Ｘ≦１．８９ …（２）
Ｙ≦−７８．７Ｘ＋１３４９ …（３），Ｙ≧−２００Ｘ＋１２１２ …（４） （もっと読む）

【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
ａ（Ｓｎ，Ｔｉ）Ｏ_２−ｂＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｃＭｇＴｉ_２Ｏ_５−ｄＭｇＳｉＯ_３
で表され、前記組成式におけるａ、ｂ、ｃ、及びｄ（ただし、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル％である）がそれぞれ４≦ａ≦３７、３４≦ｂ≦９２、２≦ｃ≦１５、及び２≦ｄ≦１５の範囲内にあり、ここでａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である主成分と、ＺｒＯ_２からなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分１００重量部に対して３．０〜１２．０重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 （もっと読む）

【課題】 低融点金属との同時焼成が可能であり、クラックや破損が生じにくい回路基板を形成し得る高強度の低温焼成セラミックと、低温焼成セラミックからなる回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも主成分としてＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｂａを含み、組織中に六方晶ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、（Ｓｒ、Ｂａ）Ａｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、ＢａＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８の少なくとも一種及びＡｌ_２Ｏ_３結晶を有する高強度低温焼成セラミックとする。 （もっと読む）

【課題】 高周波領域での電気特性に優れ製造が容易な高周波用誘電体磁器およびその製造方法を提供する。また、そのような高周波用誘電体磁器を構成部材として用いた電気特性に優れた高周波回路素子を提供する
【解決手段】 組成式
ａ（Ｓｎ，Ｔｉ）Ｏ_２−ｂＭｇ_２ＳｉＯ_４−ｃＭｇＴｉ_２Ｏ_５−ｄＭｇＳｉＯ_３
で表され、前記組成式におけるａ、ｂ、ｃ、及びｄ（ただし、ａ、ｂ、ｃ、及びｄはモル％である）がそれぞれ１０≦ａ≦３７、３４≦ｂ≦８２、４≦ｃ≦１５、及び４≦ｄ≦１５の範囲内にあり、ここでａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００である主成分と、ＭｇＯからなる添加成分からなる添加成分とを含んでなり、該添加成分は前記主成分１００重量部に対して０．５〜２．０重量部添加されていることを特徴とする高周波用誘電体磁器ならびに、それを構成部材とする高周波回路素子 （もっと読む）

【課題】薄肉化されても十分な耐熱衝撃性を発揮するスパークプラグ用絶縁体及びその製造方法、並びに、十分な耐熱衝撃性を有する小型のスパークプラグを提供すること。
【解決手段】アルミナ基焼結体で形成されたスパークプラグ用絶縁体２であって、その脚長部２ｉのうち０．９５ｍｍ以下の肉厚を有する部分の表面をＸ線回折分析したときに、アルミナの（１１３）面のピーク強度とムライトの（１２１）面のピーク強度との合計ピーク強度に対する前記ムライトの前記ピーク強度が１５％以上であるスパークプラグ用絶縁体２、１４００℃以上の温度で前記成形体に与える熱量が１２００ｋＪ以上となる焼成条件で焼成するスパークプラグ用絶縁体２の製造方法、並びに、前記スパークプラグ用絶縁体２を備えたスパークプラグ１００。 （もっと読む）

【課題】透明で多結晶のセラミックを提供する。
【解決手段】本セラミックは、式A_xC_uB_yD_vE_zF_w、A、Cは、Li⁺Na⁺Be²⁺Mg²⁺Ca²⁺Sr²⁺Ba²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺C⁴⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn^2+/4+Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Zr⁴⁺Mo⁶⁺Ru⁴⁺Pd²⁺Ag²⁺Cd²⁺Hf⁴⁺W^4+/6+Re⁴⁺Os⁴⁺Ir⁴⁺Pt^2+/4+Hg²⁺とその混合物から選択され、B、Dは、Li⁺Na⁺K⁺Mg²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn⁴⁺Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Y³⁺Zr⁴⁺Nb³⁺Ru³⁺Rh³⁺、La³⁺、Lu³⁺、Gd³⁺とその混合物から選択され、E、Fは、S、Se、Ｏの二価アニオンとその混合物から選択され、x、u、y、v、z、wは、0.125＜（x+u）/（y+v）≦0.55、z+w＝4を満たし、A＝C＝Mg²⁺、B＝D＝Al³⁺の時、E、Fが共に0でない （もっと読む）

【課題】透明で多結晶のセラミックを提供する。
【解決手段】本セラミックは、式A_xC_uB_yD_vE_zF_wを含み、A、Cは、Li⁺Na⁺Be²⁺Mg²⁺Ca²⁺Sr²⁺Ba²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺C⁴⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn^2+/4+Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Zr⁴⁺Mo⁶⁺Ru⁴⁺Pd²⁺Ag²⁺Cd²⁺Hf⁴⁺W^4+/6+Re⁴⁺Os⁴⁺Ir⁴⁺Pt^2+/4+Hg²⁺から選択され、B、Dは、Li⁺Na⁺K⁺Mg²⁺Al³⁺Ga³⁺In³⁺Si⁴⁺Ge⁴⁺Sn⁴⁺Sc³⁺Ti⁴⁺Zn²⁺Y³⁺Zr⁴⁺Nb³⁺Ru³⁺Rh³⁺La³⁺Lu³⁺Gd³⁺から選択され、Ce³⁺、Sm^2+/3+、Eu^2+/3+、Nd³⁺、Er³⁺、Yb³⁺、Co²⁺、Cr^2+/3+/6+、V^3+/4+、Mn²⁺、Fe^2+/3+、Ni²⁺、Cu²⁺から選択されるカチオンが100ppm〜20at.％でドーピングされている （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪を増加させたニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、組成が異なる母相と添加材相とが共存し母相の中に添加材相が分散した微構造を有する。母相単体の残留歪率よりも添加材相単体の残留歪率が大きい。母相及び添加材相は、一般式｛Ｌｉ_y（Ｎａ_1-xＫ_x）_1-y｝_a（Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w）Ｏ₃であらわされ、０．９≦ａ≦１．２，０．２≦ｘ≦０．８，０．０≦ｙ≦０．２，０≦ｚ≦０．５及び０≦ｗ≦０．１を満たす１００モル部の組成物に、０モル部以上３モル部以下のＭｎ原子を含有するＭｎ化合物と、０モル部以上１モル部以下のＣａ原子を含有するＣａ化合物と、を含有させた組成を有する。母相の構成元素と添加材相の構成元素とを比較した場合に共通しない元素が０種類又は１種類である。 （もっと読む）

【課題】硝酸塩や溶媒としてのＰＲＴＲ対象物質を使用せず且つ廃液も生じさせずに製造できる鉛を含有しない圧電セラミックス膜形成用組成物、圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置を提供する。
【解決手段】Ｂｉ^３＋、Ｆｅ^３＋及びＭｎ^３＋を含み、溶媒としてアセチルアセトン及び２−エチルヘキサン酸を含む圧電セラミックス膜形成用組成物とする。 （もっと読む）

本発明は、セラミックスマトリックスとしての酸化アルミニウムと、その中に分散された酸化ジルコニウムとからなる複合材料、その製造法及びその使用に関する。 （もっと読む）