【課題】室温以上においても大きなＣＭＲ効果を発現するペロブスカイト型Ｍｎ酸化物および巨大磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】組成式Ｒ（Ｂａ_１−ｘＲ_ｘ）Ｍｎ_２Ｏ_６で表され、Ｒと（Ｂａ_１−ｘＲ_ｘ）とが層状に交互に配列した構造を有し、Ｒが、Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕの少なくとも１種類から選択される元素であって、ｘが、０＜ｘ≦０．１を満たす任意の数であることを特徴とするペロブスカイト型Ｍｎ酸化物は、Ａサイトの規則構造が維持されつつ、強磁性金属相と電荷・軌道整列絶縁体相とが二重臨界的に競合している。よって、室温以上においても大きなＣＭＲ効果を発現することができる。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成して得ることを可能としつつ、焼結性を確保し、抗折強度を維持すると共に、優れた誘電特性を有する誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体磁器は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、亜鉛酸化物及びガラス成分を含む副成分とを含み、Ｘ線回折において、主相であるＭｇ₂ＳｉＯ₄の２θが３６．０°から３７．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Aに対する、未反応なまま存在する亜鉛酸化物の２θが３１．０°から３２．０°及び３３．０°から３４．０°におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Bのピーク強度比Ｉ_B／Ｉ_Aが１０％以下であると共に、相対密度が９６％以上である。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に発生するノジュールを抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 焼成時における割れの発生を抑制することができるグリーン成形体を提供すること。
【解決手段】 無機化合物、水、有機物及び吸熱材を含むハニカム形状のグリーン成形体であって、有機物の含有量は、無機化合物１００重量部に対して２０重量部以上であり、吸熱材の含有量は、無機化合物１００重量部に対して１重量部以上であり、グリーン成形体はセル構造を有し、セル構造は隔壁と流路からなり、流路は隔壁により区画されている、グリーン成形体。 （もっと読む）

【課題】高温環境で使用される第１部材と第２部材との境界領域におけるシール性を高めるのに有利なセラミックス剤、高温組付体、高温組付体の製造方法を提供する。
【解決手段】第１部材と第２部材との境界領域に配置される耐熱シール剤は、合成されると体積膨張するセラミックスを形成する複数の材質のセラミックス粒子を含有する。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時における歪特性に優れた圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、非鉛圧電／電歪材料から構成されてなり、前記非鉛圧電／電歪材料を構成する金属成分のうちの少なくとも一種の金属成分の比率が化学量論組成からモル換算で１％以上ずれた欠陥を生じたものであるとともに、ロットゲーリング法により測定されるＣ軸の配向度が３０％以上である。また、鉛を含まない非鉛圧電／電歪材料から構成されたものであるため、焼結体からの鉛の溶出がなく、環境汚染の問題を生じることもない。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】電界強度に比して大きな変形量を示す結晶配向セラミックスを提供する。
【解決手段】結晶配向セラミックス複合体は、第１面及び第２面を有する基板と、第１面に対向するように配置された｛１００｝配向セラミックス膜と、を有する。｛１００｝配向セラミックス膜は、第１断面を備える。第１断面とは、第１面に対して垂直であって、第１面の法線に対して±２０度の範囲内であるドメイン壁を備える９０度ドメインが、第１断面の１／３以上の面積を占める断面である。 （もっと読む）

【課題】高い電圧が印加された場合であっても、過大電流が発生し難いセラミックス体を提供する。
【解決手段】ＡｌおよびＯを含むセラミックス体であって、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含有し、体積固有抵抗値が１．０×１０^１３〜１．０×１０^１５Ω・ｃｍであり、かつ、表面の少なくとも一部において、表面抵抗率が１０^１０〜１０^１５Ωであるセラミックス体。 （もっと読む）

【課題】結晶配向度が大きく、かつ熱伝導率及び比抵抗を小さくすることが可能な、優れた熱電特性を有する配向熱電材料の製造方法及びその製造方法により形成された配向熱電材料を提供する。
【解決手段】熱電材料を磁場中で成形して配向熱電材料を製造する配向熱電材料の製造方法において、前記熱電材料中に、炭素成分を含有する磁性成分を添加する工程（ステップＳ１２）を具備する。 （もっと読む）

【課題】常圧大気中での焼結によっても、高密度の焼結体を実現できるアルカリニオブ酸系圧電セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＭＯ_３（Ａはアルカリ金属、ＭはＮｂを必須とする遷移金属、Ｏは酸素）で表わされるニオブ系圧電セラミックスの製造方法において、目的組成に対してアルカリ金属成分を１０重量％未満（但し０重量％を除く）減じた組成の粉末を合成し、当該減じた分量のアルカリ金属を含有する粉末を前記合成粉末に混合し、成形した後、９００℃以上１２８０℃以下の温度で焼成する。このような工程を経ることにより、高密度のアルカリニオブ酸系圧電セラミックスを常圧大気中での焼結によっても提供できる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷を低減し、リーク電流の発生を抑制した液体噴射ヘッドの製造方法、液体噴射装置、圧電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極６０を形成する工程と、第１電極６０上方に、焼成によりビスマス、鉄、マンガン、カリウム、及びチタンを含む複合酸化物を形成する有機金属化合物と、ポリビニルピロリドンと、を含む塗布液７１を塗布する工程と、塗布液７１を焼成し、ペロブスカイト型構造の複合酸化物からなる圧電体層７２を形成する工程と、圧電体層７２の上方に第２電極を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗金属と同時焼成が可能であり、低熱膨張性を実現する、陽極接合可能な高強度低熱膨張性磁器及びその製造方法の提供。
【解決手段】（Ａ）Ｌｉ₂ＯとＭｇＯとＡｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂とを７．０〜１４．０：４．０〜１５．０：１２．０〜２４．０：５９．０〜７３．０（質量％比）の割合で含む原料粉混合物を７５０〜１０００℃で焼成して平均粒径０．３〜０．８μｍに微粉砕した仮焼物９９．０〜１００質量％に、（Ｂ）１．０質量％までのＢｉ₂Ｏ₃粉を添加混合し、所定形状に成形後、９００〜１０００℃で焼成して、式（１）


（式中、ａは質量比で０〜０．０１であり、α、β、γおよびδは、前記（Ａ）における質量％比を満足するモル比である）で示される組成を有する複合酸化物を形成する高強度低熱膨張性磁器の製造方法、及びその方法により得られる高強度低熱膨張性磁器。 （もっと読む）

【課題】圧電特性や誘電性の向上を図り、これらの基板面内での均一性に優れた圧電体素子、その製造方法、及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体素子は、表面に酸化膜が形成された基板１と、密着層２と、下部電極層３と、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３で表される圧電薄膜４を有し、圧電薄膜４が、擬立方晶、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、もしくは斜方面体の結晶構造、または少なくとも一つの結晶構造が共存した状態を有しており、ある特定の軸に優先的に配向しており、圧電薄膜４の基板面内の格子面間隔ａと基板面外の基板法線方向の格子面間隔ｃとの結晶格子歪量ｃ／ａ、及び圧電定数、比誘電率、誘電損失のうち少なくとも一つの物理量の相対標準偏差が、ｃ／ａでは０．２％未満、圧電定数では４．３％以下、比誘電率では３．２％以下、あるいは誘電損失では１０．１％以下である。 （もっと読む）

【課題】高い配向性を維持しながら、クラックの無い焼結性の良好な機能性セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物粉体を分散させた第一のスラリーを基材上に設置する工程と、前記第一のスラリーに対して磁場を印加し凝固させて第一の成形体からなる下引き層を形成する工程と、前記下引き層の上に、前記セラミックスを構成する金属酸化物粉体を含む第二のスラリーを設置する工程と、前記第二のスラリーに対して磁場を印加し凝固させて第二の成形体を形成して前記第二の成形体と前記下引き層の積層体を得る工程と、前記第二の成形体と前記下引き層の積層体から前記下引き層を除去した後に焼成するか、又は前記第二の成形体と前記下引き層の積層体を焼成した後に前記下引き層を除去して、前記第二の成形体からなるセラミックスを得る工程を有するセラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れた光触媒活性を有するとともに、耐久性にも優れた光触媒機能性素材を提供する。
【解決手段】 亜鉛成分を含む結晶相を有し、光触媒活性を有するガラスセラミックスが提供される。このガラスセラミックスは、酸化物換算組成の全物質量に対して、モル％でＺｎＯ成分を１０〜７０％含有してもよく、さらにＳｉＯ_２成分、ＧｅＯ_２成分、Ｂ_２Ｏ_３成分、及びＰ_２Ｏ_５成分からなる群より選択される１種以上の成分３０〜８０％を含有してもよい。このガラスセラミックスは、粉粒状、ファイバー状、スラリー状混合物、焼結体、基材との複合体などの形態をとることが出来る。 （もっと読む）

【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、（ａ）ガーナイト結晶相および／またはスピネル結晶相、（ｂ）アスペクト比が３以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び（ｃ）ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２及びＭｇ_２ＳｉＯ_４の群から選ばれる少なくとも１種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が０．３％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】より低い焼成温度で焼結が可能であり、焼成工程にかかるコストを低減でき、かつ耐電圧特性に優れるアルミナ質焼結体を実現する。
【解決手段】アルミナ質焼結体は、アルミナ結晶を主相と非晶質の粒界相を有する。非晶質の粒界相は、ＳｉＯ_２にＣａＯおよびＭｇＯの少なくとも一方を添加したガラス成分中に、希土類元素および周期律表第４族元素から選ばれる少なくとも１種の酸化物を特定成分として含む粒界ガラス相であり、主相と粒界ガラス相の組成比を、アルミナ：ガラス成分：特定成分＝ａ：ｂ：ｃ（ａ＋ｂ＋ｃ＝１００重量％）とした時に、これら成分を頂点とする三角座標において、点（ａ、ｂ、ｃ）が、Ａ（９８．０、１．０、１．０）、Ｂ（９０．０、５．０、５．０）、Ｃ（９３．５、５．０、１．５）、Ｄ（９７．８、２．０、０．２）の４点で囲まれる範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】リーク電流値の低い非鉛誘電体セラミックスおよびその原料となるビスマス鉄酸化物粉体を提供する。
【解決手段】そのための本発明はビスマス鉄酸化物からなる、少なくとも（Ａ）ペロブスカイト型結晶構造を有する粒子、（Ｂ）空間群Ｐｂａｍに分類される結晶構造を有する粒子、および（Ｃ）空間群Ｉ２３に分類される粒子を含有するビスマス鉄酸化物粉体。ビスマス鉄酸化物からなる誘電体セラミックスにおいて、空間群Ｐｂａｍに分類される結晶構造を有するビスマス鉄酸化物結晶が、ペロブスカイト型結晶構造を有するビスマス鉄酸化物結晶からなる結晶粒の粒界に存在する誘電体セラミックスである。 （もっと読む）

【課題】内部の気泡が少ないため薄型化しても配線の断線を引き起こしにくく、かつ高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有するガラスセラミック誘電体に好適な結晶性ガラスを提供する。
【解決手段】組成として質量％で、ＳｉＯ_２ ５０〜６５％、ＣａＯ ２０超〜２７％（ただし、モル比でＣａＯ／ＳｉＯ_２が０．５未満または０．５５以上）、ＭｇＯ １２〜２５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０．０１〜０．５％未満を含有し、主結晶としてディオプサイド結晶を析出することを特徴とする結晶性ガラス。 （もっと読む）