本発明は、負の熱膨張率および酸化物セラミック粒子を有することを特徴とする、セラミック成分を含む複合材料、およびその獲得プロセス、およびマイクロエレクトロニクス、精密光学部品、航空学、航空宇宙産業におけるその使用に関する。 （もっと読む）

本発明は、燃料電池用複合セラミック材料及びその製造方法に関する。
燃料電池用複合セラミック材料は、粒径が大きいランタンコバルタイト粒子の周囲を粒径が小さいペロブスカイト型セラミック粒子が囲んでいる芯地構造をなしており、ランタンコバルタイトは、ペロブスカイト型セラミック粒子を合成するための工程で出発物質と共に添加されて合成される。本発明による燃料電池用複合セラミック材料は、燃料電池の分離板及び極板の間の電気的連結特性を向上させて、化学的、機械的にも安定している。
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【課題】緻密化焼成温度範囲を広げるとともに、本来のコ一ジライト質セラミックスよりも低熱膨張、高強度および低吸水率な耐熱衝撃性セラミックスを得るものである。
【解決手段】主たる結晶相がコージェライト相であるコージライト質セラミックスに、さらに酸化物換算で酸化チタンおよび酸化イットリウムの少なくとも一方を０．５質量％以上１０質量％以下、ならびに酸化リチウムを０．５質量％以上７質量％以下の範囲で添加したものである。 （もっと読む）

固体酸化物セラミックは、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、チタン酸ランタンストロンチウム（ＬＳＴ）、マンガン酸ランタンストロンチウム（ＬＳＭ）および酸化ニッケル−ＹＳＺ複合材料からなる群から選択される少なくとも１つの材料を含む、１つの表面を画定する基板を含む。固体酸化物セラミックはさらに、表面の少なくとも一部分をコーティングし、サンボルナイト（ＢａＯ・２ＳｉＯ_２）結晶相、ヘキサセルシアン（ＢａＯ・Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２）結晶相および残留ガラス相を含み、前記表面において基板の熱膨張係数以下の熱膨張係数を有するシールを含む。ガラス組成物のガラス結晶化温度とガラス転移温度の差は、約２０℃／分の加熱速度で約２００℃〜約４００℃の範囲内であり得る。
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【課題】薄膜キャパシタ等に用いた場合に、高いチューナビリティ及び高い誘電率を発現させ得る誘電体薄膜を形成する方法及び該誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜形成用組成物を耐熱性基板に塗布し乾燥する工程を繰返し行って所望の厚さの組成物の未焼成膜を得た後、基板上に形成した未焼成膜を焼成することにより誘電体薄膜を形成する方法において、形成する誘電体薄膜がペロブスカイト型酸化物を主成分とする薄膜であるとき、基板上に形成した未焼成膜の焼成が、６０〜６０００℃／分の急速昇温加熱による第一次焼成と、０．５〜３０℃／分の低速昇温加熱による第二次焼成とをこの順番に少なくとも含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、銅内電極積層セラミックコンデンサの作製に用いられることができる銅内電極と整合する１種の耐還元性高周波低温焼結セラミック媒体材料を開示する。主結晶相と、改質添加剤と、焼結フラックスとから組成され、主結晶相の構造式がＭｇ_ｘＢａ_{（１−ｘ）}Ｚｒ_ｙＳｉ_{（１−ｙ）}Ｏ_３で、そのうち、０．８≦ｘ≦０．９５、０．０５≦ｙ≦０．２で、前記改質添加剤がＭｎＯ_２、ＣａＯ、Ｌｉ_２Ｏ、Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２のうちの１種または複数種で、前記焼結フラックスがＢ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｋ_２Ｏ、ＢａＯのうちの１種または複数種である。前記セラミック媒体材料はＥＩＡ標準のＣＯＧ特性を満足し、且つ材料は均一で、粒度分布が均一で、分散性が高く、成型プロセスが良い特徴を備え、環境保全の要求を満足し、誘電特性が優良である。 （もっと読む）

【課題】焼成温度をより低減すると共に、機械的特性及び共振特性をより高めたセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】本発明のセラミックス焼結体の製造方法は、珪酸バリウムと酸化アルミニウムとガラス材と添加酸化物とを所定の条件で配合し、配合原料を成形して８５０℃以上１０００℃以下で焼成する工程を含む。このとき、平均粒径が０．３μｍ以上１μｍ未満の範囲であり、比表面積が５ｍ²／ｇ以上２０ｍ²／ｇ以下の範囲で単斜晶珪酸バリウムを配合する。また、平均粒径が０．４μｍ以上１０μｍ以下であり、比表面積が０．８ｍ²／ｇ以上８ｍ²／ｇ以下であり、珪酸バリウムに対して１０体積％以上２５体積％以下の範囲で酸化アルミニウムを配合する。このセラミックス焼結体は、珪酸バリウム中にガラス成分と添加酸化物の成分と酸化アルミニウム粒子とを含み、酸化アルミニウム粒子の外周に六方晶セルシアンが存在する微構造を有する。 （もっと読む）

本発明は、特にセラミック焼結部品の製造のための粒状粉体であって、乾燥物質を基準として、重量による次の化学組成、すなわち：２５℃以下のガラス転移温度を有する少なくとも１％の第１バインダー；２５℃超のガラス転移温度を有する０〜４％の追加のバインダー；第１バインダーおよび追加のバインダーとは異なる０〜４％の一時添加剤であって、第１バインダー、追加のバインダーおよび一時添加剤の合計含有率が９％未満である一時添加剤；セラミック材料を焼結するための０〜１５％の添加剤；少なくとも２％の不純物；ならびに１００％となるまでの残分の、セラミック材料および任意的に前記セラミック材料を安定化する剤を含む前記粉体に関する。本発明によれば、この粉体の中央粒径Ｄ_５０は８０〜１３０μｍであり、パーセンタイル値Ｄ_９９．５は５００μｍ未満であり、顆粒の相対密度は３０％〜６０％である。 （もっと読む）

【課題】複数の絶縁層が積層されてなる絶縁基板の内部に、形状および寸法のばらつきが抑制されて流路が形成された流路基板を提供する。
【解決手段】 第１のガラスセラミック焼結体からなる複数の第１の絶縁層１が積層されてなる絶縁基板の内部に、第１の絶縁層１の一部が厚み方向に除去されてなる貫通部の上下が他の前記第１の絶縁層で塞がれて形成された流路３を有する流路基板９であって、流路３を構成する第１の絶縁層１の流路３側の表面の全面に、第１のガラスセラミック焼結体が有する第１のガラス成分よりもガラス転移点が低い第２のガラス成分を有する第２のガラスセラミック焼結体からなる第２の絶縁層２が被着されていることを特徴とする流路基板９である。第２の絶縁層２が焼結する際に、未焼結の第１の絶縁層１によって収縮が抑制されるため形状および寸法のばらつきが抑制された寸法精度の高い流路を形成することができる。 （もっと読む）

コージエライト主相を有する多孔質セラミック材料であって、２０ＭＰａ超の正規化強度を示す多孔質セラミック材料が開示されている。コージエライト主相は網状微小構造を有する。コージエライト主相を有する多孔質セラミック体を形成する方法において、マグネシア源、シリカ源、およびアルミナ源を含む無機セラミック形成成分の可塑化混合物から物体を形成する工程であって、アルミナ源はアルミナ含有細長粒子を含み、アルミナ含有細長粒子の少なくとも９０質量％が５０から１５０μｍの長さを有する工程、およびその物体を焼成する工程を有してなる方法が提供される。
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【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、
Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測され、
かつ、２θが３０．６°〜３２．０°及び３３．８°〜３５．８°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。 （もっと読む）

【課題】長期に渡る成膜を行った際に、得られる薄膜の特性の安定性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含み、表面と内部の化合物の結晶型が実質的に同一である酸化物焼結体からなり、下記（ａ）〜（ｅ）の工程で製作されたスパッタリングターゲット。（ａ）原料化合物粉末を混合し、調製（ｂ）混合物６．０ｍｍ以上に成形（ｃ）３℃／分以下で昇温（ｄ）１２８０〜１５２０℃で２〜９６時間（ｅ）表面を０．２５ｍｍ以上研削 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．７００．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５００．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０ （もっと読む）

【課題】現状のＰＺＴ薄膜に代替可能な圧電特性を有するアルカリニオブ酸化物系の圧電薄膜を用いた圧電薄膜素子及び圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】基板１上に、Ｐｔ，Ａｕ等の下部電極２と、組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_ｙＮｂＯ_３で表されるアルカリニオブ酸化物系のペロブスカイト構造を有し、０.４≦ｘ≦０.７かつ０.７≦ｙ≦０.９４の範囲にある圧電薄膜３と、下部電極２と同様な材料の上部電極４とを備える圧電薄膜素子である。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】強度の高い酸化インジウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有する焼結体の製造において、製造に用いるＺｎＯ粉末の出発原料又は解砕後の最大粒径を３μｍ以下に抑えることにより、焼結体中の結晶のグレインサイズを均一化とし、結晶のグレインサイズの短径を３μｍ〜５μｍ、長径を５μｍ〜１０μｍである焼結体。 （もっと読む）

【課題】キュリー温度が高く、圧電性に優れたニオブ酸バリウムビスマス系のタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物にＬｉが含有されており、前記Ｌｉの含有量が金属換算で前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して０．０１５重量部以上０．６００重量部以下である圧電材料。Ａ_ｘＢ_１０Ｏ_３０（式中、ＡはＢａおよびＢｉであるか、またはＮａ、Ｓｒ、Ｃａから選ばれる少なくとも１種以上の元素、ＢａおよびＢｉである。ＢはＮｂ、またはＮｂおよびＴａである。ｘは４．５＜ｘ＜５．５の数値を表す。） （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制することが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた膜の製造方法を提供する。またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として亜鉛、元素Ｍ（Ｍはアルミニウム及び／またはガリウム）、チタン及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、原子比が、
（Ｍ＋Ｔｉ）／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００４〜０．０６
Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
であり、焼結体が主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が２０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及び元素Ｍおよびチタンを含有し平均粒径が５μｍ以下のＺｎＴｉＯ_３型類似構造を有する粒子等からなる。その焼結体をターゲットとして用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉイオン伝導性に優れるイオン伝導性セラミックス材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆからなる群から選択される１種又は２種以上の元素を結晶構造内に有するＬｉ−β−アルミナ系セラミックス材料。上記元素を含むことで、良好なＬｉイオン伝導性を発揮するセラミックス材料。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、低電力損失レベルを有する高電界バリスタ材料を提供することである。前記バリスタ材料が、他の電気特性、すなわち、特に、非線形電流−電圧曲線（または電流密度−電界強度曲線のそれぞれ）、インパルス挙動、及び耐用寿命の安定性に関する優れた性能を有することがさらなる目的である。
【解決手段】ＺｎＯ相を形成するＺｎＯ、及び粒界の酸化ビスマス相を形成するＢｉ₂Ｏ₃として表されるＢｉを含み、スピネル相をさらに含む、サージアレスタ用バリスタ材料であって、該バリスタ材料に含まれるパイロクロア相の量が、該スピネル相に対する該パイロクロア相の比が０．１５未満となる量であることを特徴とする、バリスタ材料。 （もっと読む）