【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化物焼結体および酸化物混合体を提供する。
【解決手段】酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。酸化物混合体は、実質的に酸化亜鉛と酸化チタンとからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックスにおいて、優れた強誘電特性及び圧電特性を示す圧電セラミックスとして、多岐に渡る圧電セラミックス部品の開発の要望に答え、延いてはＰＺＴを主成分とする圧電セラミックス部品を代替し、環境負荷を低減する。
【解決手段】 Ｋ、Ｎａ、Ｎｂ、およびＯをその構成元素とするアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックスにおいて、結晶粒子の平均粒子径が、０．８〜２μｍの範囲にあり、且つ、機械的特性に優れた圧電セラミックスとし、小粒径でありながらもその粒界が強く接合して機械的強度にすぐれた非鉛圧電セラミックスとすることで、その強誘電特性及び圧電特性を飛躍的に向上させることで、ＰＺＴを主成分とする圧電セラミックス部品を代替することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明では、比較的大きな部材にも適用することが可能な、導電性マイエナイト化合物の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性マイエナイト化合物の製造方法であって、（１）カルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）の割合が、ＣａＯ：Ａｌ_２Ｏ_３に換算したモル比で、１２．６：６．４〜１１．７：７．３となるように調合した原料粉末を用いて、マイエナイト化合物粉末を調製する工程と、（２）前記マイエナイト化合物粉末を、３００℃以上１２００℃未満の温度に保持し、焼結体を得る工程と、（３）前記焼結体を、還元性雰囲気下で１２００℃〜１４１５℃の範囲の温度に保持する工程と、を含むことを特徴とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ＺｎＳｎＯ₃にＩｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃が固溶したＩｎ／Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＳｎＯ₃固溶体を有し、Ｚｎ_xＩｎ_yＯ_z相（ｘ、ｙ、ｚは任意の正の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】マクロ細孔の容積が大きい活性アルミナ成形体を、焼成温度を所望の比表面積が得られる温度に任意に設定しながら、安価に得ることができる、活性アルミナ成形体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の活性アルミナ成形体の製造方法は、バイヤライトを含む再水和活性アルミナ成形体を、１５０℃以上の飽和水蒸気雰囲気下で保持する飽和水蒸気処理を施した後に焼成する。 （もっと読む）

【課題】 たわみ試験においてクラックの発生が無く機械的信頼性に優れたガラスセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミックスからなる絶縁層が複数積層された絶縁基体１と、該絶縁基体１の表面に形成された表面配線層２とを具備するガラスセラミック配線基板であって、前記絶縁基体１がセラミックフィラーとしてアルミナ粒子を含有するとともに、少なくともアルミナ（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）およびカルシウム（Ｃａ）を元素として含むガラス相とから構成されており、前記表面配線層１が銀を主成分とし、ロジウム（Ｒｈ）および酸化銅を含有するとともに、前記絶縁基体１の表面にアノーサイト相を主結晶相とするセラミック層７を有し、抗折強度が１９０ＭＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】支持層の厚さを薄くする。
【解決手段】焼結後にセラミックスを成す粉体に、溶剤と、バインダーと、焼結過程で焼失する材料で形成されたビーズとを混入して支持層用のスラリーを生成し（Ｓ１）、ドクターブレード法により、該支持層用のスラリーで目的の厚さの平板状のスラリー層に成形して（Ｓ２）、未焼結支持層を形成する（Ｓ３）未焼結支持層形成工程（Ａ）と、焼結後に酸素透過物を成す粉体に、溶剤を混入して透過層用のスラリーを生成し（Ｓ４）、溶剤が混入している透過層用のスラリーで目的の厚さのスラリー層を未焼結支持層上に形成して（Ｓ５）、未燒結支持層及び未燒結透過層とから成る未焼結透過体を形成する（Ｓ６）未焼結透過体形成工程（Ｂ）と、未焼結透過体を焼結する焼結工程（Ｓ８）と、焼結で得られた酸素透過層の表面を研磨する研磨工程（Ｓ９）とを実行する。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱方式のホットプレス用焼成炉を用いたセラミック焼結体の製造において、セラミック焼結体の品質のバラツキを抑制すること。
【解決手段】誘導加熱方式の焼成炉１内に設けられた焼成室５内にセラミック粉末からなる被焼成物を配置し、一対の加圧部３により被焼成物の加圧を行いつつ加熱して焼成物を得るセラミック焼結体の製造方法に関する。該加熱は、一対の加圧部３から選ばれる少なくとも一方の加圧部３における加圧軸方向の両端部および中間部から選ばれるいずれかの部分に、加圧軸方向における常温での熱伝導率が焼成室５を構成する部材の熱伝導率の１０％以下となる低熱伝導材８を配置して行う。 （もっと読む）

【課題】結晶配向セラミックスの成長のシードとして好適に用いられる鉛系圧電材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、粒子状の鉛系圧電材料であって、メジアン径が１μｍ未満であり、［算術偏差／平均］で表される粒度分布が１５％以下であり、全粒子のうち８５％以上が立方体形状を有する鉛系圧電材料によって解決される。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制できるスパッタリングターゲット及び成膜方法を提供し、またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主にＺｎ、Ａｌ、Ｔｉ及びＯから構成され、原子比で（Ａｌ＋Ｔｉ）／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）＝０．００４〜０．０５５、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０２５、Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０４８、主に酸化亜鉛を含有し平均粒径が２０μｍ以下の六方晶ウルツ型構造を有する粒子、及びＡｌ及びＴｉを含有し平均粒径が５μｍ以下のＺｎＴｉＯ_３類似構造及び／又はＺｎ_２Ｔｉ_３Ｏ_８類似構造を有する粒子で、ＺｎとＡｌが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物構造を有する粒子を含有しないもの、からなる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】Ｍｎが均一に固溶し、正方晶性が高く、かつ、結晶性に優れたペロブスカイト型複合酸化物を効率よく製造できるようにする。また、得られるペロブスカイト型複合酸化物を誘電体セラミック層として用いて特性の良好な積層セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】ＡＢＯ₃（ＡはＢａおよび／またはＣａであり、Ｂは少なくともＴｉを含む）で表されるペロブスカイト型複合酸化物を製造するにあたって、少なくとも酸化チタン粉末と、酸化チタン粉末に由来するＴｉ元素１００モルに対してＭｎ元素が０．０５〜０．３０モルとなるような割合のマンガン成分とを含む原料液に、少なくとも水酸化バリウムを加えて反応させる。
さらに、前記反応により生成する反応生成物を熱処理する。
また、マンガン成分として、水溶性のマンガン化合物を用いる。
また、誘電体セラミック層として、前記方法で製造されるペロブスカイト型複合酸化物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 マグネシア−クロム質煉瓦に替わってＲＨ真空脱ガス装置などの真空脱ガス炉の内張り耐火物として好適な、炭素を含有し、構造的スポーリングを抑制可能な煉瓦を提供する。
【解決手段】 本発明のスピネル−炭素質煉瓦は、マグネシア含有量が２０〜３０質量％、アルミナ含有量が１０〜５０質量％、クロミア含有量が２０〜７０質量％の化学組成であるスピネル型構造の酸化物と炭素との混合物を成型して得られるスピネル−炭素質煉瓦であって、前記スピネル型構造の酸化物を８０〜９７質量％、炭素を３〜２０質量％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】圧電特性が良好なＢｉ系圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。


（式中、ＡはＢｉ元素または３価の金属元素から選択される少なくともＢｉ元素を含む１種類以上の元素を表す。ＭはＦｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｙ、Ｇａ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の元素を表す。０．９≦ｘ≦１．２５、０．４≦ｊ≦０．６、０．４≦ｋ≦０．６、０．０９≦ｌ≦０．４９、０．１９≦ｍ≦０．６４、０．１３≦ｎ≦０．４８、ｌ＋ｍ＋ｎ＝１である。） （もっと読む）

【課題】直流バイアス電界に対する比誘電率変化が大きく、比誘電率の温度依存性が小さく、幅広い周波数域における誘電損失が小さく、しかも、低温焼結が可能なチューナブルデバイス用誘電体セラミックスを提供すること。
【解決手段】一般式：（１−ｘ−ｙ）ＮａＮｂＯ₃−ｘＳｒＴｉＯ₃−ｙＣａＴｉＯ₃（但し、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）で表される組成を有するチューナルブルデバイス用誘電体セラミックス。ｘ及びｙは、０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦０．２、０＜ｘ＋ｙ≦０．２が好ましく、（ｘ、ｙ）＝（０、０．１５）、（０．０９、０．０６）、（０．０４、０．０６）、（０、０．１０）の４点で囲まれる領域内（境界線上を含む）がさらに好ましい。 （もっと読む）

【課題】微粒であり、均一な粒度を有し、誘電体層の薄層化に寄与しうる六方晶系チタン酸バリウム粉末を提供すること。
【解決手段】本発明に係る六方晶系チタン酸バリウム粉末は、最大粒径が１．０μｍ以下であり、９０％累積粒子径（Ｄ９０）と５０％累積粒子径（Ｄ５０）との比（Ｄ９０／Ｄ５０）が３．０以下であり、六方晶化率が５０％以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】焼成時の収縮量を小さくし、割れの発生を防止することができると共に、生産性良くハニカム構造体を製造できるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料準備工程と押出成形工程と乾燥工程と焼成工程とを行うことにより、コージェライトの多孔質体よりなり、多角形格子状に配設されたセル壁２と、これに区画された多数のセル３とを有するハニカム構造体１を製造する。焼成工程においては、昇温中の温度Ｔ℃における中間生成物のＸ線回折ピーク比をＫｐ（Ｔ）とすると、所定温度Ｔ₁℃及びＴ₂℃における中間生成物のＸ線回折ピーク比Ｋｐ（Ｔ₁）及びＫｐ（Ｔ₂）の差であるΔＫｐ（ΔＫｐ＝Ｋｐ（Ｔ₂）−Ｋｐ（Ｔ₁））を５以下とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｏを含み、高導電率を示すペロブスカイト型導電性酸化物材料及びそれを用いた電極を提供する。
【解決手段】(RE_1-xAE_x)CoO₃（RE：希土類元素、AE：アルカリ土類元素、0<x<1）で表されるペロブスカイト型導電性酸化物材料であって、結晶構造解析により得られたCoO₆八面体が1.0025以上の歪みを有する。 （もっと読む）

【課題】負の熱膨張特性を有する熱膨張抑制部材および熱膨張の小さい金属系の対熱膨張性部材を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される酸化物を少なくとも含む熱膨張抑制部材および２０℃において正の線膨張係数を有する金属と下記一般式（１）で表される酸化物を少なくとも含む固形物を接合してなる対熱膨張性部材。一般式（１）（Ｂｉ_１−ｘＭ_ｘ）ＮｉＯ_３（ＭはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ、Ｉｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは０．０２≦ｘ≦０．１５の数値を表す。） （もっと読む）

【課題】組成変動を生じることなく、安定して優れた誘電特性を有することができる誘電体磁器組成物の製造方法および積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、主成分原料と副成分原料とを水で混合して原料混合粉末を得る原料混合粉末の作製工程と、前記原料混合粉末を酸素雰囲気下において熱処理する熱処理工程と、熱処理後、原料混合粉末にＬｉ₂Ｏを含むガラスを添加し、有機溶剤を用いて粉砕するガラス成分添加・粉砕工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】異なる材料を含む主成分および副成分を含む誘電体磁器組成物同士の間で剥離が生じるのを抑制しつつ、同時に焼成することが可能な誘電体磁器組成物および積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、副成分とを含む誘電体磁器組成物であり、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分原料と副成分原料とを混合した原料混合粉末を、酸素雰囲気下において８００℃以上９５０℃以下の温度で熱処理することにより得られ、Ｘ線回折において、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄の１０．０°から７０．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Aに対する、熱処理後の未反応なまま存在する副成分原料の１０．０°から７０．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Bのピーク強度比Ｉ_B／Ｉ_Aが、４０％以下である。 （もっと読む）