【課題】エチレンの三量化反応により１−ヘキセンを製造することが可能な触媒成分となる新規な遷移金属錯体を提供する。
【解決手段】式（１）で表される遷移金属錯体。


（Ｍは元素の周期律表の第４族の遷移金属原子を表し、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、及び、Ｒ^１、からＲ^１４は、水素原子、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有してもよい炭素原子数１〜２０のアルキル基、アルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリール基、アリールオキシ基、炭素原子数７〜２０のアラルキル基、アラルキルオキシ基等である。） （もっと読む）

【課題】工業的に有利な重合温度かつ重合条件において、従来の錯体触媒よりも、共重合性を低下させることなく高分子量のオレフィン共重合体を製造できる錯体、それを含むオレフィン重合用触媒、さらにはそれを用いたオレフィン又はエチレンの重合方法の提供
【解決手段】下記の一般式［Ｉ］式で表されることを特徴とするハーフメタロセン錯体等。


（例えば、ジメチル［ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）｛２−（５−メチル−２−フリル）インデニル｝］チタニウム） （もっと読む）

【課題】新規な高活性触媒成分およびそれを用いた分岐が少なく結晶性を有するα−オレフィン重合体またはα−オレフィン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体の製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ａ）で表される金属錯体、及びそれの使用。


［式中、Ｍは１０族等の遷移金属を表す。Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基等を表す。Ｌ^１は、Ｍに配位したリガンドを表す。Ｅ^１はリン、砒素又はアンチモンを表す。Ｘ^１は、酸素又は硫黄を表す。Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に炭素数１〜３０のヘテロ原子を含有していてもよい炭化水素基を表す。Ｒ^４及びＲ^６は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜３０の炭化水素基等を表す。Ｒ^５及びＲ^７は、それぞれ独立に炭素数１〜３０のハロゲン化炭化水素基又はトリアルキルシリル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】機械的強度が高いパターン化酸化チタン膜を形成できる感光性金属アルコキシド、塗布液、パターン化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】金属アルコキシドと、前記金属アルコキシドに配位した、化学式１で表される配位子等から成る感光性金属アルコキシド。


化学式１におけるＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は、炭化水素又は水素である。前記感光性金属アルコキシドを含むことを特徴とする塗布液。その塗布液は、表面を有機物で修飾された金属化合物から成る粒子を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】有機アルミニウムと有機シラン化合物との混合物または反応物をＣＶＤにより成膜し、封止膜等に用いる。
【解決手段】一般式（１）の有機アルミニウム化合物
Ｒ^１_ｍＡｌＸ_ｎ（ＯＲ^２）_{３−（ｍ＋ｎ）} （１）
（式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、炭素数１〜２０の炭化水素基、Ｘは水素又は弗素等、ｍは１乃至３の数、ｎは０乃至２の数を表す。）
と、一般式（２）の有機シラン化合物
Ｒ^３_ｐＳｉ（ＯＲ^４）_４−ｐ （２）
（式中、Ｒ^３、Ｒ^４は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基、ｐは０乃至３の整数を表す。）
との混合物または反応物を用い、化学気相成長法により、炭素含有酸化アルミニウム酸化ケイ素膜を得て、それを封止膜、ガスバリア部材、ＦＰＤデバイス、半導体デバイス等に用いる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ジルコニウムハロゲン化物を出発原料として、高収率及び高選択率にてジルコニウムアミド化合物を製造する、工業的に好適なジルコニウムアミド化合物の製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明の課題は、ジルコニウムハロゲン化物とジアルキルアミンと混合した後、次いで、置換基を有していても良いシクロペンタジエン及びアルキルアルカリ金属を反応させることを特徴とする、ジルコニウムアミド化合物の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】金属含有薄膜を形成させる際に使用可能な金属テトラ（１−アルキルイソブチルアルコキシド）を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】金属ハロゲン化物（金属は、ジルコニウム、ハフニウム又はチタニウムから選ばれる）と１−アルキルイソブチルアルコールとを、アミン化合物の存在下、炭化水素溶媒中で反応させることを特徴とする、金属テトラ（１−アルキルイソブチルアルコキシド）の製造方法。 （もっと読む）

【課題】密着性向上効果に優れるチオエーテル含有アルコキシシラン誘導体を提供する。
【解決手段】式１で表されるチオエーテル含有アルコキシシラン誘導体。


（式中のａは１〜４の整数であり、ｂは０〜３の整数であり、ｃは０または１であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝４である。ｍは１または２であり、ｎは０または１である。Ｒ^１は−ＣＨ_２−ＣＨ_２−あるいは−ＣＨ（ＣＨ_３）−で表される基である。Ｒ^２はメチル基、エチル基またはアセチル基である。） （もっと読む）

【課題】ホスフィン化合物に脱離性置換基を有するシリル基を導入する事により、無機酸化物との共有結合形成の前駆体として用いる事ができるシランカップリング剤として利用できるホスフィン化合物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるホスフィン化合物。


（式（１）中、Ｒ^１およびＲ^２は、各々独立に、アリール基またはアルキル基であり、Ｙはアリール基またはアルキル基であり、Ｘは、Ｙがアリール基の時にはハロゲン原子、アルコキシ基、水酸基、アミノ基の群より選ばれるいずれかの基、Ｙがアルキル基の時にはアルコキシ基、水酸基、アミノ基の群より選ばれるいずれかの基であり、ｎは１から３の整数である。） （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、電子輸送性に優れる有機ｎ型半導体として利用可能な化合物を提供することにある。本発明の目的はまた、係る化合物を含む有機薄膜、及びこの有機薄膜を備える有機薄膜素子を提供することにある。
【解決手段】かご状化合物又は脂肪族炭化水素化合物から誘導される４価以上の基であるコア部と、該コア部に結合した４以上の側鎖基と、を備え、側鎖基のうち２以上がアクセプター性の基を有する、化合物。 （もっと読む）

【解決手段】下記一般式（１）


［式中、Ｒ¹、Ｒ⁴及びＲ⁵は水素原子又は炭素数１〜２０の置換もしくは非置換の１価炭化水素基、Ｒ²及びＲ³は炭素数１〜２０の置換又は非置換の１価炭化水素基、Ｒ⁶は水素原子、炭素数１〜２０の置換もしくは非置換の１価炭化水素基、又はカルボキシル基であり、ａは０又は１、ｂは１〜１０の整数、ｎは０，１又は２である。］
で示されるアミノ酸変性シラン化合物。
【効果】本発明により提供されるアミノ酸変性シラン化合物は、表面処理剤や繊維処理剤として使用した時に表面が弱酸性のアミノ基と弱塩基性のカルボキシル基により電荷が相殺され電気的に中性となるため、帯電による表面への吸着作用が著しく減少し、親水性、防汚性に優れるため、塗料添加剤、接着剤、シランカップリング剤、繊維処理剤、表面処理剤等として有用である。 （もっと読む）

【課題】新規な構造および特性を有するピレン誘導体の提供。
【解決手段】下式で合成した（Ｉ）で表されるピレン誘導体、その互変異性体、幾何異性体もしくは立体異性体、またはそれらの塩。


[式中、Ａｒのうち少なくとも一方は、置換または無置換のアリール基等であり、各Ａｒは同一でも異なっていても良く、Ｒ^１は、炭化水素基であり、直鎖状でも分枝状でも良く、Ｒ^２は、水素原子または任意の置換基であり、Ｒ^３は、任意の置換基である。] （もっと読む）

【課題】［（４Ｒ，６Ｒ）−６−アミノエチル−１，３−ジオキサン−４−イル］アセテート誘導体を、効率よく且つ銅触媒などの安価に調製可能な触媒を用いて製造可能なチオアミド化合物、該チオアミド化合物の製造方法、前記チオアミド化合物を用いた［（４Ｒ，６Ｒ）−６−アミノエチル−１，３−ジオキサン−４−イル］アセテート誘導体の製造方法などの提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるチオアミド化合物。


ただし、前記一般式（１）中、Ｒ^１は、−ＯＲ^１１、及び−ＮＲ^１２Ｒ^１３のいずれかを表す。Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ独立に、アミド基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記Ｒ^１１は、水酸基の保護基及び水素原子のいずれかを表す。前記Ｒ^１２及び前記Ｒ^１３は、それぞれ独立に、アミノ基の保護基及び水素原子のいずれかを表す（なお、前記Ｒ^１２及び前記Ｒ^１３は、一緒になって環構造の保護基を形成していてもよい）。 （もっと読む）

【課題】有機半導体活性層の薄膜を与え得る新規な化合物が求められている。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｘ、Ｙ、Ｗ及びＺは、それぞれ独立に、硫黄原子、酸素原子又はセレン原子を表す。ｎは０または１を表す。
Ｐ^１、Ｐ^２、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、式（２）


（式（２）中、Ｒは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又はシリル基を表す。）
で表される基、芳香族炭化水素基又は芳香族性複素環基を表す。Ｐ^１、Ｐ^２、Ｑ^１及びＱ^２の少なくとも１つの基は、前記式（２）で表される基である。）
で表される化合物。 （もっと読む）

【課題】トリヒドロキシポリ不飽和エイコサノイド誘導体の提供。
【解決手段】本発明は、天然に存在するトリヒドロキシポリ不飽和エイコサノイドおよびそれらの構造的アナログの調製のための方法であることを特徴とする。本発明はさらに、これらの方法によって調製され得るトリヒドロキシポリ不飽和エイコサノイドの新規誘導体およびアナログを提供する。本発明はまた、種々の疾患、または炎症または炎症性応答、自己免疫疾患、慢性関節リウマチ、心臓血管疾患、または異常細胞増殖または癌に関連する症状の予防、改善および処置のためにトリヒドロキシポリ不飽和エイコサノイドを用いる組成物および方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ジオール化合物の二つの水酸基のうち、片方の水酸基をシリルエーテル化してヒドロキシシリルエーテル化合物を得る方法を提供する。
【解決手段】有機溶媒中、環状１，２−ジオール化合物、鎖状１，２−ジオール化合物、及び鎖状１，３−ジオール化合物から選ばれるジオール化合物（例えば、シス−１，２−シクロオクタンジオール（環状１，２−ジオール化合物））と、有機ケイ素ハライド化合物とを、ルイス酸触媒と有機塩基存在下で反応させることで、高収率で目的とするヒドロキシシリルエーテル化合物を方法である。 （もっと読む）

【課題】合成するのが容易であり、高い電荷移動度、良好な加工性および酸化安定性を有する、半導体または電荷輸送材料として用いるための新規な材料を提供する。
【解決手段】本発明は、新規なモノ、オリゴおよびポリチエノ［２，３−ｂ］チオフェン、半導体または電荷輸送材料としての、光学的、電気光学的または電子デバイス、例えば液晶ディスプレイ、光学フィルム、薄膜トランジスタ液晶ディスプレイおよび集積回路デバイス、例えばＲＦＩＤタグ、フラットパネルディスプレイにおけるエレクトロルミネセントデバイスのための有機電界効果トランジスタ（ＦＥＴまたはＯＦＥＴ）における、並びに光起電およびセンサーデバイスにおけるこれらの使用、並びに新規なポリマーを含む電界効果トランジスタ、発光デバイスまたはＩＤタグに関する。 （もっと読む）

【課題】耐久性及び半導体特性の安定性に優れた有機半導体材料として有用である熱安定性の高いジチエノゲルモール重合体、及びそれを含有する有機半導体材料より形成される有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】ジチエノゲルモール重合体は、下記化学式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して置換基を有してもよい炭素数１〜２０の炭化水素基であり、Ａｒは置換基を有してもよい２価の芳香環と、芳香環数２〜７の置換基を有してもよい２価の多核芳香環と、置換基を有してもよい２価の芳香環及び／又は芳香環数２〜７の置換基を有してもよい２価の多核芳香環を複数連結させた２価のアリーレン基とから選ばれる何れかであり、ｎは少なくとも２の正数）で示されるものである。有機半導体デバイスは、このジチエノゲルモール重合体を有機半導体層とするものである。 （もっと読む）

【課題】アルコキシヒドロシラン化合物を製造する。
【解決手段】一般式（１）：Ｈ−ＳｉＲ^２_ｃ（ＣＲ^１_３−ｂＹ_ｂ）_ａＸ_{３−ａ−ｃ} （１）で表されるハロヒドロシラン（Ａ）とアルコール（Ｆ）とを反応させることによる、一般式（５）：Ｈ−ＳｉＲ^２_ｃ（ＣＲ^１_３−ｂＹ_ｂ）_ａ（ＯＲ^１２）_{３−ａ−ｃ} （５）で表されるアルコキシヒドロシラン化合物（Ｅ）の製造方法。好ましくは、ハロヒドロシラン（Ａ）とアルコール（Ｆ）を、酸捕捉剤（Ｇ）の存在下で反応させる。または、ハロヒドロシラン（Ａ）とオルトカルボン酸トリアルキルとを反応させることによる、で表されるアルコキシヒドロシラン化合物（Ｅ）の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】下記式（１）
ＣＨ₂＝Ｃ（Ｒ¹）−（ＣＨ₂）_m−Ｃ（Ｒ¹）＝ＣＨ₂ （１）
（Ｒ¹は水素原子又は１価炭化水素基であり、ｍは０〜１４の整数である。）
で示されるジエン化合物と、下記式（２）
ＨＳｉＲ²_n（ＯＲ³）_3-n （２）
（Ｒ²、Ｒ³は１価炭化水素基であり、ｎは０〜２の整数である。）
で示されるハイドロジェンオルガノキシシラン化合物とを、白金含有触媒を用いてヒドロシリル化するに際し、脂肪族ニトリル化合物を上記ジエン化合物に対して０．１質量％以上存在させる、下記式（３）
（Ｒ³Ｏ）_3-nＲ²_nＳｉ−ＣＨ₂−ＣＨ（Ｒ¹）−（ＣＨ₂）_m−
ＣＨ（Ｒ¹）−ＣＨ₂−ＳｉＲ²_n（ＯＲ³）_3-n （３）
（Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、ｍ、ｎは上記と同様である。）
で示されるビス（オルガノキシシリル）アルカン化合物の製造方法。
【効果】目的とするビス（オルガノキシシリル）アルカン化合物を、反応性を維持しつつ、位置選択性を向上させて、効率よく製造することができる。 （もっと読む）