【課題】液晶性を示し、室温付近においても結晶化せずにガラス化し、均一塗布性能に優れる、液晶化合物に好適な化合物、そのような化合物からなる液晶化合物、その液晶化合物から得られる液晶化合物重合体、ならびに、これらを用いた光学素子の製造方法、外観欠点の少ない光学素子、偏光板、画像表示装置を提供する。
【解決手段】γ−オリザノール誘導体は、一般式（１）で表される。


一般式（１）中、Ｒは、２−イソブテニル又は２−メチリデン−イソブチル、Ａは架橋基を含む基であり、Ｂはエーテル基、エステル基、カーボネート基のいずれかである。 （もっと読む）

【課題】 レジスト材料などとして有用な、分子量が揃ったポリマーを提供すること。
【解決手段】 式（Ｉ−１）


で表される繰り返し単位の少なくとも一種を含有し、数（又は重量）平均分子量が５，０００以下、好ましくは２，０００〜４，０００であることを特徴とする(メタ)アクリレート系コポリマー。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、反射防止膜を用いず、高反射基板をそのまま用いたとしても、定在波の発生が抑制され、矩形なプロファイルが得られ、かつ高感度、高解像性の化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）で表される構造を有し２４８ｎｍの波長に吸収を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物、およびそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、ならびに該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】特定の酸解離性抑制基エステル骨格を有するアクリル酸系エステル構成単位、そのモノマーは、例えば下記（Ｉ）式であり、又特定のアダマンタン骨格を有するアクリル酸系エステル構成単位を有する高分子化合物。
（もっと読む）

【課題】光線透過率が高く、現像時のディフェクトが少ないレジスト用の重合体、レジスト組成物を提供する。
【解決手段】（メタ）アクリル主鎖で表される構造単位を含有する重合体であり、側鎖にナフタリン誘導体を末端に保持する一価のアルコールからなり、ナフタリン環の置換基として１〜６のフッ素原子からなり、または／及び、−Ｃ(＝Ｏ)−ＯＨ、−ＣＨ2−Ｃ(＝Ｏ)−ＯＨ、−ＯＨ、−Ｃ(＝Ｏ)−ＯＲ13、−ＣＨ2−Ｃ(＝Ｏ)−ＯＲ13、または、−ＯＲ13を表し、Ｒ13は炭素数１〜２０の直鎖、分岐、または環状の炭化水素基を表し、ナフタリン環とエステル間の接続は、単結合、または炭素数１〜２０の直鎖、分岐、環状の炭化水素基を表し、この炭化水素基はヘテロ原子を有していてもよい。 （もっと読む）

本発明は、Ｎ−ビニルアミドモノマー及び２官能モノマーを含むポリマーに関する。２官能モノマーがグリシジルメタクリレートを含んでいる場合、第三の重合可能なモノマーも含まれる。
（もっと読む）

本発明は、組成物、およびリソグラフィー用途で非共有結合により架橋した樹脂膜を使用する方法を記載する。これらの材料は、被覆された後にある変化を受けるように設計されており、この変化により耐溶剤性が付与され、同時に水−塩基溶解性を有する材料もある。非共有結合相互作用により、共有結合により架橋した材料よりも上記膜の方が容易に除去できる。この種の材料は、溝／ギャップ充填用途、ならびに反射防止膜、スピンオンカーボン層およびエッチングマスクに最適である。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れ、かつ耐ドライエッチング性が改善されており、Ｆ₂レーザー用の化学増幅型フォトレジスト用の材料を提供する。
【解決手段】式（１３）：
−（Ｍ１）−（Ｍ２）−（Ｎ）− （１３）
（式中、Ｍ１は、含フッ素アルコール構造を有するノルボルネン誘導体に由来する構造単位；Ｍ２は炭素数２または３のエチレン性単量体であって、フッ素原子を少なくとも１つ含有する含フッ素単量体から得られる構造単位；Ｎは構造単位Ｍ１、Ｍ２と共重合可能な単量体に由来する構造単位）で表わされるポリマー主鎖中に環構造を有する重合体であって、構造単位Ｍ１を１〜９９モル％、構造単位Ｍ２を１〜９９モル％、構造単位Ｎを０〜９８モル％含む数平均分子量が５００〜１００００００の含フッ素重合体。 （もっと読む）

【課題】
液晶相を示す温度範囲が広く、化学的に安定であり、安価に製造でき、しかも、選択反射波長帯域Δλが広い、すなわち光学異方性Δｎの大きな重合性液晶化合物、この化合物を含有する重合性液晶組成物、これらを重合して得られる液晶性高分子、並びに、この液晶性高分子を構成材料とする光学異方体を提供する。
【解決手段】
メソ源としてアジン骨格を有する鎖状の重合性液晶化合物；前記重合性液晶化合物及び前記重合性液晶化合物と重合可能な重合性キラル化合物を含有する重合性液晶組成物；前記重合性液晶化合物又は前記重合性液晶組成物を重合して得られる液晶性高分子；並びに前記液晶性高分子を構成材料とする光学異方体。 （もっと読む）

【課題】高感度とともに疎密依存性、パターン形状、溶解コントラスト性について良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する性質をもつ、フェノール性水酸基を有する重量平均分子量１５００〜３５００の樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射によりスルホン酸を発生する化合物を含有し、２３℃常圧におけるテトラメチルアンモニウムヒドロキシド ２．３８ｗｔ％水溶液に対する露光部と非露光部の溶解速度の比が２００〜５０００倍の範囲にあるポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、定在波の残存、パターンプロファイルを同時に満たす良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】
２４８ｎｍに吸収を有する基を主鎖末端に有する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】焦点深度幅（ＤＯＦ）特性に優れたポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）は特定の置換基を有する脂環式基を側差に持つ構成単位を含む重合体（Ａ１）を含有し、かつ、当該重合体（Ａ１）の質量平均分子量が４０００〜７０００であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度であり、ラインウイズスラフネス及び疎密依存性が小さく、また、ＥＵＶ光による露光においても感度、溶解コントラストが良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】側鎖に芳香環を有する特定の繰り返し単位を含有し、末端に特定の構造を有する樹脂及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、溶液状態で安定性に優れ、支持基板上に良好な塗工性を示し、そして均一なホメオトロピック配向性を有する重合性液晶組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】アクリレート系化合物、エポキシ系化合物およびビスフェノールフルオレン系化合物を成分とする重合性液晶組成物により、上記の課題を達成することができる。これらの成分のうちビスフェノールフルオレン系化合物は、重合性液晶化合物の均一なホメオトロピック配向の制御に有効である。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜を用いず、高反射基板をそのまま用いたとしても、定在波の発生が抑制され、矩形なプロファイルが得られ、かつ高感度、高解像性の化学増幅型レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２種類のアルカリ現像液に不溶または難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有する樹脂を含有し、その内の少なくとも１種が２４８ｎｍに吸収を有する基を側鎖に有する特定の繰り返し単位を含有する樹脂であり、 更に、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物、および、有機塩基性化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及び該組成物を用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線、特に電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、ラインエッジラフネス、現像欠陥が低減され、プロファイルが良好であるとともに、ホールパターンでの解像力、サイドローブマージンに優れたレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、及びウレイド結合から選ばれた結合を少なくとも２つ以上有する含窒素化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線、特に電子線、Ｘ線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、ラインエンドショートニング、現像欠陥が低減され、良好なプロファイルを形成できるレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フッ素原子で置換された、アルキル基、アリール基及びアラルキル基から選択された基、及び、極性基を有する含窒素化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度であるとともに、ラインウィズスラフネス及び疎密依存性が低減され、また、特にＥＵＶ露光において、高感度とともに溶解コントラストが良好なポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。
【解決手段】インデノン構造を有する特定の繰り返し単位、かつ酸の作用により分解しアルカリ溶解性が増加する繰り返し単位を有する樹脂、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含むことを特徴とするレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】カチオン輸率および導電率が共に高い二次電池用高分子固体電解質を提供する。
【解決手段】下記式（１）（式中、Ｒ₁は、水素原子またはメチル基を、Ｒ₂は、炭素数１〜６のアルキレン基を、Ｒ₃は、フェニル基、ベンジル基、炭素数１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルコキシアルキル基を示す。）で表され、分子量が３００以下であるカーボネート基含有（メタ）アクリル酸エステルモノマー、の重合体と、電解質塩とを含む高分子固体電解質。
（もっと読む）

【課題】活性光線又は放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー光、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における、高解像性、高感度、パターン形成後の現像欠陥を低減させることで、歩留まりを向上させることが可能なレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定の繰り返し単位を含有する樹脂、及び活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、並びに（Ｃ）溶剤を含有するレジスト組成物において、（Ｃ）溶剤として（Ｃ１）プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート及び、（Ｃ２）プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、鎖状ケトン及び、環状ケトンから選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とするレジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）