【課題】活性化処理液の保存安定性が良好であり、且つ、活性化処理液の作成直後から長期間にわたり安定して銀鏡皮膜被形成表面に対する親水性を得ることができる活性化処理液を提供すること。
【解決手段】プラスチック、金属、ガラス等の基材の表面に銀鏡皮膜を形成するにあたり、前記基材の銀鏡皮膜被形成表面を活性化するための、第１スズ化合物を含有する活性化処理液において、過酸化水素を含有することを特徴とする銀鏡用活性化処理液。 （もっと読む）

安定性に優れて数回使用でき、沈殿物による膜質の低下が防止できるコバルト系列合金無電解鍍金溶液、これを用いた無電解鍍金方法及び前記無電解鍍金方法から製造された薄いコバルト系列合金薄膜を提供する。コバルト前駆体、タングステン前駆体、リン前駆体、還元剤、錯化合物形成剤、ｐＨ調節剤、及び安定剤とからなるコバルト系列合金無電解鍍金溶液において、還元剤はジメチルアミンボラン（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅｂｏｒａｎｅ、ＤＭＡＢ）またはホウ水素化物（ｂｏｒｏｈｙｄｒｉｄｅ）であり、安定剤はイミダゾール、チアゾール、トリアゾール、ジスルフィド、及びこれらの誘導体からなる群から選ばれる１種以上であることを特徴とするコバルト系列合金無電解鍍金溶液、これを用いた無電解鍍金方法及びこれから製造された薄膜を提供する。
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【課題】室温から高温領域にわたる広い温度範囲において高い硬度を有し、摺動性および靭性に優れ、しかも高速で形成することができるめっき皮膜、および上記めっき皮膜で摺動部分を被覆した、広い温度範囲で硬度が高く、摺動特性に優れた機械部品を提供すること。
【解決手段】Ｃｏを１〜５０質量％、Ｗを１〜２０質量％、Ｐを１〜５質量％含有することを特徴とする無電解ニッケルめっき皮膜。摺動部分を有する機械部品。少なくとも前記摺動部分を上記皮膜で被覆する。Ｎｉイオンを０．０３〜０．１ｍｏｌ／Ｌ、Ｃｏイオンを０．０１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ、ＷＯ₄イオンを０．０１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌ、リン化合物を０．１５〜０．３０ｍｏｌ／Ｌ含有する無電解めっき浴。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス等の基板の品質を低下させることなく、基板上の配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すことが可能な無電解めっき装置を提供する。
【解決手段】 ウエハＷ上に形成された配線部に還元力の弱い還元剤を用いためっき液により無電解めっきを施すための無電解めっき装置を、ウエハＷを支持する、導電性を有する押圧ピン６４と、めっき液に接触するように押圧ピン６４に設けられ、めっき液に接触した際に溶解して電子を発生させる金属部材６４ｂとから構成し、金属部材６４ｂが溶解して発生した電子を、押圧ピン６４を介してウエハW上の配線部に供給する電子供給路とから構成する。 （もっと読む）

【課題】銅または銅合金の被めっき物の表面に黒色めっき膜を均一に形成する。
【解決手段】銅または銅合金の被めっき物を、液温が３０℃以下の無電解めっき浴に所定時間浸漬する。この無電解めっき浴は、ニッケル塩、チオ尿素系の化合物、第二スズ化合物、キレート剤を含有する。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とすることなく、高品質の保護膜を金属部の表面に効率よく形成できるようにする。
【解決手段】処理槽を有する前処理ユニットと、めっき槽を有する無電解めっきユニットと、後洗浄ユニットとを有し、前処理ユニットと無電解めっきユニットは、吸着ヘッド２３４と該吸着ヘッドの周囲を囲繞する基板受け２３６を備えた共通の基板保持ヘッドを有し、吸着ヘッドには、円周方向に沿って延びる真空引き可能な凹状部２５０ａを有する吸着リング２５０が取付けられ、基板受けは、内方に突出し内周端部にシールリング２５４ａを有し、吸着ヘッドによってシールリングを基板の周縁部に圧接させて、基板の周縁部をシールリングでシールして基板を保持し、吸着リングの凹状部を真空引きして、基板の周縁部を吸着リングでシールしながら基板を吸着保持して基板を基板受けから引離す。 （もっと読む）

とくに長尺の銅管または銅合金管コイルの内面に形成されているカーボン皮膜を除去して均一な金属活性面を得るために好適な銅管または銅合金管内面の洗浄方法を提供する。
【構成】酸化剤として第二鉄塩またはペルオキソ二硫酸塩を含有する洗浄液を銅管または銅合金管内に通液させて管内面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 十分な選択めっき性が得られるとともに、耐食性に優れる無電解ニッケル／金めっきを施すことが可能な無電解ニッケルめっき方法を提供すること。
【解決手段】 基板上に形成された金属導体配線上に第１の無電解ニッケルめっき皮膜を、当該第１無電解ニッケルめっき皮膜全量を基準としたリン含有量が６〜８質量％となるように形成する第１の無電解ニッケルめっき工程と、上記第１のニッケルめっき皮膜上に、上記第１のニッケルめっき皮膜よりもリン含有量が高い第２の無電解ニッケルめっき皮膜を形成する第２の無電解ニッケルめっき工程と、を有することを特徴とする無電解ニッケルめっき方法。 （もっと読む）

新規の無電解めっき方法を提供する。触媒被膜をマイクロチャンネル装置内に適用することができる。無電解触媒被膜によって燃焼及び水蒸気改質を含む様々な反応を実施することができる。
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【課題】
プラスチック成形体表面に対し、シランカップリング剤によるカップリング処理を行った後、前記プラスチック成形体表面に金属被膜を形成している。
しかしながら、シランカップリング剤の塗布方法を用いると、前記プラスチック成形体基材表面に余分なシランカップリング剤が残り、残った前記シランカップリング剤が前記密着性の向上を邪魔し、適切に前記密着性を向上させることが出来ないという課題があった。

【解決手段】
プラスチック成形体基材と金属被膜間の密着性を向上させたプラスチック成形体ならびに前記プラスチック成形体を用いた物品を提供するために、プラスチック成形体基材の表面に単分子膜を形成する工程と、（ｂ）前記単分子膜上に、金属被膜をメッキ形成する工程を用いて、プラスチック基材の表面が基材表面に共有結合した単分子膜を介して金属被膜で被われているプラスチック成形体を提供する。 （もっと読む）

【課題】 めっき液の変質を抑制して、特性及び信頼性を損なうことのないめっき膜を形成することができるようにする。
【解決手段】 めっき液貯槽３０２内のめっき液をめっき槽２００に供給するめっき液供給管３０８とめっき槽２００内のめっき液をめっき液貯槽３０２に戻すめっき液回収管３１０を有するめっき液循環系３５０と、めっき液循環系３５０全体におけるめっき液の液温の低下を抑制する保温部２７２ａ，２７２ｂ，３５２，３５６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 最小限の欠陥しかない均一な層を堆積することのできる一体型無電界堆積装置を提供する。
【解決手段】 無電界堆積システム及び無電界堆積ステーションが提供される。このシステムは、処理メインフレームと、メインフレームに位置された少なくとも１つの基板洗浄ステーションと、メインフレームに位置された無電界堆積ステーションとを備えている。無電界堆積ステーションは、環境的に制御される処理エンクロージャーと、基板の面を洗浄し活性化するように構成された第１処理ステーションと、基板の面に層を無電界堆積するように構成された第２処理ステーションと、第１及び第２の処理ステーション間で基板を移送するように位置された基板シャトルとを備えている。また、無電界堆積ステーションは、汚染のない均一な無電界堆積プロセスを遂行するために種々の流体配送及び基板温度制御装置も備えている。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっき被膜／無電解パラジウムめっき被膜／置換金めっき被膜の３層めっき被膜端子において、取り扱いが簡単な置換金めっきのみで金被膜を形成し、汎用性の高い無電解ニッケル−リンを使用しても、ワイヤーボンディング接合及びはんだボール接合の両方において優れた接合強度を有し、ランニング特性にも優れた無電解パラジウムめっき液を提供することができる。
【解決手段】少なくとも、成分（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）
（ａ）パラジウム塩有機錯体
（ｂ）スルフィド基を有するモノカルボン酸又はその塩
（ｃ）次亜リン酸又はその塩
を含有することを特徴とする無電解パラジウムめっき液により課題を解決した。 （もっと読む）

無電解ＮｉＷＰ層がＴＦＴ銅ゲートプロセスのために使用される。ＮｉＷＰ堆積プロセスは、（ａ）例えば紫外線、オゾン溶液及び/又はアルカリ混合物溶液を使用するベース表面の浄化、（ｂ）例えば希釈酸を使用するベース表面のミクロエッチング、（ｃ）例えばＳｎＣｌ_２及びＰｄＣｌ_２溶液を使用するベース表面の触媒活性化、（ｄ）還元剤溶液を使用するベース表面のコンディショニング及び（ｅ）ＮｉＷＰ層堆積のステップを含む。ある条件下で堆積されたＮｉＷＰ層は、ガラス基板へのまた、良好なＣｕバリアー能力をもつＣｕ層への、良好な接着性を提供することができることが見出された。ＮｉＷＰ層は、接着、キャッピング及び/又はＴＦＴＣｕゲートプロセスのためのバリアー層に有益である。（例えば、フラットスクリーンディスプレイパネル） （もっと読む）

【課題】ゾル−ゲル法を用いて誘電層を形成し、その誘電層がエッチング液による損傷を受けにくく、且つ、高い電気容量等の誘電特性に優れた酸化物誘電層の形成方法を提供する。
【解決手段】ゾル−ゲル法による酸化物誘電層の形成方法において、以下の（ａ）〜（ｃ）の工程を備えることを特徴とする酸化物誘電層の形成方法等を採用する。（ａ）工程：所望の酸化物誘電層を製造するゾル−ゲル溶液調製のための溶液調製工程。（ｂ）工程：前記ゾル−ゲル溶液を金属基材の表面に塗工し、酸素含有雰囲気中で乾燥し、酸素含有雰囲気中で熱分解を行う一連の工程を１単位工程とし、この１単位工程を複数回繰り返し、１単位工程と１単位工程との間に任意に５５０℃〜１０００℃の不活性ガス置換等の予備焼成処理を設けて膜厚調整を行う塗工工程。（ｃ）工程：最終的に５５０℃〜１０００℃の不活性ガス置換等の焼成処理を行い誘電層とする焼成工程。 （もっと読む）

【課題】無電解ニッケルめっきの異常析出の発生が充分なレベルまで低減された、無電解ニッケルめっき用前処理液を提供すること。
【解決手段】分子内に硫黄原子を含んだ複素環式化合物と有機溶剤とを含有する無電解ニッケルめっき用前処理液であって、前記複素環式化合物は、その濃度が前記無電解ニッケルめっき用前処理液の全容量基準で０．０００５〜３ｇ／Ｌであり、前記複素環式化合物の濃度をＭ_Ａ（ｇ／Ｌ）としたときに、前記有機溶剤は、その濃度が前記無電解ニッケルめっき用前処理液の全容量基準で５×Ｍ_Ａ〜５０００×Ｍ_Ａ ｍＬ／Ｌである、無電解ニッケルめっき用前処理液。 （もっと読む）

本発明は、半導体工業における型ＮｉＭ−Ｒ（但し、ＭはＭｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｃｒであり、ＲはＢ、Ｐであるものとする）の無電解メッキされた三成分系ニッケル含有金属合金の使用に関する。殊に、本発明は、半導体構造素子中での銅の拡散およびエレクトロマイグレーションを阻止するための、バリヤー材料としてかまたは選択的なケーシング材料としての前記のメッキされた三成分系のニッケル含有金属合金の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】 優れた脱脂・洗浄力を有し、且つ、めっき反応に活性な触媒を被めっき物の表面、特に有機樹脂や無機材料に容易かつ確実に付着させるため、該被めっき物の表面にコンディショニングを行なうための無電解めっき用前処理液およびこれを用いた無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】 １種以上の非イオン性界面活性剤と、１種以上の陽イオン性樹脂と、１種以上の金属イオンの錯化剤を含む無電解めっき用前処理液であって、陽イオン性樹脂が、エピハロヒドリンおよびポリエピハロヒドリンのうち少なくとも１種と、アミン、ポリアミンおよびポリアミドポリアミンのうち少なくとも１種との重縮合物からなる陽イオン性樹脂である無電解めっき用前処理液。 （もっと読む）

【課題】 密着性に優れた無電解めっき被膜を無機酸化物の表面に精度良く部分めっきする。
【解決手段】 被めっき物１の表面に光反応層２を形成する光反応層形成工程と、光反応層２を紫外線ＵＶで選択的に露光する露光工程と、光反応層２の露光部分を被めっき物１の表面から除去する除去工程と、被めっき物１の光反応層２が除去された部分に触媒４を付与する触媒付与工程と、被めっき物１の触媒４が付与された部分に無電解めっき被膜５を形成する無電解めっき工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 酸化膜を形成しやすい材料を用いて配線形成する場合でも、メッキによる金属膜を十分に積層する。
【解決手段】 第１導電膜２ａと、メッキにより第１導電膜２ａ上に成膜された第２導電膜４とを有する膜パターン７を基板１上に形成する。第１導電膜２ａに対してエッチングを行う工程と、第１導電膜２ａに対してメッキ処理の触媒を付与する工程とを、第２導電膜４をメッキ形成する前に同一工程で実施する。 （もっと読む）