【課題】エッチング処理を行わずに、樹脂の表面に安価で効率良くメッキ膜を形成することが可能な無電解メッキ法を提供する。
【解決手段】樹脂製の基板２の表面に以下の一般式（１）で表わされるシロキサンポリマーを塗布することによりポリマー膜１を形成し、このポリマー膜１に無電解メッキ処理によりメッキ膜３を形成する。
【化１】


（Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれ水素数と炭素数の合計が８以下の独立の炭化水素基であり、ｍ，ｎは重合度である。） （もっと読む）

【課題】耐硫化性及び耐紫外線性に優れ、高い全反射率と優れた光の反射指向性を有する銅或いは銅合金板へのＡｇ−Ｓｎめっき方法及びその方法により製造されたＡｇ−Ｓｎめっきが施された銅或いは銅合金板が提供される。
【解決手段】銅又は銅合金板の表面に光沢Ｓｎめっき層を形成した後、前記Ｓｎめっき層の表面に形成された酸化膜をｐH８〜１０の弱アルカリ性の溶液中にて電解処理又は浸漬処理にて除去した後、Ａｇを無電解めっき又は電気めっきした後、４０〜６０℃で３０〜３００秒間保持して完全に合金化したＡｇ_３Ｓｎ膜を形成した後、前記Ａｇ_３Ｓｎ膜を２０〜３０℃のリン酸系酸化処理剤中に３０〜１２０秒間浸漬することにより、前記Ａｇ_３Ｓｎ膜上にＳｎ酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プリント回路板のスルーホールの金属化のためのスズを含まない安定なパラジウム触媒組成物を提供する。
【解決手段】ナノ粒子の形態のパラジウム粒子、パラジウムの沈殿および凝集を妨げる安定化剤であるグルタチオンおよびパラジウムイオンを金属に還元するための還元剤を含有する組成物。 （もっと読む）

【課題】触媒層に対するアルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】上流から下流にプラスチック基板（被処理物）１１０を搬送しながら、めっき液を用いてプラスチック基板１１０の被処理面上にめっき層１１４を形成するめっき処理槽（めっき処理装置）１０であって、搬送部９と、初期析出部７と、を備えている。搬送部９は、被処理物を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部７は、当該めっき処理装置の上流側に備えられ、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。 （もっと読む）

【課題】樹脂基体のデザイン性に優れた修飾や、鍍金によって形成される実装基板などの基体表面上に選択的な機能性紋様を直接に形成する方法に関し、特に実装基板において、文様が精緻になると数ミクロンの劣化でも信頼性に影響するアンダーカットの防止を図り、また、鍍金した金属の殆どを除去する方法でなく微少面積の回路パターンのみ形成することによるコスト低減、省資源を図った機能性文様の形成方法を提供する。
【解決手段】下地調整工程、紋様形成工程、修飾表面積層工程などを経て、基体１表面上に選択的な機能性紋様を形成する方法において、当該紋様形成工程がＡ．当該基体１表面に当該基体と反応する高粘性反応液２を用いて当該機能性紋様を付与する界面活性付与過程、Ｂ．一定時間保持して当該基体表面の活性度を調整する活性化調整過程の２過程を経ることで、全面に表面修飾層を形成した後鍍金を行い、機能性紋様を得る。 （もっと読む）

【課題】 シアン化合物を含まない還元型の無電解銀めっき液において、液安定性の優れた還元型無電解銀めっき液を提供する。
【解決手段】 還元型無電解銀めっき液は、水溶性銀化合物と、還元剤と、下記一般式（１）で表される化合物を液安定剤として含有してなる。ここで、一般式（１）で表される化合物としては、Ｃａｓ番号６８６０３−６７−８の化合物であることが好ましい。
【化１】


（式中、Ｒはアルキル基又はアリール基を表し、ｍ及びｎはそれぞれ１〜３の整数である。） （もっと読む）

【課題】金属の無電解めっきの触媒として使用される、安定で、コスト効果的な金属ナノ粒子を提供する。
【解決手段】一般式：


（式中、Ｒ１は非置換（Ｃ１４〜Ｃ３０）アルキルであり、Ｒ２およびＲ３は同じかまたは異なっており、非置換（Ｃ１〜Ｃ６）アルキルである）を有するアミンオキシドで封入された金属ナノ粒子を含む組成物で、金属ナノ粒子が、銀、金、白金、インジウム、ルビジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリジウム、銅、コバルト、ニッケルおよび鉄から選択される。 （もっと読む）

【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金表面の酸化皮膜を除去するための除去液であって、銀イオン及び／又は銅イオンと、該銀イオン及び／又は銅イオンの可溶化剤と、水酸化第４級アンモニウム化合物とを含有し、ｐＨが１０〜１３．５であることを特徴とするアルミニウム酸化皮膜用除去液。
【効果】本発明の除去液は、アルミニウム又はアルミニウム合金の表面に、その侵食を可及的に抑制しつつ、除去液に含まれる銀及び／又は銅化合物に由来する銀及び／又は銅を置換析出することができ、しかも、この銀や銅の置換析出物はアルミニウム又はアルミニウム合金の表面を殆ど侵食することなく低温で、迅速に溶解除去することが可能であるため、アルミニウム又はアルミニウム合金の厚みが非常に薄い場合であっても、アルミニウム又はアルミニウム合金を確実に残存させつつその表面を活性化することができる。 （もっと読む）

【課題】ニッケルやパラジウム等の下地金属のめっき被膜に直接金めっき処理ができ、０．１μｍ以上の厚付けの金めっき被膜も形成可能で、均一な金めっき被膜を形成できるとともに、めっき作業を安全に行える無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】水溶性金化合物と、ヘキサヒドロ−２，４，６−トリメチル−１，３，５−トリアジンまたはヘキサメチレンテトラミンのいずれかを含むことを特徴とする無電解金めっき液に関する。このヘキサヒドロ−２，４，６−トリメチル−１，３，５−トリアジンまたはヘキサメチレンテトラミンを０．１〜１００ｇ／Ｌ含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】無欠陥の無電解ニッケルメッキ膜の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ法を用いて、基材上に９９．９９％以上の純度および２．５μｍ以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、無電解メッキを用いて、アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする無電解ニッケルメッキ膜の製造方法。ここで、基材とアルミニウム層との間に９９．９９％以上の純度を有するチタン層を形成する工程をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の端子部分のように、基材上に設けた金属微細パターンの表面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができる金属微細パターン付き基材の製造方法を提供し、さらに、当該製造方法によって品質に優れためっき処理面を有する、金属微細パターン付き基材、プリント配線板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】下地となる樹脂からなる支持表面に設けられた溝に、金属微細パターンの下部を埋め込み、当該金属微細パターンの溝の表面と接していない部分に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う工程を含み、前記メッキを行う領域における支持表面からの突出高さＸと、パターン間の最小距離をＹの比（Ｘ／Ｙ）が０．８未満となるようにする金属微細パターン付き基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来のスポット溶接やボルト締めによる接合に比べて、接地面積を大きくし、接合箇所の抵抗値を低くして、蓄電デバイスの電圧を減少させることなく有効に供給することができるようにする。
【解決手段】Alからなる陽極電極の接続端子部１０ａ上にZn層２１又はZn合金層、Ni層２２、Sn層２３又はSn合金層がめっきで形成される。これにより、Sn層２３又はSn合金層上でAlの異種金属からなるCu陰極電極とはんだ付けできるようになり、Al陽極電極とCu陰極電極との接合強度を向上することができる。また、従来のスポット溶接やボルト締めによる接合に比べて、接地面積が大きく、接合箇所の抵抗値が低くなるので、蓄電デバイスの接続抵抗の電圧降下を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】外周面上に凹凸が形成された円筒形の金型本体の外周面上に、比較的薄いニッケルめっき層を均一に形成でき、該凹凸が微細である場合でもめっき斑等のめっき欠陥の発生を抑制できるニッケルめっき金型の製造方法の提供。
【解決手段】外周面に凹凸が形成された円筒形の金型本体をニッケルめっき液に浸漬して該金型本体の外周面にニッケルめっき処理を施すニッケルめっき金型の製造方法であって、前記金型本体の外周面の温度を、前記ニッケルめっき液の温度±１０℃以内とした状態で前記ニッケルめっき処理を開始する。 （もっと読む）

【課題】めっき皮膜に良好な密着性及び導電性を備えさせることができる高分子繊維のめっき液並びにこれを用いた高分子繊維のめっき方法及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高分子繊維のめっき液は、（１）導電性皮膜として形成される金属を含有する成分としてＣｕＳＯ_４・５Ｈ_２Ｏを所定量と、（２）キレート剤としてＥＤＴＡ−４Ｎａを所定量と、（３）ｐＨ調整剤としてＮａＯＨを所定量と、（４）還元剤としてＨＣＨＯを所定量と、（５）界面活性剤としてノニオン系界面活性剤又はポリエチレングリコールを所定量と、（６）分解抑制剤としてＫＣＮ、０−フェナントロリン、ネオクプロイン又は２，２−ビピリジルを所定量と、（７）添加剤としてＮｉＳＯ₄・６Ｈ_２Ｏ、ＣｏＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ、ＺｎＳＯ_４・７Ｈ_２Ｏ、ＳｎＳＯ_４、及び、Ｎａ_２Ｏ_３Ｓｎ・３Ｈ_２Ｏから選ばれるいずれか一種又は二種以上を所定量とからなる。 （もっと読む）

【課題】ｎ型半導体とｐ型半導体が混在する半導体ウエハ上へ、ニッケル又はニッケル合金の無電解めっきを行うための前処理液ろ提供する。
【解決手段】該前処理液は過酸化水素水とアンモニア水及び／又は水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）からなる水溶液である無電解めっきの前処理液で、ＦＥＴなどのソース、ドレイン電極など、ｎ型半導体とｐ型半導体が混在するトランジスタ電極を形成する際に、シリコン基板表面の不純物を効果的に除去するか又は低減して活性化させることができ、さらにこのようなシリコン基板がｎ型半導体とｐ型半導体が混在する場合に、この洗浄液による処理を行った後、後続の無電解Ｎｉ又はＮｉ合金めっきに適合でき、均一な無電解めっきを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】生産性よく化学めっきを行う方法を提供する。
【解決手段】基板２上に機能液１８を配置し、機能液１８を固化して下地膜４０を形成する下地膜形成工程と、化学めっき処理を行って下地膜４０上に金属膜４５を形成する化学めっき工程と、を有し、機能液１８は樹脂、金属触媒及びレベリング剤を含む。金属触媒は金属を含む官能基を備えたシランカップリング剤であり、機能液１８を加熱または光照射して固化する。 （もっと読む）

【課題】有機物からなる防錆剤を用いた防錆処理やめっき処理を行わずに、回路パターンとなる銅回路板の表面の変色を防止するとともに、半田付け工程における半田濡れ性や耐熱性などの耐候性を向上させることができる、金属−セラミックス回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板の少なくとも一方の面に接合した銅回路板の表面を脱脂し、水洗し、酸洗し、水洗した後、Ｐｄ活性化液に２０〜４０℃で２０〜６００秒間浸漬することにより銅回路板の表面にＰｄを付着させ、その後、銅回路板の表面を水洗し、３０〜６０℃程度の純水で温洗し、４０〜７０℃の温風により乾燥する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド基板と導電性膜層との間の剥離が防止された積層板を提供する。
【解決手段】ポリイミド基板２の表面をアルカリ性水溶液に接触させることによって、ポリイミド基板２表面にアルカリ処理層を形成するアルカリ処理工程と、その後、前記アルカリ処理層を、金属触媒を含む水溶液に接触させ、前記アルカリ処理層に金属触媒を付与する触媒付与工程と、その後、前記金属触媒が付与された前記アルカリ処理層を、還元処理溶液に接触させ、前記アルカリ処理層に付与された金属触媒を還元することによって、表面処理層３を形成する還元工程と、その後、前記表面処理層上にニッケルを含むシード層４を積層するシード層形成工程とその後、前記シード層４上に金属層６を積層する金属層形成工程と、その後、前記シード層４と前記金属層６が形成された前記ポリイミド基板を大気中にて熱処理を行なう熱処理工程と、からなる積層板の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ成分を含むセラミック基材上に設けられたＡｇ電極の表面全体に、無電解めっきにより確実にめっき膜を形成することが可能であるとともに、セラミック基材の上記Ａｇ電極外の領域には、無用のめっき膜を析出させることのないめっき方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ成分を含むセラミック基材上に形成されたＡｇ電極に無電解めっきを行うにあたって、Ａｇ電極上およびセラミック基材上のＡｇ電極が形成されていない領域に存在するＣｕ成分を除去するためのエッチングを行うＣｕエッチング工程と、セラミック基板上の、Ａｇ電極が形成されていない領域に存在するＡｇ成分を除去するためのエッチングを行うＡｇエッチング工程とを実施した後に、Ａｇ電極に無電解めっきを行う。
Ｃｕエッチング工程とＡｇエッチング工程とを、別工程として実施する。
Ｃｕエッチング工程は、Ａｇを溶解しないエッチング液を用いて実施する。 （もっと読む）

【課題】無電解金属コーティング組成物に関し、無電解ニッケル皮膜を製造する方法およびそれにより作製される物品を提供する。
【解決手段】（ａ）基材を無電解ニッケル皮膜で被覆して被覆基材を用意し、（ｂ）被覆基材を、約５５０℃〜約７００℃の範囲の温度に約７〜約３０時間加熱することを含む加熱プロトコールに付すことを含む、無電解ニッケルコーティング組成物を製造する方法、および本方法で作成される物品。 （もっと読む）