【課題】少ない処理室で効率よくバリア層及び埋込層を形成する小型の真空処理装置を提供する。
【解決手段】バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。他方、埋込層は、Ａｌ含有の金属製のターゲットを用い、スパッタ粒子をプラズマ中の荷電粒子と衝突するように所定圧力に調節すると共に、当初投入したバイアス電力を、成膜中に停止し、処理室の圧力も低下させると共に、加熱手段により処理対象物Ｗを、処理対象物表面に付着、堆積した金属粒子が流動する温度に加熱する。 （もっと読む）

【課題】配線形成時に配線形成用溝の間口を閉塞させないで配線形成用溝内に連続したＣｕ膜を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線形成用溝形成工程では、層間絶縁膜１０に配線形成用溝３１を形成する。バリアメタル膜形成工程では、配線形成用溝３１が形成された層間絶縁膜１０上の全面にバリアメタル膜１４を形成する。Ｃｕ膜形成工程では、配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上の膜厚に比して配線形成用溝３１内の底部の方が厚くなるように、バリアメタル膜１４上にＣｕ膜１５を形成する。リフロー工程では、バリアメタル膜１４上のＣｕ膜１５をリフローさせ、配線形成用溝３１内に埋め込む。そして、除去工程では、少なくとも配線形成用溝３１間の層間絶縁膜１０上のバリアメタル膜１４をＣＭＰ法によって除去する。 （もっと読む）

【課題】長尺樹脂フィルムの取り付けおよび取り出しを効率よく行えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置を提供する。
【解決手段】巻出しロール室内の巻出しロールから巻き出された長尺樹脂フィルムをロール・トゥ・ロール方式により搬送し、巻取りロール室内の巻取りロールに巻き取ると共に、成膜室の長尺樹脂フィルムの搬送路上の前記成膜室には、真空成膜手段に対向しかつ内部に冷媒が循環する２つ以上のキャンロールを備えるロール・トゥ・ロール方式真空両面成膜装置が、前記巻出し室と前記巻取り室が、前記成膜室の一方の側の外壁にのみ配されることと、且つ成膜室の鉛直方向では前記巻出し室が前記巻取り室の上若しくは下に配されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層に含まれるＣｕの周囲への拡散を抑制すると共に密着性および動作特性に優れた半導体装置およびその製造方法、並びに、その半導体装置の製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】実施の形態に係るスパッタリングターゲットは、１．５原子％以上５．０原子％以下のＭｎと、（Ｍｇの原子％）／（Ｍｎの原子％）で示される比率が０．３以上２．１以下となるＭｇと、１０ｗｔｐｐｍ以下のＣと、２ｗｔｐｐｍ以下のＯ_２と、を含むＣｕ合金を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】混合ナノ粒子を利用した透明導電構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電構造は基板部及び導電部を備える。前記基板部は少なくとも１つのプラスチック基板を備える。前記導電部は少なくとも１つの透明導電フィルム及び少なくとも１つの導電ナノ粒子群が同時に形成されたものであり、前記透明導電フィルムは前記プラスチック基板上に形成される。前記導電ナノ粒子群は前記透明導電フィルム内に複数混入或いは組み込まれる導電ナノファイバーである。 （もっと読む）

【課題】ザク巣欠陥や濃度ムラを低減し、太陽電池の光吸収層の成膜に好適なスパッタリングターゲット用銅合金を提供する。
【解決手段】平均組成が２８質量％以上３２質量％以下のガリウム（Ｇａ）を含み、残部が銅（Ｃｕ）及び不可避的不純物からなるターゲット用銅合金であって、一方向柱状晶組織を有するスパッタリングターゲット用銅合金である。 （もっと読む）

【課題】 処理装置等に用いるキャンロールにおいて、その外周面と長尺樹脂フィルム基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入する際に、ギャップ部のギャップ間隔をほぼ一定にして、フィルムのシワ発生を防止することができるキャンロールを提供する。
【解決手段】 周方向に沿って略均等な間隔をあけ且つ全周に亘り回転軸方向に沿って配設された複数のガス導入路１１を有し、各ガス導入路１１はキャンロール１０の回転軸方向に沿って略均等な間隔で外周面１０ａ側に開口する複数のガス放出孔１２を有すると共に、外径が回転軸方向の中央部で最も長く且つ中央部から両端部に向けて次第に短くなるクラウン形状の外周面１０ａを備えている。 （もっと読む）

【課題】液晶ポリマーフィルムの表面を、２．６〜１５Ｐａのガス圧の酸素雰囲気又は窒素雰囲気下でプラズマ処理した面に、乾式めっき及び／又は湿式めっきにより形成された金属導体層を備えた銅張積層板。液晶ポリマーフィルムのプラズマ処理後の表面粗さが、算術平均粗さＲａが０．１５μｍ以下であり、かつ二乗平均平方根粗さＲｑが０．２０μｍ以下である上記銅張積層板。
【解決手段】液晶ポリマーフィルムの表面を、２．６〜１５Ｐａのガス圧の酸素雰囲気又は窒素雰囲気下でプラズマ処理したした後、乾式めっき及び／又は湿式めっきにより金属導体層を形成することを特徴とする銅張積層板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットである。また、本発明は、Ｃｅ酸化物を２５〜５３質量％含有し、残部Ｃｕおよび不可避的不純物からなるＣｕ合金スパッタリングターゲットをスパッタリングして下地膜を形成し、次いで該下地膜上にＣｕ系配線膜をスパッタリングにより形成する半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】１つの真空チャンバで複数の異種の基板に膜を形成することができると共に、高品質な半導体デバイスを生産できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】排気系およびガス導入系と接続された真空チャンバ（１０７）と、真空チャンバ（１０７）内に設置されスパッタリング電源（３１２ａ）と接続された第１スパッタリングカソード（３０３ａ）と、真空チャンバ（１０７）内に設置されスパッタリング電源（３１２ｂ）と接続された第２スパッタリングカソード（３０３ｂ）と、基板（８）が載置される基板ホルダ（１３１）と、基板（８）に高周波電圧を印加して基板（８）を逆スパッタ（Ｓ１２）する高周波電源（１３０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ロールツーロール方式で搬送される長尺基板をキャンロールの外周面に巻き付けて冷却しながら熱負荷の掛かる処理を行う際に生じる長尺基板のシワをキャンロールの外周面上で伸ばす方法及び装置を提供する。
【解決手段】 キャンロール５６の外周面５６ａのうち少なくとも片端側において長尺基板Ｆの端部付近が接触する箇所にキャンロール５６の端部側に向かってキャンロール５６の外径が徐々に細くなるような傾斜部２１を設けるとともに、該傾斜部２１のうちスパッタリングカソードなどの処理手段５７〜６０に対向していない箇所に設けたホイール３１により長尺基板Ｆの端部を傾斜部２１に押しつけることにより長尺基板Ｆを幅方向に広げる。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバー内へのガス漏れを抑制しつつキャンロールの外周面と長尺基板との間に形成される隙間にガスを導入する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 冷媒循環部１１と、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路１４と、これら複数のガス導入路１４の各々に真空チャンバー５１外部のガスを供給するロータリージョイント２０とを備え、搬送される長尺基板Ｆを外周面に部分的に巻き付けて冷却するキャンロール５６であって、各ガス導入路１４は、キャンロール５６の回転軸方向に沿って外周面側に開口する複数のガス放出孔１５を有しており、ロータリージョイント２０は、各ガス導入路１４に対して長尺基板Ｆを巻き付ける角度範囲内に位置しているか否かに応じて当該ガス導入路１４にガスを供給するか否か制御する。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏなどの密着層を省略し、熱処理もすることなく、ガラスなどの絶縁層に直接配線をＣｕ合金により形成でき、また、表面平滑性の良好な配線を形成する技術を提供する。
【解決手段】本発明は、０．０１ａｔ％〜０．５ａｔ％のＢｉと、０．０５ａｔ％〜０．５ａｔ％のＩｎと、残部がＣｕ及び不可避不純物とからなることを特徴とする配線用Ｃｕ合金とした。また、本発明は、絶縁層とＣｕ合金配線とが直接接合された接続構造において、Ｃｕ合金はＢｉ及びＩｎを含有しており、Ｃｕ合金配線は、絶縁層との接合界面側にＢｉ偏析層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 摩擦係数が低減してキャンロールの回転駆動がフィルムに伝わりにくくなることを抑制できる長尺基板の処理装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー７１内でロールツーロールで搬送される長尺基板Ｆに対して外周面にガス導入孔１５を備えたキャンロール７６に部分的に巻き付けながら熱負荷の掛かる処理を施す長尺基板の処理装置７０であって、キャンロール７６の外周面上に画定される搬送経路の前後にそれぞれ長尺基板Ｆをキャンロール７６との間に挟み込むフィードロール７５、８１が設けられており、これら両フィードロール７５、８１のうちの少なくとも一方にはその外周面に長尺基板Ｆが搬送されるに従って長尺基板Ｆをその幅方向に広げるパターンを有する螺旋状溝３０が長尺基板Ｆの搬送経路の中心線に関して略線対称に形成されている。 （もっと読む）

【課題】キャンロールの外周面と長尺基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入して長尺基板を均一かつ効率的に冷却する方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバー内でロールツーロールで搬送される長尺基板Ｆに対して、内部に冷媒が循環し外周面にガス導入孔１５ａ，１５ｂを備えたキャンロールの当該外周面に部分的に長尺基板Ｆを巻き付けながら熱負荷の掛かる処理を行う長尺基板Ｆの処理方法であって、キャンロールの外周面上に画定される長尺基板Ｆの搬送経路の上流および下流にそれぞれ隣接して設けられたフィードロールの周速度とキャンロールの周速度とに差をつけながらキャンロールの外周面とそこに巻き付けられる長尺基板Ｆとの間に形成されるギャップ部にガス導入孔からガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバー内へのガス漏れを抑制しつつキャンロールの外周面と長尺基板との間に形成される隙間にガスを導入する装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー５１内においてロールツーロールで搬送される長尺基板Ｆを冷媒で冷却された外周面に巻き付けて冷却するキャンロール５６であって、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路１４を有しており、これら複数のガス導入路１４の各々はキャンロール５６の回転軸５６ａ方向に沿って略均等な間隔をあけて外周面側に開口する複数のガス導入孔１５を有しており且つ長尺基板Ｆが外周面に巻き付けられる領域であるか否かに対応して設けられた永久磁石などの磁力付与手段６５によって開閉するガス導入バルブ２０に接続している。 （もっと読む）

【課題】例えば３以上の所定のアスペクト比を有するホールがパターニング形成されたものを処理対象物とし、これらホールを含む処理対象物の表面全体に亘って金属膜を成膜する際に、カバレッジ率を効果的に向上できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１内に処理対象物Ｗと、処理対象物に形成しようとする金属膜に応じて作製されたターゲット２とを対向配置し、処理対象物の全面に亘って垂直な磁場が作用するように垂直磁場ＭＦを発生させ、この真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、スパッタガスをアルゴンとして、スパッタリング中、真空チャンバ内のアルゴンの分圧を５〜３０Ｐａの範囲に保持して成膜する。 （もっと読む）

【課題】大型のサイズであっても真直度に優れ、表面が平滑である高品質な円筒状ターゲット材を提供することを目的とするとともに、たとえ大型の円筒状ターゲット材を製造する場合であっても、曲がりや歪が発生することがなく、表面に疵が発生することのない円筒状ターゲット材の製造方法、及び、円筒状ターゲット材のシート被覆方法を提供することを目的とする。
【解決手段】無酸素銅からなるターゲット材料に対して調質処理を施すターゲット材料調質処理工程Ｓ１０と、該工程により形成した調質処理済ターゲット材に対して追加工を施す調質処理済ターゲット材追加工工程Ｓ２０とを行い円筒状ターゲット材を製造する製造方法において、前記ターゲット材料調質処理工程Ｓ１０では、所定の焼鈍工程、及び、引抜き抽伸工程を行った後、ターゲット材料仕上げ工程Ｓ１５を行い、該ターゲット材料仕上げ工程Ｓ１５において、仕上げ焼鈍工程Ｓ１５Ａを行い、その後、仕上げ引抜き抽伸工程Ｓ１５Ｂを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜条件（成膜中の圧力、成膜に用いるガス種等）を変更しなくても、成膜された銅膜中の引張残留応力を低減できるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材、ＴＦＴ用銅膜、及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材は、銅材からなり、銅と不可避的不純物とからなる無酸素銅、又は銅合金からなるスパッタ面を備え、かつ、（１１１）面と、（２００）面と、（２２０）面と、（３１１）面との総和に対する、（１１１）面の占有割合が、１５％以上であるＴＦＴ用銅スパッタリングターゲット材である。 （もっと読む）

【課題】平面性に優れ且つ生産性にも優れる両面金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムを効率よく製造できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】巻出ロール１１１から巻き出された耐熱性樹脂フィルム１１２は駆動ロール１１８、１１９、１２０、１２１、１２２、１２３により折り返された間で、耐熱性樹脂フィルム１１２方向に開口部がある２つの開口部を有する少なくとも４ユニットの対向スパッタリングユニット１２９、１３０、１３１，１３２により、耐熱性樹脂フィルム１１２の第１成膜面と第２成膜面に同時に成膜が進行する。両端の対向スパッタリングユニット１２９、１３２の片側は片面成膜である。 （もっと読む）