【課題】スパッタ効率の高いことよりも、むしろ効率よくプラズマが生成し、かつエネルギー密度の高いプラズマ発生技術が求められている。
しかも安定したプラズマを生成させる際にはトリガーを必要とするため、装置内にトリガーを設置する空間を要すること、及びより装置が複雑になることによって装置が大型化していた。
【解決手段】板状のターゲット側電極の一方の面に、
１つの中心磁石と、該中心磁石の周囲に配置してなり、該中心磁石と極性が異なる１つ以上の周辺磁石との組み合わせからなるターゲット側磁石を設け、
該ターゲット側電極の他方の面にターゲット基板を近接して設けると共に、
該ターゲット基板に対向して試料を設置し、
該試料のターゲット基板に面する側の反対の側にアシスト磁石を設置し、該アシスト磁石の該試料側の極性と、該中心磁石のターゲット側電極側の極性が同じであるプラズマ発生装置。 （もっと読む）

【課題】透明導電層上に金属層が形成された導電性積層体において、金属層をエッチングにより除去した際の透明導電層の抵抗の上昇を抑制する。
【解決手段】本発明の導電性積層体は、透明基材１の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体２および金属層３がこの順に形成されている。透明導電性薄膜積層体２において、金属層３に最近接である第一透明導電性薄膜２１は、金属酸化物層または主金属と１種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層であり、第一透明導電性薄膜以外の透明導電性薄膜２２は、主金属と１種以上の不純物金属を含有する複合金属酸化物層である。第一透明導電性薄膜２１における不純物金属の含有比が、前記透明導電性薄膜積層体２を構成する各透明導電性薄膜における不純物金属の含有比の中で最大ではないことにより、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】 真空処理装置の処理室内において、マスクに対する基板のアライメントのために両者の位置関係を確実に検出できる簡単な構成で低コストのアライメント装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内で相互に対向配置される基板Ｗとこの基板に対する処理範囲を制限するマスクＷとのいずれか一方を保持する固定の保持手段５と、その他方を保持する、固定の保持手段に対して相対移動可能な可動の保持手段２とを備える。固定の保持手段内に、一端側が可動の保持手段で保持された基板またはマスクのいずれか他方に向けて開口し、その他端側が処理室を画成する壁面に向けて開口する光路５２Ｒ，５２Ｌが形成され、光路の他端側から光を入射する光源６１と、この他端側から光路を通して他方を撮像する撮像手段６２と、撮像手段からの出力に応じて可動の保持手段を相対移動させてアライメントを行う制御手段Ｃとを更に備える。 （もっと読む）

【課題】 中心磁極と外周磁極の間に中間磁極を配置した磁気発生機構を備え、スパッタリングターゲットの局所的な侵食を低減させ、使用効率を大幅に向上させたマグネトロンスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】 ターゲット表面の磁束密度について、領域Ａ内で中心磁極１２からターゲット端部への垂直磁束密度が−５０〜＋５０ガウスの範囲で連続する長さを短辺長さの０.０７倍以上に調整する。また、領域Ａの長辺方向の中央での中心磁極１２からターゲット端部への水平磁束密度の絶対値の極小値を両端での水平磁束密度の絶対値の極小値の０.９５〜１.４倍の範囲とし、領域Ｂの短辺方向の中央での中心磁極１２の水平磁束密度の絶対値を垂直磁束密度の絶対値の０.４倍以下とする。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】長尺の基体１０に連続的に真空成膜を行う方法であって、ロール状に巻かれた長尺の基体を第１ロール室Ｗ１から第２ロール室Ｗ２へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１の方向に繰り出された基体を脱ガスする段階、脱ガスされた基体の面に第２成膜室４２において第２の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料が成膜された基体を第２ロール室で巻取る段階、第２ロール室で巻き取った基体を第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向に第２ロール室から繰り出す段階、第２の方向に繰り出された基体の面に第１成膜室４１において第１の膜材料を成膜する段階、第２の膜材料の上に第１の膜材料が積層された基体を第１ロール室で巻取る段階、を備える。 （もっと読む）

【課題】 スパッタ法により良好にＮａ添加されたＧａ添加濃度１〜４０原子％のＣｕ−Ｇａ膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットのＦ，Ｓ，Ｓｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがフッ化ナトリウム、硫化ナトリウム、セレン化ナトリウムのうち少なくとも１種の状態で含有され、酸素含有量が１００〜１０００ｐｐｍである。 （もっと読む）

【課題】外部電極の電気的特性及び部品本体への密着力の双方が良好であり且つ小型化に適したチップ状電子部品を提供する。
【解決手段】内部電極１１が埋設された部品本体１０と該部品本体１０の外面に形成された外部電極２０とを備えたチップ状電子部品１において、外部電極２０は、少なくとも部品本体１０に接する部位において物理的蒸着法で形成されてなり且つ第１の電極材料２３と第２の電極材料２４とが混合された混合層２１を含み、該混合層２１は部品本体から離れるにしたがって第１の電極材料２３に対する第２の電極材料２４の混合率が漸小している。 （もっと読む）

【課題】光量を高めた特殊な光源や感度の高い特殊な検出器を用いることなく、成膜される光学薄膜の膜厚を、高い精度で計測する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置を得ることである。
【解決手段】モニター基板と、真空チャンバーの外に設置され、透明窓を介してモニター基板にモニター光を投射する発光手段と、モニター基板から反射され、真空チャンバーの外に導出されるモニター光を受光する受光手段と、受光手段で計測したモニター光の強度変化から、被成膜部材に形成される薄膜の膜厚を算出する手段とを有する光学式膜厚モニターを備えた成膜装置であって、モニター基板が、平面に半導体でなる膜厚が１００ｎｍ未満の第１の薄膜を備えているものである。 （もっと読む）

【課題】コールドスプレー法を用いて基材に金属皮膜を形成させた積層体を製造する場合に、基材と金属皮膜との間の密着強度が高い積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の積層体１０は、金属または合金から形成された基材１と、基材１表面に形成された基材１より軟らかい金属または合金からなる中間層２と、金属または合金の粉末材料を該粉末材料の融点より低い温度に加熱されたガスと共に加速し、中間層２に固相状態のままで吹き付けて堆積させた金属皮膜３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ２０のゲート電極１５、ソース、ドレイン電極３３、３４のうち、いずれか一つ以上の電極はバリア膜２５を有し、バリア膜２５が成膜対象物２１又は半導体層３０に密着している。ＮｉとＭｏを１００原子％としたときに、バリア膜２５は、Ｍｏを７原子％以上７０原子％以下含有し、ガラスからなる成膜対象物２１や半導体層３０に対する密着性が高い。また、バリア膜２５表面にＣｕを主成分とする金属低抵抗層２６が形成された場合に、Ｃｕが半導体層３０に拡散しない。 （もっと読む）

【課題】基板及び／又は絶縁膜との高い密着性を有し、且つ、液晶表示装置などの製造過程で施される熱処理後も低い電気抵抗率を有する新規なＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、基板及び／又は絶縁膜と直接接触するＣｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は基板側から順に、合金成分としてＸ（Ｘは、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｗ、Ｃａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｎ、ＢおよびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を含有するＣｕ−Ｍｎ−Ｘ合金層（第一層）と、純Ｃｕ、またはＣｕを主成分とするＣｕ合金であって前記第一層よりも電気抵抗率の低いＣｕ合金からなる層（第二層）で構成されたＣｕ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】トレンチおよび／またはホールの間口のオーバーハングを抑制することができる成膜方法およびリスパッタリング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ誘導結合プラズマ生成機構により処理容器内に誘導結合プラズマを生成し、直流電源から金属ターゲットに直流電力を供給し、バイアス電源により載置台に高周波バイアスを印加して、載置台上の被処理基板に金属薄膜を堆積させる工程と、誘導結合プラズマ生成機構によるプラズマの生成と直流電源への給電を停止し、処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ載置台に高周波バイアスを印加して、処理容器内に容量結合プラズマを形成するとともにプラズマ生成ガスのイオンを被処理基板に引き込んで堆積された金属薄膜をリスパッタリングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】溶剤系のアンダーコートあるいはプライマー処理を行うことなく、硬質塩化ビニルからなる基材の表面に強固に接着して高温・高湿に対する耐久性に優れた金属皮膜を有する、金属被覆された硬質塩化ビニル基材を提供する。
【解決手段】硬質塩化ビニルからなる基材の表面に表面改質層が設けられ、前記基材の表面改質層を介して、蒸着による金属薄膜層が被覆してなる金属被覆された硬質塩化ビニル基材。表面改質層が、官能基として少なくともカルボキシル基を含むことが好ましい。表面改質層が、窒素ガスを反応ガスとする大気圧プラズマ処理により形成されてなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ナノダイヤモンドに水素イオンやヘリウムイオンをイオン注入したナノダイヤモンドに比べて所定波長範囲内の波長の励起光に対して所定波長範囲内の波長の蛍光の光強度を大きくする。
【解決手段】ナノダイヤモンドに所定の元素がイオン注入されて形成され、波長範囲７００〜９００ｎｍ内の波長の励起光により励起されたときに、波長範囲７００〜１４００ｎｍ内の波長の蛍光を発することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上への薄膜の成膜速度を上げ、かつトレンチやビアホールの底面に効率よく薄膜を成膜できる薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、開口幅又は開口径が３μｍ以下で、かつ、アスペクト比が１以上の段差であるトレンチ又はビアホールを有する基板上に薄膜を成膜する成膜方法であり、真空排気可能な処理室に、基板を支持する第１の電極と、前記基板に対向するように配置されターゲットを支持する第２の電極と、前記第２の電極の外側に配置されて当該第２の電極の内側にカスプ磁界を形成する複数のマグネットと、を備え、
前記処理室にＮｅを含む処理ガスを導入し、前記第１の電極と前記第２の電極の少なくとも一方にプラズマ形成用の高周波電力を供給すると共に、前記第２の電極上にカスプ磁場を生成してプラズマを発生させ、ターゲット物質をトレンチ又はビアホールを有する基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ電極の保護膜として使用することができ、Ｃｕ電極の電解腐食や原子拡散による電気的特性の劣化を抑制することができ、ウェットエッチングにより高精度のパターニングが可能であり、透明電極との密着性が良好な保護膜を形成することができ、しかも、スパッタリングを効率よく行うことが可能なＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材及びこれを用いて製造される積層膜を提供すること。
【解決手段】１５．０≦Ｃｕ≦５５．０ｍａｓｓ％、及び、０．５≦(Ｃｒ、Ｔｉ)≦１０．０ｍａｓｓ％を含み、残部がＮｉ及び不可避的不純物からなるＣｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材及びこれを用いて製造される積層膜。 （もっと読む）

【課題】基板の端部に均一な膜厚の薄膜を形成できるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】
長手方向が互いに平行で、スパッタされる面が同一平面に位置し、側面が対面するように並んで真空槽内に配置された細長形状の複数のターゲットのうち、隣接する二個のターゲットを一組のターゲット組にすると、一組のターゲット組内では、少なくとも一個のターゲットにオフ電圧を印加し、オン電圧とオフ電圧とを、一組のターゲット組内の二個のターゲットに交互に印加してターゲットをスパッタし、基板に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、ターゲット組は一列に並べられており、ターゲットにオン電圧とオフ電圧とを印加する際には、前記一列の端に位置するターゲット組内では、前記一列の端の方に位置するターゲットのオン電圧の印加期間を、他方のターゲットのオン電圧の印加期間よりも長くする。 （もっと読む）

【課題】樹脂フィルムに形成した密着性が良好でかつ配線パターンの精細化に対応できるフレキシブル基板とその製造方法並びにフレキシブル回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム基板１の少なくとも片面に、接着剤を介さずに乾式メッキ法による直接形成した下地金属層２を具備し、その下地金属層上に所望の厚さの銅被膜層６を有するフレキシブル基板であって、前記下地金属層は、第１層が厚さ２〜１５ｎｍの絶縁性のＳｉ酸化物層またはＴｉ酸化物層３、第２層が厚さ１〜５ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、もしくはニッケル−クロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）から選ばれる１種の金属層４、さらに第３層が厚さ５０〜３００ｎｍの銅金属層５からなる。フレキシブル基板の銅被覆層をエッチング処理してフレキシブル回路基板とする。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホール等の凹部にボイドを発生させずに確実にＣｕを埋め込むことができ、かつ低抵抗のＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２において、トレンチ２０３の表面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上に、加熱しつつ、ＰＶＤによりＣｕがマイグレーションするようにＣｕ膜２０６を形成してトレンチ２０３を埋める工程とを有する。 （もっと読む）