【課題】 ボイド等の発生を防止できるように凹部内に金属膜の成膜を施すことができる成膜方法である。
【解決手段】 処理容器２２内でプラズマにより金属のターゲット７６から金属イオンを発生させてバイアスにより引き込んで凹部４が形成されている被処理体に金属の薄膜を堆積させる成膜方法において、ターゲットから金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアスにより引き込んで凹部内に下地膜９０を形成する下地膜形成工程と、金属イオンを発生させない状態でバイアスにより希ガスをイオン化させると共に発生したイオンを引き込んで下地膜をエッチングするエッチング工程と、ターゲットをプラズマスパッタリングして金属イオンを生成し、その金属イオンをバイアス電力により引き込んで金属膜よりなる本膜９２を堆積しつつ、その本膜を加熱リフローさせる成膜リフロー工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】 熱負荷の印加により発生するフィルムのシワを伸ばす方法を提供する。
【解決手段】 長尺耐熱性樹脂のフィルムＦの裏面をキャンロール５６の外周面に接触させて搬送しながらフィルムＦの表面に成膜処理を施すに際して、キャンロール５６の外周面上のフィルム搬送経路５６ａに沿って順次配置された複数対のホイール１１〜１５を用いてフィルムＦの両縁部をキャンロール５６との間に挟み込むと共に、フィルムＦにその幅方向の力を加えることによってフィルムＦのシワを伸ばす方法であって、これら複数対のホイール１１〜１５は、フィルム搬送経路５６ａの上流側から下流側に向かってホイールの回転軸のキャンロール５６の回転軸からの傾斜角度が順次増加している。 （もっと読む）

【課題】作製時の技術閾値が低く、アンテナの電波特性を良好に保ちつつ、耐環境性能にも優れる平面アンテナ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の平面アンテナは、誘電体で構成される基板１と、基板１上に形成された所定のパターンと、上記所定のパターン以外の基板１の表面を被覆する導体膜２と、保護膜６とを備える平面アンテナ１００であって、上記所定のパターンは、放射用スロットパターン３を含み、放射用スロットパターン３は、基板１の一方の主面に形成され、保護膜６は、放射用スロットパターン３、放射用スロットパターン３が形成された基板１の一方の主面を被覆する導体膜２、及び基板１の側面を被覆する導体膜２のそれぞれの上に形成されており、保護膜６は、膜厚が１〜２００ｎｍである。また、本発明の平面アンテナの製造方法は、スパッタリング法で導体膜２を形成する工程と、スパッタリング法で保護膜６を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ液晶パネル等に使用される大型の基板に対してスパッタリング工程で配線膜を製膜する際に、従来以上に均一に粒子を発生し、かつ、使用中においてもその粒子の発生頻度の変化が起こりにくいスパッタリングターゲット用銅材料を提供する。
【解決手段】純度が９９．９９％以上である高純度銅からなり、スパッタリング面において、隣接する結晶の方位差が１５°以上である結晶粒界の平均長さＬｇに対し、隣接する結晶の方位差が６０°である双晶境界の平均長さＬｔの比Ｌｔ／Ｌｇが、０．６≧Ｌｔ／Ｌｇ≧０．２を満たす。さらに、スパッタリング面における平均結晶粒径が、５０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パラジウム被覆銅ボンディングワイヤにおいて、連続伸線時のPd粉の堆積を低減してとダイヤモンドダイスの磨耗を抑制すると共に、軸上偏芯を低減し、安定した溶融ボール形成を可能とする。
【解決手段】高純度銅又は銅合金からなる芯材に純度９９質量％以上のパラジウムからなる中間層及びその上層に純度９９．９質量％以上であって、該中間層のパラジウムよりも硬度及び融点の低い、金、銀、銅又はこれらの合金からなる、膜厚１〜９ｎｍの超極薄表面層を形成した、線径１０〜２５μｍのボールボンディング用被覆銅ワイヤ。表面層によりパラジウムを被覆して潤滑性を向上して図３のパラジウム粉の堆積による伸線加工時の断線を防止し、かつ、軸上偏芯を抑制する。 （もっと読む）

【課題】平面性に優れかつ生産性にも優れる両面金属ベース層付耐熱性樹脂フィルムを効率よく製造できる成膜方法及びスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】この第１成膜工程に続いて、上記他方の面（第１成膜面）を第２冷却ロール３９に接触させて冷却すると共に、この接触している他方の面とは反対側の一方の面（第２成膜面）に成膜する（第２成膜工程）。この第２成膜工程に続いて、上記一方の面（第２成膜面）を第３冷却ロール４０に接触させて冷却すると共に、この接触している一方の面とは反対側の他方の面に成膜する（第３成膜工程）。これらの工程を順に繰り返しながら、耐熱性樹脂フィルム３２に複数の薄膜を重ねて成膜する。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】従来技術の欠点を回避するべき、表面および表面近傍の固体領域のポリマー化合物である基体材料と他の材料との間の確り接合した複合体の提供。
【解決手段】表面および表面近傍の固体領域に僅かな活性表面エネルギーのポリマー化合物を有する基体材料と他の材料との接合複合体において、接合される物質１，４相互の間に、ナノ組織化されたナノ複合材料５を有する変移領域が、該変移領域が２０ｎｍ〜２０μｍの層厚を有しそして専らナノ複合材料５で形成されており、該ナノ複合体は基体材料１と他の材料４で構成されそして基体材料１と他の材料４との割合が基体材料１の直ぐ近くの専ら基体材料から他の材料４の直ぐ近くの専ら他の材料に亙って変化するように形成されており、その結果基体材料１が他の材料４中でナノ組織化されて変移することを特徴とする、上記接合複合体によって解決される。 （もっと読む）

【課題】特別な製造装置を用いることなく、スパッタリング法による基材への銅薄膜の成膜方法において成膜速度を向上せる成膜方法を提案する。
【解決手段】スパッタリング法による基材への銅薄膜の成膜方法において、成膜雰囲気が、６０体積％から９５体積％のアルゴンガスと、窒素原子と水素原子の結合を有する分子のガスの混合雰囲気下で行うことを特徴とする。窒素原子と水素原子の結合を有する分子のガスは、アンモニアガスを用いることが望ましい。 （もっと読む）

【目的】純金属の有する色彩を造形物の色彩として有効に活かすと共に、純金属の酸化を防ぎ、純金によるイオン効果や抗菌作用を得ることができる造形物に関し、そのような造形物を効率良く製造することができる製造方法に関する。
【解決手段】成型等により得られた透明な材料による透明造形物の片面に、一層又は複数層の純金属薄膜層を有し、一層又は複数層の最外殻の薄膜層は純金の薄膜層とすることにより、純金属の有する色彩を造形物の色彩として有効に活かすと共に、純金属の酸化を防ぎ、純金によるイオン効果や抗菌作用を得ることができる造形物を提供することができるのである。 （もっと読む）

【課題】 １μｍ以上の開口径を有する高アスペクト比のＴＳＶホールＨがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ１内に処理対象物と、処理対象物に形成しようとする金属膜に応じて作製されたターゲット２とを対向配置し、処理対象物の全面に亘って垂直な磁場が作用するように垂直磁場を発生させ、この真空チャンバ内にスパッタガスを導入し、ターゲットに所定の電力を投入して真空チャンバ内にプラズマを形成してターゲットをスパッタリングし、処理対象物に高周波バイアス電力を投入してターゲットからのスパッタ粒子やプラズマ中で電子で電離したイオンを引き込むようにしたものにおいて、前記バイアス電力を、２００〜６００Ｗの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】 樹脂材の熱伝導率、摺動性、さらには耐熱性、強度、剛性を一層高め、高熱伝導性、剛性、傷つき防止、高摺動性などの特性を付与された積層体を提供する。
【解決手段】 樹脂材と、抵抗値１×１０⁷Ωｃｍ以上(１００℃)を有する膜厚５０ｎｍ〜１０μｍの炭素膜とを積層し、前記炭素膜は、ＣｕＫ_α1線によるＸ線回折スペクトルにおいて、ブラック角（２θ±０.３°）の４１〜４２°にスペクトルのピークを備え、かつ前記樹脂材に形成された炭素膜の熱伝導率は、光交流法で測定した値で７０〜７００Ｗ／ｍＫである積層体であって、前記炭素膜は、プラズマの電子密度；０.５〜３.０ｅＶの位置に置かれた樹脂材の上に形成される。 （もっと読む）

【課題】単一のスパッタ装置によって金属材料を凹部に埋め込む際にその埋め込み性を向上させることができるスパッタ方法及び該スパッタ方法に用いられるスパッタ装置を提供する。
【解決手段】
基板Ｓの凹部内に金属材料を埋め込むスパッタ方法では、基板Ｓにバイアス電圧を印加しつつターゲット１８をスパッタする第１の工程と、基板Ｓにバイアス電圧を印加しない状態でターゲットをスパッタする第２の工程とを有し、第１の工程と第２の工程とは真空槽１１内で順に実行される。第１の工程では、ターゲット１８から放出された金属粒子とプラズマ中の荷電粒子とが衝突する圧力でターゲット１８をスパッタして電荷を帯びた金属粒子を生成し、電荷を帯びた金属粒子を凹部の内部に向けてバイアス電圧により引き込む。第２の工程では、基板Ｓに付着する金属粒子が凹部内に流動するように基板Ｓの温度を第１の工程よりも高くしてターゲット１８をスパッタする。 （もっと読む）

【課題】本発明は高アスペクトのビアや凸凹形状のレンズのような３次元形状の基板に対して、小型装置にて面内の高い膜厚均一性かつ高スループットが達成できるスパッタリング装置を提供するものである。
【解決手段】真空容器と、前記真空容器内に配置されたターゲットと、前記真空容器内にガスを導入しながら排気するガス調整手段と、前記ターゲットに対向して配置され、かつ、基板を載置する回転可能な基板保持台によって構成され、スパッタガスまたは、スパッタガスと反応性ガスを導入することにより、前記ターゲットにてターゲット材料または、ターゲット材料の反応生成物を基板上に堆積することができるスパッタリング方法において、前記ターゲットを前記基板に対してずらして配置し、かつ、イオンを前記基板に対して、垂直および斜め方向から入射する複数のイオン発生機構を配置する。 （もっと読む）

【課題】加熱などを必要とせず、また、製造時や使用環境においてガスを発生することなく、より強い強度で水晶が接合できるようにする接合方法を提供する。
【解決手段】スパッタ法により、水晶基板１０１の接合面に対する物質層１０２の形成、および水晶基板１１１の接合面に対する物質層１０２の形成を開始した後、０．２ｎｍ以上１ｎｍ未満の層厚の物質層１０２が各々形成された水晶基板１０１の接合面および水晶基板１１１の接合面とを、物質層１０２を介して着接する。物質層１０２の層厚が、１ｎｍになる前に、２つの基板の着接を行う。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットとして用いるに好適な、均一かつ微細結晶組織を有する高純度銅加工材を提供する。
【解決手段】Ｃｕ純度９９．９９９９重量％以上の高純度銅からなる鋳塊を、５５０℃以上で熱間鍛造した後急水冷し、次いで、初期温度３５０℃以上で温間鍛造した後急水冷し、次いで、５０％以上の総圧下率で冷間クロス圧延をし、次いで、２００℃以上で歪取焼鈍を行うことにより、平均結晶粒径が２０μm以下であり、かつ、個々の結晶粒についてその粒径分布を測定した場合に、平均結晶粒径の２．５倍を超える粒径の結晶粒が占める面積割合は、全結晶粒面積の１０％未満である均一かつ微細な結晶組織を有する高純度銅加工材。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された配線用パターンの底部までＣｕ埋め込みが可能な基板の配線方法を提供する。
【解決手段】真空状態に保持された処理容器１００内にて配線用パターンが形成された基板を配線する方法であって、ウエハ上の配線用パターンを所望のクリーニングガスにより洗浄する前工程と、前工程後、クラスタ化された金属ガス（金属ガスクラスタＣｇ）を用いて配線用パターン内に金属ナノ粒子を埋め込む埋め込み工程と、を含むことを特徴とする基板の配線方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】熱サイクル負荷時において、回路層の表面にうねりやシワが発生することを抑制でき、かつ、セラミックス基板と回路層との接合界面に熱応力が作用することを抑制でき、熱サイクル信頼性に優れたパワーモジュール用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１１の一面に、アルミニウムからなる回路層１２が配設されたパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２は、本体層１２Ｂと、前記一方の面側に露呈するように配置された表面硬化層１２Ａと、を有しており、回路層１２の前記一方の面におけるインデンテーション硬度Ｈｓが５０ｍｇｆ／μｍ^２以上２００ｍｇｆ／μｍ^２以下の範囲内に設定され、このインデンテーション硬度Ｈｓの８０％以上の領域が表面硬化層１２Ａとされており、本体層１２Ｂのインデンテーション硬度Ｈｂが、前記インデンテーション硬度Ｈｓの８０％未満とされている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる成膜レートを低くし、被処理体の表面に形成されたアスペクト比が３以上の孔または溝の内壁面および内底面に被覆性が良好な金属薄膜を形成し、少ない電力でも、ターゲットにおける自己保持放電を発生させる成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット３に電圧Ｖおよび電流Ｉを印加しチャンバ２内でターゲットから放電が発生した後、スパッタガスの導入を止めてターゲットのイオンにより自己保持放電を発生させ、被処理体Ｗの表面の孔または溝内を含む被処理体の表面全面に金属薄膜を形成する工程において、ターゲットに印加する電流Ｉを一定とし、放電が不安定になった時に電圧Ｖを増大させるとともに、関係式（１）および（２）を満たすことを特徴とする。Ｉ＞Ｉ_０・・・（１）、Ｐ＞Ｐ_０・・・（２）（Ｉ_０：自己保持放電を開始する電流の最小値、Ｐ：ターゲットの電力、Ｐ_０：自己保持放電を開始する電力の最小値） （もっと読む）