【課題】仕事関数が、汎用のＡｇ基合金膜と酸化物導電膜との積層構造の仕事関数と同程度に高い、新規なＡｌ基合金反射膜を備えた有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極を提供する。
【解決手段】基板上に形成された有機ＥＬディスプレイ用の反射アノード電極であって、反射アノード電極は、純Ａｌ膜またはＡｌ合金膜６と、Ａｌ合金膜上に直接接触する酸化物導電膜７との積層構造であり、酸化物導電膜がＡｇを０．１〜５原子％含有する。 （もっと読む）

【課題】透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによってノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制し、さらに粉砕メディアからの汚染（コンタミ）を無視できるターゲットを提供する。
【解決手段】酸化インジウム中に酸化ジルコニウム０．１〜５重量％含有し、該酸化インジウム中に酸化ジルコニウムが固溶していることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】薄板ガラスの一方の表面に保護フィルムを貼付け他方の面に透明導電膜を形成した透明導電性ガスバリヤフィルムにおいて、保護フィルムとしてＰＰフィルムのように耐熱性のないものを用いても、透明導電膜を低抵抗に形成できるようにする。
【解決手段】透明導電性ガスバリヤフィルム１は、ガスバリヤ層となる基材フィルム１０の裏面に保護フィルム（ＰＰフィルム）２０が貼付けられ、表面に透明導電膜３０が形成されている。透明導電膜３０は、ＩＴＯ層３１、Ａｇ合金からなるＡｇ層３２、ＩＴＯ層３３の３層を順次積層してなる積層膜であって、ＩＴＯ層，Ａｇ層は、スパッタリング法で形成できる。 （もっと読む）

【課題】 得られる結晶性透明導電性膜の抵抗値のばらつきを低減し、安定生産を可能とする透明導電性膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 酸化インジウム・酸化スズを主成分とするターゲットを用いて、気相法により透明導電性薄膜を透明フィルム基材上に形成する透明導電性薄膜の製造方法であって、アルゴンガスと窒素ガスと水蒸気ガスとを含み、窒素ガスの含有量がアルゴンガスに対して２５００ｐｐｍ〜８５００ｐｐｍの範囲内であり、かつ、水蒸気ガスの含有量がアルゴンガスに対して１４５０ｐｐｍ〜１３５００ｐｐｍの範囲内であるアルゴン雰囲気中で成膜が行われる透明導電性薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのスイッチング特性に優れており、特に保護膜形成後も良好な特性を安定して得ることが可能な薄膜トランジスタ半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｚｎ、ＳｎおよびＳｉを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗で高透過性の透明導電膜積層体及びその製造方法、並びに薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明導電膜（Ｉ）上に、透明導電膜（ＩＩ）が積層された透明導電膜積層体において、透明導電膜（Ｉ）は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる１種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−２．１８×［Ａｌ］＋１．７４≦［Ｇａ］≦−１．９２×［Ａｌ］＋６．１０で示される範囲内である。透明導電膜（ＩＩ）は、アルミニウム及びガリウムから選ばれる１種以上の添加元素を含み、添加元素の含有量が、−［Ａｌ］＋０．３０≦［Ｇａ］≦−２．６８×［Ａｌ］＋１．７４で示される範囲内である。但し、［Ａｌ］は、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ）の原子数比（％）で表したアルミニウム含有量であり、一方、［Ｇａ］は、Ｇａ／（Ｚｎ＋Ｇａ）の原子数比（％）で表したガリウム含有量である。 （もっと読む）

【課題】例えばより抵抗が低く透過率の高いＩＴＯ薄膜のような透明導電膜を、樹脂フィルムの軟化点以下の温度で比較的低コストに均一かつ高速度で成膜する。
【解決手段】真空容器１内の上部に、成膜ローラ１０に巻回された樹脂フィルムＦがその被成膜面Ｓを下向きにして配設するとともに、真空容器１内の下部には、蒸着材料を電子ビームガン４によって蒸発させる蒸発源５と、この蒸発源５において蒸発させられた蒸着材料の材料蒸気Ａに向けてプラズマＢを照射するプラズマ放出源７とを、被成膜面Ｓに対向するように配置し、このうちプラズマ放出源７を、成膜ローラ１０の軸線Ｏを含んで鉛直方向に延びる仮想平面Ｒから間隔をあけて配設する。 （もっと読む）

【課題】透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。
【解決手段】本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記インジウム系複合酸化物は、インジウムと４価金属との合計１００重量部に対して０重量部を超え１５重量部以下の４価金属を含有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 さらに高い導電性を有する透明導電膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Ａｌの酸化物とＭｇの酸化物とＧａの酸化物とＺｎの酸化物とを、金属成分元素の含有割合が、Ａｌ：０．５〜８原子％、Ｍｇ：５〜３０原子％、Ｇａ：０．０１〜０．１５原子％、残部：Ｚｎからなるように配合し、前記酸化物を粉砕混合して混合粉末を作製する工程と、前記混合粉末を真空または不活性ガス雰囲気中で圧力を加えながら加熱して焼結させる工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法を用いて透明導電膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるインジウム含有量が低減されたターゲット、このターゲットを用いて作製した透明導電膜及び透明電極を提供する。
【解決手段】少なくともインジウム、錫及び亜鉛を含有し、Ｚｎ_２ＳｎＯ_４で表されるスピネル構造化合物及びＩｎ_２Ｏ_３で表されるビックスバイト構造化合物を含む酸化物の焼結体であることを特徴とするスパッタリングターゲット；その製造方法、透明導電膜及び透明電極。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材と、この酸化物蒸着材を用いて製造される透明導電膜とこの透明導電膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Gd／In原子数比で0.001〜0.070のガドリニウムを含む焼結体により構成され、かつ、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が60〜94であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が60〜94である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分とし、Ｐｒ／Ｉｎ原子数比で０．０２０〜０．０５０のプラセオジウムを含む焼結体により構成され、ＣＩＥ１９７６表色系におけるＬ^＊値が６０〜９５であることを特徴とする。上記Ｌ^＊値が６０〜９５である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視〜近赤外域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに用いられる焼結体の板厚が従来より厚くなった場合においても、ノジュールの発生量が少なく、ライフエンドまで安定して成膜することが可能なＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が０．２７ｍｍ^２あたり１個以下であり、かつ厚さが１０ｍｍ以上である、実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体を有するスパッタリングターゲットを用いる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長した透明導電性薄膜の製造方法と製造装置および結晶性薄膜の多層構造による、新たなフォトエレクトロニクスデバイスを提供する。
【解決手段】真空室中の基板５を３００℃〜５００℃に加熱し、不活性ガス圧力０．０５Ｐａ〜０．３Ｐａ、酸素分圧５ｘ１０^-4Ｐａ〜１．５ｘ１０^-3Ｐａの範囲に制御し、基板に対して高密度プラズマ照射を行うにより、結晶性基板上に薄膜形成材料をエピタキシャル成長させて透明導電性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル等に使用される電極フィルムにおいて、ペン摺動耐久性に優れ、かつエッチングインキでのパターニング性に優れる透明導電性積層フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルムからなる基材上の少なくとも一方の面に、少なくとも１層の誘電体層及び透明導電性薄膜層をこの順に積層した積層フィルムの製造方法であって、誘電体層の膜厚が３〜１００ｎｍであり、透明プラスチックフィルム基材上の少なくとも一方の面に結晶質の酸化インジウムを主とした透明導電性薄膜層を成膜するに際し、スパッタリング時の成膜雰囲気の不活性ガスに対する水分圧の比が８．０×１０^−４〜３．０×１０^−３とし、かつ酸素分圧は８．０×１０^−３〜３０×１０^−３Ｐａとして、かつ成膜中はフィルム温度を８０℃以下に保持して透明プラスチックフィルム上に透明導電性薄膜層を成膜する透明導電性積層フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング装置を用いた透明導電膜の成膜において、膜厚分布および比抵抗分布の均一化を可能とし、かつ、均一な領域をターゲットの長尺方向の長さに対して従来よりも拡大することを可能とする透明導電膜を成膜するためのマグネトロンスパッタリング装置および透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】平面形状が長方形の角型ターゲット７に形成されたエロージョン領域（部）の２本の直線状部１１のうち幅方向（Ｗ方向）の外側部分Ａを覆う外側遮蔽部Ａと、円弧状部１３の円弧方向中央部Ｂを覆う中央遮蔽部Ｂと、角型ターゲット７のうちエロージョン部ではない四隅部分Ｃを覆う四隅遮蔽部Ｃとを備えた補正板２８を使用する。 （もっと読む）

【課題】クラックや剥離の生じにくい透明導電フィルム及びその製造方法並びにタッチパネルを提供すること。
【解決手段】透明な樹脂からなる基材フィルム１１と、基材フィルム１１の表面に形成された、アルミナよりも屈折率の高い第１金属酸化物層１２と、第１金属酸化物層１２の表面に直接形成された、アルミナからなるアルミナ層１３と、アルミナ層１３の表面に直接形成された、アルミナよりも屈折率の低い第２金属酸化物層１４と、第１金属酸化物層１２とアルミナ層１３と第２金属酸化物層１４とを基材フィルム１１との間に介在させるように形成された透明導電層１５とからなる透明導電フィルム１。 （もっと読む）

【課題】形成した薄膜のひび割れ耐性、可撓性に優れ、低抵抗で高光透過性の積層型透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルムの上に、第１のＩＴＯ膜（Ａ_１）、金属膜（Ｍ）、第２のＩＴＯ膜（Ａ_２）をこの順で積層した積層膜ユニットを有する積層型透明導電性フィルムであって、該透明プラスチックフィルムの厚さが、１００μｍ以上、１５０μｍ以下であり、該第１のＩＴＯ膜（Ａ_１）の膜厚をｈ_Ａ１とし、該第２のＩＴＯ膜（Ａ_２）の膜厚をｈ_Ａ２としたとき、ｈ_Ａ１＞ｈ_Ａ２の関係を満たし、かつ該積層膜ユニットの総膜厚が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする積層型透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルのタッチ位置検出性能を高めるとともに、タッチパネルの製造コストを安価にすることのできる透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】透明導電薄膜４は、歪みに対する電気抵抗の変化率が３００以上である材料から形成される。具体的には、透明導電薄膜４は、Ｚｎ：Ｏの組成比が、３７．２１：６２．７９から、３７．６９：６２．３１の範囲内のＺｎＯから形成される。透明導電薄膜４は、真空チャンバ内に、ガラス基板２と、Ｚｎを成分とするターゲットとを配置した状態で、真空チャンバ内に、１８．０ｃｍ^３／ｍｉｎの流量でアルゴンを導入し、且つ、１．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以上、２．０ｃｍ^３／ｍｉｎ以下の流量で酸素を導入しながら、ターゲットをスパッタすることで製造される。 （もっと読む）