【課題】
本発明の目的は、少ないエネルギー消費・熱負荷で、緻密でバッキングチューブへの密着性が良好な長尺のセラミック溶射円筒ターゲットを製造する方法を提供することにある。
【解決手段】
長尺バッキングチューブを複数の溶射領域に分割して溶射する。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、ニオブおよび／またはタンタルおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、ニオブおよび／またはタンタルが原子数比でＸ／（Ｚｎ＋Ｘ）＝０．０２以上０．１以下（式中、Ｘはニオブおよび／またはタンタル）となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と成膜時に異常放電を抑制した透明導電膜の成膜を可能にするチタン（低原子価）ドープ酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を提供する。
【解決手段】低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含み、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が２％超１０％以下である原料粉末を用いて、真空中または不活性雰囲気中にて７００℃以上１２００℃以下の焼結温度で放電プラズマ焼結を行う。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いた際の高温高湿条件下での抵抗値安定性、およびペン入力耐久性に優れる透明導電性フィルム及びその効率的な製造方法を提供すること。
【解決手段】透明プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に透明導電膜が積層された透明導電性フィルムであって、透明導電膜が、透明導電膜成膜時の基板温度を−６０〜５０℃とし、かつ成膜用の反応性ガスとして酸素を用い、酸素分圧を１．０×１０^−３〜４０×１０^−３Ｐａにしてスパッタリング法にて成膜されてなり、酸化インジウムの他、酸化スズを平均で０．１〜５質量％、及び特定の物質群のなかから選択した物質を平均で０．１〜５質量％少なくとも含み、かつ、透明導電膜の比抵抗が４×１０^−４〜２．５×１０^−３Ω・ｃｍである透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工して仕上げる酸化亜鉛系円筒ターゲットの製造方法を提供することにある。
【解決手段】
バッキングチューブの外周面に酸化亜鉛系粉末を溶射して酸化亜鉛系ターゲット層を形成し、該酸化亜鉛系ターゲット層を乾式で切削加工することで、溶射した酸化亜鉛系円筒ターゲットの組織を汚染することなく加工することができる。 （もっと読む）

【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、モリブデンおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、モリブデンが原子数比でＭｏ／（Ｚｎ＋Ｍｏ）＝０．０２以上０．１以下となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明のある態様の酸化亜鉛系透明導電膜は、実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムをＧａ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で１％を超え８％未満の割合で含有し、且つスズをＳｎ／（Ｚｎ＋Ｇａ＋Ｓｎ）の原子比で０．１％を超え１％未満の割合で含有する。 （もっと読む）

【課題】耐久性、光学特性に優れると共に、配線精度の高精度化を容易に図ることができる透明配線層を備えた透明導電フィルム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明導電フィルム１は、透明な樹脂からなる基材フィルム１１と、基材フィルム１１の表面に形成され、基材フィルム１１よりも光屈折率の高い高屈折コート層１２と、高屈折コート層１２の表面に形成され、高屈折コート層１２よりも光屈折率の低い低屈折コート層１３と、低屈折コート層１３の表面に形成された酸化形素からなる防湿性の下地層１４と、下地層１４の表面においてパターン形成され、下地層１４よりも光屈折率の高い結晶質のＩＴＯからなる透明配線層１５とを有する。透明配線層１５は、ＩＴＯの結晶子サイズが９ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制できるスパッタリングターゲット及び成膜方法を提供し、またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主にＺｎ、Ａｌ、Ｔｉ及びＯから構成され、原子比で（Ａｌ＋Ｔｉ）／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）＝０．００４〜０．０５５、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０２５、Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０４８、主に酸化亜鉛を含有し平均粒径が２０μｍ以下の六方晶ウルツ型構造を有する粒子、及びＡｌ及びＴｉを含有し平均粒径が５μｍ以下のＺｎＴｉＯ_３類似構造及び／又はＺｎ_２Ｔｉ_３Ｏ_８類似構造を有する粒子で、ＺｎとＡｌが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物構造を有する粒子を含有しないもの、からなる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】プリベーク・ポストベーク工程を経ても弱酸でのパターニング処理が可能な特定の組成の非晶質膜を結晶化することにより、耐候性が高く、高抵抗な透明導電膜を製造できる方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｓｎ、元素Ａ（ただし元素Ａは、Ｄｙ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｈｏ，Ｌｕ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｓｃ，Ｓｍ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｙ，Ｙｂから選ばれる１種以上）および酸素からなる非晶質透明導電膜であって、当該膜を構成する元素の原子比を、ｘ＝［元素Ａ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］＋［元素Ａ］）、ｙ＝［Ｓｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｓｎ］＋［元素Ａ］）としたときに、ｘ＝０．００２〜０．０５、かつ、−０．６１２ｘ＋０．０８０６≦ｙ≦−１．０２ｘ＋０．１５１である非晶質透明導電膜を、酸素共存下で２５０℃から３００℃で加熱し、結晶質透明導電膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】導電性が良く、光透過率の高い透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜を微粒子に被覆した透明導電性微粒子及びその製造方法、電気光学装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性微粒子は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器１を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器１内の微粒子３を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子３の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
優れたガスバリア性と透明導電性を有し、高温高湿度環境下においてもシート抵抗値が低く、耐折り曲げ性及び導電性に優れる透明導電性フィルム、その製造方法、この透明導電性フィルムからなる電子デバイス用部材、並びに電子デバイスを提供する。
【解決手段】
基材層、ガスバリア層及び透明導電体層を有する透明導電性フィルムであって、前記ガスバリア層が、少なくとも、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子を含む材料から構成されてなり、表面から深さ方向に向かって、層中における酸素原子の存在割合が漸次減少し、炭素原子の存在割合が漸次増加する領域（Ａ）を有し、前記領域（Ａ）が、酸素原子、炭素原子及びケイ素原子の存在量全体に対する、酸素原子の存在割合が２０〜５５％、炭素原子の存在割合が２５〜７０％、ケイ素原子の存在割合が５〜２０％である部分領域（Ａ１）と、酸素原子の存在割合が１〜１５％、炭素原子の存在割合が７２〜８７％、ケイ素原子の存在割合が７〜１８％である部分領域（Ａ２）とを含むものであることを特徴とする透明導電性フィルム；その製造方法；この透明導電性フィルムからなる電子デバイス用部材；並びに電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】蒸発速度、成膜速度を向上して製造コストを低減する。
【解決手段】ＺｎＯ蒸着材は、ＺｎＯの多孔質焼結体からなり、その焼結体が０．１〜５００μｍの範囲の平均気孔径を有する。その多孔質焼結体は３〜５０％の範囲の気孔率を有することが好ましく、１〜５００μｍの範囲の平均結晶粒径を有する粒子の焼結体であることが更に好ましい。その製造方法は、純度が９９．０％以上あって平均粒径が０．１〜１０μｍであるＺｎＯ粉末とバインダと有機溶媒とを混合してＺｎＯ粉末の濃度が４５〜７５重量％のスラリーを調製する工程と、そのスラリーに気体を吹込んで混入することによりガス含有スラリーを得る工程と、そのガス含有スラリーを噴霧乾燥して平均粒径が５０〜３００μｍの造粒粉末を得る工程と、その造粒粉末を成形して成形体を得る工程と、その成形体を所定の温度で焼結してＺｎＯ多孔質焼結体を得る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜を良好に行うために適切な位置で静電気除去を行うことができるプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、該基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置１において、基材１００を巻き掛けて搬送する第１成膜ロール６１と、第１成膜ロール６１と対向して配置された第２成膜ロール６２と、第１成膜ロール６１に巻き掛けた基材１００の第２成膜ロール６２に面する面を基材の成膜面１００ａとして、成膜面１００ａに帯電する静電気を除去する静電気除去装置と、を備え、第１成膜ロール６１と第２成膜ロール６２との間隙は、成膜面１００ａ上にプラズマＣＶＤ成膜を行う成膜空間であり、静電気除去装置は、成膜空間に対し、基材１００の搬送方向の上流側に設けられた第１静電気除去装置８１を含む。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物は湿熱耐久性に劣り、湿熱耐久性を向上しようとすると抵抗率が高くなる、すなわち導電性が悪くなるという課題があった。
【解決手段】基板上に形成された透明電極であって、この透明電極が酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物を有し、かつ当該透明導電性酸化物は、さらに酸化ケイ素および１３族元素の酸化物を透明導電性酸化物に対してそれぞれ１〜４重量％含有することを特徴とする透明電極。
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【課題】本発明の課題は、スパッタリングターゲットの寿命の間、スパッタリング材料の不変的に均質な層の製造を確実にするスパッタリングターゲットを提供することである。
【解決手段】この課題は、インジウム、亜鉛およびガリウムの少なくとも１つの三元系混合酸化物を含有する、インジウム、亜鉛およびガリウムの酸化物の混合物を有するスパッタリングターゲットであって、インジウム、亜鉛およびガリウムの三元系混合酸化物の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも５０質量パーセントであり、且つ、アモルファス相の割合が、混合物の総質量に対して少なくとも２０質量パーセントである、スパッタリングターゲットによって解決される。 （もっと読む）

【課題】薄い膜厚（２００ｎｍ以下）で抵抗率が低いＺｎＯ系薄膜を、安定したＤＣスパッタで得られるＺｎＯ系ターゲットを提供すること、およびそれを用いて形成される抵抗の低いＺｎＯ系透明導電膜を提供すること。
【解決手段】Ｚｎを含む酸化物相と、ＡｌおよびＴｉを含む金属間化合物相と、を備え、前記酸化物相中に前記金属間化合物相が分散していることを特徴とするＺｎＯ系スパッタリングターゲットにより、前記課題を解決したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、作製工程と作製時間の短縮化を図ったうえで、パターンの位置合わせを容易に実現することにある。
【解決手段】第一の透明基板層１ａの片面に少なくとも透明導電層２ａを形成する工程と、第二の透明基板層１ｂの片面に少なくとも透明導電層２ｂを形成する工程と、透明導電層３ａ，３ｂを外側にして、第一の透明基板層１ａと第二の透明基板層１ｂとを粘着剤６で貼り合わせる工程と、第一の透明基板層１ａの透明導電層２ａ及び第二の透明基板層１ｂの透明導電層２ｂを加熱処理する工程とを備えて構成したものである。 （もっと読む）

【課題】短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板の片面に少なくとも透明導電層を形成する工程と、前記透明基板上に形成された透明導電層を加熱処理する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く各層間で優れた密着性を持たすことができ、且つ、大気中でも短時間で透明導電層の結晶化を実現する。
【解決手段】透明基板層１１の片面に少なくとも透明導電層１３，１４，１５を形成する工程と、前記透明基板層に透明樹脂フィルムを貼り合わせた状態で加熱する工程とからなり、前記透明基板層は少なくとも金属酸化化合物層１３、酸化ケイ素層１４、及び酸化インジウム・スズ層１５が順に積層されてなり、前記加熱処理は大気中で行われる処理。 （もっと読む）