【課題】厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板にイオンボンバード処理を施した後、この透明基板上にイオンプレーティングにより厚さ５〜２０ｎｍ、好ましくは厚さ５〜１０μｍの銀を含む金属薄膜を蒸着させて、抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、波長３００ｎｍおよび５００ｎｍの光の透過率が７０％以上、好ましくは８０％以上である透明導電薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、可視光領域、赤外領域の透過性に優れ、耐久性に優れた酸化物透明導電膜を成膜するための、スパッタリング中の異常放電現象を低減できる酸化物焼結体及び光電変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】主としてＩｎ、Ｓｎ、Ｓｒ及びＯから構成される酸化物焼結体で、実質的にビックスバイト型酸化物相及びペロブスカイト型酸化物相から構成されるか、又は実質的にビックスバイト型酸化物相のみから構成され、Ｓｎ及びＳｒの含有量が原子比で
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０１〜０．１１
Ｓｒ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０００５〜０．００４
である焼結体を製造し、それを用いてターゲットを作製し、スパッタリングにより酸化物透明導電膜を得る。またその膜を用いて、基板上に酸化物透明導電膜および光電変換層を積層した太陽電池を得る。 （もっと読む）

【課題】銀を含む金属薄膜からなり、抵抗率が低く且つ透過率が高い透明導電薄膜を提供する。
【解決手段】厚さ５〜２０ｎｍの銀を含む金属薄膜からなり、体積抵抗率が１０^−４Ω・ｃｍ以下であり、波長３００ｎｍと波長５００ｎｍとピーク波長のいずれかの光の透過率が７０％以上である。波長７００ｎｍおよび８００ｎｍの少なくとも一方の光の透過率が６０％以上であるのが好ましく、ピーク波長の光の透過率が８０％以上であるのが好ましい。金属薄膜は、銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる１種以上を含むのが好ましく、金属薄膜中の銅、亜鉛およびインジウムからなる群から選ばれる１種以上の含有量が１０体積％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗値を低減させて、下地膜とのオーミック接触を可能とする。
【解決手段】低抵抗の透明配線材料や透明電極材料として活用されるＩＴＯ膜およびその製造方法において、ＩＴＯ膜を低温度でスパッタリングして形成し、まず、非結晶体のアモルファス状態にする。次に、酸素雰囲気で熱処理（アニール処理）を行うことにより、ＩＴＯ膜を結晶化すると共に、ＩＴＯ膜の面指数（２２２）の結晶強度が面指数（４００）の結晶強度よりも強くなるように結晶配向性がコントロールされる。 （もっと読む）

【課題】耐湿熱性に優れ、可視光領域だけでなく近赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する希少金属を使用しない安価な酸化物透明電極膜からなる太陽電池用透明電極膜、およびそれを設けた太陽電池を提供することである。
【解決手段】
本発明の太陽電池用透明電極膜は、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなる。該酸化物透明電極膜は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法にて成膜されたものであり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比で０．０２〜０．１の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明導電膜の比抵抗が２．０×１０^-3Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられる透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｇａ：０．１〜３０質量％を含有し、残部がＺｎからなる組成を有するＺｎ−Ｇａ合金結晶粒をＺｎ−Ｇａ複合酸化物が包囲している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方
法を提供する。
【解決手段】 本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、スパッタリング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法である。この形成方法により成膜された透明導電膜は、該透明導電膜中に含まれる亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】透明基材上に低抵抗のＩｎ・Ｓｎ複合酸化物（ＩＴＯ）からなる透明導電層が形成された透明導電性フィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】透明基材上にＩｎ・Ｓｎ複合酸化物からなる透明導電層を有し、透明基材の透明導電層が形成されている側の表面の算術平均粗さＲａが１．０ｎｍ以下であり、透明導電層中のＳｎ原子の量が、Ｉｎ原子とＳｎ原子とを加えた重さに対し、６重量％を超え１５重量％以下であり、前記透明導電層のホール移動度が１０〜３５ｃｍ^２／Ｖ・ｓであり、キャリア密度が６×１０^２０〜１５×１０^２０／ｃｍ^３である、透明導電性フィルム。当該透明導電性フィルムは、水の分圧が小さい雰囲気下において１００℃を超え２００℃以下の基材温度でアモルファス透明導電層をスパッタ製膜し、アモルファス透明導電層を加熱して結晶性透明導電層に転化することによって得られうる。 （もっと読む）

【課題】 イオンプレーティング法による、優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 イオンプレーティング法により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である酸化物焼結体または酸化物混合体を加工して得られるターゲットを用いる方法 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする酸化物焼結体および酸化物混合体を提供する。
【解決手段】酸化物焼結体は、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。酸化物混合体は、実質的に酸化亜鉛と酸化チタンとからなり、亜鉛とチタンとの合計に対するチタンの原子数比Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）が０．０２を超え０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】高密度でバルク均一性が高く、製造時のみならずスパッタリング時にも、クラック、割れ、変形などが発生しない、円筒形スパッタリングターゲット用酸化物焼結体を得る。
【解決手段】２枚のメッシュ状の敷板(2)を隙間(9)を介して配置し、その上に、中空部分(8)の下方を隙間(9)が通過するように、成形体(1)を載置し、配管(3-1)を、配管出口の高さが成形体(1)の高さ方向の下部付近となるように、配管(3-3)を、配管出口の高さが成形体(1)の高さ方向の上部付近となるように、配管(3-2)を、敷板(2)の隙間(9)を介して成形体(1)の中空部分(8)に雰囲気ガスが流れるように、それぞれ配管の長さを調整して、雰囲気ガスを炉内に流通させて焼成を行う。得られる酸化物焼結体のバルクの各点での、密度の相対標準偏差は１％以下、比抵抗値の相対標準偏差は10％以下、平均結晶粒径の相対標準偏差は５％以下、密度は理論密度の90％以上である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに用いた場合に異常放電を発生せず、比抵抗の小さな透明電極を得ることが出来る程度に緻密な酸化亜鉛系焼結体を得る。
【解決手段】低原子価チタンを２モル％超、１０モル％以下含有する酸化亜鉛焼結体であって、相対密度９５％以上で、かつ複合酸化物の含有割合が１０％以下である。この酸化亜鉛焼結体は、酸化亜鉛粉末と、亜鉛と低原子価チタンの複合酸化物粉末とを、低原子価チタンが２モル％超、１０モル％以下含有するように混合した後、成形し、次いで８００〜１５００℃の温度で焼結を行うことによって得られる。 （もっと読む）

【課題】高結晶性のＩＴＯ薄膜を成膜できる、低い酸化スズ含有量のＩＴＯ焼結体からなり、かつ、長時間にわたり安定した成膜を可能とする、高密度のＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】原料粉末として、比表面積値が３〜１５ｍ²／ｇ、平均粒径が０．１〜０．５μｍである酸化インジウム粉末と、比表面積値が１０〜１５ｍ²／ｇ、平均粒径が０．１〜１．５μｍである酸化スズ粉末とを用い、酸化スズの含有量を２．５〜５．２質量％に調整し、混合および粉砕し、１９６ＭＰａ以上の圧力で加圧成形し、常圧の酸素雰囲気中で、１０００℃以上の領域における昇温速度を１．０℃／分以上５．０℃／分以下、保持温度を１５００℃以上１６００℃以下、保持時間を２０時間以上３０時間以下として焼成して、得られるＩＴＯスパッタリングターゲットの平均密度を７．１ｇ／ｃｍ³以上、平均結晶粒径を３μｍ以上１０μｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】良好な導電性と表面平滑性、加工性を併せ持つ酸化亜鉛系の透明導電膜を提供する。
【解決手段】基材１上に形成される透明導電性積層膜であり、該透明導電性積層膜は、周期表第III族又は第IV族の元素の化合物を含む下地膜１１と、該下地膜１１上に形成される酸化亜鉛を含む導電膜１２とを含むものであり、該導電膜１２は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により検出される酸化亜鉛の（００２）面の回折線のうち、回折角２θが３３．００°≦２θ≦３５．００°である回折線の強度Ｉが１０００（ｃｐｓ）以下であり、該強度Ｉと該導電膜の膜厚ｔとのＩ／ｔが０〜１５．０（ｃｐｓ／ｎｍ）であることを特徴とする透明導電性積層膜。 （もっと読む）

【課題】焼成により生じる表面変質層が極力少ないＩＧＺＯ焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を含む混合粉体を成形し、得られた成形体を焼成することによりＩＧＺＯ焼結体を製造するに際し、成形体の焼成は、成形体を、所定の開口部以外の部分は密閉された容器内に配置して行うようにする。さらには、該容器内に、酸化亜鉛粉末を敷いて焼成を行うようにする。これにより、焼成時において表面に生じるＩｎ_２Ｇａ_２Ｚｎ_１Ｏ_７を含む表面変質層の厚さが１ｍｍ以下となる。 （もっと読む）

【課題】実用上十分な導電性、透過率、を有し、低屈折率であり、且つ低温で成膜可能な結晶構造のＺｎＯ系透明導電膜、及び該ＺｎＯ系透明導電膜をフィルム上に成膜した透明導電膜付き基板を提供する。
【解決手段】アルミニウム又はガリウムの少なくとも一方が１から１０ｗｔ％の範囲で含まれた酸化亜鉛からなり、透明基板上に形成された透明導電膜であって、透明導電膜は、可視光域における透過率が８５％以上であり、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．７５〜１．８０の範囲にあり、比抵抗が８．０×１０^−４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明導電層がパターン化された場合でも、パターン部Ｐとパターン開口部Ｏとの視認性の差が小さく抑制された透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】透明フィルム基材１上に、第１の誘電体層２１、第２の誘電体層２２、および透明導電層３をこの順に有し、第１の誘電体層の厚みｄ_２１が第２の誘電体層の厚みｄ_２２より大きく、第１の誘電体層の厚みｄ_２１が８〜４０ｎｍであり、第２の誘電体層の厚みｄ_２２が５〜２５ｎｍであり、第１の誘電体層の厚みｄ_２１と第２の誘電体層の厚みｄ_２２との差ｄ_２１−ｄ_２２が３〜３０ｎｍである、透明導電性フィルム。 （もっと読む）

【課題】結晶化時間を短縮化することができる透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の少なくとも一方の面に、透明導電層を有する透明導電性フィルムの製法方法であって、前記透明はフィルム基材上に、４価金属元素の酸化物の割合が３〜３５重量％以下のインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程（Ａ１）と、酸化インジウムまたは前記４価金属元素の酸化物の割合が０を超え６重量％以下であって、工程（Ａ１）で用いたインジウム系複合酸化物よりも、前記４価金属元素の酸化物の割合が小さいインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程（Ａ２）を順次に施すことを含む、インジウム系複合酸化物の非晶質層を形成する工程（Ａ）、および、前記非晶質層を加熱することにより結晶化させて、インジウム系複合酸化物の結晶質の透明導電層を形成する工程（Ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶化時間を短縮化することができる透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の少なくとも一方の面に、少なくとも２層の透明導電性薄膜からなる透明導電性薄膜積層体を有する透明導電性フィルムであって、前記透明導電性薄膜は、いずれも、酸化インジウムまたは４価金属元素の酸化物を含有するインジウム系複合酸化物の結晶質膜であり、前記透明導電性薄膜積層体の表面の側に、酸化インジウムまたは４価金属元素の酸化物の割合が０を超え６重量％以下の第一の透明導電性薄膜（２１）を有し、前記透明導電性薄膜積層体の表面の側から第一の透明導電性薄膜に次いで、前記第一の透明導電性薄膜（２１）よりも、４価金属元素の酸化物の割合が大きい第二の透明導電性薄膜（２２）を有する。 （もっと読む）