【課題】成膜時に導入する酸素量が少なくても、低抵抗で高い光透過性を有する透明導電膜が安定して製造できる酸化物蒸着材と、この酸化物蒸着材を用いて製造される透明導電膜を提供すること。
【解決手段】この酸化物蒸着材は、酸化インジウムを主成分としSn／In原子数比で0.001〜0.614のスズを含む酸化物焼結体により構成され、CIE1976表色系におけるＬ^＊値が54〜75であることを特徴とする。Ｌ^＊値が54〜75である本発明の酸化物蒸着材は最適な酸素量を有するため、成膜真空槽への酸素ガス導入量が少なくても低抵抗で可視域における高透過性の透明導電膜を真空蒸着法で製造でき、酸素ガスの導入量が少ないため膜と蒸着材との組成差を小さくすることができ、量産時の膜組成の変動や特性の変動も低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ₂Ｏ₄結晶で形成される第１相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。また、本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製する第１混合工程と、第１混合物を８００℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末を形成する仮焼工程と、ＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製する第２混合工程と、第２混合物を焼結する焼結工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】非晶質であって、かつ高仕事関数であって、可視域での屈折率が低く、摺動や曲げによる剥離、割れなどが起こりにくく、膜面が極めて平坦であり、さらには室温近傍で成膜可能な透明導電膜を製造するのに好適な透明導電膜製造用焼結体ターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜製造用焼結体ターゲットは、主としてＧａ、ＩｎおよびＯからなり、Ｇａを全金属原子に対して４９．１原子％以上６５原子％以下含有し、主としてβ−ＧａＩｎＯ₃相とＩｎ₂Ｏ₃相から構成され、Ｉｎ₂Ｏ₃相（４００）／β−ＧａＩｎＯ₃相（１１１）Ｘ線回折ピーク強度比が１５％以下であり、さらに密度が５．８ｇ／ｃｍ³以上である。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩＧＺＯ焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａＯ_2.5結晶で形成される第１相と、ＩｎＧａＯ₃結晶で形成される第２相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第３相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相、第２相および第３相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製し、第１混合物を１１５０℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末を形成し、ＺｎＧａＯ_2.5を含む粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製し、第２混合物を焼結する方法である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも酸化インジウムおよび酸化亜鉛を含有してなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比を０．７５〜０．９７の範囲内の値とするとともに、Ｉｎ₂Ｏ₃（ＺｎＯ）_ｍ（ただし、ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径を５μｍ以下の値とし、酸化インジウムを６７〜９３重量％の範囲、酸化錫を５〜２５重量％の範囲、および酸化亜鉛を２〜８重量％の範囲で含むとともに、錫／亜鉛の原子比を１以上の値とすることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】
半田材起因で発生するＩＴＯターゲット表面に発生するノジュール量を低減すると同時に、溶融した半田材がフラットパネルディスプレイ等の膜面に付着することによる製品の歩留まりの低下を防止できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】
酸化インジウムおよび酸化スズを含むＩＴＯからなる１以上のターゲット部材をバッキングプレート上にインジウム半田材を用いて接合して成るスパッタリングターゲットであって、ターゲット−バッキングプレート接合体から露出している前記インジウム半田材の一部または全部を融点２００℃以上の金属メッキ膜で覆ったことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法は、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）により酸化亜鉛系透明導電膜を形成する方法であって、実質的に亜鉛、チタンおよび酸素からなる酸化物焼結体または酸化物混合体を加工してなるターゲットを膜形成材料とし、該膜形成材料中に含まれるチタンと亜鉛との原子数比がＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下である。 （もっと読む）

【課題】基板移載時におけるトレイへの基板移載機構の精度が低い場合においても、トレイに対して基板を常に安定して保持させることができるようにし、基板搬送時のトレイからの基板のずれ、破損、脱落の発生を抑制すること。
【解決手段】本発明の一実施形態では、第一のトレイ106に基板102が搭載された際に与圧機構が基板102に圧力を与えて第一のトレイ106が基板102を保持した状態とし、この第一のトレイ106を第二のトレイ107に装着し、第二のトレイ107を斜めの姿勢にして搬送機構がプロセスチャンバー109に搬送する。プロセスチャンバー109では、減圧下でガスが導入され、基板102上に薄膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】膜厚の低下を図りつつ、エッチング工程を不要として低コスト化を図り、凹凸構造を有する薄膜層が被成膜基板表面に成膜された成膜基板、その製造方法、および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜基板１は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板であって、凹凸構造は、酸化インジウムを含んだ薄膜層３が成膜されることで形成されたものとする。また、成膜基板１の製造方法は、被成膜基板２表面の平坦部に、凹凸構造を有する薄膜層３が成膜された基板１を製造する方法であって、被成膜基板２表面に、酸化インジウムを含む薄膜層３を成膜し、この成膜を行うことで凹凸構造を形成する薄膜工程を有するものとする。これにより、凹凸構造を形成するためのエッチィング工程を不要とし、低コスト化を図り、酸化インジウムを含んだ透明導電膜３とすることで、膜厚を低下させる。 （もっと読む）

【課題】成膜基板の冷却効率を向上させることが可能な冷却機構を提供する。
【解決手段】冷却機構２は、下面冷却板２１、昇降機構２２および上面冷却板２５を備えている。冷却機構２は、基板１１を支持するトレイ３２に下面冷却板２１を接触させることで、トレイ３２を介して基板１１を冷却する。これにより、基板１１は、トレイ３２と熱伝導部材とを介して下面冷却板２１に熱を伝えることにより冷却される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、形成された膜の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング法を用いて被処理物に膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記被処理物とターゲットとが平面視において重ならない第１の位置において、前記ターゲットの主面と交差する方向に向かう第１のスパッタ粒子により、前記被処理物に第１の膜を形成する工程と、前記被処理物と前記ターゲットとの少なくとも一部が平面視において重なる第２の位置において、前記ターゲットの主面と略直交する方向に向かう第２のスパッタ粒子により、前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、を備え、前記第１の膜が形成されていない前記被処理物が前記第２の位置にある場合には、前記第２のスパッタ粒子が遮蔽されることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 基板と、前記基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法において、基板の熱劣化や熱ひずみを十分に抑制しつつ、透明導電膜の抵抗率を短時間で効率よく且つ十分に低下させることが可能な透明導電膜の改質方法を提供すること。
【解決手段】 基板と、該基板上に形成された亜鉛と錫との複合酸化物からなる透明導電膜とを備える透明導電膜付基板における透明導電膜の改質方法であって、前記透明導電膜にフラッシュランプを用いて光照射量が２〜２５Ｊ／ｃｍ^２であるフラッシュ光を照射して前記透明導電膜を加熱することによりアニール処理を施すことを特徴とする透明導電膜の改質方法。 （もっと読む）

【課題】 優れた導電性と化学的耐久性と近赤外領域での高透過性とを兼ね備えた酸化亜鉛系透明導電膜の成膜を可能にする透明導電膜形成材料と、その製造方法およびそれを用いたターゲット、そのターゲットを用いる酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 実質的に亜鉛と、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、酸素とからなり、銅と、アルミニウムまたはガリウムと、亜鉛がそれぞれ原子数比で以下の関係を有する酸化物混合体または酸化物焼結体から構成される酸化亜鉛系透明導電膜形成材料である。
（a）Ｃｕ／（Ｚｎ＋Ｃｕ＋Ｍ）＝０．０１〜０．１０
（b）Ｍ／（Ｚｎ＋Ｃｕ＋Ｍ）＝０．０１〜０．１０
（c）（Ｃｕ＋Ｍ）／（Ｚｎ＋Ｃｕ+Ｍ）＝０．０２〜０．１０
（但し、ＭはＡｌまたはＧａを表わす。） （もっと読む）

【課題】透明性に優れた新規な導電体および導電体の製造方法を提供する。
【解決手段】ニオブ酸化物またはニオブ金属をターゲットとしてスパッタリングすることにより、基板の表面にニオブ酸化物膜（ＮｂＯ_ｘ膜）を形成し、そのニオブ酸化物膜に対してアニール処理を行う。スパッタリングは、ニオブ金属ターゲットの場合、アルゴンガスに対する酸素ガス流量比（酸素ガス流量／アルゴンガス流量）が５．０％乃至７．０％の雰囲気下で、室温で行う。アニール処理は、真空中で９００℃以上の温度で行う。アニール後のニオブ酸化物膜は、６０％以上の可視光線透過率を有し、１０^−２Ωｃｍ以下の電気抵抗率を有している。 （もっと読む）

【課題】工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が０．９〜１．８×１０^-3Ω・ｃｍの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する
【解決手段】酸化インジウムを主成分とし、プラセオジムを含む酸化物焼結体であり、プラセオジムの含有量が、Ｐｒ／Ｉｎ原子比で０．００２５以上０．０４３以下、好ましくは０．００８以上０．０３５以下であり、酸化プラセオジム結晶相が存在しない酸化物焼結体を、スパッタリングターゲットまたはイオンプレーティング用蒸着材として用いる。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成で、異常放電などを引き起こすことなく、１枚のガラス基板から複数枚のパネルを安定に調製することを可能にする、基板へのスパッタ薄膜の形成方法および当該方法を実施するための搬送キャリアを提供する。
【解決手段】 搬送キャリアを、四角形状の枠体と、枠体の対向する枠辺間に弾性部材を介して連結されたテンションが負荷された薄体状部材とから構成し、薄体状部材の厚みを０．１〜０．８ｍｍとし、その熱膨張率を基板となるガラス基板の熱膨張率の±２０％とし、枠体と基板とが接することがないように薄体状部材のみで基板の載置面を構成して、個々の薄体状部材に、基板が搬送キャリアに載置されている状態を形成するための保持部材としての機能、および、基板における２つ以上のスパッタ薄膜形成領域を画定するためのマスク部材としての機能を担わせる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化を図る。
【解決手段】
本発明の１つの酸化物膜は、ニオブ（Ｎｂ）、及びタンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種類の遷移元素と、銅（Ｃｕ）とを含む酸化物の膜（不可避不純物を含み得る）である。また、この酸化物膜は、図５の第１酸化物膜及び第２酸化物膜のＸＲＤ（Ｘ線回折）分析結果を示すチャートに示すように、ＸＲＤ分析では明確な回折ピークを示さない微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるとともに、ｐ型の導電性を有している。この酸化物膜によれば、従来と比してｐ型の高い導電性が得られる。また、この酸化物膜は、上述のとおり微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるため、大型基板上への膜の形成が容易になることから、工業生産にも適している。 （もっと読む）

【課題】フィルムなどの基材に対して透明性が高く、優れた密着性を有し、且つパターン形状が目立たない透明導電性積層体を作製し、ディスプレイあるいはタッチパネル向けとして提供する。
【解決手段】透明導電性積層体が、透明プラスチック基材の一方の面又は両方の面に、金属酸化物層、酸化ケイ素層及び酸化インジウム・スズ層を前記透明プラスチック基材側から順に設けてなる透明導電性積層体であって、金属酸化物層の屈折率が１．７以上２．６以下であり、かつ光学膜厚が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であり、酸化ケイ素層の屈折率が１．３以上１．５以下であり、かつ光学膜厚が５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であり、酸化インジウム・スズ層の光学膜厚が３０ｎｍ以上６５ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】実用可能な耐湿性と、透明導電膜として必要な特性を備え、しかも経済性に優れた、ＺｎＯ系の透明導電膜を提供する。
【解決手段】ＺｎＯにIII族元素酸化物をドーピングして基体上に成長させた透明導電膜において、ＺｎＯ（００２）ロッキングカーブ半値幅が１３．５°以上であるようにする。
III族元素酸化物のドーピング量を、透明導電膜中のIII族元素酸化物の割合が７〜４０重量％となるように、ＺｎＯにIII族元素酸化物をドープさせる。
透明導電膜を、ＳｉＮｘ薄膜を介して、基体上に形成する。
基体にバイアス電圧を印加しながら、薄膜形成方法により基体上に透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のＩＴＯ焼結体は、酸化スズを８〜１２重量％、並びに元素の周期表の２ａ族及び４ａ族元素のうちの少なくとも１種の元素の酸化物を０．００１〜０．１重量％含み、残部が酸化インジウムからなる。このＩＴＯ燒結体からなるターゲット。これらの酸化物を上記量で配合し、成形した後焼成してＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）