【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】本発明においては、所定の量の酸化アルミニウム及び酸化ケイ素を添加した、酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を用いることにより、膜厚を薄くした場合においても導電性・透明性・耐久性に優れた透明電極付き基板を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に酸化亜鉛を主成分とする透明導電性酸化物層を有する透明電極付き基板において、該透明導電性酸化物層は、酸化ケイ素を１．２重量％以上２．１重量％以下、酸化アルミニウムを０．２重量％以上１．０重量％未満含有しており、該透明導電性酸化物層の抵抗率は、４．５×１０^-3Ωｃｍ以下であり、かつ８５℃・８５％ＲＨの環境下で１０００時間放置した時の抵抗率の変化△Ｒが、温度（Ｔ）がＴ＝３００Ｋ、膜厚（ｄ）が２０ｎｍ≦ｄ≦１２０ｎｍのとき、ΔＲ＝ａ×ｅｘｐ（−ｂ×ｄ／Ｔ）＋１．０ ［１．２≦ａ≦３．０、１５≦ｂ≦４５、ａ，ｂは実数］（式１）を満たすことを特徴とする透明電極付き基板。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ低抵抗のスパッタリングターゲット、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｇａをドープした酸化インジウム、又はＡｌをドープした酸化インジウムを含み、正４価の原子価を示す金属を、Ｇａとインジウムの合計又はＡｌとインジウムの合計に対して１００原子ｐｐｍ超１１００原子ｐｐｍ以下含み、結晶構造が、実質的に酸化インジウムのビックスバイト構造からなる焼結体を含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下、可視波長（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において９８％以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Ｓｎ／Ｉｎが０．０１９〜０．１０２であり、かつ、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．７７１〜０．９６７、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１６〜０．０９１、Ｃｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１５〜０．１５であり、相対密度が９８％以上、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 （もっと読む）

【課題】ＷＳ_２を主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Ｈｆ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｗ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｙ，Ｓｃ，Ｍｇ，Ｃａからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で０．１〜１０．０ｗｔ％含有し、残部がＷＳ_２および不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内に導入するべき導入ガスの流量値が大きくても、その流量値の近傍の狭い区間で流量を高速制御でき、例えば、真空チャンバ内のプラズマを所望の状態で保ち続けて、成膜等に最適な状態を維持することが可能なプラズマ制御装置及び流量制御装置を提供する。
【解決手段】前記真空チャンバＶＣ内に導入される導入ガスが流れる第１流路Ｌ１上に設けられた第１バルブ１１と、前記第１バルブ１１を経由して前記真空チャンバＶＣ内に導入される前記導入ガスの流量が第１流量となるように当該第１バルブ１１の開度を制御する第１バルブ制御部１２と、プラズマモニタ３と、前記導入ガスが流れる第２流路Ｌ２上に設けられた第２バルブ２１と、前記プラズマモニタ３で測定される測定プラズマ強度と、予め設定された設定プラズマ強度との偏差に基づいて前記第２バルブ２１の開度を制御する第２バルブ制御部２２と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】成膜レートを落とすことなく成膜可能で、薄膜トランジスタを構成した場合に所望のＴＦＴ特性を示すＩＧＺＯからなる半導体層を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、成膜対象物上にＩＧＺＯ膜を形成する方法であって、酸素ガスの分圧が０．１Ｐａ以下の真空中でスパッタリングによって当該成膜対象物上にＩＧＺＯ膜を形成する成膜工程（Ｐ２、Ｐ３）と、酸素ガス及び窒素ガスを含む雰囲気中で当該ＩＧＺＯ膜に対してアニール処理を行うアニール処理工程（Ｐ５、Ｐ６）とを有する。 （もっと読む）

【課題】膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のＺｎＯ焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末とＢ_２Ｏ_３粉末とを混合、焼成及び粉砕してＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末を得る工程と、平均粒径が０．５〜１μｍのＺｎＯ粉末と平均粒径が０．２〜０．５μｍのＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末とを混合、成形、焼成してＺｎＯ焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】デンドライト状の析出物を発生させずに個体電解質層を形成する技術を提供する。
【構成】正極１３上又は負極１５上に固体電解質層１４を形成するために、基板１１上にグラファイト又はＬｉＣｏＯ₂が表面に露出するマスク１７を配置し、ＬｉＰＯＮで構成されたターゲットをスパッタリングして、パターニングされた固体電解質層１４を形成する。Ｌｉを吸収する素材をマスク１７の表面に露出させておくと、電界で移動するリチウムイオンが固定され、デンドライト状の析出物を発生させずに、スパッタリングの際に固体電解質層１４を形成することができる。この素材は、リチウムを吸収しても体積膨張がないグラファイト又はＬｉＣｏＯ₂がよい。 （もっと読む）

【課題】圧電アクチュエータの力を効率よく利用してミラーの回転方向に大きな変位を得るとともに、垂直方向の並進運動を大幅に抑制する。
【解決手段】ミラー部（12）を挟んで両側に一対の圧電アクチュエータ部（14）が配置される。圧電アクチュエータ部（14）の一端（14A）は連結部（16）を介してミラー部（12）の端部（12A）に接続され、圧電アクチュエータ部（14）の他端（14B）は固定部（30）に固定支持される。また、ミラー部（12）は、垂直方向への並進運動する抑制する垂直移動抑制構造(32)を介して固定部（30）に接続されている。回転軸（18）付近に接続されるトーションバー（20）とトーションバー（20）の基端部を支持するトーションバー支持部（22）とにより垂直移動抑制構造（32）を構成できる。 （もっと読む）

【課題】導電性が高くＩＩＩ族窒化物結晶との接合強度が高いとともに光透過性が高い複合体を提供する。
【解決手段】本複合体１００は、ＩＩＩ族窒化物結晶１１０とＩＩＩ族窒化物結晶１１０上に配置された酸化物膜１２０とを含み、酸化物膜１２０はドーパントの濃度が互いに異なる第１領域１２１と第２領域１２２とを含み、第２領域１２２は第１領域１２１に比べてドーパントの濃度が高い。 （もっと読む）

【課題】アーキングの発生を回避しながら成膜速度のさらなる向上を図ることができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のターゲットは、ＺｎＯ及びＺｎ₂ＳｎＯ₄からなる。錫（Ｓｎ）及び亜鉛（Ｚｎ）の原子数比Ｚｎ／（Ｚｎ＋Ｓｎ）が０．８１〜０．９４の範囲にある。ＺｎＯの平均粒径が２［μｍ］以上の範囲にある一方、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄の平均粒径が１４［μｍ］以下の範囲にある。ターゲットの体積抵抗率は１Ｅ−０１［Ωｃｍ］以下であり、気孔率は１．７％以下である。 （もっと読む）

【課題】所望の表面組成を有する酸化物導電性薄膜の処理方法、並びに該酸化物導電性薄膜の処理方法を用いて製造した電子デバイス、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供する。
【解決手段】一般式ＡＢＯ_３で示されるＡＢＯ_３型酸化物導電性薄膜を少なくとも水を含む液体で処理し、ＡＢＯ_３型酸化物導電性薄膜の表面の原子比Ａ／Ｂを化学量論比に近づける。液体は少なくとも水を含むものであり、純水と有機溶剤との混合液、あるいは純水であることが好ましい。有機溶剤としては、少なくともアルコール類の１種を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】所望とする化合物相で構成されたスパッタリング用ターゲットを安定して製造することができるホウ酸リチウム系スパッタリング用ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るホウ酸リチウム系スパッタリング用ターゲットの製造方法は、酸化リチウム系粉末と酸化ホウ素系粉末との混合粉末を溶解する工程と、前記混合粉末の溶解物を凝固させ、粉砕した凝固粉末を作製する工程と、前記凝固粉末を仮焼する工程と、仮焼した前記混合粉末を焼結する工程とを有する。上記製造方法においては、酸化リチウム系粉末と酸化ホウ素系粉末との混合粉末を一旦溶解し、その後冷却することで原料粉末の化合物化を促進し、所望とする化合物相を有するホウ酸リチウム粉末及びその焼結体を安定に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネル接合素子のＭＲ比を向上させることが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた磁気メモリの製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯを主成分とし、厚さが３ｍｍ以下であるターゲット本体１０を備えることを特徴とするスパッタリングターゲット、及びそれを用いた、ＭＲ比を向上させることができる磁気メモリの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】焼結後の冷却時における割れの発生を防止することができる酸化物スパッタリングターゲットの製造に用いるホットプレス用モールドを提供する。
【解決手段】ホットプレス用モールド１は、複数の円弧板状セグメント１６を周方向に並べて垂直方向に沿う筒状に形成されたスリーブ１１と、スリーブ１１の外側に配置され、スリーブ１１を筒状に保持する外枠１３とを有しており、スリーブ１１の外周面１６ｂは、上方に向けて拡径する斜面に設けられ、外枠１３の内周面１３ａは、スリーブ１１の外周面１５ｂの傾斜角度に沿った斜面に設けられている。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜の形成方法に依らずに、その表面に凹凸を形成することが可能な透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の製造方法は、酸化物からなる透明導電膜を形成し、透明導電膜を水素含有ガスの還元雰囲気に晒すことで、透明導電膜の表面に凹凸を形成する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のターゲット表面上の反応ガスの分圧を互いに等しくし、各ターゲットを互いに同じ速度でスパッタできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】
互いに離間して一列に並んで配置された複数のターゲット２１₁〜２１₄と、隣り合う二個のターゲット２１₁〜２１₄を一組として、一組のターゲット２１₁〜２１₄間に電圧が印加されるターゲット装置２０₁₂、２０₃₄とを有し、各ターゲット装置２０₁₂、２０₃₄は、一組のターゲット２１₁〜２１₄の側面と対向して配置された隔壁２３₁〜２３₄と、隔壁２３₁〜２３₄とターゲット２１₁〜２１₄との間に設けられたガス導入口２８₁〜２８₄と、真空槽１１の底面に設けられた主排気口２５₁₂、２５₃₄とをそれぞれ有し、ガス導入口２８₁〜２８₄から導入された反応ガスは、一組のターゲット２１₁〜２１₄間を通って主排気口２５₁₂、２５₃₄から真空排気される。 （もっと読む）

【課題】単純な装置構成を用いて適宜に加熱処理等を施すことにより、両面に真空成膜が施された積層体を効率的に製造できる成膜方法を提供すること等。
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第１の面を被成膜面として第１ロール室から第２ロール室へ向う方向に第１ロール室から繰り出し、繰り出された基体を脱ガスし、脱ガスされた基体の第１の面に第１成膜室において第１の膜材料を成膜し、第１の膜材料の上に第２成膜室において第２の膜材料を成膜し、膜材料が積層された基体を第２ロール室でロール状に巻取り、巻き取った基体を第１の面とは反対側の第２の面を被成膜面として方向に第１ロール室から繰り出し、上記全ての処理を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適なスパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シートを提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットは、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化スズ（ＳｎＯ₂）とを主成分とする焼結体からなり、焼結体の相対密度が９５％以上であり、酸化亜鉛（ＺｎＯ）と酸化スズ（ＳｎＯ₂）のモル比が１５：８５〜９０：１０であることを特徴とする。 （もっと読む）