【課題】基板表面の損傷を抑えつつ、成膜速度を向上させることのできるスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スパッタリング装置は、対になる部材が空間をあけて対向するよう配置され、空間に磁場を発生させる磁場発生部１（１ａ，１ｂ）と、対になる部材の側方に、空間と対面するよう被成膜部材６を配置可能な被成膜部材保持部と、空間内に配置され、被成膜部材６に向けて傾斜したターゲット面２ａを有するターゲット部材２と、ターゲット部材２に接続され、ターゲット部材２へ電圧を印加する電力供給部３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低抵抗で、可視光領域、赤外領域の透過性に優れ、耐久性に優れた酸化物透明導電膜を成膜するための、スパッタリング中の異常放電現象を低減できる酸化物焼結体及び光電変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】主としてＩｎ、Ｓｎ、Ｓｒ及びＯから構成される酸化物焼結体で、実質的にビックスバイト型酸化物相及びペロブスカイト型酸化物相から構成されるか、又は実質的にビックスバイト型酸化物相のみから構成され、Ｓｎ及びＳｒの含有量が原子比で
Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０１〜０．１１
Ｓｒ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｓｒ）＝０．０００５〜０．００４
である焼結体を製造し、それを用いてターゲットを作製し、スパッタリングにより酸化物透明導電膜を得る。またその膜を用いて、基板上に酸化物透明導電膜および光電変換層を積層した太陽電池を得る。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、帯電防止導電膜コーティング、ガスセンサーなどに用いられる透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｇａ：０．１〜３０質量％を含有し、残部がＺｎからなる組成を有するＺｎ−Ｇａ合金結晶粒をＺｎ−Ｇａ複合酸化物が包囲している組織を有する。 （もっと読む）

【課題】 ロールツーロール方式で搬送される長尺基板をキャンロールの外周面に巻き付けて冷却しながら熱負荷の掛かる処理を行う際に生じる長尺基板のシワをキャンロールの外周面上で伸ばす方法及び装置を提供する。
【解決手段】 キャンロール５６の外周面５６ａのうち少なくとも片端側において長尺基板Ｆの端部付近が接触する箇所にキャンロール５６の端部側に向かってキャンロール５６の外径が徐々に細くなるような傾斜部２１を設けるとともに、該傾斜部２１のうちスパッタリングカソードなどの処理手段５７〜６０に対向していない箇所に設けたホイール３１により長尺基板Ｆの端部を傾斜部２１に押しつけることにより長尺基板Ｆを幅方向に広げる。 （もっと読む）

【課題】ＥＬデバイス（特にＯＬＥＤ）、光電池、および半導体デバイス（有機電界効果トランジスタ、薄膜トランジスタ、および集積回路一般など）を含む、電子または光電子デバイス（特に導電ポリマーを含むデバイス）の製造において、基板、特に可撓性基板として使用するのに適した、改善されたバリア特性を有するフィルムを提供すること。
【解決手段】ポリマー基板、平坦化被覆層、および無機バリア層を含む複合フィルムであって、前記バリア層は、２ｎｍから１０００ｎｍの厚さを有し、マイクロ波で活性化された反応性マグネトロンスパッタリングによって得ることができる前記複合フィルム。 （もっと読む）

【課題】耐湿熱性に優れ、可視光領域だけでなく近赤外線領域においても透過性に優れ、しかも低抵抗値を有する希少金属を使用しない安価な酸化物透明電極膜からなる太陽電池用透明電極膜、およびそれを設けた太陽電池を提供することである。
【解決手段】
本発明の太陽電池用透明電極膜は、酸化亜鉛にドーパントとして低原子価金属酸化物をドープした酸化物透明電極膜からなる。該酸化物透明電極膜は、酸化亜鉛を主成分とし、低原子価金属酸化物をドープしたターゲットまたはタブレットを用いて、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ法）またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法にて成膜されたものであり、低原子価金属酸化物が、低原子価金属と亜鉛との原子数比で０．０２〜０．１の割合となるようにドープされ、そして酸化物透明導電膜の比抵抗が２．０×１０^-3Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバー内へのガス漏れを抑制しつつキャンロールの外周面と長尺基板との間に形成される隙間にガスを導入する方法及び装置を提供する。
【解決手段】 冷媒循環部１１と、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路１４と、これら複数のガス導入路１４の各々に真空チャンバー５１外部のガスを供給するロータリージョイント２０とを備え、搬送される長尺基板Ｆを外周面に部分的に巻き付けて冷却するキャンロール５６であって、各ガス導入路１４は、キャンロール５６の回転軸方向に沿って外周面側に開口する複数のガス放出孔１５を有しており、ロータリージョイント２０は、各ガス導入路１４に対して長尺基板Ｆを巻き付ける角度範囲内に位置しているか否かに応じて当該ガス導入路１４にガスを供給するか否か制御する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録膜用スパッタリングターゲットに対して、スパッタリング中のパーティクル発生を抑制し、かつバーンイン時間の短縮化が可能であり、漏洩磁束が大きく、マグネトロンスパッタ装置でスパッタする際に安定した放電が得られるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｃｒ：２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔ：３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏとするＣｏを主成分とする磁性合金と導電性酸化物からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、焼結体ターゲット中に平均粒子径が１０〜１００μｍの範囲の導電性酸化物が分散されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏなどの密着層を省略し、熱処理もすることなく、ガラスなどの絶縁層に直接配線をＣｕ合金により形成でき、また、表面平滑性の良好な配線を形成する技術を提供する。
【解決手段】本発明は、０．０１ａｔ％〜０．５ａｔ％のＢｉと、０．０５ａｔ％〜０．５ａｔ％のＩｎと、残部がＣｕ及び不可避不純物とからなることを特徴とする配線用Ｃｕ合金とした。また、本発明は、絶縁層とＣｕ合金配線とが直接接合された接続構造において、Ｃｕ合金はＢｉ及びＩｎを含有しており、Ｃｕ合金配線は、絶縁層との接合界面側にＢｉ偏析層が形成されていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により求められた結晶面（１１０）及び（２００）の結晶方位比率（１１０）／（２００）が０．１〜６．５であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングを用いて電池部材を成膜する際に、正負極が短絡することがなく、さらに、未成膜部分が生じることがない薄型電池の製造方法を提供する。
【解決手段】１つの電極を備えた積層体の表面を、所定形状の開口部を有するマスクでマスキングした後、スパッタリングにより、開口部内に電池部材を成膜して、前記積層体に積層する薄型電池の製造方法であって、マスクは、絶縁材料により形成された絶縁体部と、絶縁体部の上面側に設けられた第１の導体部と、成膜された電池部材が接する開口部の壁面部に設けられた第２の導体部と、を備えており、第１の導体部および第２の導体部が、接地されている薄型電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、向上した防食性を有するマグネシウム部品に関する。
【解決手段】この部品は、Ｘが元素周期律表の第ＩＩＩ族主族の元素、第ＩＩＩ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素であり、Ｙが元素周期律表の第ＩＩＩ族または第ＩＶ族主族の元素、第ＩＩＩ族または第ＩＶ族の遷移元素、または希土類元素からなる群から選ばれた元素である、ガラス質の二元系Ｍｇ−Ｘ合金またはガラス質の三元系Ｍｇ−Ｘ−Ｙ合金が塗布されたものである。塗膜は、陰極線アトマイゼーションのような物理蒸着法により作製される。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ＺｎＳｎＯ₃にＩｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃が固溶したＩｎ／Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＳｎＯ₃固溶体を有し、Ｚｎ_xＩｎ_yＯ_z相（ｘ、ｙ、ｚは任意の正の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金膜を形成するための積層膜として、スパッタ法により十分にＳｅを含有した膜を成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金相と、純Ｓｅ相とで構成されている。このスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金粉と、純Ｓｅ粉との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】垂直配向型及び平行配向型以外の配向を有するウルツ鉱圧電体薄膜であって、その配向により従来にない特性が得られるウルツ鉱圧電体薄膜を提供する。
【解決手段】ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料から成る薄膜であって、該薄膜に対する法線とc軸が成す角である傾斜角が、縦波に関する圧電定数e₃₃がゼロになる臨界傾斜角よりも大きく、且つ90°未満であることを特徴とする。この薄膜は、垂直配向のウルツ鉱型結晶薄膜とは逆位相の縦波振動が生じるという、従来にない特性を有する薄膜共振子に用いることができる。この薄膜は、ウルツ鉱型の結晶構造を有する材料Ｍを基板Ｓの表面に堆積させつつ、基板Ｓの表面に対して10°を超え40°以下の角度αで入射するようにイオンビームＩＢを照射することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】良好な導電性と表面平滑性、加工性を併せ持つ酸化亜鉛系の透明導電膜を提供する。
【解決手段】基材１上に形成される透明導電性積層膜であり、該透明導電性積層膜は、周期表第III族又は第IV族の元素の化合物を含む下地膜１１と、該下地膜１１上に形成される酸化亜鉛を含む導電膜１２とを含むものであり、該導電膜１２は、ＣｕＫα線を用いたＸ線回折法により検出される酸化亜鉛の（００２）面の回折線のうち、回折角２θが３３．００°≦２θ≦３５．００°である回折線の強度Ｉが１０００（ｃｐｓ）以下であり、該強度Ｉと該導電膜の膜厚ｔとのＩ／ｔが０〜１５．０（ｃｐｓ／ｎｍ）であることを特徴とする透明導電性積層膜。 （もっと読む）

【課題】キャンロールの外周面と長尺基板との間に形成されるギャップ部にガスを導入して長尺基板を均一かつ効率的に冷却する方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバー内でロールツーロールで搬送される長尺基板Ｆに対して、内部に冷媒が循環し外周面にガス導入孔１５ａ，１５ｂを備えたキャンロールの当該外周面に部分的に長尺基板Ｆを巻き付けながら熱負荷の掛かる処理を行う長尺基板Ｆの処理方法であって、キャンロールの外周面上に画定される長尺基板Ｆの搬送経路の上流および下流にそれぞれ隣接して設けられたフィードロールの周速度とキャンロールの周速度とに差をつけながらキャンロールの外周面とそこに巻き付けられる長尺基板Ｆとの間に形成されるギャップ部にガス導入孔からガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】 真空チャンバー内へのガス漏れを抑制しつつキャンロールの外周面と長尺基板との間に形成される隙間にガスを導入する装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー５１内においてロールツーロールで搬送される長尺基板Ｆを冷媒で冷却された外周面に巻き付けて冷却するキャンロール５６であって、周方向に略均等な間隔をあけて全周に亘って配設された複数のガス導入路１４を有しており、これら複数のガス導入路１４の各々はキャンロール５６の回転軸５６ａ方向に沿って略均等な間隔をあけて外周面側に開口する複数のガス導入孔１５を有しており且つ長尺基板Ｆが外周面に巻き付けられる領域であるか否かに対応して設けられた永久磁石などの磁力付与手段６５によって開閉するガス導入バルブ２０に接続している。 （もっと読む）

【課題】実用上十分な導電性、透過率、を有し、低屈折率であり、且つ低温で成膜可能な結晶構造のＺｎＯ系透明導電膜、及び該ＺｎＯ系透明導電膜をフィルム上に成膜した透明導電膜付き基板を提供する。
【解決手段】アルミニウム又はガリウムの少なくとも一方が１から１０ｗｔ％の範囲で含まれた酸化亜鉛からなり、透明基板上に形成された透明導電膜であって、透明導電膜は、可視光域における透過率が８５％以上であり、波長５５０ｎｍにおける屈折率が１．７５〜１．８０の範囲にあり、比抵抗が８．０×１０^−４Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）