【課題】耐摩耗性と密着性に優れる硬質膜を表面に有し、長寿命で交換回数を大幅に削減し得る寸法測定治具を提供する。
【解決手段】基材２の表面に硬質膜１が成膜されてなる寸法測定治具であり、硬質膜１は、基材２の表面上に直接成膜されるクロムを主体とする下地層１ａと、下地層１ａの上に成膜されるタングステンカーバイトとダイヤモンドライクカーボンとを主体とする混合層１ｂと、該混合層１ｂの上に成膜されるダイヤモンドライクカーボンを主体とする表面層１ｃとからなる構造の膜であり、混合層１ｂは、下地層１ａ側から表面層１ｃ側へ向けて連続的または段階的に、該混合層１ｂ中のタングステンカーバイトの含有率が小さくなり、該混合層１ｂ中のダイヤモンドライクカーボンの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】採光性を確保しつつ日射遮蔽性を高めることが可能な網入り窓ガラスの日射調整方法を提供する。
【解決手段】透明高分子フィルムよりなるスクリーン基材１４と、スクリーン基材１４の少なくとも一方面に接着された透明積層フィルム１２と、を備え、透明積層フィルム１２が透明高分子フィルムよりなるフィルム基材１６の少なくとも一方面に日射遮蔽性を有する積層構造部１８を備えた構成の透明ロールスクリーンのシート材１０，３０を、網入り窓ガラス４０に対し、室内側のガラス面から１〜３００ｍｍの範囲内で離して室内側のガラス面に沿って室内側に配置する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法によって形成する成膜方法において、従来より均一な膜厚を形成する。
【解決手段】基板の被成膜面に薄膜をスパッタリング法によって形成する成膜方法であって、スパッタリングターゲットが、金属を含有する材料からなるインゴットを１軸の圧延方向に圧延したものであり、前記薄膜が、前記基板を被成膜面の中心を通る回転軸で回転させながら成膜され、前記スパッタリングターゲットのスパッタ面が、前記基板の被成膜面と対向し、かつ前記被成膜面に対して所定の角度を有するように配置され、前記基板の回転軸と、前記スパッタ面の中心を通り前記基板の回転軸に対して平行な直線とがずれた位置にあり、前記スパッタリングターゲットが、前記基板の回転軸と前記スパッタ面に対して垂直な面との両方に平行な平面に対し、圧延方向が略垂直となるように配置される、成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】成膜時に磁石ユニットとターゲットとを相対移動させても、ターゲットに局所的な侵食領域が生じることがなく、ターゲットの利用効率が良いマグネトロンスパッタ電極を提供する。
【解決手段】スパッタ室１ａで基板Ｓと共に配置される長手のターゲット４１と、ターゲットのスパッタ面側を上とし、ターゲット下側に配置されてターゲットの上方にトンネル状の磁束を形成する磁石ユニット５と、ターゲットの長手方向をＸ方向、このＸ方向に直交するターゲットの幅方向をＹ方向とし、磁石ユニットを所定の起点から、Ｘ方向及びＹ方向にターゲットに対して相対移動させる移動手段６とを備える。１サイクルにて、磁束密度の高い部分の滞在時間が長くなる領域での磁場強度を局所的に低下させる磁気シャント７を設け、磁気シャントはＸ方向に沿ってのびる少なくとも２辺７１、７２を有し、各辺が、Ｘ方向中央にかつＹ方向ターゲット内方に夫々向かって傾いている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼板の表面に微細な粗面化テクスチャーを均一に形成させる技術であって、特に薄膜Ｓｉ太陽電池の基板に好適な技術を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼板を、ｐＨが１１.０以上の水溶液中で−０.５〜−２.２Ｖｖｓ.ＳＣＥの電位で陰極電解することにより、不動態皮膜の膜厚を４.０ｎｍ以下とする工程（陰極電解工程）、
前記陰極電解工程を終えた鋼板を、ＦｅＣｌ₃濃度２〜５０質量％、ＨＣｌ濃度０.１〜２０質量％の塩化第二鉄＋塩酸混合水溶液中に浸漬することにより表面にピットを発生させ、表面に占めるピット発生部分の投影面積の割合（ピット占有面積率）を４０％以上、かつ平均面粗さＳＰａを０.０５〜０.３０μｍ未満とする工程（エッチング工程）、
を有する微細粗面化ステンレス鋼板の製造法。 （もっと読む）

【課題】電極パターンを目立たないようにした透明導電膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明層の少なくとも１つの面１ａには、凹凸加工により凹部１ｂ及び凸部１ｃが形成されており、凹部１ｂに積層された第１の導電層２ａと凸部１ｃに積層された第２の導電層２ｂとが、凹部１ｂ及び凸部１ｃの凹凸方向において位置をずらして配置されており、第１及び第２の導電層２ａ，２ｂは、それぞれ隣り合う導電層と電気的に絶縁されている。 （もっと読む）

【課題】透明フィルム基材上に結晶質のインジウム系複合酸化物膜が形成された長尺状の透明導電性フィルムを製造する。
【解決手段】本発明の製造方法は、インジウムと４価金属とを含有するインジウム系複合酸化物の非晶質膜が、スパッタ法により前記長尺状透明フィルム基材上に形成される非晶質積層体形成工程、および前記非晶質膜が形成された長尺状透明フィルム基材が、加熱炉内に連続的に搬送され、前記非晶質膜が結晶化される結晶化工程、を有する。前記結晶化工程における加熱炉内の温度は１７０℃〜２２０℃であることが好ましい。また、前記結晶化工程におけるフィルム長さの変化率は＋２．５％以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】回転自在に設けられた円筒状ターゲットの長さ方向の端部での局所消耗を抑制し、エロージョン領域を均一化し、その使用寿命を向上させることができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】回転自在とされた円筒状ターゲット１３を有し、前記円筒状ターゲット１３の内側に設けられ、その長さ方向に沿って配置された磁場発生部材１４を有するスパッタ蒸発源２の一対と、前記一対のスパッタ蒸発源２のそれぞれの円筒状ターゲット１３を共にカソードとしてこれらに放電電力を供給するスパッタ電源３を備える。前記一対のスパッタ蒸発源２，２は、それぞれの円筒状ターゲット１３が平行に対向して配置され、それぞれの磁場発生部材１４，１４は円筒状ターゲット１３，１３の表面を通り、互いに引き合う向きの磁力線を形成する磁場を発生させる。前記スパッタ電源は前記円筒状ターゲット間にペニング放電を発生させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタ装置におけるアノード消失を防止する。
【解決手段】処理室２内でターゲットのスパッタリングによって基板１５上に電気的に絶縁物である薄膜を形成するためのスパッタ装置において、処理室２内に、薄膜の原料となるターゲット１０ａ、１０ｂとアノード板２０、２２、２４を備え、ターゲット１０ａ、１０ｂとアノード板２０、２２、２４との間に電圧を印加する電源部１２を備え、アノード板２０、２２、２４の少なくとも一部の表面に、大きさ０．５ｍｍ〜１０ｍｍ、深さ１ｍｍ〜５０ｍｍの穴３０を複数形成することで、スパッタリング中にアノードに電気的な絶縁物が堆積してアノードの導電性を損なうのを防止し、長期に亘って良好なスパッタリングを行うことを可能にする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗、高透過率、適切な表面凹凸をもつ透明導電膜およびその製造方法を提供する。
【課題手段】基板に形成された微細な結晶粒の第１層と、第１層に積層された大きな結晶粒の第２層とを備え、基板の面方向における微細な結晶粒の幅が５０ｎｍ以下で、第１層の厚さが２００ｎｍ以下であり、第２層の厚さが３００ｎｍ以上である透明導電膜によって、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチング性に優れた特性を有する新規な金属配線膜を提供すること。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用Ｔｉ合金膜に用いられる配線膜であって、合金成分としてＸ群元素（Ｘは、希土類元素、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を３〜５０原子％、および／または酸素を０．２〜３．０質量％を含み、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなることに要旨を有する表示装置の配線用Ｔｉ合金膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板フィルムとバリアコーテイングを含むバリア構造物の提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、少なくとも一つの可撓性プラスチック基板フィルムと、
前記可撓性プラスチック基板フィルムの一つの表面上に配置されたバリアコーティングと、
を含むバリア構造物であって、
前記バリアコーティングは、周期表のＩＶＢ、ＶＢ、ＶＩＢ、ＩＩＩＡ、およびＩＶＡ族から選択された元素の酸化物若しくは窒化物、またはそれらの元素の組合せの酸化物若しくは窒化物である少なくとも一つの厚さ２ｎｍ〜１００ｎｍを有する厚膜層であり、前記バリアコーティングは、非晶質であり、且つ特徴のないミクロ構造を有していること特徴とするバリア構造物である。 （もっと読む）

【課題】基板の端部に均一な膜厚の薄膜を形成できるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】
長手方向が互いに平行で、スパッタされる面が同一平面に位置し、側面が対面するように並んで真空槽内に配置された細長形状の複数のターゲットのうち、隣接する二個のターゲットを一組のターゲット組にすると、一組のターゲット組内では、少なくとも一個のターゲットにオフ電圧を印加し、オン電圧とオフ電圧とを、一組のターゲット組内の二個のターゲットに交互に印加してターゲットをスパッタし、基板に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、ターゲット組は一列に並べられており、ターゲットにオン電圧とオフ電圧とを印加する際には、前記一列の端に位置するターゲット組内では、前記一列の端の方に位置するターゲットのオン電圧の印加期間を、他方のターゲットのオン電圧の印加期間よりも長くする。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングにより所定の薄膜を形成する際に、処理基板全面に亘って膜厚分布や比抵抗値などの膜質を略均一にできるようにスパッタリング装置を構成する。
【解決手段】同数のターゲット３１ａ乃至３１ｈが等間隔で並設された複数のスパッタ室１１ａ、１１ｂの間で、各ターゲットに対向した位置に処理基板Ｓを搬送し、この処理基板が存するスパッタ室内の各ターゲットに電力投入して各ターゲットをスパッタリングし、処理基板表面に同一または異なる薄膜を積層する。その際、相互に連続するスパッタ室の間で処理基板表面のうち各ターゲット相互の間の領域と対向する箇所がずれるように処理基板の停止位置を変える。 （もっと読む）

【課題】複数の真空処理室を直線的に配置した従来の装置にあっては、全体構造が大型化して、製造コストの低減やタクトタイムの短縮が難しいという問題点があった。
【解決手段】プレート状のワークＷの表面にスパッタリングにより被膜を形成する装置であって、所定間隔で配列した複数の真空チャンバー１Ａ〜１Ｐと、これらの真空チャンバーを移動させるターンテーブル４と、ワークＷを収容した真空チャンバーの内部を真空引きする真空ポンプ３を備え、各真空チャンバー１Ａ〜１Ｐが、ワークＷを保持するワーク治具４と、スパッタリング用のターゲット５と、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段１４と、ターゲット５に高電圧を印加する電圧印加手段１６を備えた構成とし、製造コストの低減やタクトタイムの短縮化を実現した。 （もっと読む）

【課題】タッチパネルに用いる透明導電膜のパターンを目立たなくし、外観上の不具合が生じないようにすることができる透明導電膜を提供することを課題とする。
【解決手段】透明導電性積層体であって、
少なくとも、透明基材と前記透明基材の表裏に形成した樹脂層と前記樹脂層の片面に形成した酸化ケイ素層と前記酸化ケイ素層の表面に形成した透明導電膜層とを備えており、
前記樹脂層の物理膜厚が１０μｍ以上であり、
前記酸化ケイ素層の光学膜厚（当該層の物理膜厚と屈折率を乗じた値）が、１００ｎｍ以上であることを特徴とする透明導電性積層体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電極触媒の製造方法に関し、直流式のスパッタリング装置を用いる際に、微細化した触媒金属をカーボン粉末の表面に担持可能な電極触媒の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】内部が真空に保持された回転バレルと、該回転バレル内に配置したターゲットユニットと、該プラズマを発生可能な直流式のスパッタリング電源と、を備えたスパッタリング装置を用い、上記回転バレル内にカーボン粉末を収納すると共に、上記ターゲットユニット内に白金プレートを設置して、上記回転バレルを回転させつつ上記スパッタリング電源からのスパッタ出力を１．０ｋＷよりも小さい値に設定して、上記白金プレートの白金を前記カーボン粉末にスパッタリングする。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性の均一性、ＴＦＴ特性の再現性及びＴＦＴの歩留りが良好なＴＦＴパネルが得られる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎを含み、焼結体密度が相対密度で９０％以上であり、平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、バルク抵抗が３０ｍΩｃｍ以下であり、直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が、１．００ｍｍ^２あたり２．５個以下である複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
７０＞［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧１０ ・・・ （１） （もっと読む）