【課題】コンパクトでありながら、より安定した動作を行う薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】この薄膜トランジスタは、ゲート電極と、絶縁膜を介してゲート電極と対向して配置された有機半導体層と、この有機半導体層の上に設けられた絶縁性構造体と、互いに離間して配置され、かつ、有機半導体層の上面の一部とそれぞれ接するソース電極およびドレイン電極と、絶縁性構造体を覆い、ソース電極と接続されると共にドレイン電極と分離された導電性材料層とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ショットキーダイオード及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】本発明のショットキーダイオードは、第一金属層と、半導体層と、第二金属層と、を含む。前記第一金属層及び前記第二金属層は、相互に間隔をあけて設置され、それぞれ前記半導体層に電気的に接続されている。前記第一金属層と、前記半導体層との接合方式は、ショットキー接触である。前記第二金属層と、前記半導体層との接合方式は、オーミック接触である。前記半導体層は、高分子絶縁材料及び該高分子絶縁材料に分散した複数のカーボンナノチューブからなる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体素子およびその製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体素子は、有機半導体層と、この有機半導体層と接するように配設された電極と、この電極とは別体として形成され、かつ電極と電気的に接続された配線層とを備えている。半導体素子の製造方法は、基板上に、有機半導体層およびこの有機半導体層と接する電極を形成する工程と、この電極と電気的に接続された配線層を形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い導電膜パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電膜パターンの製造方法は、基板１０上に導電膜２１を成膜し、導電膜２１の表面に対して他の層を積層する前に、酸素をプラズマ化したプラズマアッシング処理を施し、表面処理した導電膜２１上に、当該導電膜２１をパターン形成するためのマスクパターン３０を形成する。次いで、マスクパターン３０を用いて導電膜２１をウェットエッチングによりパターン形成する。基板１０は、半導体基板であることが好ましい。導電膜パターンは、例えば、配線、電極パッド等である。 （もっと読む）

【課題】印刷法により電子素子パターンを形成するためのインク等に含有する溶剤又は溶剤組成物であって、前記インク等に印刷時の優れた版離れ性、高温乾燥時の優れたパターン保持性、及び速乾性を付与する溶剤又は溶剤組成物を提供する。
【解決手段】本発明の電子素子パターン印刷用溶剤又は溶剤組成物は、印刷法により電子素子パターンを形成する際に使用する溶剤又は溶剤組成物であって、少なくとも１，２，５，６−テトラヒドロベンジルアルコールを溶剤又は溶剤組成物全量（１００重量％）の１０重量％以上含むことを特徴とする。前記印刷法としては、インクジェット法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、マイクロコンタクト印刷法、及びナノインプリント法からなる群より選択される少なくとも１種の方法が好ましい。 （もっと読む）

【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、１または複数の第１開口部を有する基板と、この基板の第１主面側に設けられると共に、各第１開口部と対向して１または複数の第２開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第１開口部および第２開口部を順に通過することにより、第２開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第２開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第１のソース電極又はドレイン電極と、前記第１のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第１のソース電極又はドレイン電極上に
第２のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第２のソース電極又はドレイン電極は
前記第１のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第１のソース電極又はドレ
イン電極及び第２のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】印刷法による少ない工程数のメリットを生かしつつ、より微細であり、絶縁性の低下がなく、導電部寸法精度の高い、配線部材および電子素子の製造方法を提供することを目的とする。また、配線部材、積層配線、電子素子、電子素子アレイ及び表示装置を提供することを目的とする
【解決手段】基板上にエネルギーの付与により臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程、紫外領域のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、濡れ性変化層に凹部を形成する工程、凹部に導電性インクを塗布して導電部を形成する工程、を含み、前記濡れ性変化層の凹部のパターン形成と同時に、前記臨界表面張力を変化させて高表面エネルギー領域のパターン形成が行われることを特徴とする配線部材の製造方法、電子素子の製造方法、及び、それにより得られた配線部材、電子素子を提供する。また、電子素子アレイ及び表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供
する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有する薄膜トラ
ンジスタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体
に接するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、φｍｓ≦χ
＜φｍｄの関係になるように構成する。また、薄膜トランジスタのゲート電極とドレイン
電極を電気的に接続することで、さらに整流特性の良い非線形素子を実現することができ
る。 （もっと読む）

【課題】改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１は、光電変換部１０と、第１の電極２１と、第２の電極２２とを備える。第１の電極２１は、光電変換部１０の一主面１０ａの上に配されている、第２の電極２２は、光電変換部１０の他主面１０ｂの上に、第１の電極２１よりも小面積に配されている。第１の電極２１は、第１の第１電極導電層２１ａと、第２の第１電極導電層２１ｃとを含む。第１の第１電極導電層２１ａは、光電変換部１０の一主面１０ａの上に配されている。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａの上に配されている。第１の第１電極導電層２１ａは、第２の第１電極導電層２１ｃよりも高い光反射率を有する。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａよりも低い電気抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いて、逆方向特性が良好なショットキーダイオードを高い歩留まりで得る。
【解決手段】図１（ｂ）に示されるように、バリアメタル２１を部分的にエッチングする（電極層エッチング工程）。電極層エッチング工程によってバリアメタル２１がエッチングされた領域における半導体層１０中に、埋め込み絶縁層を形成する（埋め込み絶縁層形成工程）。図１に示される製造方法においては、この埋め込み絶縁層形成工程は、半導体層エッチング工程、絶縁層形成工程、エッチバック工程からなる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極と有機半導体層とにおける電荷注入効率の向上と性能の確保とを両立させることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含む金属含有材料により形成された有機半導体層と、互いに離間されたソース電極およびドレイン電極と、有機半導体層とソース電極およびドレイン電極とが重なる領域において有機半導体層とソース電極およびドレイン電極との間に挿入され、エッチングガスと反応可能な金属元素および半金属元素のうちの少なくとも一方を含まない非金属含有材料により形成された有機導電層とを備える。 （もっと読む）

【課題】電力変換回路の性能を高める。
【解決手段】ユニット１０は、半導体スイッチ素子１，２と、ダイオード３，４とを備える。ダイオード３は、半導体スイッチ素子２がオン状態である時に逆バイアスされ、半導体スイッチ素子２がオフ状態である時に導通する。ダイオード４は、半導体スイッチ素子１がオン状態である時に逆バイアスされ、半導体スイッチ素子１がオフ状態である時に導通する。ダイオード３，４は、窒化ガリウム（ＧａＮ）ダイオードまたはダイヤモンドダイオードである。ユニット１０を備えるパワーモジュールは、コンバータ、インバータ等の電力変換回路に適用される。 （もっと読む）

【課題】基板サイズの大型化により、基板を水平搬送でき、基板を略垂直に立てて成膜でき、かつ膜厚均一性がよく、低コストのターゲットや電源を利用でき、蒸着装置とのクラスタ化に適したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】処理真空チャンバ（１０）を有するスパッタリング装置であって、処理真空チャンバ内にカソード電極（６０）が設けられ、カソード電極上にスパッタリングターゲット材料（６１）が設けられ、処理真空チャンバ内に基板が上面搬送され、カソード電極は矩形であり、基板が垂直方向に立てられた状態でカソード電極が基板面と平行に走査されることで、スパッタリングターゲット材料が基板に成膜されるスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】相互接続構造の珪化物層と、ロープロファイルバンプを含む、バンプ間ショートを防止したパワーＭＯＳＦＥＴからなる半導体デバイスおよび製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にソース領域１６０およびドレイン領域１７０を有し、珪化物層１７４が、ソース領域およびドレイン領域の上に配置されている。第１の相互接続層１９４が、珪化物層上に形成されており、ソース領域に接続される第１のランナー１９６と、ドレイン領域に接続される第２のランナー１９８とが配置される。第２の相互接続層２１４が、第１の相互接続層上に形成されており、第１のランナーに接続される第３のランナー２１６と、第２のランナーに接続される第４のランナー２１８とを含む。第３の相互接続層２３４が形成され、ソースパッド２３６、ソースバンプ２４０が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】金属粒子の焼結体から構成された導電体を微細化された電極・配線とした場合でも腐蝕やマイグレーションの発生を長期間防止可能な電極・配線用導電体を提供する。
【解決手段】金属粒子の焼結体から構成された導電体薄膜上に、下記一般式(1)で表されるチオール化合物または下記一般式(2)で表されるスルフィド化合物から選択される少なくともいずれか一種の化合物を含有する金属イオン移動防止膜を設け、且つ、前記金属イオン移動防止膜中に凝集体構造が含まれてなる電極・配線用導電体とする。
Ａｒ−ＳＨ…(1)［式(1)中、Arはベンゼン環を示し、置換基を有していてもよい。］
(Ａ−Ｒ’−Ｏ−Ｒ−Ｓ)_２…(2)［式(2)中、R’、Rはアルキレン基を示し、Aはフルオロアルキル基を示す。］ （もっと読む）

【課題】裏面電極層の硫化による反射率の低下を抑制し、光電変換装置の長期的な性能を向上させる。
【解決手段】光電変換ユニットであるａ−Ｓｉユニット２０２及びμｃ−Ｓｉユニット２０４と、光電変換ユニットに形成された裏面電極層２６とを設け、裏面電極層２６は、銀を含む第２領域２６ｂと、第２領域２６ｂ上に積層された阻止領域である第３領域２６ｃと、第３領域２６ｃ上に積層され、第２領域２６ｂより薄い犠牲領域である第４領域２６ｄと、第４領域２６ｄ上に積層された保護領域である第５領域２６ｅと、の積層構造を含み、第３領域２６ｃは、第５領域２６ｅより硫黄を透過し難い材料から構成し、第４領域２６ｄは、第３領域２６ｃより硫黄と化学反応し易い材料から構成する。 （もっと読む）

【課題】高い電界効果移動度を有し、しきい値電圧のばらつきが小さく、かつ高い信頼性を有する酸化物半導体を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用い、これまで実現が困難であった高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタに、インジウム、スズ、亜鉛およびアルミニウムから選ばれた二種以上、好ましくは三種以上の元素を含む酸化物半導体膜を用いる。該酸化物半導体膜は、基板加熱しつつ成膜する。また、トランジスタの作製工程において、近接の絶縁膜または／およびイオン注入により酸化物半導体膜へ酸素が供給され、キャリア発生源となる酸素欠損を限りなく低減する。また、トランジスタの作製工程において、酸化物半導体膜を高純度化し、水素濃度を極めて低くする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】液体に対し金属膜の表面の濡れ性を改質し、金属表面と液体との接触角を増加させて液体の濡れ広がりを抑制し、信頼性の高い機能膜を低コストで実現すること。
【解決手段】基材１の平板面１ａに金属膜２を形成する（金属膜形成工程）。次いで、金属膜２の表面２ａに機能材料を含有する液体３を付与し、液体３を固化させて機能膜３Ａを形成する（機能膜形成工程）。金属膜形成工程では、平板面１ａに対する成膜入射角αが５°以上１５°以下となる条件で平板面１ａに金属を真空蒸着し、金属膜２を平板面１ａに対して２０°以上４５°以下に傾斜する柱状結晶構造に形成する。 （もっと読む）