【課題】 金属集積回路構造を好適に電気鋳造する方法を提供する。
【解決手段】 本発明による方法は、中間絶縁体を貫通するビアまたはラインといった開口部（１０８）を形成して基板（１０２）の表面（１０４）を露出し、中間絶縁体（１０６）と基板の表面との上にあるベース層（１１０）を形成し、ベース層の上にあるストライク層（１１２）を形成し、ストライク層の上にある最上層を形成し、選択的にエッチングすることにより基板の表面の上にある最上層を除去してストライク層（１１２）の表面を露出し、ストライク層の表面の上にある金属構造（１１４）を電気鋳造する。電気鋳造された金属構造（１１４）は、電気メッキまたは無電解堆積プロセスを用いて堆積される。典型的には、この金属はＣｕ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、ＰｔまたはＡｇである。 （もっと読む）

半導体素子（１０）を形成する方法では、一の表面を有する基板（２０）を設け、絶縁層（２２）を基板（２０）の表面の上に形成し、第１パターニング済み導電層（３０）を絶縁層（２２）の上に形成し、第２パターニング済み導電層（３２）を第１パターニング済み導電層（３０）の上に形成し、パターニング済み非絶縁層（３４）を第２パターニング済み導電層（３２）の上に形成し、そして第１及び第２パターニング済み導電層（３０，３２）の一部分を選択的に除去して、半導体素子（１０）の切り欠き制御電極を形成する。
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一実施形態において、本発明は、一般に、基板上に堆積されたドープされた層をアニールするための方法を提供する。この方法は、ゲート酸化物層のような基板の表面に多結晶層を堆積するステップと、この多結晶層にドーパントを注入して、ドープされた多結晶層を形成するステップとを備えている。この方法は、更に、ドープされた多結晶層を急速加熱アニールに露出して、多結晶層全体にわたりドーパントを容易に分配するステップを備えている。その後、この方法は、ドープされた多結晶層をレーザアニールに露出して、多結晶層の上部のドーパントを活性化するステップを備えている。レーザアニールは、ドーパント、即ち原子を多結晶材料の結晶格子へ合体させる。 （もっと読む）

１つの一般的な実施形態では、デュアルメタルのＮＭＯＳゲート（２２６）とＰＭＯＳゲート（２２８）を形成するために、基板（２０２）上に第１金属層（２０６）と第２金属層（２０８）を統合するための方法として、基板（２０２）のＮＭＯＳ領域（２１０）とＰＭＯＳ領域（２１２）上に誘電体層（２０４）を堆積する。更に、本方法は、誘電体層（２０４）上に第１金属層を堆積する。更に、方法は、第１金属層（２０６）上に第２金属層（２０８）を堆積する（１５０）。更に、本方法は、基板（２０２）のＮＭＯＳ領域（２１０）に窒素を注入し（１５２）、第１金属層（２０６）の第１部分を金属酸化物層（２２０）に変え（１５４）、第１金属層（２０６）の第２部分を金属窒化物層（２１８）に変える。更に、本方法は、ＮＭＯＳゲート（２２６）とＰＭＯＳゲート（２２８）を形成し（１５６）する。ＮＭＯＳゲート（２２６）は金属窒化物層（２１８）のセグメント（２３４）を含み、ＰＭＯＳゲート（２２８）は金属酸化物層（２２０）のセグメント（２４２）を含む。
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電界効果トランジスタのゲート電極などの、シリコン含有領域に、埋め込まれたニッケルシリサイド層（２６０Ａ）、続いてコバルトシリサイド層（２６１Ａ）を形成することによって、縮小されたシリコン回路構造のシート抵抗及び接触抵抗を過度に損なうことなく、デバイスを更に縮小することができるように、両シリサイドの優れた特性が組み合わせられる。
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【構成】自己整列リセス・ゲート構造及び形成方法が開示されている。最初に，絶縁用のフィールド酸化物領域を半導体基板内に形成する。半導体基板の上に形成された絶縁層内に複数のコラムを画定し，それに続いて，薄い犠牲酸化物層を半導体基板の露出領域の上に形成するが，フィールド酸化物領域の上には形成しない。次に，各コラムの側壁上，並びに犠牲酸化物層及びフィールド酸化物領域の一部分の上に誘電体を設ける。第１エッチングを行い，それにより，半導体基板内に第１組のトレンチを，またフィールド酸化物領域内に複数のリセスを形成する。第２エッチングを行い，それにより，コラムの側壁上に残っている誘電体残留部を除去し，かつ第２組のトレンチを形成する。次に，第２組のトレンチ内及びリセス内にポリシリコンを堆積させ，それにより，リセス導電性ゲートを形成する。 （もっと読む）

高温で顕著に変化しないn型またはp型の仕事関数を有する遷移金属合金の実施例を示した。示された遷移金属合金は、トランジスタのゲート電極として使用しても良く、ゲート電極の一部を構成しても良い。これらの遷移金属合金を用いて、ゲート電極を形成する方法についても示した。
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